JPH10116806A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPH10116806A JPH10116806A JP28900696A JP28900696A JPH10116806A JP H10116806 A JPH10116806 A JP H10116806A JP 28900696 A JP28900696 A JP 28900696A JP 28900696 A JP28900696 A JP 28900696A JP H10116806 A JPH10116806 A JP H10116806A
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- Japan
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 シリコン面に残留した水分によってウォータ
ーマークが生じるのを抑制すること。 【解決手段】 シリコンウエハ１上に、酸化膜（ＳｉＯ
2）２，３がむきだしになっている部分が存在してい
る。薬液処理としてフッ化水素（ＨＦ）水を塗布して酸
化膜（ＳｉＯ2）３の除去を行う。過酸化水素（Ｈ
2Ｏ2）が１〜１０％含む過酸化水素水を１〜２０分程度
シリコンウエハ１上に浸し、厚み１０〜３０Åの二酸化
シリコン層４を生成させる。シリコンウエハ１上に薬液
剤としての過酸化水素水を完全に除去する目的で、純水
で洗浄を行う。純水で洗浄を終了した後には、二酸化シ
リコン層４間に水分５が付着している。水分５は、二酸
化シリコン層４に対して親水性であるので、球状の水滴
とはならず、薄く均一に付着している。上記水分５を除
去するために、シリコンウエハ１を回転させる。
ーマークが生じるのを抑制すること。 【解決手段】 シリコンウエハ１上に、酸化膜（ＳｉＯ
2）２，３がむきだしになっている部分が存在してい
る。薬液処理としてフッ化水素（ＨＦ）水を塗布して酸
化膜（ＳｉＯ2）３の除去を行う。過酸化水素（Ｈ
2Ｏ2）が１〜１０％含む過酸化水素水を１〜２０分程度
シリコンウエハ１上に浸し、厚み１０〜３０Åの二酸化
シリコン層４を生成させる。シリコンウエハ１上に薬液
剤としての過酸化水素水を完全に除去する目的で、純水
で洗浄を行う。純水で洗浄を終了した後には、二酸化シ
リコン層４間に水分５が付着している。水分５は、二酸
化シリコン層４に対して親水性であるので、球状の水滴
とはならず、薄く均一に付着している。上記水分５を除
去するために、シリコンウエハ１を回転させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハの洗浄
方法に関するもので、特に、半導体ウエハ表面上にウォ
ーターマークの発生を抑えることを目的とする。
方法に関するもので、特に、半導体ウエハ表面上にウォ
ーターマークの発生を抑えることを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来技術として特開平６−１９６４６５
号公報に示すように半導体ウエハの薬液処理、純水洗浄
を行う技術が開示されており、半導体ウエハを空気中に
引き上げないで、ウォーターマークの発生、自然酸化膜
の発生がないものである。
号公報に示すように半導体ウエハの薬液処理、純水洗浄
を行う技術が開示されており、半導体ウエハを空気中に
引き上げないで、ウォーターマークの発生、自然酸化膜
の発生がないものである。
【０００３】図２に従来技術による半導体ウエハの洗浄
プロセスを示す。図２（ａ）ではシリコンウエハ上に、
酸化膜（ＳｉＯ2）２及びその上にレジスト４がある部
分と、シリコンウエハ１の上に酸化膜（ＳｉＯ2）３が
むきだしになっている部分とが交互に存在している。
プロセスを示す。図２（ａ）ではシリコンウエハ上に、
酸化膜（ＳｉＯ2）２及びその上にレジスト４がある部
分と、シリコンウエハ１の上に酸化膜（ＳｉＯ2）３が
むきだしになっている部分とが交互に存在している。
【０００４】図２（ｂ）では薬液処理としてフッ化水素
（ＨＦ）水を塗布してレジストのない部分の酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）３の除去を行う。
（ＨＦ）水を塗布してレジストのない部分の酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）３の除去を行う。
【０００５】図２（ｃ）ではシリコンウエハ１上に薬液
剤としてのフッ化水素（ＨＦ）水を完全に除去する目的
で、純水で洗浄を行う。純水で洗浄を終了した後には、
各々の酸化膜（ＳｉＯ2）２間でのシリコンウエハ１に
水分５，６が付着している。
剤としてのフッ化水素（ＨＦ）水を完全に除去する目的
で、純水で洗浄を行う。純水で洗浄を終了した後には、
各々の酸化膜（ＳｉＯ2）２間でのシリコンウエハ１に
水分５，６が付着している。
【０００６】図２（ｄ）では上記、水分５，６を除去す
るために、例えば特開平６−１９６４６５号公報に示す
半導体ウエハの洗浄装置を用いてシリコンウエハ１を回
転させる。しかしながらシリコンウエハ１のシリコン
（Ｓｉ）と水分（Ｈ2Ｏ）とは疎水性であるため、酸化
膜（ＳｉＯ2）２か近傍に表面張力が作用し、完全に除
去することはできない。
るために、例えば特開平６−１９６４６５号公報に示す
半導体ウエハの洗浄装置を用いてシリコンウエハ１を回
転させる。しかしながらシリコンウエハ１のシリコン
（Ｓｉ）と水分（Ｈ2Ｏ）とは疎水性であるため、酸化
膜（ＳｉＯ2）２か近傍に表面張力が作用し、完全に除
去することはできない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の課題として
は、図２（ｄ）で示すようにシリコンウエハ１を回転さ
せて酸化膜（ＳｉＯ2）２間の水分５，６、特に酸化膜
（ＳｉＯ2）２近傍の水分６は、シリコン（Ｓｉ）面
で、水に対して疎水性であるための液剤として表面張力
が多大に作用するために完全に除去することがむずかし
い。この残留した水分６によってウォーターマークが生
じ、その後の処理をすすめても半導体製品として欠陥品
となってしまい、用いることはできない。
は、図２（ｄ）で示すようにシリコンウエハ１を回転さ
せて酸化膜（ＳｉＯ2）２間の水分５，６、特に酸化膜
（ＳｉＯ2）２近傍の水分６は、シリコン（Ｓｉ）面
で、水に対して疎水性であるための液剤として表面張力
が多大に作用するために完全に除去することがむずかし
い。この残留した水分６によってウォーターマークが生
じ、その後の処理をすすめても半導体製品として欠陥品
となってしまい、用いることはできない。
【０００８】この水分６を除去する方法として特開平７
−６６１６８号公報に示すように、純水で洗浄後ＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）ガス雰囲気で回転させて、
水分６とＩＰＡを置換させる方法があるが、特開平６−
１９６４６５号公報の洗浄装置に独立した槽が必要であ
りＩＰＡの供給、回収機能とそれぞれの槽が必要であ
り、設備費が莫大になるという課題がある。
−６６１６８号公報に示すように、純水で洗浄後ＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）ガス雰囲気で回転させて、
水分６とＩＰＡを置換させる方法があるが、特開平６−
１９６４６５号公報の洗浄装置に独立した槽が必要であ
りＩＰＡの供給、回収機能とそれぞれの槽が必要であ
り、設備費が莫大になるという課題がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来技術の課
題を有利に解決するものであって、シリコン基盤に薬液
処理して、シリコン面を局部的もしくは全面的に露出
し、水洗洗浄を施す半導体ウエハの洗浄方法において、
シリコン基盤上に薬液処理して、シリコン面を局部的も
しくは全面的に露出した後に、過酸化水素水で処理を施
し局部的もしくは全面的に露出したシリコン面に厚み１
０〜３０Åの二酸化シリコン層を生成せしめ、その後に
水洗洗浄を施すことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方
法である。
題を有利に解決するものであって、シリコン基盤に薬液
処理して、シリコン面を局部的もしくは全面的に露出
し、水洗洗浄を施す半導体ウエハの洗浄方法において、
シリコン基盤上に薬液処理して、シリコン面を局部的も
しくは全面的に露出した後に、過酸化水素水で処理を施
し局部的もしくは全面的に露出したシリコン面に厚み１
０〜３０Åの二酸化シリコン層を生成せしめ、その後に
水洗洗浄を施すことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方
法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明を
証明する。
証明する。
【００１１】図１（ａ）〜（ｅ）、（ａ′）〜（ｅ′）
は本発明の実施の形態をしめすものである。図１
（ａ）、（ａ′）、ではシリコンウエハ１上に、酸化膜
（ＳｉＯ2）２，３がむきだしになっている部分が存在
している。
は本発明の実施の形態をしめすものである。図１
（ａ）、（ａ′）、ではシリコンウエハ１上に、酸化膜
（ＳｉＯ2）２，３がむきだしになっている部分が存在
している。
【００１２】図１（ｂ）、（ｂ′）では薬液処理として
フッ化水素（ＨＦ）水を塗布して酸化膜（ＳｉＯ2）３
の除去を行う。
フッ化水素（ＨＦ）水を塗布して酸化膜（ＳｉＯ2）３
の除去を行う。
【００１３】図１（ｃ）では、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）が
１〜１０％含む過酸化水素水を１〜２０分程度シリコン
ウエハ１上に浸す。シリコンウエハ１上のシリコン（Ｓ
ｉ）と反応して、厚み１０〜３０Åの二酸化シリコン層
４が生成する。この厚みは３０Åを超えると、これ以降
の処理において不純物を注入するのを阻害し、または導
電膜を付ける時、二酸化シリコンが絶緑層として作用す
るので上限とする。厚み１０Å未満であると、水分に対
して二酸化シリコンとしての親水作用が及ばないので下
限とする。
１〜１０％含む過酸化水素水を１〜２０分程度シリコン
ウエハ１上に浸す。シリコンウエハ１上のシリコン（Ｓ
ｉ）と反応して、厚み１０〜３０Åの二酸化シリコン層
４が生成する。この厚みは３０Åを超えると、これ以降
の処理において不純物を注入するのを阻害し、または導
電膜を付ける時、二酸化シリコンが絶緑層として作用す
るので上限とする。厚み１０Å未満であると、水分に対
して二酸化シリコンとしての親水作用が及ばないので下
限とする。
【００１４】図１（ｄ）ではシリコンウエハ１上に薬液
剤としての過酸化水素水を完全に除去する目的で、純粋
で洗浄を行う。純粋で洗浄を終了した後には、二酸化シ
リコン層４間に水分５が付着している。水分５は、二酸
化シリコン層４に対して親水性であるので、球状の水滴
とはならず、薄く均一に付着している。
剤としての過酸化水素水を完全に除去する目的で、純粋
で洗浄を行う。純粋で洗浄を終了した後には、二酸化シ
リコン層４間に水分５が付着している。水分５は、二酸
化シリコン層４に対して親水性であるので、球状の水滴
とはならず、薄く均一に付着している。
【００１５】図１（ｅ）では上記水分５を除去するため
に、シリコンウエハ１を回転させる。従来技術での水分
６は、図３（ａ）に示すようにシリコンウエハとの接触
各ａが小さく球状になっているが、図１（ｄ）の水分５
は図３（ｂ）に示すようにシリコンウエハとの接触角
ａ′が大きく球状にならず、薄く均一に付着しているた
め、シリコンウエハ１の回転に伴い完全に除去できる。
に、シリコンウエハ１を回転させる。従来技術での水分
６は、図３（ａ）に示すようにシリコンウエハとの接触
各ａが小さく球状になっているが、図１（ｄ）の水分５
は図３（ｂ）に示すようにシリコンウエハとの接触角
ａ′が大きく球状にならず、薄く均一に付着しているた
め、シリコンウエハ１の回転に伴い完全に除去できる。
【００１６】
【発明の効果】本願発明によって、シリコンウエハ１は
純水で洗浄後、回転させることによって酸化膜２間に水
分を滞留させることなく製造することができ、ウォータ
ーマークの発生を抑えることができる。さらに特開平７
−６６１６８号公報のように、ＩＰＡ洗浄層を独立さ
せ、ＩＰＡの供給、回収機能とそれぞれの槽を必要とす
ることがない。
純水で洗浄後、回転させることによって酸化膜２間に水
分を滞留させることなく製造することができ、ウォータ
ーマークの発生を抑えることができる。さらに特開平７
−６６１６８号公報のように、ＩＰＡ洗浄層を独立さ
せ、ＩＰＡの供給、回収機能とそれぞれの槽を必要とす
ることがない。
【図１】本発明の実施の形態を示した説明図である。
【図２】従来の実施状況を示した説明図である。
【図３】本発明と従来技術の関係を説明する図である。
１ シリコンウエハ ２，３ 酸化膜 ４ 二酸化シリコン層 ５，６ 水分
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基盤に薬液処理して、シリコン
面を局部的もしくは全面的に露出し、水洗洗浄を施す半
導体ウエハの洗浄方法において、シリコン基盤上に薬液
処理して、シリコン面を局部的もしくは全面的に露出し
た後に、過酸化水素水で処理を施し局部的もしくは全面
的に露出したシリコン面に厚み１０〜３０Åの二酸化シ
リコン層を生成せしめ、その後に水洗洗浄を施すことを
特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28900696A JPH10116806A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28900696A JPH10116806A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116806A true JPH10116806A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17737626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28900696A Pending JPH10116806A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10116806A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006062074A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2006190996A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8236467B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2023054326A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP28900696A patent/JPH10116806A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006062074A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2006190996A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8236467B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8941812B2 (en) | 2005-04-28 | 2015-01-27 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2023054326A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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