JP7098089B1 - めっき装置 - Google Patents

Abstract

遮蔽部材を有するめっき装置において、抵抗体を基板の被めっき面に接近させて配置することによりめっき膜厚の分布の均一性を向上させる。めっき装置は、めっき液を収容するように構成されためっき槽４１０と、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた基板Ｗｆを保持するように構成された基板ホルダ４４０と、めっき槽４１０内に配置されたアノード４３０と、基板Ｗｆとアノード４３０との間に配置され、被めっき面Ｗｆ－ａと対向する対向面４５０－ａを有する抵抗体であって、対向面４５０－ａは、第１の対向面４５０－ａ１、および第１の対向面４５０－ａ１よりも被めっき面Ｗｆ－ａから離れた第２の対向面４５０－ａ２、を有する、抵抗体４５０と、第２の対向面４５０－ａ２によって形成される抵抗体４５０の窪み領域βに配置される、電場を遮蔽するための遮蔽部材４８１と、を含む。

Description

本願は、めっき装置に関する。

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の被めっき面に導電膜を析出させる。

例えば特許文献１に開示されているように、カップ式の電解めっき装置では、基板とアノードとの間に抵抗体を配置するとともに、基板と抵抗体との間に電場を遮蔽するための遮蔽部材を配置することが知られている。

特許６９０１６４６号公報

従来技術のめっき装置は、遮蔽部材を有するめっき装置において、抵抗体を基板の被めっき面に接近させて配置することによりめっき膜厚の分布の均一性を向上させることについて改善の余地がある。

すなわち、基板とアノードとの間に抵抗体を配置すると、基板とアノードとの間の抵抗値が大きくなり電場が広がり難くなるが、抵抗体が基板の被めっき面から離れて配置されると、電場が広がり得る空間が大きくなる。ここで、基板ホルダの給電接点は基板の外縁部に接触しているため、相対的に電場が基板の外縁部に集中するようになり、外縁部のめっき膜厚が厚くなるおそれがある。

このため、抵抗体を基板の被めっき面に接近させることによって被めっき面に形成されるめっき膜厚分布を均一化することが望まれる。しかしながら、抵抗体と基板との間に遮蔽部材を配置する場合には、抵抗体と遮蔽部材とが干渉しないように、抵抗体を基板の被めっき面から離して配置せざるを得なくなり、その結果、めっき膜厚の分布の均一性が損なわれるおそれがある。

そこで、本願は、遮蔽部材を有するめっき装置において、抵抗体を基板の被めっき面に接近させて配置することによりめっき膜厚の分布の均一性を向上させることを１つの目的としている。

一実施形態によれば、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記めっき槽内に配置されたアノードと、前記基板と前記アノードとの間に配置され、前記被めっき面と対向する対向面を有する抵抗体であって、前記対向面は、第１の対向面、および前記第１の対向面よりも前記被めっき面から離れた第２の対向面、を有する、抵抗体と、前記第２の対向面によって形成される前記抵抗体の窪み領域に配置される、電場を遮蔽するための遮蔽部材と、を含む、めっき装置が開示される。

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。 図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。 図４は、本実施形態の抵抗体を模式的に示す平面図である。 図５は、各条件におけるめっき膜厚分布のシミュレーション結果を示す図である。 図６は、各条件におけるめっき膜厚分布のシミュレーション結果を示す図である。 図７は、遮蔽部材による電場の回り込みを模式的に示す図である。 図８は、抵抗体の変形例を模式的に示す図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００およびスピンリンスドライヤ６０の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。

プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。

図３は、本実施形態のめっきモジュール４００の構成を概略的に示す縦断面図である。図４は、本実施形態の抵抗体を模式的に示す平面図である。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。アノード４３０は、円板形状の基板Ｗｆと概略等しい大きさを有する円板形状の部材である。

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆの外縁部に給電するための給電接点を備える。めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４２を備える。昇降機構４４２は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４６を備える。回転機構４４６は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。めっきモジュール４００は、昇降機構４４２を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、回転機構４４６を用いて基板Ｗｆを回転させながらアノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すように構成される。

めっきモジュール４００は、基板Ｗｆとアノード４３０との間に配置された抵抗体４５０を備える。抵抗体４５０は、メンブレン４２０に対向してカソード領域４２２に配置されている。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材である。抵抗体４５０は、一実施形態では、アノード４３０側と基板Ｗｆ側とを貫通する複数の貫通孔が形成された板状部材（パンチングプレート）によって構成される。しかしながら、抵抗体４５０の形状は任意である。また、抵抗体４５０は、パンチングプレートに限定されず、例えばセラミック材料に多数の細孔が形成された多孔質体によって構成することができる。

また、めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆと抵抗体４５０との間に配置されたパドル４８０と、パドル４８０をめっき液内で攪拌させるためのパドル攪拌機構４８２と、を備える。パドル４８０は、例えば格子状に配置された複数の棒状部材を有する板部材によって構成することができるが、これに限らず、ハニカム状の多数の穴が形成された板部材によって構成することもできる。パドル攪拌機構４８２は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。パドル攪拌機構４８２は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに沿ってパドル４８０を往復運動させることにより、基板Ｗｆの被めっき面の近傍のめっき液を攪拌するように構成される。

上記の抵抗体４５０は、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の抵抗体として作用する。抵抗体４５０を配置することによって、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の抵抗値が大きくなるため電場が広がりにくくなり、その結果、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに形成されるめっき膜厚の分布の均一性を向上させることができる。

抵抗体４５０は、特に、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部におけるめっき膜厚分布に影響を及ぼす。すなわち、基板Ｗｆと抵抗体４５０との間の距離が大きくなると、基板Ｗｆと抵抗体４５０との間の電場の広がることができる空間が大きくなる。ここで、基板ホルダ４４０の給電接点は基板Ｗｆの外縁部に接触しているため、相対的に電場が基板Ｗｆの外縁部に集中するようになり、外縁部のめっき膜厚が厚くなる。したがって、抵抗体４５０を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの近傍に配置するのが好ましい。

しかしながら、本実施形態のめっきモジュール４００は、基板Ｗｆと抵抗体４５０との間に配置される遮蔽部材４８１を備えている。遮蔽部材４８１は、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に形成される電場を遮蔽するための部材である。遮蔽部材４８１は例えば板状に形成された遮蔽板であってもよい。また、めっきモジュール４００は、遮蔽部材４８１を移動させるための遮蔽機構４８５を備える。遮蔽機構４８５は、制御モジュール８００から入力される基板ホルダ４４０の回転角度に関する情報に基づく指令信号に応じて動作するように構成される。

具体的には、遮蔽機構４８５は、めっきの堆積速度を抑制したい基板Ｗｆの特定の部位の回転角度が所定範囲内にあるときは、図３において実線で示すように、遮蔽部材４８１を、抵抗体４５０と基板Ｗｆとの間の遮蔽位置に移動させるように構成される。一方、遮蔽機構４８５は、特定の部位の回転角度が所定範囲外にあるときは、図３において破線で示すように、遮蔽部材４８１を、抵抗体４５０と基板Ｗｆとの間から離れた退避位置に移動させるように構成される。

従来技術では、抵抗体４５０と基板Ｗｆとの間に遮蔽部材４８１を配置する場合には、抵抗体４５０と遮蔽部材４８１とが干渉しないように、抵抗体４５０を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａから離して配置せざるを得なくなり、その結果、めっき膜厚の分布の均一性を向上させるのが難しくなる。

これに対して、本実施形態の抵抗体４５０は、図３および図４に示すように、抵抗体４５０の外縁部の一部がアノード４３０側にずれるように構成されている。具体的には、抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａと対向する対向面４５０－ａを有する。対向面４５０－ａは、第１の対向面４５０－ａ１、および第１の対向面４５０－ａ１よりも被めっき面Ｗｆ－ａから離れた第２の対向面４５０－ａ２、を有する。本実施形態では、円弧状に形成された遮蔽部材４８１の形状に対応して、第２の対向面４５０－ａ２は、対向面４５０－ａの中心角θ＝４０°の範囲の外縁部（対向面４５０－ａの外縁部の一部）に円弧状に形成されている。なお、第２の対向面４５０－ａ２が形成される範囲および形状は、遮蔽部材４８１の形状に応じて適宜設定することができる。

抵抗体４５０は、第１の対向面４５０－ａ１における抵抗率と第２の対向面４５０－ａ２における抵抗率が均一になるように形成される。具体的には、第２の対向面４５０－ａ２は、第１の対向面４５０－ａ１に対してαｍｍ窪んで形成されている。また、抵抗体４５０の第２の対向面４５０－ａ２の裏面は、第１の対向面４５０－ａ１の裏面に対してαｍｍ突出して形成されている。これにより、抵抗体４５０は、第１の対向面４５０－ａ１における抵抗体４５０の厚みと第２の対向面４５０－ａ２における抵抗体４５０の厚みが均一になるように形成されている。

本実施形態では、遮蔽部材４８１は、第２の対向面４５０－ａ２によって抵抗体４５０の対向面４５０－ａに形成された窪み領域βに配置される。すなわち、遮蔽機構４８５は、基板Ｗｆの特定の部位の回転角度が所定範囲内にあるときは、図３において実線で示すように、遮蔽部材４８１を、抵抗体４５０の第２の対向面４５０－ａ２と基板Ｗｆとの間（窪み領域β）に移動させるように構成される。また、遮蔽機構４８５は、特定の部位の回転角度が所定範囲外にあるときは、図３において破線で示すように、遮蔽部材４８１を、抵抗体４５０の第２の対向面４５０－ａ２と基板Ｗｆとの間から離れた退避位置に移動させるように構成される。

本実施形態のめっきモジュール４００によれば、遮蔽部材４８１を有するめっき装置において、抵抗体４５０を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに接近させて配置することによりめっき膜厚の分布の均一性を向上させることができる。以下、この点について説明する。

図５は、各条件におけるめっき膜厚分布のシミュレーション結果を示す図である。図５は、遮蔽部材４８１が設けられていない状態におけるめっき膜厚分布のシミュレーション結果を示しておいる。図５のグラフにおいて、横軸は被めっき面Ｗｆ－ａの中心から外縁部までの半径、縦軸はめっき膜厚を示している。図５において、条件（１）は、抵抗体４５０が単純な円板形状の場合のめっき膜厚分布を示している。条件（２）は、抵抗体４５０の第２の対向面４５０－ａ２に対応する部分を削って板厚を薄くした場合のめっき膜厚分布を示している。条件（３）は、図３に示すように抵抗体４５０の第２の対向面４５０－ａ２に対応する部分をアノード４３０側にずらせた場合のめっき膜厚分布を示している。なお、条件（１）から条件（３）において、抵抗体４５０の全面において複数の貫通孔の開口率は一様である。

図５に示すように、条件（２）では基板Ｗｆの外縁部の膜厚が極端に厚くなるという結果が得られた。これは、抵抗体４５０の外縁部の板厚を薄くして抵抗が小さくなったことが原因であると考えられる。これに対して、条件（３）では条件（１）と同等の膜厚分布が得られた。つまり、抵抗体４５０を図３に示すように形成しても、抵抗体４５０としての性能に影響しないという結果が得られた。

図６は、各条件におけるめっき膜厚分布のシミュレーション結果を示す図である。図６のグラフにおいて、横軸は被めっき面Ｗｆ－ａの中心から外縁部までの半径、縦軸はめっき膜厚を示している。図６において、条件（４）は、図３に示すように抵抗体４５０の第２の対向面４５０－ａ２に対応する部分をアノード４３０側にずらし、第２の対向面４５０－ａ２の窪み領域βに遮蔽部材４８１を配置した場合のめっき膜厚分布を示している。条件（５）は、単純な円板形状の抵抗体４５０と基板Ｗｆとの間に遮蔽部材４８１を配置した場合のめっき膜厚分布を示している。条件（５）では、被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部のめっき膜厚が極端に薄くなり、外縁部の内側のめっき膜厚が極端に厚くなるという結果が得られた。この結果について、図７を用いて説明する。

図７は、遮蔽部材による電場の回り込みを模式的に示す図である。図７に示すように、遮蔽部材４８１を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに近づけすぎると、被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部ＡＡに対する電場が抑制されすぎる一方、遮蔽部材４８１によって遮蔽された電場が外縁部の内側ＢＢに集中して回り込む。その結果、条件（５）の結果に示すように、被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部のめっき膜厚が極端に薄くなり、外縁部の内側のめっき膜厚が極端に厚くなると考えられる。

これに対して、本実施形態（条件（４））によれば、遮蔽部材４８１を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａから適切に離して配置するとともに、窪み領域βに抵抗体４５０を配置することによって抵抗体４５０を遮蔽部材４８１に干渉することなく被めっき面Ｗｆ－ａに接近させて配置することができる。その結果、条件（４）の結果に示すように、めっき膜厚の分布の均一性を向上させることができる。

なお、上記の実施形態では、第１の対向面４５０－ａ１における抵抗体４５０の厚みと第２の対向面４５０－ａ２における抵抗体４５０の厚みを均一に形成する例を示したが、これに限定されない。例えば、抵抗体４５０は、図３の実施形態と同様に第２の対向面４５０－ａ２を形成して窪み領域βを設ける一方、第２の対向面４５０－ａ２の裏面を第１の対向面４５０－ａ１の裏面に対して突出させずに平面とすることができる。この場合、抵抗体４５０は、第１の対向面４５０－ａ１における複数の貫通孔による開口率が第２の対向面４５０－ａ２における複数の貫通孔による開口率よりも大きくなるように形成することができる。つまり、抵抗体４５０の第１の対向面４５０－ａ１の厚みが第２の対向面４５０－ａ２の厚みより大きくなる分、開口率を大きくすることによって、第１の対向面４５０－ａ１における抵抗率と第２の対向面４５０－ａ２における抵抗率を均一にすることができる。

また、抵抗体４５０は、図３に示した構成以外にも様々な構成を有し得る。図８は、抵抗体の変形例を模式的に示す図である。図８（ａ）に示すように、抵抗体４５０の外縁部は、アノード側（下方）に向けて傾斜していてもよい。これにより、抵抗体４５０の対向面には傾斜面４５０－ａ３が形成されてる。傾斜面４５０－ａ３は、上記実施形態における第２の対向面に対応する。傾斜面４５０－ａ３が形成されることによって、抵抗体４５０には遮蔽部材４８１を配置するための窪み領域βが形成される。

また、図８（ｂ）に示すように、抵抗体４５０の外縁部は、アノード側（下方）に向けて傾斜し、さらに外方へ向けて伸びていてもよい。これにより、抵抗体４５０の対向面には傾斜面４５０－ａ４、および傾斜面４５０－ａ４の下端から外方へ伸びる段差面４５０－ａ５が形成される。傾斜面４５０－ａ４および段差面４５０－ａ５は、上記実施形態における第２の対向面に対応する。傾斜面４５０－ａ４および段差面４５０－ａ５が形成されることによって、抵抗体４５０には遮蔽部材４８１を配置するための窪み領域βが形成される。

また、図８（ｃ）に示すように、抵抗体４５０の外縁部は、アノード側（下方）に向けて２段階に窪んでいてもよい。これにより、抵抗体４５０の対向面には第１の対向面４５０－ａ１よりも被めっき面Ｗｆ－ａから離れた（窪んだ）段差面４５０－ａ６、および段差面４５０－ａ６よりも被めっき面Ｗｆ－ａから離れた（窪んだ）段差面４５０－ａ７が形成される。段差面４５０－ａ６および段差面４５０－ａ７は、上記実施形態における第２の対向面に対応する。段差面４５０－ａ６および段差面４５０－ａ７が形成されることによって、抵抗体４５０には遮蔽部材４８１を配置するための窪み領域βが形成される。

また、図８（ｄ）に示すように、抵抗体４５０の外縁部は、アノード側（下方）に向けて円弧状に湾曲していてもよい。これにより、抵抗体４５０の対向面には円弧面４５０－ａ８が形成される。円弧面４５０－ａ８は、上記実施形態における第２の対向面に対応する。円弧面４５０－ａ８が形成されることによって、抵抗体４５０には遮蔽部材４８１を配置するための窪み領域βが形成される。

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

本願は、一実施形態として、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記めっき槽内に配置されたアノードと、前記基板と前記アノードとの間に配置され、前記被めっき面と対向する対向面を有する抵抗体であって、前記対向面は、第１の対向面、および前記第１の対向面よりも前記被めっき面から離れた第２の対向面、を有する、抵抗体と、前記第２の対向面によって形成される前記抵抗体の窪み領域に配置される、電場を遮蔽するための遮蔽部材と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記抵抗体は、前記第１の対向面における抵抗率と前記第２の対向面における抵抗率が均一になるように形成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記抵抗体は、前記アノード側と前記基板側とを貫通する複数の貫通孔が形成された板状の部材であり、前記第１の対向面における前記抵抗体の厚みと前記第２の対向面における前記抵抗体の厚みが均一になるように形成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記抵抗体は、前記アノード側と前記基板側とを貫通する複数の貫通孔が形成された板状の部材であり、前記第１の対向面における前記抵抗体の厚みが前記第２の対向面における前記抵抗体の厚みよりも大きく、かつ、前記第１の対向面における前記複数の貫通孔による開口率が前記第２の対向面における前記複数の貫通孔による開口率よりも大きくなるように形成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第２の対向面は、前記対向面の外縁部の一部に形成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記基板ホルダの回転角度に応じて、前記遮蔽部材を、前記抵抗体の前記第２の対向面と前記基板との間の遮蔽位置と、前記抵抗体の前記第２の対向面と前記基板との間から離れた退避位置と、の間で、前記基板の前記被めっき面に沿った方向に往復移動させるように構成された遮蔽機構、をさらに含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記抵抗体と前記基板との間に配置されたパドルと、前記パドルを前記基板の前記被めっき面に沿った方向に往復移動させるように構成されたパドル攪拌機構と、をさらに含む、めっき装置を開示する。

４００ めっきモジュール
４１０ めっき槽
４３０ アノード
４４０ 基板ホルダ
４４２ 昇降機構
４４６ 回転機構
４５０ 抵抗体
４５０－ａ 対向面
４５０－ａ１ 第１の対向面
４５０－ａ２ 第２の対向面
４８０ パドル
４８１ 遮蔽部材
４８２ パドル攪拌機構
４８５ 遮蔽機構
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆ－ａ 被めっき面
β 窪み領域

Claims (6)

1. めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
   被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、
   前記めっき槽内に配置されたアノードと、
   前記基板と前記アノードとの間に配置され、前記被めっき面と対向する対向面を有する抵抗体であって、前記対向面は、第１の対向面、および前記第１の対向面よりも前記被めっき面から離れた第２の対向面、を有する、抵抗体と、
   前記第２の対向面によって形成される前記抵抗体の窪み領域に配置される、電場を遮蔽するための遮蔽部材と、
   を含み、
   前記抵抗体は、前記第１の対向面における抵抗率と前記第２の対向面における抵抗率が均一になるように形成される、
   めっき装置。
2. 前記抵抗体は、前記アノード側と前記基板側とを貫通する複数の貫通孔が形成された板状の部材であり、前記第１の対向面における前記抵抗体の厚みと前記第２の対向面における前記抵抗体の厚みが均一になるように形成される、
   請求項１に記載のめっき装置。
3. 前記抵抗体は、前記アノード側と前記基板側とを貫通する複数の貫通孔が形成された板状の部材であり、前記第１の対向面における前記抵抗体の厚みが前記第２の対向面における前記抵抗体の厚みよりも大きく、かつ、前記第１の対向面における前記複数の貫通孔による開口率が前記第２の対向面における前記複数の貫通孔による開口率よりも大きくなるように形成される、
   請求項１に記載のめっき装置。
4. 前記第２の対向面は、前記対向面の外縁部の一部に形成される、
   請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき装置。
5. 前記基板ホルダの回転角度に応じて、前記遮蔽部材を、前記抵抗体の前記第２の対向面と前記基板との間の遮蔽位置と、前記抵抗体の前記第２の対向面と前記基板との間から離れた退避位置と、の間で、前記基板の前記被めっき面に沿った方向に往復移動させるように構成された遮蔽機構、
   をさらに含む、
   請求項１から４のいずれか一項に記載のめっき装置。
6. 前記抵抗体と前記基板との間に配置されたパドルと、
   前記パドルを前記基板の前記被めっき面に沿った方向に往復移動させるように構成されたパドル攪拌機構と、
   をさらに含む、
   請求項１から５のいずれか一項に記載のめっき装置。

Images