JP7305075B1 - めっき装置 - Google Patents

Abstract

【課題】めっき装置において、めっき膜厚の平坦性を精度良く確認することが可能な電位センサを提供する。【解決手段】めっき装置は、めっき液を収容するためのめっき槽と、基板を保持するための基板ホルダと、基板ホルダに保持された基板と対向するようにめっき槽内に配置されたアノードと、基板ホルダに保持された基板とアノードとの間に配置され、アノード側と基板側を貫通する複数の孔を有する抵抗体と、基板ホルダに保持された基板と抵抗体との間に配置され、めっき液の電位を測定するように構成された電位センサアセンブリと、を備え、前記電位センサアセンブリは、ベースプレートと、前記ベースプレート上に配列された複数の電位センサと、前記複数の電位センサからの信号を取り出すための、前記ベースプレート上に形成された電気配線と、前記ベースプレートおよび前記電気配線を保護する保護膜と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明は、めっき装置に関し、より特定的には、めっき装置においてめっき膜厚を測定するための電位センサの改良に関する。

めっき装置は、基板を保持する基板ホルダと、めっき液が収容されるめっき槽と、基板ホルダに保持された基板と対向するようにめっき槽内に配置されたアノードとを備える。めっき装置において、基板上に形成されるめっきの膜厚平坦性を向上させることは重要な課題である。従来、めっき膜厚を測定するための電位センサを備えためっき装置が知られている（例えば特許文献１参照）。

特許第７０７４９３７号公報

めっき膜厚の平坦性を精度良く確認することが可能な電位センサの提供が望まれる。

［形態１］形態１によれば、めっき液を収容するためのめっき槽と、基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された前記基板と対向するように前記めっき槽内に配置されたアノードと、前記基板ホルダに保持された前記基板と前記アノードとの間に配置され、前記アノード側と前記基板側を貫通する複数の孔を有する抵抗体と、前記基板ホルダに保持された前記基板と前記抵抗体との間に配置され、前記めっき液の電位を測定するように構成された電位センサアセンブリと、を備え、前記電位センサアセンブリは、ベースプレートと、前記ベースプレート上に配列された複数の電位センサと、前記複数の電位センサからの信号を取り出すための、前記ベースプレート上に形成された電気配線と、前記ベースプレートおよび前記電気配線を保護する保護膜と、を備える、めっき装置が提供される。

［形態２］形態２によれば、形態１のめっき装置において、前記ベースプレートは、プリント基板から構成される。

［形態３］形態３によれば、形態１のめっき装置において、前記ベースプレートは、細長い板状に構成され、前記複数の電位センサは、前記ベースプレートの長手方向に沿って配列される。

［形態４］形態４によれば、形態３のめっき装置において、前記めっき装置は、前記基板ホルダを回転させる回転機構をさらに備え、前記電位センサアセンブリは、前記ベースプレートの長手方向が前記回転の径方向に沿うように、前記基板と前記抵抗体との間に配置される。

［形態５］形態５によれば、形態１から４のいずれか１のめっき装置において、前記ベースプレートは、前記抵抗体の前記複数の孔と整列するように形成された複数の孔を備える。

［形態６］形態６によれば、形態５のめっき装置において、前記ベースプレートの前記複数の孔の各々は、前記抵抗体の前記複数の孔のいずれかと重なる位置に配置されている。

［形態７］形態７によれば、形態６のめっき装置において、前記ベースプレートの前記複数の孔は、前記ベースプレートの外形と重なる部分に存在する前記抵抗体のすべての前記孔と相対するように設けられている。

［形態８］形態８によれば、形態５のめっき装置において、前記ベースプレートの前記孔の径は、前記抵抗体の前記孔の径よりも大きいまたはそれと等しい。

一実施形態によるめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 一実施形態によるめっき装置の全体構成を示す平面図である。 一実施形態によるめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。 一実施形態による電位センサアセンブリの構成を示す平面図である。 電位センサアセンブリとめっき処理中の基板との位置関係を示す模式図である。 別の実施形態による電位センサアセンブリの構成を示す平面図である。 図６の実施形態の電位センサアセンブリを抵抗体とともに示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は、一実施形態によるめっき装置の全体構成を示す斜視図であり、図２はその平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、一実施形態によるめっきモジュール４００の構成を概略的に示す縦断面図で
ある。めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽を備える。めっき槽は、上面が開口した円筒形の内槽４１２と、内槽４１２の上縁からオーバーフローしためっき液を溜められるように内槽４１２の周囲に設けられた図示しない外槽と、を含んで構成される。

めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。また、基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４２を備える。また、一実施形態では、めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を鉛直軸まわりに回転させる回転機構４４８を備える。昇降機構４４２および回転機構４４８は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる

めっきモジュール４００は、内槽４１２の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。内槽４１２の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。なお、本実施形態ではメンブレン４２０が設けられる一例を示したが、メンブレン４２０は設けられなくてもよい。

アノード領域４２４の内槽４１２の底面にはアノード４３０が設けられる。また、アノード領域４２４には、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の電界を調整するためのアノードマスク４２６が配置される。アノードマスク４２６は、例えば誘電体材料からなる略板状の部材であり、アノード４３０の前面（図３においてアノード４３０の上方）に設けられる。アノードマスク４２６は、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に流れる電流が通過する開口を有する。アノードマスク４２６は、開口寸法を変更可能に構成され、制御モジュール８００によって開口寸法が調整されてもよい。開口寸法は、開口が円形である場合には直径を意味し、開口が多角形である場合には一辺の長さまたは最長となる開口幅を意味する。アノードマスク４２６における開口寸法の変更は、公知の機構を採用することができる。本実施形態ではアノードマスク４２６が設けられる一例を示したが、アノードマスク４２６は設けられなくてもよい。さらに、上記したメンブレン４２０は、アノードマスク４２６の開口に設けられてもよい。

カソード領域４２２には、メンブレン４２０に対向するように抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、アノード４３０側（図３における下側）と基板Ｗｆ側（図３における上側）を貫通する複数の孔を備えている。一実施形態では、抵抗体４５０は、駆動機構４５２により、めっき槽内で上下方向に移動可能に構成され、制御モジュール８００によって抵抗体４５０の位置が調整される。抵抗体４５０の具体的な材質は特に限定されるものではないが、一例として、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂を用いることができる。

カソード領域４２２の基板Ｗｆの表面近傍には、めっき液を撹拌するためのパドル４５６が設けられている。パドル４５６は例えばチタン（Ｔｉ）または樹脂から構成されている。パドル４５６は、基板Ｗｆの表面と平行に往復運動することで、基板Ｗｆのめっき中に十分な金属イオンが基板Ｗｆの表面に均一に供給されるようにめっき液を攪拌する。ただし、こうした例に限定されず、パドル４５６は、例えば基板Ｗｆの表面に垂直に移動するように構成されてもよい。なお、めっきモジュール４００は、パドル４５６を有しなくてもよい。

カソード領域４２２における基板Ｗｆと抵抗体４５０との間には、電位センサアセンブリ４７０が設けられている。電位センサアセンブリ４７０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ
－ａ近傍におけるめっき液の電位を検出するための複数の電位センサ４７４を備える。各電位センサ４７４による電位の検出信号は、制御モジュール８００に入力される。めっきモジュール４００がパドル４５６を有している場合において、電位センサアセンブリ４７０は、パドル４５６と干渉しないような位置に配置される。例えば、電位センサアセンブリ４７０は、図３に示されるように、パドル４５６と抵抗体４５０との間に配置することができる。電位センサアセンブリ４７０は、抵抗体４５０の表面と接するように配置されてもよい。

一実施形態において、めっき槽内の比較的電位変化が小さい場所に、グラウンドに接続された参照用の電位センサ（図示せず）が設けられてもよく、この参照用の電位センサによる検出電位と、電位センサ４７４による検出電位との差が取得されるのであってもよい。電位センサ４７４によって測定される電位の変化は非常に小さいものなので、ノイズの影響を受けやすい。グラウンドに接続された参照用の電位センサによる検出電位と電位センサ４７４による検出電位との差を用いることで、ノイズを低減させることができる。

制御モジュール８００は、電位センサ４７４による電位の検出値（または電位センサ４７４と参照用電位センサによる検出電位の差）に基づいて、基板Ｗｆに形成されためっきの膜厚を推定することができる。一例として、制御モジュール８００は、電位センサ４７４からの検出信号に基づいて、めっき処理中の基板面内におけるめっき電流の分布を推定し、推定しためっき電流の分布に基づいて、基板上のめっき膜の膜厚分布を推定することができる。

また、制御モジュール８００は、電位センサ４７４の検出値（または電位センサ４７４と参照用電位センサによる検出電位の差）に基づいて、めっき処理の終点検出をしてもよいし、めっき処理の終点までの時間を予測してもよい。一例として、制御モジュール８００は、電位センサ４７４の検出値に基づいて推定しためっき膜の膜厚が所望の厚さとなったときに、めっき処理を終了してもよい。また、一例として、制御モジュール８００は、電位センサ４７４の検出値に基づいて推定しためっき膜の膜厚から膜厚増加速度を算出し、得られた膜厚増加速度に基づいて、めっき膜が所望の厚さとなるまでの時間、つまりめっき処理の終点までの時間を予測してもよい。

めっきモジュール４００におけるめっき処理について説明する。昇降機構４４２を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬させることにより、基板Ｗｆがめっき液に暴露される。めっきモジュール４００は、この状態でアノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すことができる。また、一実施形態では、回転機構４４８を用いて基板ホルダ４４０を回転させながらめっき処理が行われる。めっき処理により、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに導電膜（めっき膜）が析出する。めっき処理中に、電位センサアセンブリ４７０上の電位センサ４７４による電位の測定が行われる。基板ホルダ４４０（基板Ｗｆ）の回転を伴って電位センサ４７４による測定を行うことにより、基板Ｗｆの周方向における複数地点について、または周方向全体にわたって、電位を測定することができる。そして、制御モジュール８００は、電位センサ４７４による電位の検出値に基づいて、めっき膜の膜厚を推定する。これにより、めっき処理において基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに形成されるめっき膜の膜厚変化を、リアルタイムに把握することができる。

図４は、一実施形態による電位センサアセンブリ４７０の構成を示す平面図である。図４は、電位センサアセンブリ４７０を、抵抗体４５０に対して垂直な方向（例えば図３における上側）から見た様子を表している。電位センサアセンブリ４７０は、ベースプレート４７２上に複数の電位センサ４７４が搭載されるようにして構成される。ベースプレート４７２は、薄い板状の部材である。例えば、ベースプレート４７２の厚さ（すなわち図
４において紙面に垂直な方向の寸法）は、数ｍｍ以下であってよく、より好ましくは１ｍｍ以下であってよい。ベースプレート４７２の材質は、特に限定されないが、例えば樹脂などの誘電体であることが好ましい。一例として、ベースプレート４７２は、一般的に入手可能なプリント基板から構成することができる。

ベースプレート４７２上には、複数の電気配線４７６およびパッド４７７が形成され、各パッド４７７上に電位センサ４７４が搭載される。電位センサ４７４とパッド４７７は電気的に接続されており、各電位センサ４７４からの電位検出信号は、電気配線４７６を介して制御モジュール８００へと送られる。ベースプレート４７２上にはさらに、ベースプレート４７２および電気配線４７６を被覆する保護膜４７８が設けられる。保護膜４７８は、例えば、めっき液に対して耐性を有する材質からなることが好ましい。

図４の例示的な電位センサアセンブリ４７０において、ベースプレート４７２は一方向に細長い形状に構成され、複数の電位センサ４７４は、この細長いベースプレート４７２の長手方向に沿って一列に配列されている。例えば、ベースプレート４７２の長手方向の長さ（すなわち図４における左右方向の寸法）は、めっき処理される基板Ｗｆの半径と同程度であってよく、またベースプレート４７２の幅（すなわち図４における上下方向の寸法）は、電位センサ４７４を搭載するための十分なスペースを確保でき且つ細長いベースプレート４７２の十分な機械的強度を確保できる程度の大きさ（例えば１０～２０ｍｍ程度）であってよい。

図５は、図４の例示的な電位センサアセンブリ４７０とめっき処理中の基板Ｗｆとの位置関係を示す模式図である。図５に示されるように、電位センサアセンブリ４７０は、その長手方向が基板Ｗｆの径方向に沿うように、且つ電位センサアセンブリ４７０の先端部が基板Ｗｆの中心付近に届くように、基板Ｗｆと相対して配置される。このような配置により、電位センサアセンブリ４７０の複数の電位センサ４７４は、基板Ｗｆの半径方向に沿って基板Ｗｆの中心付近から基板Ｗｆの縁まで並んだ複数地点について、電位を検出することができる。また、回転機構４４８を用いて基板ホルダ４４０を回転させながらめっき処理を行う場合には、基板Ｗｆに対して電位センサ４７４が相対的に移動することにより、電位センサアセンブリ４７０の複数の電位センサ４７４は、基板Ｗｆの全面にわたる複数地点について、電位を検出することができる。

このように、一実施形態による電位センサアセンブリ４７０は、薄型であるため、基板Ｗｆと抵抗体４５０との間の間隔があまり大きくないような構成のめっきモジュール４００においても、問題なく基板Ｗｆと抵抗体４５０との間に配置することが可能であり、パドル４５６との干渉も回避（図３参照）することができる。また、一実施形態による電位センサアセンブリ４７０は、図４に示されるように細長い形状であるため、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａ近傍の電界に与える影響を抑えながら、基板Ｗｆの中心付近まで届くように配置することが可能である。それにより、基板Ｗｆの広範囲にわたる複数地点についての電位測定を行うことができる。

図６は、別の実施形態による電位センサアセンブリ４７０（以下、図４の実施形態と区別するため、図６の実施形態の電位センサアセンブリを符号４７０Ａと記す）の構成を示す平面図である。図６は、電位センサアセンブリ４７０Ａを、抵抗体４５０に対して垂直な方向（例えば図３における上側）から見た様子を表している。図６の実施形態の電位センサアセンブリ４７０Ａは、図４の実施形態の電位センサアセンブリ４７０におけるベースプレート４７２とは形状の異なるベースプレート４７３を用いて構成されている。電位センサアセンブリ４７０Ａのベースプレート４７３以外の構成は、電位センサアセンブリ４７０と同じであり、重複した説明は省略する。ただし、図６には便宜上、ベースプレート４７３上に搭載された複数の電位センサ４７４のみを示し、電気配線４７６、パッド４
７７、および保護膜４７８は図示を省略している。

図６に示されるように、ベースプレート４７３には、複数の孔４７９が形成されている。孔４７９は、図６において紙面に垂直な方向にベースプレート４７３を貫通している。したがって、ベースプレート４７３の孔４７９は、めっき槽４１２内に配置された電位センサアセンブリ４７０Ａの抵抗体４５０側と基板Ｗｆ側とを流体的に連通する。

図７は、めっき槽４１２内において抵抗体４５０と基板Ｗｆとの間に配置された図６の実施形態の電位センサアセンブリ４７０Ａを、抵抗体４５０とともに示す斜視図である。なお、見やすさのため、図７において基板Ｗｆおよび基板ホルダ４４０は図示を省略している。図３に関して前述したように、抵抗体４５０は、アノード４３０側（図７における下側）と基板Ｗｆ側（図７における上側）を貫通する複数の孔４５１を備えている。本実施形態において、抵抗体４５０の孔４５１の形状やレイアウトは特に限定されるものではないが、一例として、特許第６９０６７２９号公報（図４等）に開示されたようなものを採用できる。

図７に示されるように、電位センサアセンブリ４７０Ａは、抵抗体４５０の上面（すなわち基板Ｗｆ側に向けられた表面）近傍に、または上面に接して配置される。電位センサアセンブリ４７０Ａのベースプレート４７３に形成された孔４７９は、抵抗体４５０の孔４５１と整列している。すなわち、ベースプレート４７３の各孔４７９は、抵抗体４５０に対して垂直な方向から電位センサアセンブリ４７０Ａを見たときに、抵抗体４５０の孔４５１と重なる位置に形成されている。換言すれば、ベースプレート４７３の各孔４７９は、抵抗体４５０の孔４５１と相対するようにして設けられている。好ましくは、ベースプレート４７３は、抵抗体４５０の各孔４５１を遮蔽しないように、ベースプレート４７３の細長い形状と重なる部分における抵抗体４５０のすべての孔４５１と対応する位置に、孔４７９を有するのがよい。抵抗体４５０の孔４５１を遮蔽しないという観点からは、ベースプレート４７３の孔４７９の径は、抵抗体４５０の孔４５１の径と同じ大きさであるか、またはそれより大きいことが好ましい。

このように、電位センサアセンブリ４７０Ａは、抵抗体４５０の孔４５１と整列した孔４７９を備えているので、抵抗体４５０と基板Ｗｆの間のめっき液中に形成される電界に対して与える影響を小さくすることができる。したがって、本実施形態の電位センサアセンブリ４７０Ａを用いることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａ近傍における電位を精度良く測定することができる。

また、電位センサアセンブリ４７０Ａは、ベースプレート４７３の孔４７９以外の部分は前述の電位センサアセンブリ４７０と同じ構成であるので、電位センサアセンブリ４７０と同様の効果も有する。すなわち、電位センサアセンブリ４７０Ａは、薄型であるため、基板Ｗｆと抵抗体４５０との間の間隔があまり大きくないような構成のめっきモジュール４００においても、問題なく基板Ｗｆと抵抗体４５０との間に配置することが可能であり、パドル４５６との干渉も回避することができる。また、本実施形態による電位センサアセンブリ４７０Ａは、細長い形状でありしかも抵抗体４５０の孔４５１を遮蔽しない孔４７９を有しているため、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａ近傍の電界に与える影響を最小限に抑えながら、基板Ｗｆの中心付近まで届くように配置することが可能である。それにより、基板Ｗｆの広範囲にわたる複数地点について、高い精度で電位測定を行うことができる。

以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明
には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

１０００ めっき装置
１００ ロードポート
１１０ 搬送ロボット
１２０ アライナ
２００ プリウェットモジュール
３００ プリソークモジュール
４００ めっきモジュール
５００ 洗浄モジュール
６００ スピンリンスドライヤ
７００ 搬送装置
８００ 制御モジュール
４１２ 内槽
４２０ メンブレン
４２２ カソード領域
４２４ アノード領域
４２６ アノードマスク
４３０ アノード
４４０ 基板ホルダ
４４２ 昇降機構
４４８ 回転機構
４５０ 抵抗体
４５１ 孔
４５２ 駆動機構
４５６ パドル
４７０ 電位センサアセンブリ
４７０Ａ 電位センサアセンブリ
４７２ ベースプレート
４７３ ベースプレート
４７４ 電位センサ
４７６ 電気配線
４７７ パッド
４７８ 保護膜
４７９ 孔

Claims (7)

1. めっき液を収容するためのめっき槽と、
   基板を保持するための基板ホルダと、
   前記基板ホルダに保持された前記基板と対向するように前記めっき槽内に配置されたアノードと、
   前記基板ホルダに保持された前記基板と前記アノードとの間に配置され、前記アノード側と前記基板側を貫通する複数の孔を有する抵抗体と、
   前記基板ホルダに保持された前記基板と前記抵抗体との間に配置され、前記めっき液の電位を測定するように構成された電位センサアセンブリと、
   を備え、前記電位センサアセンブリは、
   ベースプレートと、
   前記ベースプレート上に配列された複数の電位センサと、
   前記複数の電位センサからの信号を取り出すための、前記ベースプレート上に形成された電気配線と、
   前記ベースプレートおよび前記電気配線を保護する保護膜と、を備え、
   前記ベースプレートは、前記抵抗体の前記複数の孔と整列するように形成された複数の孔を備える、
   めっき装置。
2. 前記ベースプレートは、プリント基板から構成される、請求項１に記載のめっき装置。
3. 前記ベースプレートは、細長い板状に構成され、
   前記複数の電位センサは、前記ベースプレートの長手方向に沿って配列される、
   請求項１に記載のめっき装置。
4. 前記めっき装置は、前記基板ホルダを回転させる回転機構をさらに備え、
   前記電位センサアセンブリは、前記ベースプレートの長手方向が前記回転の径方向に沿
   うように、前記基板と前記抵抗体との間に配置される、
   請求項３に記載のめっき装置。
5. 前記ベースプレートの前記複数の孔の各々は、前記抵抗体の前記複数の孔のいずれかと重なる位置に配置されている、請求項１に記載のめっき装置。
6. 前記ベースプレートの前記複数の孔は、前記ベースプレートの外形と重なる部分に存在する前記抵抗体のすべての前記孔と相対するように設けられている、請求項５に記載のめっき装置。
7. 前記ベースプレートの前記孔の径は、前記抵抗体の前記孔の径よりも大きいまたはそれと等しい、請求項１に記載のめっき装置。

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