JP6999070B1 - めっきモジュールを調整する方法 - Google Patents

Abstract

基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートとを備えるめっきモジュールを調整する方法であって、 基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を調整した状態で初期設定されためっきモジュールを準備すること、 前記めっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板の外周部の膜厚を増加させるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整することにより、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整すること、を含む、方法。

Description

本発明は、めっきモジュールを調整する方法に関する。

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜（めっき膜）を析出させる。このようなめっき装置では、ウェハと、めっき槽内の各部品（アノード、電場制御部品）の中心軸及び平行度を合わせて、めっきモジュールが組み立てられる。特開２０２０－１７６３０３号公報（特許文献１）には、光学センサを備える治具をめっき槽に配置し、めっき槽内の各部品の位置調整を行う方法が記載されている。

特開２０２０－１７６３０３号公報

めっき槽の構造上、特許文献１に記載の方法のように光学センサを備える治具による調整に適していない場合がある。また、ウェハとめっきモジュールの各部品の中心軸及び平行度を完全に誤差ゼロで合わせることは困難な場合がある。その場合、ウェハと、めっきモジュールの各部品の軸ずれ、平行度のずれ、及び／又は各部品の寸法公差が、ウェハ面内の膜厚分布に影響を与えることがある。このとき、主にウェハの外周部の膜厚が変化し、面内均一性が悪化する。このように、めっきモジュールの個体差に起因して、めっき膜厚分布の面内均一性がめっきモジュール毎に異なる可能性がある。

現在求められているめっき膜厚分布の均一性に鑑みると、めっきモジュールの各部品の現在の加工精度では、めっき膜厚分布の均一性への影響が大きく、従来のめっきモジュールの調整方法では、所望の均一性を達成することが困難になってきている。

本発明の目的の１つは、めっきモジュールの個体差に起因するめっき膜厚の均一性の低下を抑制ないし防止することが可能なめっきモジュールの調整方法を提供することにある。

本発明の一側面によれば、 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートとを備えるめっきモジュールを調整する方法であって、 基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を調整した状態で初期設定されためっきモジュールを準備すること、 前記めっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板の外周部の膜厚を増加させるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整することにより、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整すること、を含む、方法が提供される。

本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。 本実施形態に係るめっきモジュールの一例を示す概略図である。 めっきモジュールの各部品の中心軸及び平行度の例を示す概略図である。 軸ずれ、平行度のずれ及び／又は寸法公差の影響で最も膜厚分布が変化するケースについてシミュレーションした例である。 ヘッドの高さ調整によるめっき膜厚分布の調整を示すシミュレーション例である。 プレート（抵抗体）の一部拡大平面図である。 本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法を説明するシミュレーション例である。 本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法のフローチャートである。 ヘッドの高さ調整方法の例を示す概略図である。 ヘッドの高さ調整方法の例を示す概略図である。 ヘッドの高さ調整方法の例を示す概略図である。 基板表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示すグラフである。 各パドルの運動速度における、基板表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。制御モジュール８００は、めっき装置の各部を制御するためのプログラム、パラメータ等を保存する不揮発性の記憶媒体を備えるか、又はそのような記憶媒体と通信可能するように構成されている。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

また、本実施形態のめっき装置１０００には、膜厚測定装置９００が設けられている。搬送ロボット１１０は、乾燥処理が施された基板ををロードポート１００のカセットへ搬送する前に、膜厚測定装置９００に搬送し、膜厚測定装置９００において基板のめっき膜厚（めっき膜厚分布）を測定するようにことができる。なお、めっき装置に膜厚測定装置９００を設けることに代えて、めっき装置１０００外の離れた場所に膜厚測定装置を設けて、カセットに収納後の基板を膜厚測定装置９００に搬送し、めっき装置１０００外の膜厚測定装置で基板のめっき膜厚分布を測定するようにしてもよい。

図３は、本実施形態に係るめっきモジュールの一例を示す概略図である。同図に示すように、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、いわゆるフェースダウン式又はカップ式のめっきモジュールである。めっき液は、例えば、硫酸銅溶液であり、めっき膜は銅の膜とすることができる。但し、めっき膜はめっき可能な任意の金属としてよく、めっき液はめっき膜の種類に応じて選択することができる。

めっきモジュール４００は、めっき槽４０１と、基板保持具としての基板ホルダ（ヘッドとも称す）４０３と、めっき液貯留槽４０４と、を備える。ヘッド４０３は、ウェハ等の基板４０２を、その被めっき面を下向きにして保持するように構成される。めっきモジュール４００は、ヘッド４０３を周方向に回転させるモータ４１１を有する。モータ４１１は、図示しない電源から電力の供給を受ける。モータ４１１は、制御モジュール８００により制御され、ヘッド４０３、及びヘッド４０３に保持された基板４０２の回転を制御する。言い換えれば、制御モジュール８００は、モータ４１１の回転を制御することにより、基板４０２の単位時間当たりの回転数（周波数、回転速度とも称す）を制御する。基板４０２を回転させることにより、基板面近傍にめっき液の液流れを形成し、十分な量のイオンを基板に均一に供給する。めっき槽４０１には、基板４０２と対向するようにアノード４１０が配置される。アノード４１０には、アノード４１０の露出領域を調整するアノードマスク４１４（図４）が設けられてもよい。アノード４１０及び／又はアノードマスク４１４は、電場制御部品の一例である。

めっきモジュール４００は、さらに、めっき液受槽４０８を有する。めっき液貯留槽４０４内のめっき液は、ポンプ４０５により、フィルタ４０６及びめっき液供給管４０７を通じてめっき槽４０１の底部からめっき槽４０１内に供給される。めっき槽４０１から溢れためっき液はめっき液受槽４０８に受け取られ、めっき液貯留槽４０４に戻る。

めっきモジュール４００は、さらに基板４０２とアノード４１０とに接続された電源４０９を有する。モータ４１１がヘッド４０３を回転させながら、電源４０９が基板４０２とアノード４１０との間に所定の電圧（直流電圧、パルス電圧）を印加することにより、アノード４１０と基板４０２との間にめっき電流が流れ、基板４０２の被めっき面にめっき膜が形成される。

更に、基板４０２とアノード４１０の間には、複数の孔が設けられた電場調整用のプレート（抵抗体）１０が配置される。プレート１０は、電場制御部品の一例である。図７は、プレート（抵抗体）の一部拡大平面図である。同図に示すように、プレート１０は、円形（真円）又は長孔の複数の孔１２を有する。孔１２は、プレート１０の表面と裏面との間を貫通し、めっき液及びめっき液中のイオンを通過させる経路を構成する。本実施形態に係るプレート１０では、複数の孔１２は、プレート１０の中心を基準として同心であり且つ径が異なる複数（例えば、３以上）の仮想的な基準円上に配置される。プレート１０上の孔形成エリア（エリア半径）は、各基準円に対応して仮想的な複数の環状のエリア（分割エリア）に分割されており、各基準円は、各分割エリアの幅の中央点を繋いで形成される円に対応する。この例では、任意の基準円の径と、これに隣接する基準円との径との差が一定である。また、複数の孔１２が、基準円上に周方向に沿って等間隔に配置される。なお、図７のプレート１０の構成は、一例であり、他の構成を採用することができる。図７では、最外周の分割エリアの孔１２が長孔であるが、中心部及び／又は最外周近傍の分割エリアの孔１２が長孔であっても良いし、他の形状の孔でもよい。また、この例では、孔形成エリアの外形は、円形であるが、円形以外の任意の形状になるようにしてもよい。

なお、プレート１０上の孔形成エリアにおける単位面積当たりの孔１２による開口面積を開口率又は気孔率と称する。開口率又は気孔率は、プレート１０の抵抗値（イオンの流れ又はめっき電流に対する抵抗値）に反比例する関係にあり、局所的な開口率又は気孔率は、局所的な抵抗値と反比例する。各分割エリアにおいて、孔１２の径又は形状を変更することにより、各分割エリアにおける全孔面積を変更し、局所的な開口率又は気孔率を調整することができる。

再び図３を参照すると、基板４０２とプレート１０との間には、パドル４１２が配置される。パドル４１２は、駆動機構４１３により駆動され、基板４０２と平行に（略水平方向に）往復運動することによりめっき液を攪拌し、基板４０２の表面に更に強い液流れを形成する。駆動機構４１３は、図示しない電源から電力の供給を受けるモータ４１３ａと、モータ４１３ａの回転を直線運動に変換するボールねじ等の回転直動変換機構４１３ｂと、回転直動変換機構４１３ｂ及びパドル４１２に連結され、回転直動変換機構４１３ｂの動力をパドル４１２に伝達するシャフト４１３ｃとを有する。制御モジュール８００は、モータ４１３ａの回転を制御することにより、パドル４１２の往復運動の速度（運動速度とも称す）を制御する。

図４は、めっきモジュールの各部品の中心軸及び平行度の例を示す概略図である。同図では、アノードマスク４１４も表示している。めっきモジュール４００では、基板４０２とアノード４１０及びプレート１０の中心軸、平行度を合わせる調整が実施されるが、めっき槽４０１及び各部品の寸法のばらつき等に起因して、誤差を完全にゼロにすることは困難であり、めっき膜厚分布に影響を与えることがある。つまり、基板４０２と、めっき槽４０１内の各部品（アノード４１０、プレート１０）の軸ずれ、平行度のずれ及び／又は寸法公差が、基板面内の膜厚分布に影響を与える可能性がある。この場合、めっき槽４０１内の部品、特に電場制御のための部品であるプレート１０、アノード４１０の寸法公差がめっき膜厚分布に与える影響が大きい。また、主に基板４０２の外周部のめっき膜厚が変化し、面内均一性が悪化する。

図５は、軸ずれ、平行度のずれ及び／又は寸法公差の影響で最も膜厚分布が変化するケースについてシミュレーションした例である。このシミュレーションでは、基板４０２と、めっき槽４０１の各部品（ヘッド４０３、アノード４１０、プレート１０）の軸ずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法誤差を変化させて、基板の膜厚分布のシミュレーション（計算）を実施した。膜厚分布のシミュレーションは、市販又は専用のめっき解析ソフト／プログラムを使用して実施することができる。シミュレーションの解析条件（モデル）としては、めっきモジュールのモジュール構造（各部品の材質、形状、寸法、及び配置を含む）、印加電圧、めっき液の種類を含むパラメータを設定する。解析ソフトは、例えば、COMSOL Multiphysics（登録商標）を用いることができる。Ｃａｓｅ１は、種々のずれ並びに寸法公差の積み重ねに起因して、基板４０１の外周部の膜厚が最大となるワーストケース（モジュール構造）における膜厚分布である。Ｃａｓｅ２は、逆に、種々のずれ並びに寸法公差の積み重ねに起因して、基板４０１の外周部の膜厚が最小となるワーストケース（モジュール構造）における膜厚分布である。標準Ｓｔｄ．は、種々のずれ並びに寸法公差がゼロ又は最小である最適な状態を示すケース（モジュール構造）における膜厚分布である。このシミュレーション結果では、基板外周部の膜厚が大きくなる影響が、外周部の膜厚が小さくなる影響よりも強く表れた。このようなモジュールの個体差により、得られるめっき膜厚の面内均一性がモジュール毎に異なることが予想される。

図６は、ヘッドの高さ調整によるめっき膜厚分布の調整を示すシミュレーション例である。本実施形態では、プレート１０を基準としたヘッド４０３の高さｈ（図４参照）を調整することにより、めっき膜厚分布を改善する。即ち、ヘッド－プレート間距離ｈを変更することにより、基板外周部のめっき膜厚を制御する調整方法を採用する。この調整により、変化する領域（基板外周部）は、各部品の軸ずれや寸法公差によりめっき膜厚が変化する領域と概ね同じ位置／領域であることから、めっき膜厚分布の調整に適している。図中、曲線ｈｓ＋２（一点鎖線）は、Ｃａｓｅ２のモジュール構造においてヘッド高さｈを標準の高さｈｓ＋２ｍｍに調整した場合に膜厚分布が最も均一になることを示す。曲線ｈｓ＋１（実線）は、標準Ｓｔｄ．のモジュール構造においてヘッド高さｈを標準の高さｈｓ＋１ｍｍに調整した場合に膜厚分布が最も均一になることを示す。曲線ｈｓ（破線）は、Ｃａｓｅ１のモジュール構造においてヘッド高さｈを標準の高さｈｓとした場合に膜厚分布が最も均一になることを示す。このように、ヘッド－プレート間距離ｈを調整することにより、図５の膜厚分布と比較して、膜厚分布を改善できることが分かる。なお、ヘッド高さ調整前のＣａｓｅ１、標準Ｓｔｄ．、Ｃａｓｅ１のモジュール構造では、ヘッド高さｈ＝標準の高さｈｓである。

但し、ヘッド４０３の高さを標準の高さｈｓから減少させ、ヘッド４０３をプレート１０に近づける調整（基板４０２の外周部の膜厚を減少させる方向の調整）では、ヘッド４０３がパドル４１２に衝突する可能性がある。そこで、本実施形態では、シミュレーション等により予め基板外周部の膜厚が所望の膜厚より下がる設定にしておき、めっきモジュールの仕上がりバラツキの度合いにより、ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを増加させる方向で調整し、基板４０２の中心から外周部にかけてのめっき膜厚分布を平坦にする調整方法を採用する。

図８は、本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法を説明するシミュレーション例である。シミュレーションソフト、解析条件は、前記同様とする。図８（Ａ）は、ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを標準の高さｈｓに設定した場合のめっき膜厚の分布を示す。このグラフは、図５と同様のシミュレーション結果を示し、めっきモジュールの個体差（軸ずれ、平行度のずれ、寸法公差）に起因して、基板外周部の膜厚が大きく又は小さくなることを示す。このとき、めっき膜厚の面内均一性Ｕは、１．１～２．８％である。

次に、例えば、図７に示すプレート１０の最外周の分割エリアの気孔率（開口率）を他の半径位置の分割エリアの気孔率よりも小さく設定し、基板外周部のめっき膜厚が減少する傾向に設定する。この例では、プレート１０の最外周の分割エリアの開口面積（全孔面積）を、当初設計値から８％低減し（当初設計値の９２％に設定し）、めっき膜厚分布のシミュレーションを実施した。開口面積の低減は、最外周の分割エリアの孔が真円である場合には半径を低減することより、長孔である場合には長径及び／又は短径を低減することにより行うことができる。当初設計値とは、組立後のめっきモジュールに種々のずれ、寸法誤差がない理想的な場合に、膜厚分布がフラットになるようなプレート１０の孔１２の構成（面積、配置、気孔率）をいう。最外周の分割エリアの全孔面積（又は気孔率）は、基板外周部の膜厚が最大となるＣａｓｅ１においても、基板外周部の膜厚が減少するように決定する。決定された全孔面積（又は気孔率）を、Ｃａｓｅ１、標準Ｓｔｄ．、Ｃａｓｅ２の全ての場合に適用すると、図８（Ｂ）に示すように、Ｃａｓｅ１、標準Ｓｔｄ．、Ｃａｓｅ２の何れの場合も、基板外周部でめっき膜厚が減少することが分かる。なお、基板外周部の電場を低減する電場遮蔽部材を設けて、基板外周部のめっき膜厚が減少する傾向に設定する場合には、プレート１０の最外周の分割エリアの気孔率を他の半径位置の分割エリアの気孔率と同一又はより大きく設定し得る。

次に、各モジュールの仕上がりバラツキ（種々のずれ並びに寸法公差）に起因する膜厚分布を、ヘッド（ヘッド－プレート間距離）ｈを調整することにより平坦にする調整を実施する。図８（Ｃ）には、Ｃａｓｅ１、標準Ｓｔｄ．、Ｃａｓｅ２の各ケースにおいて、膜厚分布が最も平坦になるようにヘッド高さｈを調整したシミュレーション結果を示す。この例では、めっき膜厚の面内均一性Ｕを１．０～１．３％に向上させることができることが確認された。同図において、曲線「９２％＿Ｃａｓｅ１＿ｈ＋０．２」は、Ｃａｓｅ１において、基板最外周の分割エリアの全孔面積９２％とし、ヘッド高さｈを標準の高さｈｓ＋０．２ｍｍとした場合の膜厚分布のシミュレーション結果を示す。曲線「９２％＿Ｓｔｄ．＿ｈ＋１」は、標準Ｓｔｄ．において、基板最外周の分割エリアの全孔面積９２％とし、ヘッド高さｈを標準の高さｈｓ＋１ｍｍとした場合の膜厚分布のシミュレーション結果を示す。曲線「９２％＿Ｃａｓｅ２＿ｈ＋２」は、Ｃａｓｅ２において、基板最外周の分割エリアの全孔面積９２％とし、ヘッド４０３の高さｈを標準の高さｈｓ＋２ｍｍとした場合の膜厚分布のシミュレーション結果を示す。

なお、このシミュレーションでは、ヘッド高さｈの変更に伴い基板表面のめっき液流速（基板表面流速）は変化しないものとした。本実施形態では、後述するように、基準位置（ｈ＝ｈｓ）からヘッド４０３の位置を動かした分だけ、パドル４１２の上下位置及び／又は運動速度を変更することにより、基板表面流速が変化しないようにする。

実際に作製、組み立てた後のめっきモジュールは、図８（Ａ）のＣａｓｅ１からＣａｓｅ２の間の範囲になるはずである。従って、シミュレーションにより、めっきモジュールのモジュール構造（各部品の材質、形状、寸法、及び配置を含む）を設定し、種々のずれ及び／又は寸法公差を考慮してモジュール構造を調整し、前述のＣａｓｅ１、Ｓｔｄ．、Ｃａｓｅ２となるモジュール構造を決定する（図８（Ａ））。そして、Ｃａｓｅ１の場合でも基板外周部の膜厚分布が他の部分よりも小さくなるように、プレート１０の最外周の分割エリアの開口面積（気孔率）を決定する（図８（Ｂ））。次に、決定された開口面積（気孔率）を満たすプレート１０を作製し、めっきモジュール４００を作製、組み立てる。そして、組み立て後のめっきモジュール４００で基板をめっきし、基板のめっき膜厚の膜厚分布に応じて、基板全体のめっき膜厚分布が均一になるようにヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを調整する。

通常、膜厚分布が平坦になるようにめっきモジュールを初期設定しておくが、本実施形態では、基板外周部の最外周の膜厚が小さくなるようにめっきモジュールを初期設定した後、事前には分からないめっきモジュールの仕上がり（組み立て後のめっきモジュール）に合わせてヘッド－プレート間距離を調整し、基板の平坦な膜厚分布にすることを特徴とする。

図９は、本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法のフローチャートである。ステップＳ１０からＳ３０は、シミュレーションによるものであり、めっき装置の制御モジュール８００又は他のコンピュータにより実施することができる。ステップＳ５０からＳ８０では、実際のめっきモジュールでめっき評価である。本実施形態のめっきモジュールの例では、ヘッドの高さ（プレートからの距離）は６～１２ｍｍの範囲で調整可能な構成であり、７～１０ｍｍの範囲で調整することが好ましい。なお、他の実施形態では、パドルを配置しない同様の構成とすることができ、その場合には、ヘッドの高さ（プレートからの距離）は１～１２ｍｍの範囲で調整可能な構成となる。

ステップＳ１０では、標準Ｓｔｄ．の条件における最適なモジュール構造（各部品の材質、形状、寸法、及び配置を含む）を決定する。標準Ｓｔｄ．の条件は、軸ずれ、平行度のずれ、及び寸法公差がゼロであり、各部品が理想的な寸法、配置であるめっきモジュールが仕上げられた場合を示す。標準Ｓｔｄ．の条件で決定されるモジュール構造は、図８（Ａ）のＳｔｄ．曲線に対応する。

ステップＳ２０では、各部品（ヘッド、プレート、アノード）の寸法公差の範囲で、基板外周部の膜厚が最大となる前述のＣａｓｅ１、基板外周部の膜厚が最小となる前述のＣａｓｅ２となる条件（モジュール構造）を決定する。この条件には、各部品（ヘッド、プレート、アノード）の軸ずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法誤差が含まれる。Ｃａｓｅ１、Ｃａｓｅ２のモジュール構造は、それぞれ、図８（Ａ）のＣａｓｅ１、Ｃａｓｅ２で示される曲線に対応する。

ステップＳ３０では、ステップＳ１０で決定した標準Ｓｔｄ．の条件のモジュール構造において、プレート最外周の分割エリアの開口面積を変更する。この変更後の開口面積は、Ｃａｓｅ１の条件でも、基板外周部の膜厚が小さくなる値であり、且つ、Ｃａｓｅ２の条件でも膜厚分布を平坦にするために必要なヘッド高さの変化量（後述のＳ７０）が、ヘッド高さの可動範囲内に入る値とする。Ｃａｓｅ１（基板外周部の膜厚が最大となるモジュール構造）における外周部膜厚を下げすぎると、Ｃａｓｅ２（基板外周部の膜厚が最小となるモジュール構造）における外周部膜厚が下がりすぎ、ヘッドの可動範囲内における調整（ヘッド高さｈの調整）で膜厚分布を平坦にできない虞があるため、変更後のプレート開口面積による基板外周部膜厚がヘッド高さ可動範囲内で調整可能か確認する。例えば、ヘッド高さｈの最大可動量で調整可能な基板外周部の膜厚量（最大調整量）を実験、シミュレーションにより予め算出しておき、Ｃａｓｅ２の場合の基板外周部膜厚の必要調整量が最大調整量内におさまるようにする。

先ず、Ｃａｓｅ１及びＣａｓｅ２のモジュール構造（条件）で、図８（Ｂ）に示すシミュレーションを実施し、Ｃａｓｅ１のモジュール構造（条件）でも基板外周部の膜厚が小さくなるプレート１０の最外周分割エリアの開口面積であって、且つ、Ｃａｓｅ２のモジュール構造（条件）で、膜厚分布を平坦にするために必要なヘッド高さの変化量（後述のＳ７０）が、ヘッド高さの可動範囲内に入る開口面積を決定する（この例では、当初設計値の開口面積の９２％に低減する）。次に、標準Ｓｔｄ．の条件のモジュール構造において、プレート最外周の分割エリアの開口面積を、決定された開口面積（開口面積の９２％）に変更し、これを初期設定のモジュール構成とする。

ステップＳ４０では、ステップＳ３０で決定された初期設定のモジュール構造でめっきモジュールを作製し、組み立てる。ステップＳ５０では、組み立て後のめっきモジュールで実際に基板をめっきする。ステップＳ６０では、めっき後の基板のめっき膜厚分布を膜厚測定装置９００により測定し、膜厚分布が平坦か否かを判定する。この判定は、例えば、めっき後の基板の膜厚分布から面内均一性を算出し、面内均一性が所望の範囲にあるか否かを確認することで実施することができる。膜厚分布が平坦である場合には、めっきモジュール４００の調整を終了する（ステップＳ８０）。めっき膜厚分布の測定及び判定は、めっき装置１０００の膜厚測定装置９００を使用して実施しても良いし、めっき装置１０００外部の膜厚測定装置９００を使用して実施してもよい。

一方、ステップＳ６０において膜厚分布が平坦でないと判定された場合には、ステップＳ７０に進む。この例では、基板外周部の膜厚が中心部よりも依然として低い場合を示す。ステップＳ７０では、ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを所定量（例えば０．１ｍｍ）だけ増加させることにより、基板外周部のめっき膜厚を増加させる。ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈの調整は、制御モジュール８００により自動で実施してもよいし、手動で実施してもよい。また、後述するように、ヘッド高さｈの増加に伴い、パドル４１２のめっき液攪拌による基板表面でのめっき液流速（基板表面流速）が変化しないように、パドル４１２の高さ及び／又は運動速度も調節する。パドル４１２の高さ及び／又は運動速度は、制御モジュール８００により自動で実施してもよいし、手動で実施（例えば、ユーザがレシピにおいてパドル４１２の運動速度を変更）してもよい。ヘッド高さｈを増加させた後のめっきモジュール４００で、再度、基板のめっきを実施し、めっき後の基板の膜厚分布を測定し（ステップＳ５０）、膜厚分布が平坦か否かを判定する（ステップＳ６０）。このように、ステップＳ６０で基板の膜厚分布が平坦であると判定されるまで、ステップＳ７０、Ｓ５０、Ｓ６０の処理を繰り返す。ステップＳ６０で基板の膜厚分布が平坦であると判定されると、めっきモジュールの調整を終了する（ステップＳ８０）。

本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法では、プレート１０の最外周エリアの開口面積を調整することで、基板外周部の膜厚が下がるようにモジュールを初期設定する。そして、事前には分からない、組み立て後のめっきモジュールの仕上がり（めっき後の基板の膜厚分布）に合わせて、ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを調整することにより、平坦な膜厚分布となるように、めっきモジュールを調整する。本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法は、本稼働前のめっきモジュールの調整として実施することができる。また、本実施形態に係るめっきモジュールの調整方法は、本稼働後に、めっき膜厚分布の均一性が低下した場合にも、ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを調整することで実施することができる。

図１０Ａから図１０Ｃは、ヘッドの高さ調整方法の第１から第３の例をそれぞれ示す概略図である。先ず、ヘッド－プレート間距離の変化と、基板表面でのめっき液流速（基板表面流速）との関係について説明する。ここでは、めっき液流速は、例えば平均流速とすることができる。めっき液撹拌のためのパドル４１２は、図３に示すように、ヘッド４０３（基板４０２）とプレート１０との間に設置されている。上述のように、ヘッド高さｈを変更したとき、同時にヘッド（基板）－パドル間距離も変わると、パドル４１２による基板表面でのめっき液の撹拌強度（基板表面流速）も変わることになる。図１１は、基板表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示すグラフである。同図において、縦軸は、基板表面流速を示し、横軸は、基板－パドル間距離を示す。基板表面流速及びヘッド－パドル間距離は、正規化して示されており、標準のヘッド－パドル間距離を１、標準の基板表面流速を１としている（図１２も同様）。同図から分かるように、ヘッド－パドル間距離が約１０％変化すると流速は約８％変化する。パドル攪拌による基板表面流速が変わると、基板表面に供給される銅イオンや添加剤の供給に差異が生じ、設定可能な最大電流密度や、めっき表面の形状が変わる可能性がある。そのような流速変化の影響を排除するために、ヘッド高さｈを変更した際に基板表面流速が変化しないように対策を講じる。

第１の例では、図１０Ａに示すように、ヘッド４０３とパドル機構（パドル４１２、駆動機構４１３を含む構成）とが同時に移動するように一体化し、ヘッド４０３とパドル機構を同時に上下方向（矢印４６０）に移動させる昇降機構４５０を設ける。昇降機構４５０は、制御モジュール８００により制御されるアクチュエータを備えるものであっても良いし、手動で昇降させるものであってもよい。この構成によれば、ヘッド４０３及びパドル４１２が一体として上下移動し、パドル４１２と基板４０２との間の距離を一定に保つことができる。即ち、図９のステップＳ７０において、昇降機構４５０によりヘッド４０３とパドル４１２を同時に上昇させることにより、ヘッド－プレート間距離を変更すると共に、ヘッド－パドル間距離（基板－パドル間距離）を一定に保つようにする。これにより、ヘッド高さｈの増加により基板表面でのめっき液流速（パドル攪拌強度）が変化することを抑制ないし防止することができる。

第２の例では、パドル機構はめっき槽４０１と一体化しているが、図１０Ｂに示すように、ヘッド４０３を上下方向（矢印４６１）に移動させる昇降機構４５１及びパドル機構を上下方向（矢印４６２）に移動させる昇降機構４５２を備え、昇降機構４５１によりヘッド４０３を上昇させた分だけ、昇降機構４５２によりパドル４１２を上昇させる。各昇降機構４５１、４５２は、制御モジュール８００により制御されるアクチュエータを備えるものであっても良いし、手動で昇降させるものであってもよい。この構成でも、ヘッド４０３及びパドル４１２が同じ距離だけ上下移動し、パドル４１２と基板４０２との間の距離を一定に保つことができる。即ち、図９のステップＳ７０において、昇降機構４５１によりヘッド４０３を上昇させた分だけ、昇降機構４５２によりパドル４１２を上昇させることにより、ヘッド－プレート間距離を変更すると共に、ヘッド－パドル間距離（基板－パドル間距離）を一定に保つことができる。これにより、ヘッド高さｈの増加により基板表面でのめっき液流速（パドル攪拌強度）が変化することを抑制ないし防止することができる。

第３の例では、パドル機構はめっき槽４０１と一体化し、図１０Ｃに示すように、パドル機構を昇降する昇降機構を備えていないが、矢印４６３に示すパドル４１２の運動速度が、ヘッド４０３の昇降（矢印４６１）とともに変化し、基板表面流速が一定になるように制御される。ヘッド４０３を上下方向（矢印４６１）に移動させる昇降機構４５１は、図１０Ｂと同様のものである。図９のステップＳ７０において、ヘッド高さｈの変更前後で基板表面流速を一定とするための、パドル４１２の運動速度を決定し、パドル４１２の運動速度を決定された運動速度に変更する。これにより、ヘッド高さｈの増加により基板表面流速が変化することを抑制ないし防止することができる。パドル４１２の運動速度の変更は、制御モジュール８００により自動で実施してもよいし、ユーザがレシピデータを変更することにより実施してもよい。

図１２は、各パドルの運動速度における、表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示すグラフである。同図において、曲線Ｉは、パドルの運動速度が標準である場合における、表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示す。曲線ＩＩは、パドルの運動速度が標準より高い場合における、表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示す。曲線ＩＩＩは、パドルの運動速度が標準より低い場合における、表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示す。図１０Ｃの構成において、パドル４１２の高さを変更せずヘッド４０３の高さのみ増加させる場合を考える。初期設定において、基板－パドル間距離が１であるとすると、基板表面流速は１である（図１２）。そして、めっき膜厚分布改善のため、図９のステップＳ７０において、パドル４１２の高さを変更せずヘッド４０３の高さのみ増加させて、基板－パドル間の距離を１．１０とすると、基板表面流速は約０．９２（約８％減少）となる。このとき、パドル４１２の運動速度を標準の運動速度（曲線Ｉに相当）から、曲線ＩＩに相当する運動速度まで増加させると、ヘッド高さｈを変更した後の基板表面流速を１．００とすることができる。これにより、ヘッド高さ（ヘッド－プレート間距離）ｈを増加させて、基板－パドル間距離が増加した場合でも、ヘッド高さｈの変更前後で基板表面流速を一定に保つことができる。ヘッド高さｈを減少させる場合も、同様に、曲線Ｉに相当するパドル運動速度から、曲線ＩＩＩに相当するパドル運動速度まで減少させることにより、ヘッド高さｈの変更前後で基板表面流速を一定に保つことができる。

各パドルの運動速度における、表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示すデータ（図１２）を制御モジュール８００が参照可能な記憶媒体に記憶しておくことができる。表面流速と基板－パドル間の距離との関係を示すデータは、あらかじめシミュレーション、実験等で決定することができる。図９のステップＳ７０において、制御モジュール８００が、記憶媒体に記憶されているデータを参照し、ヘッド高さｈの変更前後で基板表面流速を一定とするための、パドル４１２の運動速度を決定し、パドル４１２の運動速度を決定された運動速度に変更するようにしてもよい。制御モジュール８００は、駆動機構４１３を制御してパドル４１２の運動速度を変更することができる。これにより、ヘッド高さｈの増加により基板表面流速が変化することを抑制ないし防止することができる。

（他の実施形態）
（１）上記実施形態では、プレート１０の最外周の分割エリアの開口面積（気孔率）を調整したが、最外周の分割エリアを含む近接する１又は複数の分割エリアの開口面積（気孔率）を調整してもよい。
（２）上記実施形態では、ヘッド４０３とプレート４１０との間の距離の調整前後で、パドル４１２の撹拌による基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、パドル４１２の位置又は運動速度の一方を調整したが、パドル４１２の位置の調整（図１０Ｂ）およびパドル４１２の運動速度の調整（図１０Ｃ）を組み合わせてもよい。
（３）上記実施形態では、ヘッド－プレート間距離を変更するために、プレートを固定し、ヘッドを移動させたが、プレートを昇降する昇降機構を設け、ヘッドを固定しプレートを移動させてもよい。また、ヘッド及びプレートの昇降機構をそれぞれ設け、ヘッド及びプレートの両方を移動させてヘッド－プレート間距離を調整してもよい。なお、ヘッドを固定し、プレートを移動させる場合には、ヘッド－プレート間距離の調整前後でヘッド（基板）－パドル間の距離は変わらないので、図１０（Ａ）から図１０（Ｃ）で説明した表面流速を一定にする調整を省略してもよい。
（４）上記実施形態では、カップ式のめっきモジュールを例に挙げて説明したが、ディップ式、その他の任意のめっきモジュールに本実施形態を適用してもよい。

上述した実施形態には、少なくとも以下の実施形態が含まれる。
［１］一実施形態によれば、 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートとを備えるめっきモジュールを調整する方法であって、 基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を調整した状態で初期設定されためっきモジュールを準備すること、 前記めっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板の外周部の膜厚を増加させるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整することにより、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整すること、を含む、方法が提供される。

この実施形態によれば、基板外周部のめっき膜厚分布を小さくする状態でめっきモジュールを初期設定し、実際にめっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板ホルダとプレートとの間の距離を調整することで、基板の外周部の膜厚を大きくする調整を行い、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるようにめっきモジュールを調整することができる。これにより、めっきモジュールの個体差（めっき槽の各部品の軸ずれ、平行度のずれ、寸法誤差）に関わらず、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるようにめっきモジュールを調整することができる。

また、基板の外周部の膜厚を大きくする調整は、基板ホルダとプレートとの間の距離を大きくする方向の調整であるため、基板ホルダが、パドル又はプレートに衝突することを抑制又は防止することができる。

［２］一実施形態によれば、 前記めっきモジュールの各部品の中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法公差を考慮したシミュレーションにより、前記初期設定のめっきモジュールのモジュール構造を決定することを更に含み、前記部品は前記基板ホルダ、前記アノード、及び前記プレートを含むようにしてもよい。

この実施形態によれば、めっきモジュールの個体差に関わらず、基板外周部のめっき膜厚分布を他の部分の膜厚分布より小さくする状態で初期設定することができる。これにより、めっきモジュールの個体差に関わらず、基板ホルダとプレートとの間の距離を大きくする方向の調整により、基板全体のめっき膜厚分布を平坦にすることができる。

［３］一実施形態によれば、 前記シミュレーションは、 前記めっきモジュールの前記部品の中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法公差がゼロ又は最小である標準条件のモジュール構造と、前記めっきモジュールの前記部品の中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法公差に起因して前記基板の外周部のめっき膜厚が最大になる第１条件のモジュール構造とを決定すること、 前記第１条件のモジュール構造において、前記基板の外周部の膜厚分布が他の部分と比較して小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を決定すること、 前記決定された気孔率を前記標準条件のモジュール構造に適用して、前記初期設定のモジュール構造を決定すること、を含むようにしてもよい。

この実施形態によれば、基板の外周部のめっき膜厚が最大になる誤差（中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法誤差）のモジュール構造で決定された気孔率を初期設定に使用するため、組み立て後のめっきモジュールの個体差に関わらず、基板外周部のめっき膜厚分布を小さくする状態で初期設定することができる。また、めっきモジュールの作製、組み立ては、誤差がゼロ又は最小となる標準条件を目指して行われるため、決定された気孔率を、標準条件のモジュール構造に適用する。

［４］一実施形態によれば、前記めっきモジュールは、前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルを更に備え、 前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの前記基板ホルダに対する位置及び／又は前記パドルの運動速度を調整するようにしてもよい。

この実施形態によれば、基板ホルダとプレートとの間の距離の調整前後で、パドルの撹拌による基板表面でのめっき液流速（基板表面流速）を一定に保つことができるので、基板表面流速の変化が、めっき膜厚分布の面内均一性等のめっき品質に与える影響を抑制ないし防止することができる。また、基板表面流速の変化による影響を排除し、基板ホルダとプレートとの間の距離の調整により、めっき膜厚分布の所望の調整をより容易に行うことができる。

［５］一実施形態によれば、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整する際に、前記基板ホルダ及び前記パドルを同じ距離だけ移動させて、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つようにしてもよい。

この実施形態によれば、簡易な調整により、基板表面でのめっき液流速を一定に保つことができる。

［６］一実施形態によれば、前記基板ホルダと前記パドルとを一体的に移動させることにより、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つようにしてもよい。

この実施形態によれば、基板ホルダ及びパドルを一体的に移動させるので、より確実に基板ホルダとパドルとの間の距離を一定に保つことができる。

［７］一実施形態によれば、前記基板ホルダと前記パドルとを別々に同じ距離だけ移動させることにより、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つようにしてもよい。

この実施形態によれば、基板ホルダとパドルとを別々に移動させるので、基板ホルダ及びパドルの各々を移動させる機構をより容易に構成することができる。

［８］一実施形態によれば、 前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの運動速度を調整するようにしてもよい。

この実施形態によれば、パドルの位置を調整する機構を省略することが可能であり、モジュールの大型化及び／又はコストアップを抑制ないし防止することができる。

［９］一実施形態によれば、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの位置及び運動速度の調整を組み合わせるようにしてもよい。

この実施形態によれば、パドルの位置及び運動速度の調整を組み合わせることにより、パドルの位置及び運動速度の変更幅を抑制しつつ、基板ホルダを広い範囲で移動させることができる。

［１０］一実施形態によれば、 前記プレートの外周部の気孔率の調整は、前記プレート上の複数の同心円周上に設けられる孔のうち、最外周の円周上、又は最外周の円周及び近接する１又は複数の円周上に設けられる孔の開口面積を調整することにより実施されるようにしてもよい。

この実施形態によれば、プレートの外周部の孔の径及び／又は形状等を変更することにより局所的な開口面積を調整し、プレートの外周部の気孔率を簡易かつ精度よく調整することができる。

［１１］一実施形態によれば、 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートと、を有するめっきモジュールを調整する方法をコンピュータに実行させるプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体であって、 基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を調整した状態で初期設定されためっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板の外周部の膜厚を増加させるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整することにより、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整すること、をコンピュータに実行させるプログラムを記憶する記憶媒体が提供される。

この実施形態によれば、上記［１］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおける調整を自動で行うことができる。

［１２］一実施形態によれば、 前記めっきモジュールは、前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルを更に備え、 前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの前記基板ホルダに対する位置及び／又は前記パドルの運動速度を調整することをコンピュータに実行させるようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［４］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおける調整を自動で行うことができる。

［１３］一実施形態によれば、 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートとを備え、基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように設定されためっきモジュールと、 前記基板ホルダ及び／又は前記プレートを移動する第１移動機構と、を備えるめっき装置が提供される。

この実施形態によれば、上記［１］で上述したと同様の作用効果を奏する。

［１４］一実施形態によれば、 前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルを更に備え、 前記第１移動機構は、前記プレートに対して、前記基板ホルダ及び前記パドルを一体で移動させるように構成されているようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［６］で上述したと同様の作用効果を奏する。

［１５］一実施形態によれば、 前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルと、 前記パドルを前記基板ホルダに対して接近離間するように移動する第２移動機構と、を更に備えるようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［７］で上述したと同様の作用効果を奏する。

［１６］一実施形態によれば、 制御モジュールを更に備え、 前記制御モジュールは、前記めっきモジュールによるめっき後の基板の膜厚分布に応じて、前記第１移動機構を制御して、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整する、ようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［１］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおけるめっき評価、めっきモジュールの調整を自動で行うことができる。

［１７］一実施形態によれば、 制御モジュールを更に備え、 前記制御モジュールは、前記第１移動機構を制御して、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保ちつつ、前記基板ホルダ及び前記パドルを一体で移動させるようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［６］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおけるめっき評価、めっきモジュールの調整を自動で行うことができる。

［１８］一実施形態によれば、 制御モジュールを更に備え、 前記制御モジュールは、前記第１移動機構及び第２移動機構を制御して、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つように、前記基板ホルダ及び前記パドルを移動させるようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［７］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおけるめっき評価、めっきモジュールの調整を自動で行うことができる。

［１９］一実施形態によれば、 前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルと、 前記パドルを基板と平行に往復移動させる駆動機構と、を更に備え、 前記制御モジュールは、前記駆動機構を制御して、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの運動速度を調整するようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［８］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおける調整を自動で行うことができる。

［２０］一実施形態によれば、 前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルと、 前記パドルを前記基板ホルダに対して接近離間するように移動する第２移動機構と、 前記パドルを基板と平行に往復移動させる駆動機構と、制御モジュールと、を更に備え、 前記制御モジュールは、前記第２移動機構及び前記駆動機構を制御して、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルを移動させると共に、前記前記パドルの運動速度を調整するようにしてもよい。

この実施形態によれば、上記［９］で上述したと同様の作用効果を奏する。また、組み立て後のめっきモジュールにおける調整を自動で行うことができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。特開２０２０－１７６３０３号公報（特許文献１）の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書を含む全ての開示は、参照により全体として本願に組み込まれる。

１００ ロードポート
１１０ 搬送ロボット
１２０ アライナ
２００ プリウェットモジュール
３００ プリソークモジュール
４００ めっきモジュール
４０１ めっき槽
４０２ 基板
４０３ 基板ホルダ（ヘッド）
４０４ めっき液貯留槽
４０５ ポンプ
４０６ フィルタ
４０７ めっき液供給管
４０８ めっき液受槽
４０９ 電源
４１０ アノード
４１１ モータ
４１２ パドル
４１３ 駆動機構
４１３ａ モータ
４１３ｂ 回転直動変換機構
４１３ｃ シャフト
４１４ アノードマスク
４５０、４５１、４５２ 昇降機構
５００ 洗浄モジュール
６００ スピンリンスドライヤ
７００ 搬送装置
８００ 制御モジュール
９００ 膜厚測定装置
１０００ めっき装置

Claims (19)

1. 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートとを備えるめっきモジュールを調整する方法であって、
   基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を調整した状態で初期設定されためっきモジュールを準備すること、
   前記めっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板の外周部の膜厚を増加させるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整することにより、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整すること、
   を含む、方法。
2. 請求項１に記載の方法において、
   前記めっきモジュールの各部品の中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法公差を考慮したシミュレーションにより、前記初期設定のめっきモジュールのモジュール構造を決定することを更に含み、
   前記部品は前記基板ホルダ、前記アノード、及び前記プレートを含む、方法。
3. 請求項２に記載の方法において、
   前記シミュレーションは、
   前記めっきモジュールの前記部品の中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法公差がゼロ又は最小である標準条件のモジュール構造と、前記めっきモジュールの前記部品の中心軸のずれ、平行度のずれ、及び／又は寸法公差に起因して前記基板の外周部のめっき膜厚が最大になる第１条件のモジュール構造とを決定すること、
   前記第１条件のモジュール構造において、前記基板の外周部の膜厚分布が他の部分と比較して小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を決定すること、
   前記決定された気孔率を前記標準条件のモジュール構造に適用して、前記初期設定のモ
   ジュール構造を決定すること、
   を含む、方法。
4. 請求項１から３の何れかに記載の方法において、
   前記めっきモジュールは、前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルを更に備え、
   前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの前記基板ホルダに対する位置及び／又は前記パドルの運動速度を調整する、方法。
5. 請求項４に記載の方法において、
   前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整する際に、前記基板ホルダ及び前記パドルを同じ距離だけ移動させて、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つ、方法。
6. 請求項５に記載の方法において、
   前記基板ホルダと前記パドルとを一体的に移動させることにより、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つ、方法。
7. 請求項５に記載の方法において、
   前記基板ホルダと前記パドルとを別々に同じ距離だけ移動させることにより、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つ、方法。
8. 請求項４に記載の方法において、
   前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの運動速度を調整する、方法。
9. 請求項４に記載の方法において、
   前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの位置及び運動速度の調整を組み合わせる、方法。
10. 請求項１から９の何れかに記載の方法において、
    前記プレートの外周部の気孔率の調整は、前記プレート上の複数の同心円周上に設けられる孔のうち、最外周の円周上、又は最外周の円周及び近接する１又は複数の円周上に設けられる孔の開口面積を調整することにより実施される、方法。
11. 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートと、を有するめっきモジュールを調整する方法をコンピュータに実行させるプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体であって、
    基板の外周部のめっき膜厚が他の部分の膜厚よりも小さくなるように、前記プレートの外周部の気孔率を調整した状態で初期設定されためっきモジュールでめっきした基板の膜厚分布に応じて、基板の外周部の膜厚を増加させるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整することにより、基板全体のめっき膜厚分布が平坦になるように前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整すること、
    をコンピュータに実行させるプログラムを記憶する記憶媒体。
12. 請求項１１に記載の記録媒体において、
    前記めっきモジュールは、前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルを更に備え、
    前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による前記基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの前記基板ホルダに対する位置及び／又は前記パドルの運動速度を調整することを、
    をコンピュータに実行させるプログラムを記憶する記憶媒体。
13. 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに対向して配置されるアノードと、前記基板ホルダと前記アノードとの間に配置される抵抗体としてのプレートとを有するめっきモジュールと、
    前記基板ホルダ及び／又は前記プレートを移動する第１移動機構と、
    請求項１１に記載の記録媒体と、
    前記記録媒体に記憶されているプログラムを実行するコンピュータを有する制御モジュールと、を備え、
    前記制御モジュールは、前記第１移動機構を制御して、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離を調整する、
    めっき装置。
14. 請求項１３に記載のめっき装置であって、
    前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルを更に備え、
    前記第１移動機構は、前記プレートに対して、前記基板ホルダ及び前記パドルを一体で移動させるように構成されている、
    めっき装置。
15. 請求項１３に記載のめっき装置であって、
    前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルと、
    前記パドルを前記基板ホルダに対して接近離間するように移動する第２移動機構と、
    を更に備える、めっき装置。
16. 請求項１４に記載のめっき装置であって、
    前記制御モジュールは、前記第１移動機構を制御して、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保ちつつ、前記基板ホルダ及び前記パドルを一体で移動させる、めっき装置。
17. 請求項１５に記載のめっき装置であって、
    前記制御モジュールは、前記第１移動機構及び第２移動機構を制御して、前記基板ホルダと前記パドルとの間の距離を一定に保つように、前記基板ホルダ及び前記パドルを移動させる、めっき装置。
18. 請求項１３に記載のめっき装置であって、
    前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルと、
    前記パドルを基板と平行に往復移動させる駆動機構と、
    を更に備え、
    前記制御モジュールは、前記駆動機構を制御して、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルの運動速度を調整する、めっき装置。
19. 請求項１３に記載のめっき装置であって、
    前記基板ホルダと前記プレートとの間に配置され、めっき液を攪拌するパドルと、
    前記パドルを前記基板ホルダに対して接近離間するように移動する第２移動機構と、
    前記パドルを基板と平行に往復移動させる駆動機構と、
    を更に備え、
    前記制御モジュールは、前記第２移動機構及び前記駆動機構を制御して、前記基板ホルダと前記プレートとの間の距離の調整前後で、前記パドルの撹拌による基板表面でのめっき液流速を一定に保つように、前記パドルを移動させると共に、前記パドルの運動速度を調整する、めっき装置。

Images