JP2003100712A - 金属酸化物薄膜の洗浄方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜の洗浄方法Info
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-
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-
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-
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塩化白金含有ドライエッチング残留物を金属
酸化物をパターニングしたウェハから取り除く方法を提
供すること。 【解決手段】 本発明によるシリコンウェハ上の金属酸
化物薄膜を洗浄する方法は、ウェハを有機溶剤に浸漬す
る工程と、ウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程とを
包含する。浸漬する工程は、ウェハを約１２時間有機溶
剤に浸漬する工程を包含する。浸漬する工程は、ウェハ
をテトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の群
から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程を包含す
る。
酸化物をパターニングしたウェハから取り除く方法を提
供すること。 【解決手段】 本発明によるシリコンウェハ上の金属酸
化物薄膜を洗浄する方法は、ウェハを有機溶剤に浸漬す
る工程と、ウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程とを
包含する。浸漬する工程は、ウェハを約１２時間有機溶
剤に浸漬する工程を包含する。浸漬する工程は、ウェハ
をテトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の群
から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程を包含す
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、白金電極をドライ
エッチングした後に残る塩化白金残留物を除去するた
め、有機溶剤を用いて金属酸化物薄膜を洗浄する方法に
関する。
エッチングした後に残る塩化白金残留物を除去するた
め、有機溶剤を用いて金属酸化物薄膜を洗浄する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物薄膜は、強誘電体デバイスお
よび半導体デバイスにおいて、幅広い用途に用いられ
る。一般的にデバイス電極に用いられる材料として、白
金属薄膜がある。デバイス製造の間、白金属薄膜にエッ
チングプロセスを行い、デバイスパターンがシリコンウ
ェハ上に形成される。白金をエッチングする最良の技術
は、塩素含有ガスを用いるドライエッチングプロセスで
ある。
よび半導体デバイスにおいて、幅広い用途に用いられ
る。一般的にデバイス電極に用いられる材料として、白
金属薄膜がある。デバイス製造の間、白金属薄膜にエッ
チングプロセスを行い、デバイスパターンがシリコンウ
ェハ上に形成される。白金をエッチングする最良の技術
は、塩素含有ガスを用いるドライエッチングプロセスで
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ドライエッチングの
間、塩素含有ガスは、白金属と反応して、不揮発性の塩
化白金含有化合物を形成する。これにより、白金は除去
されるが、構造物の他の部分に塩化白金含有化合物が残
るか、または、フォトレジスト側壁に沿ってフェンスが
形成される。これらの塩化白金含有エッチング生成物は
揮発性でないので、動力学的真空系によって除去するこ
とができない。ウェハ洗浄が、塩化白金含有エッチング
副生成物を、パターニングされた金属酸化物薄膜から除
去するために必要である。
間、塩素含有ガスは、白金属と反応して、不揮発性の塩
化白金含有化合物を形成する。これにより、白金は除去
されるが、構造物の他の部分に塩化白金含有化合物が残
るか、または、フォトレジスト側壁に沿ってフェンスが
形成される。これらの塩化白金含有エッチング生成物は
揮発性でないので、動力学的真空系によって除去するこ
とができない。ウェハ洗浄が、塩化白金含有エッチング
副生成物を、パターニングされた金属酸化物薄膜から除
去するために必要である。
【０００４】本発明の目的は、塩化白金含有ドライエッ
チング残留物を金属酸化物をパターニングしたウェハか
ら取り除く方法を提供することである。
チング残留物を金属酸化物をパターニングしたウェハか
ら取り除く方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によるシリコンウ
ェハ上の金属酸化物薄膜を洗浄する方法は、該シリコン
ウェハを有機溶剤に浸漬する工程と、該シリコンウェハ
を窒素雰囲気中で乾燥させる工程とを包含し、これによ
り上記目的を達成する。
ェハ上の金属酸化物薄膜を洗浄する方法は、該シリコン
ウェハを有機溶剤に浸漬する工程と、該シリコンウェハ
を窒素雰囲気中で乾燥させる工程とを包含し、これによ
り上記目的を達成する。
【０００６】前記浸漬する工程は、前記シリコンウェハ
を約１２時間前記有機溶剤に浸漬する工程を包含しても
よい。
を約１２時間前記有機溶剤に浸漬する工程を包含しても
よい。
【０００７】前記浸漬する工程は、前記シリコンウェハ
をテトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の群
から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程を包含して
もよい。
をテトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の群
から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程を包含して
もよい。
【０００８】前記シリコンウェハが前記有機溶剤に浸漬
されている間に、約１０分〜４０分間、超音波を該シリ
コンウェハに印加する工程をさらに包含してもよい。
されている間に、約１０分〜４０分間、超音波を該シリ
コンウェハに印加する工程をさらに包含してもよい。
【０００９】約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真
空下で、任意のフォトレジストを前記シリコンウェハか
ら剥がす工程を包含してもよい。
空下で、任意のフォトレジストを前記シリコンウェハか
ら剥がす工程を包含してもよい。
【００１０】前記乾燥させる工程の後、前記シリコンウ
ェハを第２の有機溶剤に浸漬する工程、および、約５分
〜２０分間、該シリコンウェハに超音波を印加する工程
を包含してもよい。
ェハを第２の有機溶剤に浸漬する工程、および、約５分
〜２０分間、該シリコンウェハに超音波を印加する工程
を包含してもよい。
【００１１】本発明によるシリコンウェハ上の金属酸化
物薄膜を洗浄する方法は、該シリコンウェハを、約１２
時間、テトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤
の群から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程と、該
シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と、約
２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、任意の
フォトレジストを該シリコンウェハから剥がす工程とを
包含し、これにより上記目的を達成する。
物薄膜を洗浄する方法は、該シリコンウェハを、約１２
時間、テトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤
の群から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程と、該
シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と、約
２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、任意の
フォトレジストを該シリコンウェハから剥がす工程とを
包含し、これにより上記目的を達成する。
【００１２】本発明によるシリコンウェハ上の金属酸化
物薄膜を洗浄する方法は、該シリコンウェハを、テトラ
ヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の群から選択
される極性有機溶剤に浸漬する工程と、該シリコンウェ
ハが該極性有機溶剤に浸漬されている間に、約１０分〜
４０分間、該シリコンウェハに超音波を印加する工程
と、約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、
任意のフォトレジストを該シリコンウェハから剥がす工
程と、該シリコンウェハを第２の有機溶剤に浸漬する工
程と、約５分〜２０分間、該シリコンウェハに超音波を
印加する工程と、該シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾
燥させる工程とを包含し、これにより上記目的を達成す
る。
物薄膜を洗浄する方法は、該シリコンウェハを、テトラ
ヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の群から選択
される極性有機溶剤に浸漬する工程と、該シリコンウェ
ハが該極性有機溶剤に浸漬されている間に、約１０分〜
４０分間、該シリコンウェハに超音波を印加する工程
と、約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、
任意のフォトレジストを該シリコンウェハから剥がす工
程と、該シリコンウェハを第２の有機溶剤に浸漬する工
程と、約５分〜２０分間、該シリコンウェハに超音波を
印加する工程と、該シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾
燥させる工程とを包含し、これにより上記目的を達成す
る。
【００１３】シリコンウェハ上の金属酸化物薄膜を洗浄
する方法は、第１の実施形態において、ウェハを、有機
溶剤、例えば、テトラヒドロフランに約１２時間浸漬す
る工程と、ウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と、
約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、任意
のフォトレジストをウェハから剥がす工程とを含む。
する方法は、第１の実施形態において、ウェハを、有機
溶剤、例えば、テトラヒドロフランに約１２時間浸漬す
る工程と、ウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と、
約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、任意
のフォトレジストをウェハから剥がす工程とを含む。
【００１４】本発明による方法の第２の実施形態は、ウ
ェハを、テトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶
剤の群から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程と、
有機溶剤に浸漬している間に、約１０分〜４０分間、ウ
ェハに超音波を印加する工程と、約２００℃の温度の酸
素雰囲気中、部分真空下で、任意のフォトレジストをウ
ェハから剥がす工程と、ウェハを第２の有機溶剤に浸漬
する工程と、約５分〜２０分間、ウェハに超音波を印加
する工程と、ウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と
を含む。
ェハを、テトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶
剤の群から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程と、
有機溶剤に浸漬している間に、約１０分〜４０分間、ウ
ェハに超音波を印加する工程と、約２００℃の温度の酸
素雰囲気中、部分真空下で、任意のフォトレジストをウ
ェハから剥がす工程と、ウェハを第２の有機溶剤に浸漬
する工程と、約５分〜２０分間、ウェハに超音波を印加
する工程と、ウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と
を含む。
【００１５】この発明の要旨および目的は、本発明の本
質を素早く理解することを可能にするために提供されて
いる。本発明は、添付の図面とともに、以下の本発明の
好適な実施形態についての詳細な説明を参考にすること
によって、より良く理解され得る。
質を素早く理解することを可能にするために提供されて
いる。本発明は、添付の図面とともに、以下の本発明の
好適な実施形態についての詳細な説明を参考にすること
によって、より良く理解され得る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明による方法において、ウェ
ハから白金−塩素含有化合物を取り除くために有機溶剤
が用いられる。最も有効な溶剤は、テトラヒドロフラ
ン、すなわち、Ｃ４Ｈ８Ｏ（ＴＨＦ）である。白金がエ
ッチングされ、汚染されたウェハをＴＨＦに１２時間浸
漬すると、あるいは、汚染されたウェハをＴＨＦに浸漬
し、かつ／または、ウェハを超音波洗浄すると、走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）によるウェハの写真に、フォトレ
ジスト層が除去された後には、きれいな金属酸化物薄膜
パターンが示される。
ハから白金−塩素含有化合物を取り除くために有機溶剤
が用いられる。最も有効な溶剤は、テトラヒドロフラ
ン、すなわち、Ｃ４Ｈ８Ｏ（ＴＨＦ）である。白金がエ
ッチングされ、汚染されたウェハをＴＨＦに１２時間浸
漬すると、あるいは、汚染されたウェハをＴＨＦに浸漬
し、かつ／または、ウェハを超音波洗浄すると、走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）によるウェハの写真に、フォトレ
ジスト層が除去された後には、きれいな金属酸化物薄膜
パターンが示される。
【００１７】本発明による方法が有効であることを確認
するため、強誘電体鉛ゲルマニウム酸化物（Ｐｂ５Ｇｅ
３Ｏ１１）（ＰＧＯ）をパターニングしたウェハを用い
て、実験を行った。実験を行った積層薄膜は、Ｐｔ／Ｐ
ＧＯ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉであった。フォトレ
ジストを白金電極上に堆積し、パターニングした。白金
を塩素含有ガスを用いてエッチングした。ドライエッチ
ングの後、続いて、図１に示す工程（Ｓ１〜Ｓ４）を行
い、ウェハを洗浄した。
するため、強誘電体鉛ゲルマニウム酸化物（Ｐｂ５Ｇｅ
３Ｏ１１）（ＰＧＯ）をパターニングしたウェハを用い
て、実験を行った。実験を行った積層薄膜は、Ｐｔ／Ｐ
ＧＯ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉであった。フォトレ
ジストを白金電極上に堆積し、パターニングした。白金
を塩素含有ガスを用いてエッチングした。ドライエッチ
ングの後、続いて、図１に示す工程（Ｓ１〜Ｓ４）を行
い、ウェハを洗浄した。
【００１８】本発明による第１の実施形態において、有
機溶剤に浸漬する（Ｓ２）ことによって、ウェハを実験
的に洗浄した。有機溶剤には、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、アセトン、ジエチルエーテル、およびアセチル
アセトンが含まれる。いずれの溶剤も、純溶剤のまま用
いられる。１２時間後、ウェハを溶剤から取り除き、純
窒素ガスフローで乾燥した（Ｓ３）。フォトレジストを
２００℃の酸素雰囲気中、部分真空下で除去した（Ｓ
４）。結果を判定するため、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）写真を撮影した。これらの写真を図２〜図５に示
す。図から分かるように、ＴＨＦを洗浄溶剤として用い
た場合に、最良の結果が得られた。
機溶剤に浸漬する（Ｓ２）ことによって、ウェハを実験
的に洗浄した。有機溶剤には、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、アセトン、ジエチルエーテル、およびアセチル
アセトンが含まれる。いずれの溶剤も、純溶剤のまま用
いられる。１２時間後、ウェハを溶剤から取り除き、純
窒素ガスフローで乾燥した（Ｓ３）。フォトレジストを
２００℃の酸素雰囲気中、部分真空下で除去した（Ｓ
４）。結果を判定するため、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）写真を撮影した。これらの写真を図２〜図５に示
す。図から分かるように、ＴＨＦを洗浄溶剤として用い
た場合に、最良の結果が得られた。
【００１９】図２および図３は、それぞれ、ウェハの４
３００倍および１９，０００倍のＳＥＭ写真であり、Ｔ
ＨＦ中での汚染されたウェハの洗浄の結果を表す。ウェ
ハは、きれいな表面、およびＰｔ／ＰＧＯ／Ｐｔ層の明
瞭な積層状態を示している。エーテル（図４）も、アセ
トン（図５）も、本発明による方法のこの実施形態にお
いて、きれいな表面を提供する点において、ＴＨＦほど
有効ではない。アセチルアセトン（図５）は、白金ドラ
イエッチング残留物を除去し、ＰＧＯ薄膜をも除去する
が、これは望ましい結果ではない。本発明による方法に
おける洗浄プロセス後、強誘電特性は劣化しなかった。
メモリウィンドウは保持され、ＴＨＦ洗浄プロセス前と
ほぼ同じであった。ＴＨＦは、金属酸化物ウェハ洗浄用
途において、優れた溶剤であると分かる。
３００倍および１９，０００倍のＳＥＭ写真であり、Ｔ
ＨＦ中での汚染されたウェハの洗浄の結果を表す。ウェ
ハは、きれいな表面、およびＰｔ／ＰＧＯ／Ｐｔ層の明
瞭な積層状態を示している。エーテル（図４）も、アセ
トン（図５）も、本発明による方法のこの実施形態にお
いて、きれいな表面を提供する点において、ＴＨＦほど
有効ではない。アセチルアセトン（図５）は、白金ドラ
イエッチング残留物を除去し、ＰＧＯ薄膜をも除去する
が、これは望ましい結果ではない。本発明による方法に
おける洗浄プロセス後、強誘電特性は劣化しなかった。
メモリウィンドウは保持され、ＴＨＦ洗浄プロセス前と
ほぼ同じであった。ＴＨＦは、金属酸化物ウェハ洗浄用
途において、優れた溶剤であると分かる。
【００２０】本発明による第１の実施形態と同様に、本
発明による第２の実施形態の有効性が、強誘電体ＰＧＯ
をパターニングしたウェハを用いて実験を行うことによ
って確認された。実験を行った積層薄膜は、Ｐｔ／ＰＧ
Ｏ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉであった。フォトレジ
ストを上部白金電極上に堆積し、パターニングした。白
金を塩素含有ガスを用いてエッチングした。ドライエッ
チングの後、続いて、図６に示す工程（Ｓ６０〜Ｓ６
５）を行い、ウェハを洗浄した。
発明による第２の実施形態の有効性が、強誘電体ＰＧＯ
をパターニングしたウェハを用いて実験を行うことによ
って確認された。実験を行った積層薄膜は、Ｐｔ／ＰＧ
Ｏ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉであった。フォトレジ
ストを上部白金電極上に堆積し、パターニングした。白
金を塩素含有ガスを用いてエッチングした。ドライエッ
チングの後、続いて、図６に示す工程（Ｓ６０〜Ｓ６
５）を行い、ウェハを洗浄した。
【００２１】本発明による第２の実施形態に従って、極
性有機溶剤に浸漬することによって、ウェハを実験的に
洗浄した。極性有機溶剤として、例えば、ＴＨＦおよび
ジエチルエーテルがある。ウェハを溶剤に浸漬している
間に、１０〜４０分間、超音波洗浄し（Ｓ６１）、その
後、純窒素ガスフローで乾燥した（Ｓ６２）。本発明に
よる方法におけるこの工程を行う装置は、水が充填され
た容器を含み、この容器は、その外周に取り付けられた
超音波変換器を有する。第２の器を水浴に入れる。この
器は、溶剤および洗浄されるべきウェハを含む。フォト
レジストを２００℃の酸素雰囲気中、部分真空下で除去
した（Ｓ６３）。存在し得るあらゆる残留物をフォトレ
ジストから取り除くため、ウェハを再度極性有機溶剤に
浸漬し、溶剤に浸漬している間に、さらに５〜２０分
間、超音波洗浄した（Ｓ６４）。溶剤および超音波洗浄
の結果を判定するため、ＳＥＭ写真を撮影した（Ｓ６
５）。これらの写真を図７〜図１６に示す。
性有機溶剤に浸漬することによって、ウェハを実験的に
洗浄した。極性有機溶剤として、例えば、ＴＨＦおよび
ジエチルエーテルがある。ウェハを溶剤に浸漬している
間に、１０〜４０分間、超音波洗浄し（Ｓ６１）、その
後、純窒素ガスフローで乾燥した（Ｓ６２）。本発明に
よる方法におけるこの工程を行う装置は、水が充填され
た容器を含み、この容器は、その外周に取り付けられた
超音波変換器を有する。第２の器を水浴に入れる。この
器は、溶剤および洗浄されるべきウェハを含む。フォト
レジストを２００℃の酸素雰囲気中、部分真空下で除去
した（Ｓ６３）。存在し得るあらゆる残留物をフォトレ
ジストから取り除くため、ウェハを再度極性有機溶剤に
浸漬し、溶剤に浸漬している間に、さらに５〜２０分
間、超音波洗浄した（Ｓ６４）。溶剤および超音波洗浄
の結果を判定するため、ＳＥＭ写真を撮影した（Ｓ６
５）。これらの写真を図７〜図１６に示す。
【００２２】図７は、白金電極の塩素ガスエッチングが
終わった後の、元のパターニングされた表面のＳＥＭ写
真である。図８は、フォトレジストを除去した後の、元
のパターニングされた表面の写真である。塩素ガスドラ
イエッチプロセスによって生成される白金化合物は揮発
性でないので、エッチングされた白金−塩素残留物がウ
ェハ表面に残る。このタイプの残留物は、ＰＧＯ表面ま
たは白金表面に対して良好な接着性を有さないので、極
性有機溶剤を超音波洗浄プロセスとともに用いることに
よって、このような残留物を除去することが可能であ
る。
終わった後の、元のパターニングされた表面のＳＥＭ写
真である。図８は、フォトレジストを除去した後の、元
のパターニングされた表面の写真である。塩素ガスドラ
イエッチプロセスによって生成される白金化合物は揮発
性でないので、エッチングされた白金−塩素残留物がウ
ェハ表面に残る。このタイプの残留物は、ＰＧＯ表面ま
たは白金表面に対して良好な接着性を有さないので、極
性有機溶剤を超音波洗浄プロセスとともに用いることに
よって、このような残留物を除去することが可能であ
る。
【００２３】白金−塩素ガスドライエッチングの後、ウ
ェハは、極性有機溶剤（例えば、ＴＨＦまたはエーテ
ル）に浸漬される。その後、ウェハが溶剤に浸漬されて
いる間に、１０〜４０分間、超音波洗浄プロセスが行わ
れる。図９に示すように、このプロセス自体によって、
フォトレジストが除去されるわけではない。フォトレジ
ストは、従来の技術によって、２００℃の酸素雰囲気
中、部分真空下で除去される。しかし、フォトレジスト
を除去する工程によって、白金−塩素エッチング残留物
が除去されるわけではない。図１０に示すようにフォト
レジストが除去された後、図１１および図１２に示すよ
うに、白金−塩素エッチング残留物が全て除去される。
超音波洗浄プロセスにエーテル溶剤を用いた結果を図１
３および図１４に示す。図１５および図１６に示すよう
に、フォトレジストが除去された後でも、パターニング
された表面に依然としてある程度の残留物が残ってい
た。ウェハを洗浄するため、極性有機溶剤（例えば、Ｔ
ＨＦまたはエーテル）に浸漬する間に、再度超音波を用
いた。第２の洗浄プロセスによって、塩化白金エッチン
グ残留物が全て除去される。
ェハは、極性有機溶剤（例えば、ＴＨＦまたはエーテ
ル）に浸漬される。その後、ウェハが溶剤に浸漬されて
いる間に、１０〜４０分間、超音波洗浄プロセスが行わ
れる。図９に示すように、このプロセス自体によって、
フォトレジストが除去されるわけではない。フォトレジ
ストは、従来の技術によって、２００℃の酸素雰囲気
中、部分真空下で除去される。しかし、フォトレジスト
を除去する工程によって、白金−塩素エッチング残留物
が除去されるわけではない。図１０に示すようにフォト
レジストが除去された後、図１１および図１２に示すよ
うに、白金−塩素エッチング残留物が全て除去される。
超音波洗浄プロセスにエーテル溶剤を用いた結果を図１
３および図１４に示す。図１５および図１６に示すよう
に、フォトレジストが除去された後でも、パターニング
された表面に依然としてある程度の残留物が残ってい
た。ウェハを洗浄するため、極性有機溶剤（例えば、Ｔ
ＨＦまたはエーテル）に浸漬する間に、再度超音波を用
いた。第２の洗浄プロセスによって、塩化白金エッチン
グ残留物が全て除去される。
【００２４】他の実験では、元の白金−塩素エッチング
されたウェハから、最初にフォトレジストを除去し、そ
の後、ウェハを極性有機溶剤に浸漬し、超音波洗浄を行
った。この実験の結果から、このような手順によって、
白金−塩素エッチング残留物が取り除かれるだけでな
く、白金上部電極が除去されることが示された。
されたウェハから、最初にフォトレジストを除去し、そ
の後、ウェハを極性有機溶剤に浸漬し、超音波洗浄を行
った。この実験の結果から、このような手順によって、
白金−塩素エッチング残留物が取り除かれるだけでな
く、白金上部電極が除去されることが示された。
【００２５】上述したように、金属酸化物薄膜洗浄の方
法が開示された。添付の特許請求の範囲によって規定さ
れる本発明の範囲から逸脱することなく、さらなる変更
および改良が為され得ることが理解されるべきである。
法が開示された。添付の特許請求の範囲によって規定さ
れる本発明の範囲から逸脱することなく、さらなる変更
および改良が為され得ることが理解されるべきである。
【００２６】
【発明の効果】上述してきたように、シリコンウェハ上
の金属酸化物を洗浄する方法は、ウェハを有機溶剤に浸
漬する工程と、窒素雰囲気中でウェハを乾燥させる工程
と、約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、
任意のフォトレジストをウェハから剥がす工程とを含
む。ウェハは、極性有機溶剤に浸漬され、溶剤に浸漬さ
れている間に、ウェハに超音波を印加することによって
も洗浄され得る。白金−塩素含有化合物は、有機溶剤に
浸漬することによって容易に除去されるので、フォトレ
ジストを剥がした後には、きれいな金属酸化物薄膜パタ
ーンを得ることができる。
の金属酸化物を洗浄する方法は、ウェハを有機溶剤に浸
漬する工程と、窒素雰囲気中でウェハを乾燥させる工程
と、約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、
任意のフォトレジストをウェハから剥がす工程とを含
む。ウェハは、極性有機溶剤に浸漬され、溶剤に浸漬さ
れている間に、ウェハに超音波を印加することによって
も洗浄され得る。白金−塩素含有化合物は、有機溶剤に
浸漬することによって容易に除去されるので、フォトレ
ジストを剥がした後には、きれいな金属酸化物薄膜パタ
ーンを得ることができる。
【図１】図１は、本発明による第１の実施形態を表すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図２】図２は、本発明による方法の第１の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図３】図３は、本発明による方法の第１の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図４】図４は、本発明による方法の第１の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図５】図５は、本発明による方法の第１の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図６】図６は、本発明による第２の実施形態を表すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図７】図７は、本発明による方法の第２の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図８】図８は、本発明による方法の第２の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図９】図９は、本発明による方法の第２の実施形態に
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
よる、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターンのＳ
ＥＭ写真である。
【図１０】図１０は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
【図１１】図１１は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
【図１２】図１２は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
【図１３】図１３は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
【図１４】図１４は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
【図１５】図１５は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
【図１６】図１６は、本発明による方法の第２の実施形
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
態による、各種有機溶剤中で洗浄されたＰＧＯパターン
のＳＥＭ写真である。
フロントページの続き
(72)発明者 フェンヤン ツァン
アメリカ合衆国 ワシントン 98683，
バンクーバー， エスイー 32エヌディー
ストリート 16804
(72)発明者 シェン テン スー
アメリカ合衆国 ワシントン 98607，
ケイマス， エヌダブリュー トラウト
コート 2216
(72)発明者 ティンカイ リー
アメリカ合衆国 ワシントン 98683，
バンクーバー， エスイー 23アールディ
ー ストリート 18701
Ｆターム(参考） 5F004 AA14 DA00 DB08 DB13 EB02
FA08
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコンウェハ上の金属酸化物薄膜を洗
浄する方法であって、 該シリコンウェハを有機溶剤に浸漬する工程と、 該シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程とを
包含する、方法。 - 【請求項２】 前記浸漬する工程は、前記シリコンウェ
ハを約１２時間前記有機溶剤に浸漬する工程を包含す
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記浸漬する工程は、前記シリコンウェ
ハをテトラヒドロフランおよびエーテルからなる溶剤の
群から選択される極性有機溶剤に浸漬する工程を包含す
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記シリコンウェハが前記有機溶剤に浸
漬されている間に、約１０分〜４０分間、超音波を該シ
リコンウェハに印加する工程をさらに包含する、請求項
３に記載の方法。 - 【請求項５】 約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分
真空下で、任意のフォトレジストを前記シリコンウェハ
から剥がす工程を包含する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記乾燥させる工程の後、前記シリコン
ウェハを第２の有機溶剤に浸漬する工程、および、約５
分〜２０分間、該ウェハに超音波を印加する工程を包含
する、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 シリコンウェハ上の金属酸化物薄膜を洗
浄する方法であって、 該シリコンウェハを、約１２時間、テトラヒドロフラン
およびエーテルからなる溶剤の群から選択される極性有
機溶剤に浸漬する工程と、 該シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程と、 約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、任意
のフォトレジストを該シリコンウェハから剥がす工程と
を包含する、方法。 - 【請求項８】 シリコンウェハ上の金属酸化物薄膜を洗
浄する方法であって、 該シリコンウェハを、テトラヒドロフランおよびエーテ
ルからなる溶剤の群から選択される極性有機溶剤に浸漬
する工程と、 該シリコンウェハが該極性有機溶剤に浸漬されている間
に、約１０分〜４０分間、該ウェハに超音波を印加する
工程と、 約２００℃の温度の酸素雰囲気中、部分真空下で、任意
のフォトレジストを該シリコンウェハから剥がす工程
と、 該シリコンウェハを第２の有機溶剤に浸漬する工程と、 約５分〜２０分間、該シリコンウェハに超音波を印加す
る工程と、 該シリコンウェハを窒素雰囲気中で乾燥させる工程とを
包含する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/965,581 | 2001-09-26 | ||
| US09/965,581 US6457479B1 (en) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | Method of metal oxide thin film cleaning |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100712A true JP2003100712A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=25510171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002270820A Pending JP2003100712A (ja) | 2001-09-26 | 2002-09-17 | 金属酸化物薄膜の洗浄方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6457479B1 (ja) |
| EP (1) | EP1306895A3 (ja) |
| JP (1) | JP2003100712A (ja) |
| KR (1) | KR100491386B1 (ja) |
| TW (1) | TW553781B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100532950B1 (ko) * | 2003-04-16 | 2005-12-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 습식 세정 방법 |
| KR101559847B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2015-10-13 | 한국기계연구원 | 저온 소결법을 이용한 전극 제조방법 |
| KR101604400B1 (ko) | 2014-02-10 | 2016-03-18 | 한국기계연구원 | 저온 소결법을 이용한 전극 제조장치 |
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