TWI759133B - 鍍覆裝置及鍍覆方法 - Google Patents

Abstract

本發明係使形成於基板之鍍覆膜厚的均勻性提高。本發明之鍍覆模組400包含：用於收容鍍覆液之鍍覆槽410；用於保持基板Wf之基板固持器440；收容於鍍覆槽410中之陽極430；配置在保持於基板固持器440的基板Wf與陽極430之間，在中央形成有開口466之陽極遮罩460；及在保持於基板固持器440的基板Wf與陽極遮罩460之間，與陽極遮罩460隔開間隔配置，並形成有複數個孔之電阻體450。

Description

鍍覆裝置及鍍覆方法

本申請案係關於一種鍍覆裝置、及鍍覆方法。

鍍覆裝置之一例習知有杯式之電解鍍覆裝置。杯式之電解鍍覆裝置係使將被鍍覆面朝向下方而保持於基板固持器之基板（例如半導體晶圓）浸漬於鍍覆液，藉由在基板與陽極之間施加電壓，而在基板表面析出導電膜。

例如專利文獻1中揭示有在杯式之電解鍍覆裝置中，將中央形成有開口之環形狀的框（Shield）配置於基板與陽極之間。此外，專利文獻1中揭示有藉由調整框之開口的大小、及調整框與基板之間的距離，而使形成於基板之鍍覆膜厚均勻化。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]美國專利6402923號公報

（發明所欲解決之問題）

但是，過去技術關於使形成於基板之鍍覆膜厚的均勻性提高方面仍有改善的餘地。

亦即，過去技術係藉由調整框之開口的大小，或是調整框與基板間之距離，而將形成於基板之鍍覆膜厚均勻化者。但是，僅藉由調整框之開口的大小等，欲使基板外緣部之鍍覆膜厚充分均勻化，常常是很困難的。因此，急需用以將也包含基板外緣部之整個基板的鍍覆膜厚均勻化之技術。

因此，本申請案之一個目的為使形成於基板之鍍覆膜厚的均勻性提高。 （解決問題之手段）

一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，係包含：鍍覆槽，其係用於收容鍍覆液；基板固持器，其係用於保持基板；陽極，其係收容於前述鍍覆槽內；陽極遮罩，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極遮罩之間，與前述陽極遮罩隔以間隔配置，並形成有複數個孔。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。以下說明之圖式中，在相同或相當之構成元件上註記相同符號，並省略重複之說明。 ＜鍍覆裝置之整體構成＞

圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、自旋沖洗乾燥機600、搬送裝置700、及控制模組800。

裝載埠100係用於搬入收納於鍍覆裝置1000中並未圖示之FOUP（前開式晶圓傳送盒）等匣盒的基板，或是從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。本實施形態係將4台裝載埠100排列於水平方向而配置，不過裝載埠100之數量及配置不拘。搬送機器人110係用於搬送基板之機器人，且係以在裝載埠100、對準器120、及搬送裝置700之間交接基板的方式構成。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間交接基板時，可經由無圖示之暫置台進行基板的交接。

對準器120係用於使基板之定向平面或凹槽等的位置對準指定方向之模組。本實施形態係將2台對準器120排列於水平方向而配置，不過對準器120之數量及配置不拘。預濕模組200係藉由將鍍覆處理前之基板的被鍍覆面以純水或脫氣水等處理液濕潤，而將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組200係以實施在鍍覆時藉由將圖案內部之處理液替換成鍍覆液，而容易在圖案內部供給鍍覆液之預濕處理的方式構成。本實施形態係將2台預濕模組200排列於上下方向而配置，不過預濕模組200之數量及配置不拘。

預浸模組300係以實施例如以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去形成於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之種層表面等上存在的電阻大之氧化膜，來清洗鍍覆基底表面或使其活化之預浸處理的方式而構成。本實施形態係將2台預浸模組300排列於上下方向而配置，不過預浸模組300之數量及配置不拘。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。本實施形態係有兩套在上下方向排列3台並在水平方向排列4台而配置了12台之鍍覆模組400，合計設有24台鍍覆模組400，不過鍍覆模組400之數量及配置不拘。

清洗模組500係以為了除去殘留於鍍覆處理後之基板的鍍覆液等而對基板實施清洗處理之方式構成。本實施形態係將2台清洗模組500排列於上下方向而配置，不過清洗模組500之數量及配置不拘。自旋沖洗乾燥機600係用於使清洗處理後之基板高速旋轉而使其乾燥的模組。本實施形態係將2台自旋沖洗乾燥機排列於上下方向而配置，不過自旋沖洗乾燥機之數量及配置不拘。搬送裝置700係用於在鍍覆裝置1000中之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800係以控制鍍覆裝置1000之複數個模組的方式構成，例如可由具備與操作員之間的輸入輸出介面之一般性電腦或專用電腦而構成。

以下說明藉由鍍覆裝置1000實施之一連串鍍覆處理的一例。首先，將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。繼續，搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板，並將基板搬送至對準器120。對準器120使基板之定向平面或凹槽等的位置對準指定方向。搬送機器人110將經過對準器120而對準方向之基板送交搬送裝置700。

搬送裝置700將從搬送機器人110接收之基板搬送至預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將實施了預濕處理之基板搬送至預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將實施了預浸處理之基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

搬送裝置700將實施了鍍覆處理之基板搬送至清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。搬送裝置700將實施了清洗處理之基板搬送至自旋沖洗乾燥機600。自旋沖洗乾燥機600對基板實施乾燥處理。搬送裝置700將實施了乾燥處理之基板送交搬送機器人110。搬送機器人110將從搬送裝置700所接收之基板搬送至裝載埠100的匣盒。最後，從裝載埠100搬出收納有基板之匣盒。 ＜鍍覆模組之構成＞

其次，說明鍍覆模組400之構成。由於本實施形態中之24台鍍覆模組400係相同構成，因此僅說明1台鍍覆模組400。另外，本實施形態係就使將被鍍覆面朝向下方之基板浸漬於鍍覆液而進行鍍覆處理之杯式的鍍覆模組為一例作說明，不過鍍覆模組並不限定於杯式。例如，鍍覆模組亦可以對於將被鍍覆面橫向或向上等朝向任意方向之基板進行鍍覆處理的方式構成。圖3係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組400的構成縱剖面圖。如圖3所示，鍍覆模組400具備用於收容鍍覆液之鍍覆槽410。鍍覆模組400具備將鍍覆槽410之內部在上下方向隔開的隔膜420。隔膜420例如藉由具有彈性之薄膜而構成。鍍覆槽410之內部藉由隔膜420而分隔成浸漬基板Wf之陰極區域422；及配置陽極之陽極區域424。在陰極區域422與陽極區域424中分別充填鍍覆液。鍍覆模組400在陽極區域424中具備配置於鍍覆槽410之底面的陽極430。

鍍覆模組400具備用於在將被鍍覆面Wf－a朝向下方之狀態下保持基板Wf的基板固持器440。基板固持器440具備用於從並未圖示之電源對基板Wf饋電的饋電接點。一個實施形態之饋電接點係接觸於基板Wf之外緣部，而可饋電於基板Wf之外緣部。鍍覆模組400具備用於調整基板固持器440與後述的電阻體450間之距離的距離調整機構442。本實施形態之距離調整機構442係為了調整基板固持器440對電阻體450之位置而藉由使基板固持器440升降之固持器升降機構來實現。距離調整機構（固持器升降機構）442例如可藉由馬達等習知之機構來實現。鍍覆模組400係以使用距離調整機構（固持器升降機構）442將基板Wf浸漬於陰極區域422之鍍覆液，並藉由在陽極430與基板Wf之間施加電壓而對基板Wf之被鍍覆面Wf－a實施鍍覆處理的方式構成。另外，距離調整機構442不限定於藉由固持器升降機構升降基板固持器440來調整基板固持器440與電阻體450間之距離的構成。例如，距離調整機構442亦可取代固持器升降機構，而具備為了調整電阻體450對基板固持器440之位置而使電阻體450升降的電阻體升降機構。此外，距離調整機構442亦可具備固持器升降機構與電阻體升降機構兩者。

鍍覆模組400具備以基板Wf在將被鍍覆面Wf－a的中央垂直地伸展之虛擬的旋轉軸周圍旋轉之方式，用於使基板固持器440旋轉之旋轉機構446。旋轉機構446例如可藉由馬達等習知之機構來實現。

鍍覆模組400具備可沿著基板Wf之被鍍覆面Wf－a的徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布之感測器470。圖4係模式顯示藉由感測器計測鍍覆膜厚分布之圖。如圖4所示，一個實施形態之感測器470係以計測在從基板Wf之中央部Ct朝向外緣部Eg而散佈在徑方向之複數個監控點（一個實施形態係n個監控點）的鍍覆膜厚或電流密度之方式構成。感測器470在鍍覆處理中以一定之時間間隔使用光學、電場、磁場、電位等任何方法取得在複數個監控點之鍍覆膜厚或電流密度等的資訊。鍍覆模組400係以依據藉由感測器470所取得之資訊，而取得基板Wf之被鍍覆面Wf－a在徑方向的鍍覆膜厚分布Th－1之方式構成。另外，一個實施形態係將感測器470配置於後述之電阻體450上，不過感測器470之配置位置不拘。

如圖3所示，鍍覆模組400具備配置於保持於基板固持器440的基板Wf與陽極430之間的陽極遮罩460。陽極遮罩460在陽極區域424係配置於陽極430附近。陽極遮罩460係在中央形成有開口466之環狀的電場遮蔽物。

圖5係模式顯示陽極遮罩之俯視圖。如圖3及圖5所示，陽極遮罩460具備：固定於鍍覆槽410內側壁之環狀的第一陽極遮罩462；及在第一陽極遮罩462上沿著周方向而配置之複數個第二陽極遮罩464。一個實施形態係第二陽極遮罩464為包含8個第二陽極遮罩464－1～464－8而構成，不過第二陽極遮罩464之數量不拘。複數個第二陽極遮罩464分別以沿著第一陽極遮罩462之徑方向可移動的方式構成。

陽極遮罩460藉由使複數個第二陽極遮罩464移動至第一陽極遮罩462之徑方向內側，可縮小陽極遮罩460之開口466的直徑。另外，陽極遮罩460藉由使複數個第二陽極遮罩464移動至第一陽極遮罩462之徑方向外側，可放大陽極遮罩460之開口466的直徑。陽極遮罩460藉由使開口466之直徑變化，而實質地作用成改變陽極430的直徑。結果，陽極遮罩460藉由使開口466之直徑變化，而作用成從基板Wf中心至外緣部使整體膜厚分布變化。以下說明這一點。

圖6係模式顯示使陽極遮罩之開口的直徑變化時之鍍覆膜厚分布圖。圖6中，縱軸表示鍍覆膜厚，橫軸表示基板Wf之被鍍覆面Wf－a從中央部Ct至外緣部Eg的半徑位置。圖6中，鍍覆膜厚分布Th－11～Th－17依序表示放大陽極遮罩460之開口466的直徑時之鍍覆膜厚分布。

如圖6所示，改變陽極遮罩460之開口466的直徑時，從基板Wf之中央部Ct至外緣部Eg的鍍覆膜厚變化。具體而言，陽極遮罩460之開口466的直徑小時，由於電場集中於基板Wf之中央部Ct附近，因此，例如鍍覆膜厚分布Th－11，基板Wf之中央部Ct的鍍覆膜厚變厚，基板Wf之外緣部Eg的鍍覆膜厚變薄。另外，陽極遮罩460之開口466的直徑大時，由於電場集中於基板Wf之外緣部Eg，因此例如鍍覆膜厚分布Th－17，基板Wf之中央部Ct的鍍覆膜厚變薄，而基板Wf之外緣部Eg的鍍覆膜厚變厚。圖6之例係鍍覆膜厚分布Th－14時鍍覆膜厚分布最均勻，不過，即使如此，由於在基板Wf之外緣部Eg附近鍍覆膜厚分布仍有一些不均勻，因此要求在基板Wf之外緣部Eg附近的鍍覆膜厚均勻化。

關於這一點，一個實施形態之鍍覆模組400如圖3所示，係在保持於基板固持器440的基板Wf與陽極遮罩460之間具備與陽極遮罩460隔以間隔而配置的電阻體450。電阻體450配置於陰極區域422。電阻體450之一個實施形態係藉由形成有貫穿陽極區域424與陰極區域422的複數個貫穿孔452之板狀構件（冲孔板）而構成。但是，電阻體450之形狀不拘。此外，電阻體450不限定於冲孔板，例如亦可藉由在陶瓷材料中形成有許多細孔之多孔質體而構成。

電阻體450在陽極430與基板Wf之間作用為電阻體。電阻體450例如具有1Ω‧m以上，並宜為3Ω‧m以上之電阻率，不過不限定於此，電阻體450之電阻率不拘。藉由配置電阻體450，因為陽極430與基板Wf之間的電阻值變大，所以電場不易擴大，結果，可使形成於基板Wf之被鍍覆面Wf－a的鍍覆膜厚之分布均勻。

電阻體450特別會影響基板Wf之被鍍覆面Wf－a在外緣部的鍍覆膜厚分布。亦即，距離調整機構442係以依據藉由感測器470所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整基板固持器440與電阻體450之間的距離之方式構成。具體而言，距離調整機構（固持器升降機構）442係以藉由感測器470所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布而使基板固持器440升降的方式構成。藉由使基板固持器440升降，基板Wf與電阻體450之間的距離變化。

圖7係模式顯示使基板與電阻體之間的距離變化時之鍍覆膜厚分布圖。圖7中，縱軸表示鍍覆膜厚，橫軸表示基板Wf之被鍍覆面Wf－a從中央部Ct至外緣部Eg的半徑位置。圖7中，鍍覆膜厚分布Th－21、Th－22、Th－23依序顯示增大基板Wf與電阻體450間之距離時的鍍覆膜厚分布。如圖7所示，改變基板Wf與電阻體450間之距離時，基板Wf之外緣部Eg附近的鍍覆膜厚大幅變化。以下，就這一點作說明。

圖8係模式顯示使基板與電阻體之間的距離變化時在基板外緣部之鍍覆膜厚分布圖。圖8（A）顯示使基板Wf與電阻體450間之距離接近時的鍍覆膜厚分布，圖8（B）顯示使基板Wf與電阻體450間之距離遠離時的鍍覆膜厚分布。如圖8所示，增大基板Wf與電阻體450間之距離時，可擴大電場之空間變大。因為基板固持器440之饋電接點與基板Wf的外緣部接觸，所以相對地電場集中於基板Wf之外緣部，而使外緣部之鍍覆膜厚變厚。

鍍覆模組400利用該性質可藉由距離調整機構442調整基板Wf之外緣部的鍍覆膜厚。例如，基板Wf之外緣部的鍍覆膜厚分布如鍍覆膜厚分布Th－24般不均勻時，距離調整機構（固持器升降機構）442藉由縮小基板Wf與電阻體450間之距離（使基板固持器440下降），可調整成如鍍覆膜厚分布Th－25之均勻的鍍覆膜厚分布。另外，例如基板Wf之外緣部的鍍覆膜厚分布如鍍覆膜厚分布Th－26般不均勻時，距離調整機構（固持器升降機構）442藉由增大基板Wf與電阻體450間之距離（使基板固持器440上升），可調整成如鍍覆膜厚分布Th－27之均勻的鍍覆膜厚分布。另外，變成何種鍍覆膜厚分布係依陽極遮罩460之開口466的大小、鍍覆液之種類、及被鍍覆面Wf－a上之電流密度等來決定。

如以上所述，一個實施形態之鍍覆模組400具備陽極遮罩460與電阻體450兩者。因此，鍍覆模組400可利用陽極遮罩460與電阻體450之各個特性而使整個基板Wf的鍍覆膜厚分布之均勻性提高。例如，鍍覆模組400在對基板Wf進行鍍覆處理期間，係使用感測器470沿著基板Wf之被鍍覆面Wf－a的徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布。

繼續，鍍覆模組400依據藉由感測器470所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整陽極遮罩460之開口466的直徑大小。具體而言，係以圖6所示之被鍍覆面Wf－a的中央部Ct、以及被鍍覆面Wf－a的中央部Ct與外緣部Eg之間的中點Md之間的鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，來調整陽極遮罩460之開口466的直徑大小。藉此，基板Wf之被鍍覆面Wf－a的中央部Ct與中點Md間之鍍覆膜厚的均勻性提高。

另外，鍍覆模組400依據藉由感測器470所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，使基板固持器440升降，來調整基板Wf與電阻體450間之距離。具體而言，係以圖7所示之被鍍覆面Wf－a的中央部Ct與外緣部Eg間之中點Md、與被鍍覆面Wf－a的外緣部Eg之間的鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，使基板固持器440升降。藉此，基板Wf之被鍍覆面Wf－a的中點Md與外緣部Eg間之鍍覆膜厚的均勻性提高。

如以上所述，鍍覆模組400藉由進行鍍覆處理同時調整陽極遮罩460之開口466的直徑，而且調整基板Wf與電阻體450間之距離，可使基板Wf之被鍍覆面Wf－a的鍍覆膜厚分布之均勻性提高。另外，一個實施形態係顯示進行鍍覆處理同時調整陽極遮罩460之開口466的直徑，而且調整基板Wf與電阻體450間的距離之例，不過不限定於此。例如預先求出陽極遮罩460之開口466的直徑、及基板Wf與電阻體450間之距離的最佳值，將此等設定成最佳值情況下，於鍍覆處理中亦可不調整陽極遮罩460之開口466的直徑及基板固持器440之升降。

其次，說明鍍覆模組400之其他實施形態。圖9係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。圖9之實施形態除了具備槳葉及槳葉攪拌機構等之外，具備與圖3所示之實施形態同樣的構成。因此，省略與圖3所示之實施形態重複的說明。

如圖9所示，鍍覆模組400具備：配置在保持於基板固持器440之基板Wf與電阻體450之間的槳葉480；及用於使槳葉480在鍍覆液中攪拌之槳葉攪拌機構482。槳葉攪拌機構482係以藉由使槳葉480與基板Wf之被鍍覆面Wf－a平行地往返運動，來攪拌鍍覆液之方式而構成。

此處，如上述之實施形態，在鍍覆處理中，為了使基板Wf與電阻體450間之距離變化而使基板固持器440升降（變更基板固持器440之高度）時，同時槳葉480與基板Wf間之距離亦變化。因而，在基板Wf之被鍍覆面Wf－a上的鍍覆液之攪拌強度亦變化，會影響被鍍覆面Wf－a上之鍍覆膜厚分布的均勻性。以下，就這一點作說明。

圖10係顯示使基板與電阻體之間的距離變化時鍍覆液在被鍍覆面之流速圖。圖10中，縱軸表示鍍覆液在被鍍覆面Wf－a上之流速，橫軸表示基板Wf與電阻體450間之距離。如圖10所示，使基板Wf與電阻體450間之距離變化約10％時，鍍覆液在被鍍覆面Wf－a上之流速變化約8％。鍍覆液在被鍍覆面Wf－a上之流速變化時，會影響鍍覆膜厚分布之均勻性。

相對地，一個實施形態之鍍覆模組400如圖9所示，具備為了調整槳葉480之位置而使槳葉480升降的槳葉位置調整機構484。槳葉位置調整機構484係以在鍍覆處理中與藉由距離調整機構（固持器升降機構）442調整基板固持器440之位置（升降）同步地調整槳葉480之位置（使其升降）的方式構成。按照一個實施形態係在鍍覆處理中，藉由與基板固持器440之升降同步地使槳葉480升降，可將槳葉480與基板Wf間之距離保持一定。結果，按照一個實施形態之鍍覆模組400，在鍍覆處理中，即使變更基板固持器440之高度，仍可將鍍覆液在被鍍覆面Wf－a上之流速保持一定，因此可使鍍覆膜厚分布之均勻性提高。

其次，說明鍍覆模組400之其他實施形態。圖11係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。圖11之實施形態除了具備槳葉及槳葉攪拌機構等之外，具備與圖3所示之實施形態同樣的構成。因此，省略與圖3所示之實施形態重複的說明。

如圖11所示，鍍覆模組400具備：配置在保持於基板固持器440的基板Wf與電阻體450之間的槳葉480；及用於使槳葉480在鍍覆液中攪拌之槳葉攪拌機構482。槳葉攪拌機構482係以藉由使槳葉480與基板Wf之被鍍覆面Wf－a平行地往返運動，來攪拌鍍覆液之方式構成。

如圖11所示，槳葉480藉由槳葉支撐機構486而固定於基板固持器440。因此，由於槳葉480與基板固持器440之升降連動地升降，因此基板Wf與槳葉480之間的距離一定。結果，按照一個實施形態之鍍覆模組400，即使在鍍覆處理中變更基板固持器440之高度，仍可將鍍覆液在被鍍覆面Wf－a上之流速保持一定，因此可使鍍覆膜厚分布之均勻性提高。

其次，說明鍍覆模組400之其他實施形態。圖12係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。圖12之實施形態除了具備槳葉及槳葉攪拌機構等之外，具備與圖3所示之實施形態同樣的構成。因此，省略與圖3所示之實施形態重複的說明。

如圖12所示，鍍覆模組400具備：配置在保持於基板固持器440的基板Wf與電阻體450之間的槳葉480；及用於使槳葉480在鍍覆液中攪拌之槳葉攪拌機構482。槳葉攪拌機構482係以藉由使槳葉480與基板Wf之被鍍覆面Wf－a平行地往返運動，來攪拌鍍覆液之方式構成。

一個實施形態中，槳葉攪拌機構482係以對應於藉由距離調整機構（固持器升降機構）442調整基板固持器440之位置（升降）來調整槳葉480之攪拌速度的方式構成。更具體而言，槳葉攪拌機構482係以對應於藉由距離調整機構（固持器升降機構）442升降基板固持器440，使被鍍覆面Wf－a上之鍍覆液的流速為一定之方式，調整槳葉480之攪拌速度的方式構成。以下，就這一點作說明。

圖13係以槳葉之各個攪拌速度顯示使基板與電阻體之間的距離變化時鍍覆液在被鍍覆面之流速圖。圖13中，縱軸表示鍍覆液在被鍍覆面Wf－a之流速，橫軸表示基板Wf與電阻體450之間的距離。此外，圖13中，曲線490顯示以標準速度攪拌槳葉480時鍍覆液在被鍍覆面Wf－a的流速，曲線492表示以比標準速度低之速度攪拌槳葉480時鍍覆液在被鍍覆面Wf－a的流速，曲線494顯示以比標準速度高之速度攪拌槳葉480時鍍覆液在被鍍覆面Wf－a的流速。

如圖13所示，槳葉攪拌機構482如曲線490所示地以標準速度攪拌槳葉480狀態下，當基板Wf與電阻體450間之距離變大情況下，如曲線494所示，藉由將槳葉480之攪拌速度調整成高速度，可將鍍覆液在被鍍覆面Wf－a之流速保持一定。另外，槳葉攪拌機構482如曲線490所示地以標準速度攪拌槳葉480狀態下，當基板Wf與電阻體450間之距離變小情況下，如曲線492所示地藉由將槳葉480之攪拌速度調整成低速度，可將鍍覆液在被鍍覆面Wf－a之流速保持一定。結果，按照一個實施形態之鍍覆模組400，即使在鍍覆處理中變更基板固持器440之高度，由於可將鍍覆液在被鍍覆面Wf－a之流速保持一定，因此可使鍍覆膜厚分布之均勻性提高。

其次，說明本實施形態之鍍覆方法。圖14係顯示本實施形態之鍍覆方法的流程圖。以下說明之鍍覆方法係使用圖12所示之實施形態的鍍覆模組400來執行，不過不限於此，亦可使用圖3、圖9、或圖11所示之實施形態的鍍覆模組400來執行。如圖14所示，鍍覆方法首先將被鍍覆面Wf－a朝向下方之狀態的基板Wf設置於基板固持器440（設置步驟110）。繼續，鍍覆方法藉由使基板固持器440下降而使基板Wf浸漬於鍍覆槽410（浸漬步驟112）。

繼續，鍍覆方法使用槳葉攪拌機構482藉由使槳葉480與基板Wf之被鍍覆面Wf－a平行地搖動來攪拌鍍覆液（攪拌步驟113）。繼續，鍍覆方法經由陽極遮罩460及電阻體450，藉由在陽極430與基板Wf之間施加電壓，而在被鍍覆面Wf－a上形成鍍覆膜（鍍覆步驟114）。

繼續，鍍覆方法在鍍覆步驟114中，藉由感測器470沿著被鍍覆面Wf－a之徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布（計測步驟116）。繼續，鍍覆方法在鍍覆步驟114中，依據藉由在計測步驟116所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整陽極遮罩460之開口466的直徑大小（開口調整步驟118）。開口調整步驟118具體而言，係以藉由計測步驟116所計測之被鍍覆面Wf－a的中央部Ct與中點Md間之鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，調整陽極遮罩460之開口466的直徑大小。

繼續，鍍覆方法在鍍覆步驟114中，依據藉由計測步驟116所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整基板固持器440與電阻體450間之距離（距離調整步驟120）。距離調整步驟120具體而言，係以藉由計測步驟116所計測之被鍍覆面Wf－a的中點Md與外緣部Eg間之鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，來調整基板固持器440與電阻體450間之距離。在距離調整步驟120中調整基板固持器440與電阻體450間之距離係使用距離調整機構（固持器升降機構）442，並藉由使基板固持器440升降來執行。

繼續，鍍覆方法對應於藉由距離調整步驟120調整基板固持器440與電阻體450間之距離，而調整槳葉480之攪拌速度（速度調整步驟122）。具體而言，速度調整步驟122對應於藉由距離調整步驟120調整基板固持器440與電阻體450間之距離，而以鍍覆液在被鍍覆面Wf－a之流速一定的方式，使用槳葉攪拌機構482調整槳葉480之攪拌速度。

繼續，鍍覆方法依據藉由計測步驟116所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，判定是否在被鍍覆面Wf－a上形成了希望厚度之鍍覆膜（判定步驟124）。鍍覆方法在判定為被鍍覆面Wf－a上並未形成希望厚度之鍍覆膜情況下（判定步驟124，否（No）），返回計測步驟116繼續處理。另外，鍍覆方法判定為在被鍍覆面Wf－a上形成了希望厚度之鍍覆膜情況下（判定步驟124，是（Yes）），結束處理。

按照一個實施形態之鍍覆方法，藉由進行鍍覆處理，同時調整陽極遮罩460之開口466的直徑，並且調整基板Wf與電阻體450間之距離，可使基板Wf之被鍍覆面Wf－a上的鍍覆膜厚分布之均勻性提高。除此之外，按照一個實施形態之鍍覆方法，由於對應於在鍍覆處理中之基板固持器440的升降來調整槳葉480之攪拌速度，因此可將鍍覆液在被鍍覆面Wf－a上之流速保持一定，結果，可使鍍覆膜厚分布之均勻性提高。

另外，使用圖3所示之實施形態的鍍覆模組400執行鍍覆方法情況下，不執行攪拌步驟113及速度調整步驟122。此外，使用圖9所示之實施形態的鍍覆模組400執行鍍覆方法情況下，取代速度調整步驟122，與藉由距離調整步驟120調整基板固持器440與電阻體450間之距離同步地，執行藉由槳葉位置調整機構484調整槳葉480之位置（使其升降）的槳葉位置調整步驟。此外，使用圖11所示之實施形態的鍍覆模組400執行鍍覆方法情況下，由於基板Wf與槳葉480間之距離一定，因此不執行速度調整步驟122。

以上，說明了一些本發明之實施形態，不過，上述發明之實施形態係為了容易理解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣下可加以變更、改良，並且本發明中當然包含其等效物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍內，或是在可達到效果之至少一部分的範圍內，記載於申請專利範圍及說明書之各構成元件可任意組合或省略。

本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，係包含：鍍覆槽，其係用於收容鍍覆液；基板固持器，其係用於保持基板；陽極，其係收容於前述鍍覆槽內；陽極遮罩，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極遮罩之間，與前述陽極遮罩隔以間隔配置，並形成有複數個孔。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中前述陽極遮罩係可調整前述開口之直徑大小而構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含感測器，其係可沿著保持於前述基板固持器之基板的被鍍覆面之徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布，前述陽極遮罩係以依據藉由前述感測器所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，調整前述開口之直徑大小的方式構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含距離調整機構，其係用於調整前述基板固持器與前述電阻體之間的距離。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含感測器，其係可沿著保持於前述基板固持器之基板的被鍍覆面之徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布，前述距離調整機構係以依據藉由前述感測器所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離的方式構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間，前述槳葉固定於前述基板固持器。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含：槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間；及槳葉位置調整機構，其係用於調整前述槳葉之位置；前述槳葉位置調整機構係以與前述距離調整機構調整前述基板固持器之位置同步地調整前述槳葉之位置的方式構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含：槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間；及槳葉攪拌機構，其係用於使前述槳葉在鍍覆液中攪拌；前述槳葉攪拌機構係以對應於前述距離調整機構調整前述基板固持器之位置，來調整前述槳葉之攪拌速度的方式構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中前述電阻體係形成有貫穿前述基板側與前述陽極側之複數個孔的冲孔板，或是形成有複數個細孔之多孔質體。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含隔膜，其係將前述鍍覆槽之內部分隔成浸漬前述基板之陰極區域、與配置前述陽極之陽極區域，前述陽極遮罩配置於前述陽極區域，前述電阻體配置於前述陰極區域。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，係包含：設置步驟，其係將基板設置於基板固持器；浸漬步驟，其係藉由調整前述基板固持器之位置，而使基板浸漬於收容了鍍覆液之鍍覆槽；及鍍覆步驟，其係經由：陽極遮罩，其係配置在收容於前述鍍覆槽中之陽極與浸漬於前述鍍覆液中的基板之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在前述陽極遮罩與浸漬於前述鍍覆液中的基板之間，與前述陽極遮罩隔以間隔而配置，並形成有複數個孔；藉由在前述陽極與前述基板之間施加電壓而在前述基板之被鍍覆面形成鍍覆膜。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中在前述鍍覆步驟中進一步包含： 計測步驟，其係藉由感測器沿著前述基板之被鍍覆面的徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布；及 開口調整步驟，其係依據在前述鍍覆步驟中，藉由前述計測步驟所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整前述陽極遮罩之前述開口的直徑大小。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中前述開口調整步驟係以藉由前述計測步驟所計測之前述被鍍覆面的中央部、以及前述被鍍覆面的中央部與外緣部之間的中點之間的鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，來調整前述陽極遮罩之前述開口的直徑大小之方式構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中在前述鍍覆步驟中進一步包含距離調整步驟，其係依據藉由前述計測步驟所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整前述基板固持器與前述電阻體之間的距離。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中前述距離調整步驟係以藉由前述計測步驟所計測之前述被鍍覆面的中央部與外緣部之間的中點、與前述被鍍覆面的外緣部之間的鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離的方式構成。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中進一步包含攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間，並固定於前述基板固持器之槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中進一步包含：攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間的槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液；及槳葉位置調整步驟，其係與藉由前述距離調整步驟調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離同步地調整前述槳葉的位置。

此外，本申請案之一個實施形態揭示一種鍍覆方法，其中進一步包含：攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間的槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液；及速度調整步驟，其係對應於藉由前述距離調整步驟調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離，來調整前述槳葉之攪拌速度。

100:裝載埠

110:搬送機器人

120:對準器

200:預濕模組

300:預浸模組

400:鍍覆模組

410:鍍覆槽

420:隔膜

422:陰極區域

424:陽極區域

430:陽極

440:基板固持器

442:距離調整機構

446:旋轉機構

450:電阻體

452:貫穿孔

460:陽極遮罩

462:第一陽極遮罩

464,464－1～464－8:第二陽極遮罩

466:開口

470:感測器

480:槳葉

482:槳葉攪拌機構

484:槳葉位置調整機構

486:槳葉支撐機構

500:清洗模組

600:自旋沖洗乾燥機

700:搬送裝置

800:控制模組

1000:鍍覆裝置

Ct:中央部

Eg:外緣部

Md:中點

Th－11～17,Th－21～23:鍍覆膜厚分布

Wf:基板

Wf－a:被鍍覆面

圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。 圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。 圖3係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。 圖4係模式顯示藉由感測器計測鍍覆膜厚分布之圖。 圖5係模式顯示陽極遮罩之俯視圖。 圖6係模式顯示使陽極遮罩之開口的直徑變化時之鍍覆膜厚分布圖。 圖7係模式顯示使基板與電阻體之間的距離變化時之鍍覆膜厚分布圖。 圖8係模式顯示使基板與電阻體之間的距離變化時在基板外緣部之鍍覆膜厚分布圖。 圖9係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。 圖10係顯示使基板與電阻體之間的距離變化時鍍覆液在被鍍覆面之流速圖。 圖11係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。 圖12係概略顯示一個實施形態之鍍覆模組的構成縱剖面圖。 圖13係顯示使基板與電阻體之間的距離變化時鍍覆液在被鍍覆面之流速圖。 圖14係顯示本實施形態之鍍覆方法的流程圖。

400:鍍覆模組

410:鍍覆槽

420:隔膜

422:陰極區域

424:陽極區域

430:陽極

440:基板固持器

442:距離調整機構

446:旋轉機構

450:電阻體

452:貫穿孔

460:陽極遮罩

462:第一陽極遮罩

464:第二陽極遮罩

466:開口

470:感測器

Wf:基板

Wf-a:被鍍覆面

Claims (22)

1. 一種鍍覆裝置，係包含：鍍覆槽，其係用於收容鍍覆液；基板固持器，其係用於保持基板；陽極，其係收容於前述鍍覆槽內；陽極遮罩，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極遮罩之間，與前述陽極遮罩隔以間隔配置，並形成有複數個孔；其中前述陽極遮罩係可調整前述開口之直徑大小而構成，其中進一步包含感測器，其係可沿著保持於前述基板固持器之基板的被鍍覆面之徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布，前述陽極遮罩係以依據藉由前述感測器所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，調整前述開口之直徑大小的方式構成。
2. 如請求項1之鍍覆裝置，其中進一步包含槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間，前述槳葉固定於前述基板固持器。
3. 如請求項1或2之鍍覆裝置，其中進一步包含：槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間；槳葉位置調整機構，其係用於調整前述槳葉之位置；及距離調整機構，其係用於調整前述基板固持器與前述電阻體之間的距離； 前述槳葉位置調整機構係以與前述距離調整機構調整前述基板固持器之位置同步地調整前述槳葉之位置的方式構成。
4. 如請求項1或2之鍍覆裝置，其中進一步包含：槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間；及槳葉攪拌機構，其係用於使前述槳葉在鍍覆液中攪拌；前述槳葉攪拌機構係以對應於前述距離調整機構調整前述基板固持器之位置，來調整前述槳葉之攪拌速度的方式構成。
5. 如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述電阻體係形成有貫穿前述基板側與前述陽極側之複數個孔的冲孔板，或是形成有複數個細孔之多孔質體。
6. 如請求項1或2之鍍覆裝置，其中進一步包含隔膜，其係將前述鍍覆槽之內部分隔成浸漬前述基板之陰極區域、與配置前述陽極之陽極區域，前述陽極遮罩配置於前述陽極區域，前述電阻體配置於前述陰極區域。
7. 一種鍍覆裝置，係包含：鍍覆槽，其係用於收容鍍覆液；基板固持器，其係用於保持基板；陽極，其係收容於前述鍍覆槽內；陽極遮罩，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在保持於前述基板固持器的基板與前述陽極遮罩之間，與前述陽極遮罩隔以間隔配置，並形成有複數個孔； 距離調整機構，其係用於調整前述基板固持器與前述電阻體之間的距離；其中進一步包含感測器，其係可沿著保持於前述基板固持器之基板的被鍍覆面之徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布，前述距離調整機構係以依據藉由前述感測器所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離的方式構成。
8. 如請求項7之鍍覆裝置，其中進一步包含槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間，前述槳葉固定於前述基板固持器。
9. 如請求項7或8之鍍覆裝置，其中進一步包含：槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間；及槳葉位置調整機構，其係用於調整前述槳葉之位置；前述槳葉位置調整機構係以與前述距離調整機構調整前述基板固持器之位置同步地調整前述槳葉之位置的方式構成。
10. 如請求項7或8之鍍覆裝置，其中進一步包含：槳葉，其係配置在保持於前述基板固持器的基板與前述電阻體之間；及槳葉攪拌機構，其係用於使前述槳葉在鍍覆液中攪拌；前述槳葉攪拌機構係以對應於前述距離調整機構調整前述基板固持器之位置，來調整前述槳葉之攪拌速度的方式構成。
11. 如請求項7或8之鍍覆裝置，其中前述電阻體係形成有貫穿前述基板側與前述陽極側之複數個孔的冲孔板，或是形成有複數個細孔之多孔質體。
12. 如請求項7或8之鍍覆裝置，其中進一步包含隔膜，其係將前述鍍覆槽之內部分隔成浸漬前述基板之陰極區域、與配置前述陽極之陽極區域，前述陽極遮罩配置於前述陽極區域，前述電阻體配置於前述陰極區域。
13. 一種鍍覆方法，係包含：設置步驟，其係將基板設置於基板固持器；浸漬步驟，其係藉由調整前述基板固持器之位置，而使基板浸漬於收容了鍍覆液之鍍覆槽；鍍覆步驟，其係經由：陽極遮罩，其係配置在收容於前述鍍覆槽中之陽極與浸漬於前述鍍覆液中的基板之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在前述陽極遮罩與浸漬於前述鍍覆液中的基板之間，與前述陽極遮罩隔以間隔而配置，並形成有複數個孔；藉由在前述陽極與前述基板之間施加電壓而在前述基板之被鍍覆面形成鍍覆膜；計測步驟，其係在前述鍍覆步驟中，藉由感測器沿著前述基板之被鍍覆面的徑方向計測鍍覆膜厚分布或電流密度分布；及開口調整步驟，其係依據在前述鍍覆步驟中，藉由前述計測步驟所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整前述陽極遮罩之前述開口的直徑大小，其中前述開口調整步驟係以藉由前述計測步驟所計測之前述被鍍覆面的中央部、以及前述被鍍覆面的中央部與外緣部之間的中點之間的鍍覆 膜厚或電流密度之差變小的方式，來調整前述陽極遮罩之前述開口的直徑大小之方式構成。
14. 如請求項13之鍍覆方法，其中在前述鍍覆步驟中進一步包含距離調整步驟，其係依據藉由前述計測步驟所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整前述基板固持器與前述電阻體之間的距離。
15. 如請求項14之鍍覆方法，其中前述距離調整步驟係以藉由前述計測步驟所計測之前述被鍍覆面的中央部與外緣部之間的中點、與前述被鍍覆面的外緣部之間的鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離的方式構成。
16. 如請求項13~15中任一項之鍍覆方法，其中進一步包含攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間，並固定於前述基板固持器之槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液。
17. 如請求項14或15之鍍覆方法，其中進一步包含：攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間的槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液；及槳葉位置調整步驟，其係與藉由前述距離調整步驟調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離同步地調整前述槳葉的位置。
18. 如請求項14或15之鍍覆方法，其中進一步包含：攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間的槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液；及速度調整步驟，其係對應於藉由前述距離調整步驟調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離，來調整前述槳葉之攪拌速度。
19. 一種鍍覆方法，係包含：設置步驟，其係將基板設置於基板固持器；浸漬步驟，其係藉由調整前述基板固持器之位置，而使基板浸漬於收容了鍍覆液之鍍覆槽；鍍覆步驟，其係經由：陽極遮罩，其係配置在收容於前述鍍覆槽中之陽極與浸漬於前述鍍覆液中的基板之間，並在中央形成有開口；及電阻體，其係在前述陽極遮罩與浸漬於前述鍍覆液中的基板之間，與前述陽極遮罩隔以間隔而配置，並形成有複數個孔；藉由在前述陽極與前述基板之間施加電壓而在前述基板之被鍍覆面形成鍍覆膜；其中在前述鍍覆步驟中進一步包含距離調整步驟，其係依據藉由前述計測步驟所計測之鍍覆膜厚分布或電流密度分布，來調整前述基板固持器與前述電阻體之間的距離，其中前述距離調整步驟係以藉由前述計測步驟所計測之前述被鍍覆面的中央部與外緣部之間的中點、與前述被鍍覆面的外緣部之間的鍍覆膜厚或電流密度之差變小的方式，調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離的方式構成。
20. 如請求項19之鍍覆方法，其中進一步包含攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間，並固定於前述基板固持器之槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液。
21. 如請求項19之鍍覆方法，其中進一步包含：攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間的槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液；及 槳葉位置調整步驟，其係與藉由前述距離調整步驟調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離同步地調整前述槳葉的位置。
22. 如請求項19之鍍覆方法，其中進一步包含：攪拌步驟，其係藉由使配置在浸漬於前述鍍覆液中的基板與前述電阻體之間的槳葉搖動，來攪拌前述鍍覆液；及速度調整步驟，其係對應於藉由前述距離調整步驟調整前述基板固持器與前述電阻體間之距離，來調整前述槳葉之攪拌速度。

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