CN114787428B - 调整镀覆模块的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种方法,其是调整镀覆模块的方法,所述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与所述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于所述基板支架与所述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,所述方法包括:准备在调整了所述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块的步骤;和与利用所述镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整所述基板支架与所述板之间的距离,由此调整所述基板支架与所述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦的步骤。

Description

调整镀覆模块的方法
技术领域
本发明涉及调整镀覆模块的方法。
背景技术
作为镀覆装置的一个例子而公知有杯式电镀装置。杯式电镀装置使被镀覆面朝向下方地保持于基板支架的基板(例如半导体晶圆)浸泡于镀覆液中,对基板与阳极之间施加电压,由此在基板的表面上析出导电膜(镀覆膜)。在这种镀覆装置中,使晶圆与镀槽内的各部件(阳极、电场控制部件)的中心轴线和平行度相匹配地组装镀覆模块。在日本特开2020-176303号公报(专利文献1)中,记载了将具备光学传感器的夹具配置于镀槽,进行镀槽内的各部件的位置调整的方法。
专利文献1:日本特开2020-176303号公报
在镀槽的构造方面,存在不适于利用如专利文献1所记载的方法那样具备光学传感器的夹具进行调整的情况。另外,存在难以使晶圆与镀覆模块的各部件的中心轴线和平行度完全为零误差而相匹配的情况。在该情况下,有时晶圆与镀覆模块的各部件的轴线错位、平行度的错位、以及/或者各部件的尺寸公差对晶圆面内的膜厚分布给予影响。此时,主要是晶圆的外周部的膜厚发生变化,平面内均匀性变差。这样,存在因镀覆模块的个体差异引起镀覆膜厚分布的平面内均匀性在每个镀覆模块中不同的可能性。
若鉴于当前追求的镀覆膜厚分布的均匀性,则在镀覆模块的各部件的当前的加工精度这方面,对镀覆膜厚分布的均匀性的影响较大,在现有的镀覆模块的调整方法中,难以实现所希望的均匀性。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种能够抑制进而防止因镀覆模块的个体差异而引起的镀覆膜厚的均匀性的降低的镀覆模块的调整方法。
根据本发明的一个方面,提供一种方法,其是调整镀覆模块的方法,上述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与上述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于上述基板支架与上述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,上述方法包括:准备在调整了上述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块的步骤;和与利用上述镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式,调整上述基板支架与上述板之间的距离,由此调整上述基板支架与上述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦的步骤。
附图说明
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是表示本实施方式的镀覆模块的一个例子的示意图。
图4是表示镀覆模块的各部件的中心轴线和平行度的例子的示意图。
图5是模拟了因轴线错位、平行度的错位以及/或者尺寸公差的影响而膜厚分布变化最大的情形的例子。
图6是表示因头部的高度调整而实现的镀覆膜厚分布的调整的模拟例。
图7是板(阻挡体)的局部放大俯视图。
图8是对本实施方式的镀覆模块的调整方法进行说明的模拟例。
图9是本实施方式的镀覆模块的调整方法的流程图。
图10A是表示头部的高度调整方法的例子的示意图。
图10B是表示头部的高度调整方法的例子的示意图。
图10C是表示头部的高度调整方法的例子的示意图。
图11是表示基板表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系的图表。
图12是表示各桨的运动速度下的基板表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系的图表。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中,对于相同或者相当的结构元件标注相同的附图标记并省略重复说明。
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。如图1、图2所示,镀覆装置1000具备装载端口100、搬运机械手110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转漂洗干燥机600、搬运装置700以及控制模块800。
装载端口100是用于向镀覆装置1000搬入未图示的FOUP等盒所收纳的基板、或将基板从镀覆装置1000向盒搬出的模块。在本实施方式中,4台装载端口100沿水平方向排列配置,但装载端口100的数量和配置方式任意。搬运机械手110是用于搬运基板的机械手,并构成为在装载端口100、对准器120以及搬运装置700之间交接基板。在搬运机械手110与搬运装置700之间交接基板时,搬运机械手110和搬运装置700能够借助未图示的临时放置台进行基板的交接。
对准器120是用于使基板的定向平面或槽口等的位置与规定的方向相匹配的模块。在本实施方式中,两台对准器120沿水平方向排列配置,但对准器120的数量和配置方式任意。预湿模块200通过利用纯水或者脱气水等处理液将镀覆处理前的基板的被镀覆面浸湿,而将形成于基板表面的图案内部的空气替换为处理液。预湿模块200构成为实施预湿处理,该预湿处理通过在镀覆时将图案内部的处理液替换为镀覆液而容易向图案内部供给镀覆液。在本实施方式中,两台预湿模块200沿上下方向排列配置,但预湿模块200的数量和配置方式任意。
预浸模块300例如构成为实施预浸处理,该预浸处理利用硫酸或盐酸等处理液将在镀覆处理前的基板的被镀覆面上形成的种子层表面等上存在的电阻较大的氧化膜蚀刻去除而对镀覆基底表面进行清洗或者活性化。在本实施方式中,两台预浸模块300沿上下方向排列配置,但预浸模块300的数量和配置方式任意。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中,沿上下方向排列配置有3台并且沿水平方向排列配置有4台这12台镀覆模块400的组件存在两组,设置有共计24台镀覆模块400,但镀覆模块400的数量和配置方式任意。
清洗模块500构成为为了将在镀覆处理后的基板上残留的镀覆液等去除而对基板实施清洗处理。在本实施方式中,两台清洗模块500沿上下方向排列配置,但清洗模块500的数量和配置方式任意。旋转漂洗干燥机600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而干燥的模块。在本实施方式中,两台旋转漂洗干燥机沿上下方向排列配置,但旋转漂洗干燥机的数量和配置方式任意。搬运装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块间搬运基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块,例如能够由具备自身与操作人员之间的输入/输出接口的一般的计算机或者专用计算机构成。控制模块800构成为具备保存用于控制镀覆装置各部的程序、参数等的非易失性的存储介质,或者能够与这种存储介质进行通信。
对基于镀覆装置1000进行的一系列的镀覆处理的一个例子进行说明。首先,向装载端口100搬入盒中收纳的基板。接着,搬运机械手110从装载端口100的盒中取出基板,并将基板搬运至对准器120。对准器120将基板的定向平面或槽口等的位置与规定的方向相匹配。搬运机械手110将由对准器120匹配了方向的基板向搬运装置700交接。
搬运装置700将从搬运机械手110接受到的基板向预湿模块200搬运。预湿模块200对基板实施预湿处理。搬运装置700将被实施了预湿处理的基板向预浸模块300搬运。预浸模块300对基板实施预浸处理。搬运装置700将被实施了预浸处理的基板向镀覆模块400搬运。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
搬运装置700将被实施了镀覆处理的基板向清洗模块500搬运。清洗模块500对基板实施清洗处理。搬运装置700将被实施了清洗处理的基板向旋转漂洗干燥机600搬运。旋转漂洗干燥机600对基板实施干燥处理。搬运装置700将被实施了干燥处理的基板向搬运机械手110交接。搬运机械手110将从搬运装置700接受到的基板向装载端口100的盒搬运。最后,从装载端口100搬出收纳有基板的盒。
另外,在本实施方式的镀覆装置1000中设置有膜厚测定装置900。搬运机械手110能够在将被实施了干燥处理的基板向装载端口100的盒搬运之前,将被实施了干燥处理的基板搬运至膜厚测定装置900,在膜厚测定装置900处测定基板的镀覆膜厚(镀覆膜厚分布)。此外,也可以代替在镀覆装置中设置膜厚测定装置900,而在镀覆装置1000外的远离的部位设置膜厚测定装置,将收纳于盒之后的基板搬运至膜厚测定装置900,利用镀覆装置1000外的膜厚测定装置测定基板的镀覆膜厚分布。
图3是表示本实施方式的镀覆模块的一个例子的示意图。如该图所示,本实施方式的镀覆模块400为所谓面朝下式或者杯式镀覆模块。镀覆液例如可以为硫酸铜溶液,镀覆膜可以为铜膜。其中,镀覆膜可以为可镀覆的任意金属,镀覆液能够根据镀覆膜的种类而选择。
镀覆模块400具备镀槽401、作为基板保持件的基板支架(也称为头部)403、以及镀覆液存积槽404。头部403构成为将晶圆等基板402以其被镀覆面向下的方式进行保持。镀覆模块400具有使头部403沿周向旋转的马达411。马达411从未图示的电源接受电力的供给。利用控制模块800控制马达411,该马达411对头部403和头部403所保持的基板402的旋转进行控制。换言之,控制模块800通过控制马达411的旋转而对基板402的每单位时间的转速(也称为频率、旋转速度)进行控制。通过使基板402旋转而在基板面附近形成镀覆液的液流,将足够量的离子均匀地供给至基板。在镀槽401处以与基板402对置的方式配置有阳极410。也可以在阳极410上设置有调整阳极410的暴露区域的阳极掩模414(图4)。阳极410以及/或者阳极掩模414为电场控制部件的一个例子。
镀覆模块400还具有镀覆液接受槽408。镀覆液存积槽404内的镀覆液借助泵405而穿过过滤器406和镀覆液供给管407并从镀槽401的底部被供给至镀槽401内。从镀槽401溢出的镀覆液被镀覆液接受槽408接受,并返回至镀覆液存积槽404。
镀覆模块400还具有电源409,该电源409连接于基板402和阳极410。一边马达411使头部403旋转,一边电源409对基板402与阳极410之间施加规定的电压(直流电压、脉冲电压),由此在阳极410与基板402之间流动镀覆电流,从而在基板402的被镀覆面上形成镀覆膜。
此外,在基板402与阳极410之间配置有调整电场用的板(阻挡体)10,该板10设置有多个孔。板10为电场控制部件的一个例子。图7是板(阻挡体)的局部放大俯视图。如该图所示,板10具有圆形(正圆)或者长孔的多个孔12。孔12将板10的表面与背面之间贯穿,构成使镀覆液和镀覆液中的离子通过的路径。在本实施方式的板10中,多个孔12配置于以板10的中心为基准而同心且直径不同的多个(例如3个以上)虚拟基准圆上。与各基准圆相对应地,板10上的孔形成区域(区域半径)被分割为虚拟的多个环状的区域(分割区域),各基准圆与将各分割区域的宽度的中央点连结而形成的圆相对应。在本例中,任意的基准圆的直径和与该基准圆邻接的基准圆的直径之差恒定。另外,多个孔12沿周向以等间隔配置于基准圆上。此外,图7的板10的结构为一个例子,也可以采用其他结构。在图7中,最外周的分割区域的孔12为长孔,但中心部以及/或者最外周附近的分割区域的孔12可以为长孔,也可以为其他形状的孔。另外,在本例中,孔形成区域的外形为圆形,但也可以为除圆形以外的任意形状。
此外,将板10上的孔形成区域中的每单位面积的孔12的开口面积称为开口率或者孔隙率。开口率或者孔隙率处于与板10的阻尼值(相对于离子流或者镀覆电流的阻尼值)成反比的关系,局部的开口率或者孔隙率与局部的阻尼值成反比例。在各分割区域中,通过变更孔12的直径或者形状而变更各分割区域中的孔总面积,从而能够调整局部的开口率或者孔隙率。
再次参照图3,在基板402与板10之间配置有桨412。桨412由驱动机构413驱动,通过与基板402平行地(沿大致水平方向)往复运动而搅拌镀覆液,从而在基板402的表面上形成更强的液流。驱动机构413具有:马达413a,其从未图示的电源接受电力的供给;滚珠丝杠等旋转直动转换机构413b,其将马达413a的旋转转换为直线运动;以及轴体413c,其与旋转直动转换机构413b和桨412连结,并将旋转直动转换机构413b的动力传递至桨412。控制模块800通过控制马达413a的旋转而控制桨412的往复运动的速度(也称为运动速度)。
图4是表示镀覆模块的各部件的中心轴线和平行度的例子的示意图。在该图中,也显示了阳极掩模414。在镀覆模块400中,实施使基板402、阳极410以及板10的中心轴线、平行度相匹配的调整,但因镀槽401和各部件的尺寸的差别等原因,而难以使误差完全变为零,从而有时对镀覆膜厚分布给予影响。即,存在基板402与镀槽401内的各部件(阳极410、板10)的轴线错位、平行度的错位以及/或者尺寸公差对基板面内的膜厚分布给予影响的可能性。在该情况下,镀槽401内的部件、尤其是用于电场控制的部件亦即板10、阳极410的尺寸公差对镀覆膜厚分布给予的影响较大。另外,主要是基板402的外周部的镀覆膜厚发生变化,平面内均匀性变差。
图5是模拟了因轴线错位、平行度的错位以及/或者尺寸公差的影响而使膜厚分布变化最大的情形的例子。在该模拟中,使基板402与镀槽401的各部件(头部403、阳极410、板10)的轴线错位、平行度的错位以及/或者尺寸误差发生变化,由此实施基板的膜厚分布的模拟(计算)。能够使用市场出售或者专用的镀覆解析软件/程序来实施膜厚分布的模拟。作为模拟的解析条件(模型),设定包括镀覆模块的模块构造(包括各部件的材质、形状、尺寸以及配置)、施加电压、镀覆液的种类的参数。解析软件例如能够使用COMSOL Multiphysics(注册商标)。情形1是因各种错位和尺寸公差的积累而基板401的外周部的膜厚变为最大的最坏情形(模块构造)下的膜厚分布。情形2是反之因各种错位和尺寸公差的积累而基板401的外周部的膜厚变为最小的最坏情形(模块构造)下的膜厚分布。标准Std.是表示各种错位和尺寸公差为零或者最小的最佳的状态的情形(模块构造)下的膜厚分布。在该模拟结果中,示出了基板外周部的膜厚变大的影响强于外周部的膜厚变小的影响。能够预料到:因这种模块的个体差异,而所获得的镀覆膜厚的平面内均匀性在每个模块中不同。
图6是表示因头部的高度调整而实现的镀覆膜厚分布的调整的模拟例。在本实施方式中,通过调整以板10为基准的头部403的高度h(参照图4)而改善镀覆膜厚分布。即,采用通过变更头部与板之间的距离h而控制基板外周部的镀覆膜厚的调整方法。通过该调整而使变化的区域(基板外周部)为与因各部件的轴线错位、尺寸公差而镀覆膜厚发生变化的区域大体相同的位置/区域,因此适于镀覆膜厚分布的调整。在图中,曲线hs+2(单点划线)表示在情形2的模块构造中将头部高度h调整为标准的高度hs+2mm的情况下膜厚分布变得最均匀。曲线hs+1(实线)表示在标准Std.的模块构造中将头部高度h调整为标准的高度hs+1mm的情况下膜厚分布变得最均匀。曲线hs(虚线)表示在情形1的模块构造中将头部高度h形成为标准的高度hs的情况下膜厚分布变得最均匀。可知,通过这样调整头部与板之间的距离h,从而与图5的膜厚分布相比,能够改善膜厚分布。此外,在头部高度调整前的情形1、标准Std.、情形1的模块构造中,头部高度h=标准的高度hs。
其中,在使头部403的高度从标准的高度hs开始降低,使头部403接近板10的调整(使基板402的外周部的膜厚减小的方向上的调整)中,存在头部403与桨412碰撞的可能性。为此,在本实施方式中,采用如下调整方法,即,通过模拟等而预先进行使基板外周部的膜厚低于所希望的膜厚的设定,根据镀覆模块精细调整的偏差的程度,而在使头部高度(头部与板之间的距离)h增加的方向上进行调整,使从基板402的中心至外周部为止的镀覆膜厚分布平坦。
图8是对本实施方式的镀覆模块的调整方法进行说明的模拟例。模拟软件、解析条件与上述相同。图8的(A)表示将头部高度(头部与板之间的距离)h设定为标准的高度hs的情况下的镀覆膜厚的分布。该图表表示与图5相同的模拟结果,示出了因镀覆模块的个体差异(轴线错位、平行度的错位、尺寸公差)而基板外周部的膜厚变大或者变小。此时,镀覆膜厚的平面内均匀性U为1.1%~2.8%。
接下来,例如,将图7所示的板10的最外周的分割区域的孔隙率(开口率)设定为小于其他半径位置的分割区域的孔隙率,设定为基板外周部的镀覆膜厚减小的趋势。在本例中,使板10的最外周的分割区域的开口面积(孔总面积)从最初设计值减小8%(设定为最初设计值的92%),并实施了镀覆膜厚分布的模拟。能够通过在最外周的分割区域的孔为正圆的情况下减小半径,在为长孔的情况下减小长径以及/或者短径,而进行开口面积的减小。最初设计值是指,在组装后的镀覆模块中不存在各种错位、尺寸误差的理想的情况下,膜厚分布变得平坦那种板10的孔12的结构(面积、配置、孔隙率)。对于最外周的分割区域的孔总面积(或者孔隙率)而言,在基板外周部的膜厚变为最大的情形1下,也决定为基板外周部的膜厚减小。可知,若将所决定的孔总面积(或者孔隙率)应用于情形1、标准Std.、情形2的全部情况,则如图8的(B)所示,在情形1、标准Std.、情形2的任一情况下,也在基板外周部处镀覆膜厚减小。此外,在设置减小基板外周部的电场的电场屏蔽部件,设定为基板外周部的镀覆膜厚减小的趋势的情况下,能够将板10的最外周的分割区域的孔隙率设定为与其他半径位置的分割区域的孔隙率相同或者更大。
接下来,实施如下调整,即,通过调整头部(头部与板之间的距离)h而使因各模块精细调整的偏差(各种错位和尺寸公差)所引起的膜厚分布变得平坦。在图8的(C)中示出了,在情形1、标准Std.、情形2的各情形下,调整头部高度h以使膜厚分布变得最平坦的模拟结果。在本例中,确认到,能够使镀覆膜厚的平面内均匀性U提高至1.0%~1.3%。在该图中,曲线“92%_情形1_h+0.2”表示,在情形1下,形成为基板最外周的分割区域的孔总面积92%,并将头部高度h形成为标准的高度hs+0.2mm的情况下的膜厚分布的模拟结果。曲线“92%_Std._h+1”表示,在标准Std.下,形成为基板最外周的分割区域的孔总面积92%,将头部高度h形成为标准的高度hs+1mm的情况下的膜厚分布的模拟结果。曲线“92%_情形2_h+2”表示,在情形2下,形成为基板最外周的分割区域的孔总面积92%,将头部403的高度h形成为标准的高度hs+2mm的情况下的膜厚分布的模拟结果。
此外,在该模拟中,伴随着头部高度h的变更而基板表面的镀覆液流速(基板表面流速)不发生变化。在本实施方式中,如后述那样,与使头部403的位置基准位置(h=hs)开始移动的量相对应地,变更桨412的上下位置以及/或者运动速度,由此基板表面流速不发生变化。
实际上制造、组装之后的镀覆模块会处于图8的(A)的情形1~情形2之间的范围内。因此,通过模拟而设定镀覆模块的模块构造(包括各部件的材质、形状、尺寸以及配置),考虑各种错位以及/或者尺寸公差而调整模块构造,决定成为前述的情形1、Std.、情形2的模块构造(图8的(A))。而且,在情形1的情况下也一样,决定板10的最外周的分割区域的开口面积(孔隙率),以使基板外周部的膜厚分布小于其他部分(图8的(B))。接下来,制造满足所决定的开口面积(孔隙率)的板10,制造、组装镀覆模块400。而且,利用组装之后的镀覆模块400对基板进行镀覆,与基板的镀覆膜厚的膜厚分布相对应地,调整头部高度(头部与板之间的距离)h,以使基板整体的镀覆膜厚分布变得均匀。
通常,预先对镀覆模块进行初始设定,以使膜厚分布变得平坦,但在本实施方式中,其特征在于,在对镀覆模块进行初始设定以使基板外周部的最外周的膜厚变小之后,与预先不可知的镀覆模块的精细调整(组装之后的镀覆模块)相匹配地调整头部与板之间的距离,由此形成为基板的平坦的膜厚分布。
图9是本实施方式的镀覆模块的调整方法的流程图。步骤S10~S30是基于模拟而形成的,能够由镀覆装置的控制模块800或者其他计算机实施。在步骤S50~S80中,在实际的镀覆模块中进行镀覆评价。在本实施方式的镀覆模块的例子中,头部的高度(与板分离的距离)为能够在6mm~12mm的范围内调整的结构,优选在7mm~10mm的范围内调整。此外,在其他实施方式中,能够形成为未配置有桨的相同的结构,在该情况下,头部的高度(与板分离的距离)为能够在1mm~12mm的范围内调整的结构。
在步骤S10中,决定标准Std.的条件下的最佳的模块构造(包括各部件的材质、形状、尺寸以及配置)。标准Std.的条件表示精细调整了轴线错位、平行度的错位以及尺寸公差为零,各部件为理想的尺寸、配置的镀覆模块的情况。在标准Std.的条件下决定的模块构造与图8的(A)的Std.曲线相对应。
在步骤S20中,决定在各部件(头部、板、阳极)的尺寸公差的范围内,成为基板外周部的膜厚变为最大的前述的情形1、基板外周部的膜厚变为最小的前述的情形2的条件(模块构造)。该条件包括各部件(头部、板、阳极)的轴线错位、平行度的错位以及/或者尺寸误差。情形1、情形2的模块构造分别与图8的(A)的情形1、情形2所示的曲线相对应。
在步骤S30中,在步骤S10中决定的标准Std.的条件下的模块构造中,变更板最外周的分割区域的开口面积。该变更后的开口面积形成为如下值,即,在为情形1的条件下,基板外周部的膜厚也为变小值,并且,在为情形2的条件下,为了使膜厚分布变得平坦所需的头部高度的变化量(后述的S70)也进入头部高度的可动范围内。若过度减小情形1(基板外周部的膜厚变为最大的模块构造)下的外周部膜厚,则情形2(基板外周部的膜厚变为最小的模块构造)下的外周部膜厚过度减小,从而有可能无法通过头部的可动范围内的调整(头部高度h的调整)而使膜厚分布变得平坦,因此能够在头部高度可动范围内调整或确认基于变更后的板开口面积而形成的基板外周部膜厚。例如,能够通过实验、模拟而预先计算能够借助头部高度h的最大可动量而调整的基板外周部的膜厚量(最大调整量),将情形2的情况下的基板外周部膜厚的必要调整量收于最大调整量内。
首先,在情形1和情形2的模块构造(条件)中,实施图8的(B)所示的模拟,在情形1的模块构造(条件)中,也决定基板外周部的膜厚变小的板10的最外周分割区域的开口面积,并且在情形2的模块构造(条件)中,决定为了使膜厚分布平坦所需的头部高度的变化量(后述的S70)进入头部高度的可动范围内的开口面积(在本例中,减小至最初设计值的开口面积的92%)。接下来,在标准Std.的条件下的模块构造中,将板最外周的分割区域的开口面积变更为所决定的开口面积(开口面积的92%),将标准Std.的条件下的模块构造形成为初始设定的模块结构。
在步骤S40中,在步骤S30中决定的初始设定的模块构造中制造、组装镀覆模块。在步骤S50中,利用组装之后的镀覆模块实际对基板进行镀覆。在步骤S60中,利用膜厚测定装置900测定镀覆后的基板的镀覆膜厚分布,对膜厚分布是否平坦进行判定。例如,根据镀覆后的基板的膜厚分布计算平面内均匀性,对平面内均匀性是否处于所希望的范围进行确认,由此能够实施该判定。在膜厚分布平坦的情况下,结束镀覆模块400的调整(步骤S80)。可以使用镀覆装置1000的膜厚测定装置900实施镀覆膜厚分布的测定和判定,也可以使用镀覆装置1000外部的膜厚测定装置900实施镀覆膜厚分布的测定和判定。
另一方面,在步骤S60中判定为膜厚分布不平坦的情况下,进入步骤S70。在本例中示出了基板外周部的膜厚依然低于中心部的情况。在步骤S70中,通过使头部高度(头部与板之间的距离)h增加规定量(例如0.1mm),而使基板外周部的镀覆膜厚增加。可以利用控制模块800自动实施头部高度(头部与板之间的距离)h的调整,也可以手动实施头部高度(头部与板之间的距离)h的调整。另外,如后述那样,伴随着头部高度h的增加而也调节桨412的高度以及/或者运动速度,以使因桨412的镀覆液搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速(基板表面流速)不发生变化。可以利用控制模块800自动实施桨412的高度以及/或者运动速度的变更,也可以手动实施桨412的高度以及/或者运动速度的变更(例如,用户在制程中变更桨412的运动速度)。在使头部高度h增加之后的镀覆模块400中,再次实施基板的镀覆,测定镀覆后的基板的膜厚分布(步骤S50),对膜厚分布是否平坦进行判定(步骤S60)。这样,直至在步骤S60中判定为基板的膜厚分布平坦为止,反复步骤S70、S50、S60的处理。若在步骤S60中判定为基板的膜厚分布平坦,则结束镀覆模块的调整(步骤S80)。
在本实施方式的镀覆模块的调整方法中,通过调整板10的最外周区域的开口面积,而对模块进行初始设定以使基板外周部的膜厚减小。而且,与预先不可知的组装后的镀覆模块的精细调整(镀覆后的基板的膜厚分布)相匹配地,调整头部高度(头部与板之间的距离)h,由此调整镀覆模块以成为平坦的膜厚分布。作为本运转前的镀覆模块的调整,能够实施本实施方式的镀覆模块的调整方法。另外,在本运转后,镀覆膜厚分布的均匀性降低的情况下,也能够通过调整头部高度(头部与板之间的距离)h而实施本实施方式的镀覆模块的调整方法。
图10A~图10C是分别表示头部的高度调整方法的第1例~第3例的示意图。首先,对头部与板之间的距离的变化、与基板表面上的镀覆液流速(基板表面流速)之间的关系进行说明。这里,镀覆液流速例如能够形成为平均流速。如图3所示,用于镀覆液搅拌的桨412设置于头部403(基板402)与板10之间。如上述那样,若在变更了头部高度h时,同时头部(基板)与桨之间的距离也发生变化,则由桨412形成的基板表面上的镀覆液的搅拌强度(基板表面流速)也发生变化。图11是表示基板表面流速与基板和桨间的距离之间的关系的图表。在该图中,纵轴表示基板表面流速,横轴表示基板与桨之间的距离。基板表面流速和头部与桨之间的距离被规范化示出,将标准的头部与桨之间的距离设为1,将标准的基板表面流速设为1(图12也相同)。根据该图可知,若头部与桨之间的距离变化约10%,则流速变化约8%。若由桨搅拌形成的基板表面流速发生变化,则向基板表面供给的铜离子或添加剂的供给产生差异,从而存在可设定的最大电流密度、镀覆表面的形状发生变化的可能性。为了排除这种流速变化的影响,而构筑对策以在变更头部高度h时使基板表面流速不发生变化。
在第1例中,如图10A所示,头部403与桨机构(包括桨412、驱动机构413的结构)以同时移动的方式形成为一体,并设置使头部403和桨机构同时沿上下方向(箭头460)移动的升降机构450。升降机构450可以具备由控制模块800控制的致动器,也可以手动实施升降。根据该结构,头部403和桨412一体上下移动,从而能够将桨412与基板402之间的距离保持为恒定。即,在图9的步骤S70中,利用升降机构450使头部403与桨412同时上升,由此变更头部与板之间的距离,并且将头部与桨之间的距离(基板与桨之间的距离)保持为恒定。由此,能够抑制进而防止基板表面上的镀覆液流速(桨搅拌强度)因头部高度h的增加而发生变化。
在第2例中,桨机构与镀槽401形成为一体,但如图10B所示,具备使头部403沿上下方向(箭头461)移动的升降机构451和使桨机构沿上下方向(箭头462)移动的升降机构452,与利用升降机构451使头部403上升的量相对应地,利用升降机构452使桨412上升。各升降机构451、452可以具备由控制模块800控制的致动器,也可以手动实施升降。在该结构中,头部403和桨412也上下移动了相同的距离,从而能够将桨412与基板402之间的距离保持为恒定。即,在图9的步骤S70中,与利用升降机构451使头部403上升的量相对应地,利用升降机构452使桨412上升,由此能够变更头部与板之间的距离,并且能够将头部与桨之间的距离(基板与桨之间的距离)保持为恒定。由此,能够抑制进而防止基板表面上的镀覆液流速(桨搅拌强度)因头部高度h的增加而发生变化。
在第3例中,桨机构与镀槽401形成为一体,如图10C所示,不具备使桨机构升降的升降机构,但箭头463所示的桨412的运动速度伴随头部403的升降(箭头461)而发生变化,将基板表面流速控制为恒定。使头部403沿上下方向(箭头461)移动的升降机构451与图10B的升降机构相同。在图9的步骤S70中,为了在头部高度h的变更前后使基板表面流速恒定,而决定桨412的运动速度,并将桨412的运动速度变更为所决定的运动速度。由此,能够抑制进而防止基板表面流速因头部高度h的增加而发生变化。可以利用控制模块800自动实施桨412的运动速度的变更,也可以通过用户变更制程数据而实施桨412的运动速度的变更。
图12是表示各桨的运动速度下的表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系的图表。在该图中,曲线I表示桨的运动速度为标准的情况下的表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系。曲线II表示桨的运动速度高于标准的情况下的表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系。曲线III表示桨的运动速度低于标准的情况下的表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系。在图10C的结构中,考虑不变更桨412的高度而仅使头部403的高度增加的情况。在初始设定中,若基板与桨之间的距离为1,则基板表面流速为1(图12)。而且,为了改善镀覆膜厚分布,而在图9的步骤S70中,不变更桨412的高度而仅使头部403的高度增加,若将基板与桨之间的距离设为1.10,则基板表面流速为约0.92(减小约8%)。此时,若使桨412的运动速度从标准的运动速度(相当于曲线I)增加至相当于曲线II的运动速度,则能够使在变更了头部高度h之后的基板表面流速形成为1.00。由此,在使头部高度(头部与板之间的距离)h增加,基板与桨之间的距离增加的情况下,也能够在头部高度h的变更前后将基板表面流速保持为恒定。在使头部高度h降低的情况下也相同,通过从相当于曲线I的桨运动速度减小至相当于曲线III的桨运动速度,能够在头部高度h的变更前后将基板表面流速保持为恒定。
能够将表示各桨的运动速度下的表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系的数据(图12)预先存储于能够供控制模块800参照的存储介质中。能够预先通过模拟、实验等而决定表示表面流速与基板和桨之间的距离之间的关系的数据。在图9的步骤S70中,也可以控制模块800参照存储介质所存储的数据,为了在头部高度h的变更前后将基板表面流速形成为恒定,而决定桨412的运动速度,并将桨412的运动速度变更为所决定的运动速度。控制模块800能够控制驱动机构413而变更桨412的运动速度。由此,能够抑制进而防止基板表面流速因头部高度h的增加而发生变化。
(其他实施方式)
(1)在上述实施方式中,调整了板10的最外周的分割区域的开口面积(孔隙率),但也可以调整包括最外周的分割区域在内的接近的一个或者多个分割区域的开口面积(孔隙率)。
(2)在上述实施方式中,在头部403与板410之间的距离的调整前后,调整了桨412的位置或者运动速度中的一者,以将因桨412的搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速保持为恒定,但也可以组合桨412的位置的调整(图10B)和桨412的运动速度的调整(图10C)。
(3)在上述实施方式中,为了变更头部与板之间的距离,而对板进行固定,并使头部移动,但也可以设置使板升降的升降机构,对头部进行固定并使板移动。另外,也可以分别设置头部和板的升降机构,使头部和板双方移动而调整头部与板之间的距离。此外,在对头部进行固定,使板移动的情况下,在头部与板之间的距离的调整前后不改变头部(基板)与桨之间的距离,因此也可以省略使在图10A~图10C中说明的表面流速恒定的调整。
(4)在上述实施方式中,举出杯式镀覆模块为例进行了说明,但也可以在浸泡式镀覆模块、其他任意的镀覆模块中应用本实施方式。
上述实施方式至少包括以下实施方式。
[1]根据一个实施方式,提供一种方法,其是调整镀覆模块的方法,上述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与上述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于上述基板支架与上述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,上述方法包括:准备在调整了上述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块的步骤;和与利用上述镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整上述基板支架与上述板之间的距离,由此调整上述基板支架与上述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦的步骤。
根据该实施方式,在减小了基板外周部的镀覆膜厚分布的状态下对镀覆模块进行初始设定,与实际上利用镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,调整基板支架与板之间的距离,由此进行增大基板的外周部的膜厚的调整,从而能够调整镀覆模块以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦。由此,能够与镀覆模块的个体差异(镀槽的各部件的轴线错位、平行度的错位、尺寸误差)无关地,调整镀覆模块以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦。
另外,增大基板的外周部的膜厚的调整为增大基板支架与板之间的距离的方向上的调整,因此能够抑制或者防止基板支架与桨或者板碰撞。
[2]根据一个实施方式,也可以上述方法还包括通过考虑了上述镀覆模块的各部件的中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸公差的模拟,而决定上述初始设定的镀覆模块的模块构造的步骤,上述部件包括上述基板支架、上述阳极以及上述板。
根据该实施方式,与镀覆模块的个体差异无关地,能够在使基板外周部的镀覆膜厚分布小于其他部分的膜厚分布的状态下进行初始设定。由此,与镀覆模块的个体差异无关地,能够通过增大基板支架与板之间的距离的方向上的调整,而使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦。
[3]根据一个实施方式,也可以上述模拟包括:决定标准条件的模块构造和第1条件的模块构造的步骤,上述标准条件是指上述镀覆模块的上述部件的中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸公差为零或者最小,上述第1条件是指因上述镀覆模块的上述部件的中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸公差而引起上述基板的外周部的镀覆膜厚变为最大;在上述第1条件的模块构造中,决定上述板的外周部的孔隙率,以使上述基板的外周部的膜厚分布小于其他部分的步骤;以及将上述被决定的孔隙率应用于上述标准条件的模块构造,决定上述初始设定的模块构造的步骤。
根据该实施方式,将在基板的外周部的镀覆膜厚变为最大的误差(中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸误差)的模块构造中决定的孔隙率使用于初始设定,因此与组装之后的镀覆模块的个体差异无关地,能够在减小了基板外周部的镀覆膜厚分布的状态下进行初始设定。另外,由于以误差变为零或者最小的标准条件为目标而进行镀覆模块的制造、组装,所以将所决定的孔隙率应用于标准条件的模块构造。
[4]根据一个实施方式,也可以上述镀覆模块还具备桨,上述桨配置于上述基板支架与上述板之间,并搅拌镀覆液,在上述基板支架与上述板之间的距离的调整前后,调整上述桨相对于上述基板支架的位置以及/或者上述桨的运动速度,以将因上述桨的搅拌而形成的上述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
根据该实施方式,在基板支架与板之间的距离的调整前后,能够将因桨的搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速(基板表面流速)保持为恒定,因此能够抑制进而防止基板表面流速的变化对镀覆膜厚分布的平面内均匀性等镀覆品质给予的影响。另外,排除因基板表面流速的变化而产生的影响,通过基板支架与板之间的距离的调整,能够更容易地进行镀覆膜厚分布的所希望的调整。
[5]根据一个实施方式,也可以在调整上述基板支架与上述板之间的距离时,使上述基板支架和上述桨移动相同的距离,将上述基板支架与上述桨之间的距离保持为恒定。
根据该实施方式,能够通过简易的调整而将基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
[6]根据一个实施方式,也可以通过使上述基板支架与上述桨一体地移动,而将上述基板支架与上述桨之间的距离保持为恒定。
根据该实施方式,由于使基板支架和桨一体地移动,所以能够更可靠地将基板支架与桨之间的距离保持为恒定。
[7]根据一个实施方式,也可以通过使上述基板支架与上述桨分别独立地移动相同的距离,而将上述基板支架与上述桨之间的距离保持为恒定。
根据该实施方式,由于使基板支架与桨分别独立地移动,所以能够更容易地构成使基板支架和桨分别移动的机构。
[8]根据一个实施方式,也可以在上述基板支架与上述板之间的距离的调整前后,调整上述桨的运动速度,以将因上述桨的搅拌而形成的上述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
根据该实施方式,能够省略调整桨的位置的机构,从而能够抑制进而防止模块的大型化以及/或者成本上升。
[9]根据一个实施方式,也可以在上述基板支架与上述板之间的距离的调整前后,组合上述桨的位置和运动速度的调整,以将因上述桨的搅拌而形成的上述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
根据该实施方式,通过组合桨的位置和运动速度的调整,能够抑制桨的位置和运动速度的变更幅度,并使基板支架在大范围内移动。
[10]根据一个实施方式,也可以通过调整设置于上述板上的多个同心圆周上的孔中的设置于最外周的圆周上或者设置于最外周的圆周和与之接近的一个或者多个圆周上的孔的开口面积而实施上述板的外周部的孔隙率的调整。
根据该实施方式,通过变更板的外周部的孔的直径以及/或者形状等而调整局部的开口面积,能够简易且高精度地调整板的外周部的孔隙率。
[11]根据一个实施方式,提供一种存储介质,其是存储使计算机执行调整镀覆模块的方法的程序的非易失性的存储介质,上述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与上述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于上述基板支架与上述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,上述存储介质所存储的程序使计算机执行:与利用在调整了上述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整上述基板支架与上述板之间的距离,由此调整上述基板支架与上述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦。
根据该实施方式,起到与在上述[1]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的调整。
[12]根据一个实施方式,也可以上述镀覆模块还具备桨,上述桨配置于上述基板支架与上述板之间,并搅拌镀覆液,上述存储介质所存储的程序使计算机执行:在上述基板支架与上述板之间的距离的调整前后,调整上述桨相对于上述基板支架的位置以及/或者上述桨的运动速度,以将因上述桨的搅拌而形成的上述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
根据该实施方式,起到与在上述[4]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的调整。
[13]根据一个实施方式,提供一种镀覆装置,其中,具备镀覆模块和第1移动机构,上述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与上述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于上述基板支架与上述阳极之间的作为阻挡体的板,上述镀覆模块将基板的外周部的镀覆膜厚设定为小于其他部分的膜厚,上述第1移动机构使上述基板支架以及/或者上述板移动。
根据该实施方式,起到与在上述[1]中叙述的作用效果相同的作用效果。
[14]根据一个实施方式,也可以上述镀覆装置还具备桨,上述桨配置于上述基板支架与上述板之间,并搅拌镀覆液,上述第1移动机构构成为相对于上述板使上述基板支架和上述桨一体地移动。
根据该实施方式,起到与在上述[6]中叙述的作用效果相同的作用效果。
[15]根据一个实施方式,也可以上述镀覆装置还具备:桨,其配置于上述基板支架与上述板之间,并搅拌镀覆液;和第2移动机构,其使上述桨相对于上述基板支架接近或分离地移动。
根据该实施方式,起到与在上述[7]中叙述的作用效果相同的作用效果。
[16]根据一个实施方式,也可以上述镀覆装置还具备控制模块,上述控制模块与利用上述镀覆模块进行了镀覆后的基板的膜厚分布相对应地,控制上述第1移动机构,调整上述基板支架与上述板之间的距离。
根据该实施方式,起到与在上述[1]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的镀覆评价、镀覆模块的调整。
[17]根据一个实施方式,也可以上述镀覆装置还具备控制模块,上述控制模块控制上述第1移动机构,将上述基板支架与上述桨之间的距离保持为恒定,并使上述基板支架和上述桨一体地移动。
根据该实施方式,起到与在上述[6]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的镀覆评价、镀覆模块的调整。
[18]根据一个实施方式,也可以镀覆装置还具备控制模块,上述控制模块控制上述第1移动机构和第2移动机构,使上述基板支架和上述桨移动,以将上述基板支架与上述桨之间的距离保持为恒定。
根据该实施方式,起到与在上述[7]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的镀覆评价、镀覆模块的调整。
[19]根据一个实施方式,也可以上述镀覆装置还具备:桨,其配置于上述基板支架与上述板之间,并搅拌镀覆液;和驱动机构,其使上述桨与基板平行地往复移动,上述控制模块控制上述驱动机构,在上述基板支架与上述板之间的距离的调整前后,调整上述桨的运动速度,以将因上述桨的搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
根据该实施方式,起到与在上述[8]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的调整。
[20]根据一个实施方式,也可以上述镀覆装置还具备:桨,其配置于上述基板支架与上述板之间,并搅拌镀覆液;第2移动机构,其使上述桨相对于上述基板支架接近或分离地移动;驱动机构,其使上述桨与基板平行地往复移动;以及控制模块,上述控制模块控制上述第2移动机构和上述驱动机构,在上述基板支架与上述板之间的距离的调整前后,使上述桨移动并调整上述桨的运动速度,以将因上述桨的搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
根据该实施方式,起到与在上述[9]中叙述的作用效果相同的作用效果。另外,能够自动进行组装之后的镀覆模块中的调整。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但上述发明的实施方式是为了便于理解本发明而描述的,并不限定本发明。本发明能够不脱离其主旨地进行变更、改进,并且本发明当然包括其等价物。另外,在能够解决上述课题至少一部分的范围内、或者在起到效果至少一部分的范围内,能够进行权利要求书和说明书所记载的各结构元件的任意组合或者省略。日本特开2020-176303号公报(专利文献1)的包括说明书、权利要求书、附图以及摘要在内的全部公开内容作为参照而整体被援引于本申请中。
附图标记说明:
100…装载端口;110…搬运机械手;120…对准器;200…预湿模块;300…预浸模块;400…镀覆模块;401…镀槽;402…基板;403…基板支架(头部);404…镀覆液存积槽;405…泵;406…过滤器;407…镀覆液供给管;408…镀覆液接受槽;409…电源;410…阳极;411…马达;412…桨;413…驱动机构;413a…马达;413b…旋转直动转换机构;413c…轴体;414…阳极掩模;450、451、452…升降机构;500…清洗模块;600…旋转漂洗干燥机;700…搬运装置;800…控制模块;900…膜厚测定装置;1000…镀覆装置。

Claims (19)

1.一种调整镀覆模块的方法,所述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与所述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于所述基板支架与所述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,
所述方法包括:
准备在调整了所述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块的步骤;和
与利用所述镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整所述基板支架与所述板之间的距离,由此调整所述基板支架与所述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得均匀的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
所述方法还包括通过考虑了所述镀覆模块的各部件的中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸公差的模拟,而决定所述初始设定的镀覆模块的模块构造的步骤,
所述部件包括所述基板支架、所述阳极以及所述板。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,
所述模拟包括:
决定标准条件的模块构造和第1条件的模块构造的步骤,所述标准条件是指所述镀覆模块的所述部件的中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸公差为零或者最小,所述第1条件是指因所述镀覆模块的所述部件的中心轴线的错位、平行度的错位、以及/或者尺寸公差而引起所述基板的外周部的镀覆膜厚变为最大;
在所述第1条件的模块构造中,决定所述板的外周部的孔隙率,以使所述基板的外周部的膜厚分布小于其他部分的步骤;以及
将被决定的孔隙率应用于所述标准条件的模块构造,决定所述初始设定的模块构造的步骤。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的方法,其中,
所述镀覆模块还具备桨,所述桨配置于所述基板支架与所述板之间,并搅拌镀覆液,
在所述基板支架与所述板之间的距离的调整前后,调整所述桨相对于所述基板支架的位置以及/或者所述桨的运动速度,以将因所述桨的搅拌而形成的所述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,
在调整所述基板支架与所述板之间的距离时,使所述基板支架和所述桨移动相同的距离,将所述基板支架与所述桨之间的距离保持为恒定。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,
通过使所述基板支架与所述桨一体地移动,而将所述基板支架与所述桨之间的距离保持为恒定。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,
通过使所述基板支架与所述桨分别独立地移动相同的距离,而将所述基板支架与所述桨之间的距离保持为恒定。
8.根据权利要求4所述的方法,其中,
在所述基板支架与所述板之间的距离的调整前后,调整所述桨的运动速度,以将因所述桨的搅拌而形成的所述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
9.根据权利要求4所述的方法,其中,
在所述基板支架与所述板之间的距离的调整前后,组合所述桨的位置和运动速度的调整,以将因所述桨的搅拌而形成的所述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
10.根据权利要求1~3中的任一项所述的方法,其中,
通过调整设置于所述板上的多个同心圆周上的孔中的设置于最外周的圆周上或者设置于最外周的圆周和与之接近的一个或者多个圆周上的孔的开口面积而实施所述板的外周部的孔隙率的调整。
11.一种存储介质,其是存储使计算机执行调整镀覆模块的方法的程序的非易失性的存储介质,所述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与所述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于所述基板支架与所述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,
所述存储介质所存储的程序使计算机执行:与利用在调整了所述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整所述基板支架与所述板之间的距离,由此调整所述基板支架与所述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得均匀。
12.根据权利要求11所述的存储介质,其中,
所述镀覆模块还具备桨,所述桨配置于所述基板支架与所述板之间,并搅拌镀覆液,
所述存储介质所存储的程序使计算机执行:在所述基板支架与所述板之间的距离的调整前后,调整所述桨相对于所述基板支架的位置以及/或者所述桨的运动速度,以将因所述桨的搅拌而形成的所述基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
13.一种镀覆装置,其中,具备镀覆模块、第1移动机构、权利要求11所述的存储介质以及控制模块,
所述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与所述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于所述基板支架与所述阳极之间的作为阻挡体的板,
所述第1移动机构使所述基板支架以及/或者所述板移动,
所述控制模块具有执行在所述存储介质存储的程序的计算机,
所述控制模块控制所述第1移动机构,调整所述基板支架与所述板之间的距离。
14.根据权利要求13所述的镀覆装置,其中,
所述镀覆装置还具备桨,所述桨配置于所述基板支架与所述板之间,并搅拌镀覆液,
所述第1移动机构构成为相对于所述板使所述基板支架和所述桨一体地移动。
15.根据权利要求13所述的镀覆装置,其中,
所述镀覆装置还具备:
桨,其配置于所述基板支架与所述板之间,并搅拌镀覆液;和
第2移动机构,其使所述桨相对于所述基板支架接近或分离地移动。
16.根据权利要求14所述的镀覆装置,其中,
所述控制模块控制所述第1移动机构,将所述基板支架与所述桨之间的距离保持为恒定,并使所述基板支架和所述桨一体地移动。
17.根据权利要求15所述的镀覆装置,其中,
所述控制模块控制所述第1移动机构和第2移动机构,使所述基板支架和所述桨移动,以将所述基板支架与所述桨之间的距离保持为恒定。
18.根据权利要求13所述的镀覆装置,其中,
所述镀覆装置还具备:
桨,其配置于所述基板支架与所述板之间,并搅拌镀覆液;和
驱动机构,其使所述桨与基板平行地往复移动,
所述控制模块控制所述驱动机构,在所述基板支架与所述板之间的距离的调整前后,调整所述桨的运动速度,以将因所述桨的搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
19.根据权利要求13所述的镀覆装置,其中,
所述镀覆装置还具备:
桨,其配置于所述基板支架与所述板之间,并搅拌镀覆液;
第2移动机构,其使所述桨相对于所述基板支架接近或分离地移动;以及
驱动机构,其使所述桨与基板平行地往复移动,
所述控制模块控制所述第2移动机构和所述驱动机构,在所述基板支架与所述板之间的距离的调整前后,使所述桨移动并调整所述桨的运动速度,以将因所述桨的搅拌而形成的基板表面上的镀覆液流速保持为恒定。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7305075B1 (ja) * 2023-03-17 2023-07-07 株式会社荏原製作所 めっき装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195823A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Hitachi Ltd めっき方法およびめっき装置
JP2002105695A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
CN106257634A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 株式会社荏原制作所 镀覆装置的调整方法及测定装置
JP2017115170A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002235188A (ja) * 2001-02-05 2002-08-23 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法
KR101027489B1 (ko) * 2002-07-18 2011-04-06 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 도금방법
KR100852046B1 (ko) * 2006-10-10 2008-08-13 현대자동차주식회사 크롬도금 두께 균일화를 위한 차량 부품의 제조 방법
JP2017052986A (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 株式会社荏原製作所 調整板、これを備えためっき装置、及びめっき方法
JP6678490B2 (ja) * 2016-03-28 2020-04-08 株式会社荏原製作所 めっき方法
JP2020176303A (ja) 2019-04-18 2020-10-29 株式会社荏原製作所 位置調整装置、めっき装置の調整方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195823A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Hitachi Ltd めっき方法およびめっき装置
JP2002105695A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
CN106257634A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 株式会社荏原制作所 镀覆装置的调整方法及测定装置
JP2017115170A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法

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