JP2001345544A

JP2001345544A - プリント配線基板の表面処理装置及び表面処理方法

Info

Publication number: JP2001345544A
Application number: JP2000163342A
Authority: JP
Inventors: Atsuhiro Uratsuji; 淳広浦辻; Tatsutoshi Narita; 達俊成田; Masanobu Yagi; 正展八木; Yoshiyuki Uketa; 芳幸請田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-05-31
Filing date: 2000-05-31
Publication date: 2001-12-14
Also published as: TW511435B; US20040065639A1; SG91927A1; US7223349B2; US6878296B2; US6673194B2; CN1337844A; US20050155948A1; KR20010109183A; US20020014469A1

Abstract

(57)【要約】【課題】水溶性プリフラックスを用いて導体パターン
上に安定した品質のプリフラックス膜を形成する。【解決手段】プリント配線基板１に形成されたランド
５ｂ，６ｂをエッチングするエッチング機構１２と、プ
リント配線基板１を洗浄する洗浄機構１３と、プリント
配線基板１を処理漕５６内の水溶性のプリフラックス液
９ａに浸漬し、このプリント配線基板１に付着した気泡
５８を除去する気泡除去機構１４と、プリフラックス液
９ａ中のプリント配線基板１に、液中スプレー６１でラ
ンド５ｂ，６ｂ上にプリフラックス膜９を形成するプリ
フラックス形成機構１５と、処理漕５６より搬出された
プリント配線基板１よりプリフラックス液９ａを除去す
る液切り機構１６と、プリント配線基板１を洗浄する洗
浄機構１７とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、外部に臨まされた
導体パターン表面の保護するため導体パターン表面に水
溶性のプリフラックス膜を形成するプリント配線基板の
表面処理装置及び表面処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント配線基板は、導体パター
ンの形成後、基板外観検査等の最終検査の前に、導体パ
ターンの表面を保護するため、導体パターン上にプリフ
ラックス膜が形成される。このプリフラックス膜を形成
するには、溶剤型プリフラックス若しくは水溶性プリフ
ラックスが用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、溶剤型プリ
フラックスは、導体パターンに対する密着性に優れ安定
した膜形成が可能である、半田濡れ性に優れる等プリフ
ラックス膜の安定した品質安定性を得ることがきる一
方、製造時に多量の揮発性有機化合物（volatile organ
ic compounds，以下、ＶＯＣｓともいう。）を使用する
ため、環境保全の観点からも、その使用を控える方向に
ある。

【０００４】これに対して、水溶性プリフラックスは、
ＶＯＣｓを用いないが、溶剤型プリフラックスに比べ十
分な品質安定性を得ることができない。例えば、水溶性
プリフラックスは、溶剤型プリフラックスに比べて導体
パターンに対する密着性に劣り、安定したプリフラック
ス膜を形成することができず、また、半田濡れ性に劣
る。

【０００５】そこで、本発明は、水溶性プリフラックス
を用いて導体パターン上に安定した品質のプリフラック
ス膜を形成することができるプリント配線基板の表面処
理装置及び表面処理方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプリント配
線基板の表面処理装置は、上述した課題を解決すべく、
プリント配線基板の少なくとも一方の面に形成された導
体パターンの表面をエッチングするエッチング手段と、
エッチング手段によって導体パターンがエッチングされ
たプリント配線基板の表面を洗浄する第１の洗浄手段
と、第１の洗浄手段によって洗浄されたプリント配線基
板を、処理漕内の水溶性のプリフラックス液に浸漬し、
プリフラックス液に浸漬されたプリント配線基板の表面
に付着した気泡を除去する気泡除去手段と、気泡除去手
段によって気泡が除去されたプリフラックス液中のプリ
ント配線基板に、処理漕内のプリフラックス液中に設け
られた液中スプレーで導体パターン上にプリフラックス
膜を形成するプリフラックス形成手段と、処理漕より搬
出され、プリフラックス膜が形成されたプリント配線基
板の表面よりプリフラックス液を除去する液切り手段
と、液切り手段により表面よりプリフラックス液が除去
されたプリント配線基板の表面を洗浄する第２の洗浄手
段とを備える。

【０００７】また、本発明に係るプリント配線基板の表
面処理方法は、上述した課題を解決すべく、プリント配
線基板の少なくとも一方の面に形成された導体パターン
の表面をエッチングするステップと、導体パターンがエ
ッチングされたプリント配線基板の表面を洗浄するステ
ップと、洗浄されたプリント配線基板を、処理漕内の水
溶性のプリフラックス液に浸漬し、プリフラックス液に
浸漬されたプリント配線基板の表面に付着した気泡を除
去するステップと、気泡が除去されたプリフラックス液
中のプリント配線基板に、処理漕内のプリフラックス液
中に設けられた液中スプレーで導体パターン上にプリフ
ラックス膜を形成するステップと、プリフラックス膜が
形成され、上記処理漕より搬出されたプリント配線基板
の表面よりプリフラックス液を除去するステップと、表
面よりプリフラックス液が液切りされたプリント配線基
板の表面を洗浄するステップとを有する。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明が適用された導体パ
ターンが複数層形成されたプリント配線基板の上下面に
設けられたランドにプリフラックス膜を形成するプリン
ト配線基板の表面処理装置及び表面処理方法について、
図面を参照して説明する。

【０００９】先ず、表面処理装置及び表面処理方法の説
明に先立って、これに用いられるプリント配線基板につ
いて説明する。図１に示すように、このプリント配線基
板１は、内層基板２，３を有する。内層基板２は、一方
の面に第２層となる導体パターン２ａが形成され、他方
の面に第３層を構成する導体パターン２ｂが形成されて
いる。また、内層基板３には、一方の面に第４層となる
導体パターン３ａが形成され、他方の面に第５層を構成
する導体パターン３ｂが形成されている。このような内
層基板２，３は、第３層となる導体パターン２ｂと第４
層となる導体パターン３ａとを対向させ、これらの間に
ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ４を
介在させてプレスされ、貼り合わされている。

【００１０】また、内層基板２上には、プリプレグから
なる外層基板５を介して第１層となる導電パターン５ａ
が形成されている。また、内層基板３上には、プリプレ
グからなる外層基板６を介して第６層となる導体パター
ン６ａが形成されている。外層基板５、内層基板２、プ
リプレグ４、内層基板３、外層基板６の順にこれらの基
板を積層して設けられたプリント配線基板１には、ドリ
ル等により貫通孔７が形成されている。この貫通孔７
は、内壁に電解銅めっき法や無電解銅めっき法によりめ
っき層７ａが設けられ、例えば第１層の導体パターン５
ａと第２層の導体パターン２ａとの電気的接続を図って
いる。また、外層基板５，６上には、半田レジストとな
るソルダーレジスト８，８が電子部品が実装される導体
パターン５ａ，６ａの一部であるランド５ｂ，６ｂを外
方に臨ませるようにして設けられている。また、ランド
５ｂ，６ｂ上には、ランド５ｂ，６ｂを保護するイミダ
ゾール化合物を主成分とするプリフラックス膜９が形成
されている。

【００１１】このようなプリント配線基板１は、内層基
板２の両面に導体パターン２ａ，２ｂを形成し、内層基
板３の両面に導体パターン３ａ，３ｂを形成し、次い
で、一方の面に銅箔が貼り合わされた外層基板５、導体
パターン２ａ，２ｂが形成された内層基板２、プリプレ
グ４、導体パターン３ａ，３ｂが形成された内層基板
３、一方の面に銅箔が貼り合わされた外層基板６が真空
熱プレスされ、一体化され、次いで、貫通孔７が形成さ
れ、貫通孔７の内壁にめっき層７ａが形成された後、外
層基板５，６に導体パターン５ａ，６ａが形成されるこ
とにより製造される。この後、プリント配線基板１は、
この後、ランド５ｂ，６ｂを外方の臨ませるように半田
レジストとなるソルダーレジスト８，８が塗布され、次
いで、ランド５ｂ，６ｂ上に、後述する表面処理装置等
によりプリフラックス膜９が形成される。

【００１２】プリフラックス膜９を形成するための表面
処理装置１０は、プリフラックス膜９が形成される前、
すなわち外層基板５，６の表面にソルダーレジスト８，
８が塗布されたプリント配線基板１のランド５ｂ，６ｂ
の表面処理を行うものであり、図２に示すように、ソル
ダーレジスト８，８が塗布されたプリント配線基板１を
洗浄する洗浄機構１１と、ソルダーレジスト８，８より
外方に臨まされた導体パターン５ａ，６ａの一部である
ランド５ｂ，６ｂをエッチングするエッチング機構１２
と、このエッチング機構１２によってランド５ｂ，６ｂ
がエッチングされたプリント配線基板１を洗浄する洗浄
機構１３と、この洗浄機構１３によって洗浄されたプリ
ント配線基板１を水溶性のプリフラックス液に浸漬した
とき、プリント配線基板１の表面に付着した気泡を除去
する気泡除去機構１４と、この気泡除去機構１４によっ
て気泡が除去されたプリント配線基板１のソルダーレジ
スト８，８より外部に臨まされたランド５ｂ，６ｂ上に
プリフラックス膜９を形成するプリフラックス形成機構
１５と、プリフラックス膜９が形成されたプリント配線
基板１の表面よりプリフラックス液を液切りする液切り
機構１６と、プリフラックス液の液切りがなされたプリ
フラックス膜９が形成されたプリント配線基板１を洗浄
する洗浄機構１７と、洗浄機構１７によって洗浄された
プリント配線基板を乾燥する乾燥機構１８と、乾燥機構
１８により乾燥されたプリント配線基板１を冷却する冷
却機構１９とを備える。そして、プリント配線基板１
は、搬送機構によって、洗浄機構１１、エッチング機構
１２、洗浄機構１３、気泡除去機構１４、プリフラック
ス形成機構１５、液切り機構１６、洗浄機構１７、乾燥
機構１８、冷却機構１９の順に略水平に寝かされた状態
で、図２中矢印Ａ方向に一貫して３ｍ／ｍｉｎの搬送ス
ピードで搬送される。

【００１３】ソルダーレジスト８，８が塗布され、導通
検査等が終了したプリント配線基板１が搬送される洗浄
機構１１は、図２（Ａ）に示すように、水平状態のプリ
ント配線基板１を搬送する搬送機構２１と、洗浄水を噴
射するスプレー２２とを有する。搬送機構２１は、回転
ローラよりなり、水平状態で搬送されるプリント配線基
板１を狭持するように、プリント配線基板１の上面側と
下面側に複数配設されている。搬送機構２１は、プリン
ト配線基板１を確実に洗浄することができるように、例
えば３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１
を図２（Ａ）中矢印Ａ方向に搬送する。また、スプレー
２２は、プリント配線基板１の両面にプリフラックス膜
９を形成することから、プリント配線基板１の両面を洗
浄する必要があり、このため、搬送機構２１に搬送され
るプリント配線基板１の上面側に２本と下面側に２本設
けられている。これらスプレー２２は、常温の井水をス
プレー圧が０．１ＭＰａ以上の条件で噴霧する。これに
よって、洗浄機構１１は、プリント配線基板１の表面に
付着した塵埃等の異物を除去する。

【００１４】洗浄機構１１で表面が洗浄されたプリント
配線基板１のランド５ｂ，６ｂをエッチングするエッチ
ング機構１２は、エッチング液２４ａが貯留される処理
漕２４と、エッチング液２４ａの液中を水平状態でプリ
ント配線基板１を搬送する搬送機構２５とを有する。処
理漕２４に貯留されるエッチング液２４ａには、硫酸過
水を主成分とするもの、例えばメック株式会社製ＰＲＴ
−０１（商品名）が用いられる。搬送機構２５は、回転
ローラよりなり、水平状態で搬送されるプリント配線基
板１を狭持するように、プリント配線基板１の上面側と
下面側に複数配設されている。搬送機構２５は、ランド
５ｂ，６ｂの表面の酸化物をソフトエッチングにより確
実に除去することができるように、プリント配線基板１
をエッチング液２４ａに浸漬させた状態で例えば洗浄機
構１１の搬送機構２１と同じ３ｍ／ｍｉｎの搬送スピー
ドで図２（Ａ）中矢印Ａ方向に搬送する。そして、プリ
ント配線基板１は、上述した３０℃のエッチング液２４
ａに例えば３０秒間浸漬され、導体パターン５ａ，６ａ
の一部であるランド５ｂ，６ｂは、例えば１．５〜２．
５μｍエッチングされる。すなわち、ランド５ｂ，６ｂ
のソフトエッチングは、次のような反応式により表され
る。

【００１５】Ｃｕ⁺＋Ｈ₂Ｏ₂＋Ｈ₂ＳＯ₄ → ＣｕＳＯ₄＋２Ｈ₂Ｏこれによって、導体パターン５ａ，６ａがソルダーレジ
スト８，８より外部に臨まされて構成されたランド５
ｂ，６ｂに付着した酸化物は除去される。

【００１６】エッチング機構１２でランド５ｂ，６ｂが
エッチングされたプリント配線基板１を洗浄する洗浄機
構１３は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、ラ
ンド５ｂ，６ｂがエッチングされたプリント配線基板１
を洗浄する水洗機構２７と、水洗機構２７で水洗された
プリント配線基板１を酸洗する酸洗機構２８と、酸洗機
構２８で酸洗されたプリント配線基板１を水洗する水洗
機構２９と、水洗機構２９より高圧で水洗する中圧水洗
機構３０と、多流量の洗浄水で洗浄する多流量水洗機構
３１と、多流量水洗機構３１で水洗されたプリント配線
基板１を更に水洗する水洗機構３２と、プリント配線基
板１の表面に付着した水分を除去するエアブロー機構３
３とを有する。

【００１７】エッチング機構１２でランド５ｂ，６ｂが
エッチングされたプリント配線基板１を洗浄する水洗機
構２７は、図２（Ａ）に示すように、水平状態のプリン
ト配線基板１を搬送する搬送機構３５と、洗浄水を噴射
するスプレー３６とを有する。搬送機構３５は、水平状
態で搬送されるプリント配線基板１を狭持するように、
プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設されて
いる。搬送機構３５は、スプレー３６より噴射される洗
浄水でプリント配線基板１の表面に付着しているエッチ
ング液２４ａを除去できるように、例えば３ｍ／ｍｉｎ
の搬送スピードでプリント配線基板１を図２（Ａ）中矢
印Ａ方向に搬送する。また、スプレー３６は、プリント
配線基板１の両面に付着したエッチング液２４ａを除去
するため、搬送機構３５に搬送されるプリント配線基板
１の上面側に３本と下面側に３本設けられている。これ
らスプレー３６は、常温の井水をスプレー圧が０．１Ｍ
Ｐａ以上の条件で噴霧する。これによって、水洗機構２
７は、プリント配線基板１の表面のエッチング液２４ａ
を除去する。

【００１８】水洗機構２７でエッチング液２４ａが流し
落とされたプリント配線基板１を酸洗する酸洗機構２８
は、水平状態のプリント配線基板１を搬送する搬送機構
３８と、硫酸過水を噴射するスプレー３９とを有する。
搬送機構３８は、水平状態で搬送されるプリント配線基
板１を狭持するように、プリント配線基板１の上面側と
下面側に複数配設されている。搬送機構３８は、プリン
ト配線基板１のランド５ｂ，６ｂの酸化物を確実に除去
できるように、例えば３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードでプ
リント配線基板１を図２（Ａ）中矢印Ａ方向に搬送す
る。また、スプレー３９は、プリント配線基板１のラン
ド５ｂ，６ｂの表面に確実にプリフラックス膜９を形成
することができるように、ランド５ｂ，６ｂ表面の酸化
物を更に確実に除去するため、搬送機構３５に搬送され
るプリント配線基板１の上面側に４本と下面側に４本設
けられている。これらスプレー３６は、常温の５％硫酸
の硫酸過水をスプレー圧が０．２ＭＰａ以上で噴霧す
る。これによって、酸洗機構２８は、プリント配線基板
１の表面の一部であるランド５ｂ，６ｂの酸化物を確実
に除去する。すなわち、ランド５ｂ，６ｂの酸化物は、
図６及び図７に示すように、エッチング機構１２でエッ
チングされ、更に酸洗機構２８で酸洗されることによっ
て、確実に除去される。

【００１９】ところで、導体パターン５ａ，６ａの表面
の酸化物を除去するのに、上述したように硫酸過水を用
いることから、プリント配線基板１の貫通孔７内にこの
硫酸過水が残存すると、貫通孔７内に設けられためっき
層７ａが酸化し断線してしまうおそれがある。そこで、
洗浄機構１３では、プリフラックス膜９を形成する前
に、水洗機構２９、中圧水洗機構３０、多流量水洗機構
３１、水洗機構３２で確実に硫酸過水を除去するように
している。

【００２０】酸洗機構２８で酸洗されたプリント配線基
板１を水洗する水洗機構２９は、水平状態のプリント配
線基板１を搬送する搬送機構４１と、洗浄水を噴射する
スプレー４２とを有する。搬送機構４１は、水平状態で
搬送されるプリント配線基板１を狭持するように、プリ
ント配線基板１の上面側と下面側に複数配設されてい
る。搬送機構４１は、プリント配線基板１を確実に洗浄
することができるように、例えば３ｍ／ｍｉｎの搬送ス
ピードでプリント配線基板１を図２（Ａ）中矢印Ａ方向
に搬送する。また、スプレー４２は、プリント配線基板
１の両面に設けられたランド５ｂ，６ｂにプリフラック
ス膜９を形成することから、プリント配線基板１に付着
した硫酸過水を洗浄するため、搬送機構４１に搬送され
るプリント配線基板１の上面側に２本と下面側に２本設
けられている。これらスプレー４２は、３５℃の純水を
スプレー圧が０．１ＭＰａ以上の条件で噴霧する。ここ
で、３５℃の純水を用いるのは、水洗効果を高めるため
であり、３５℃以上とすると、導体パターン５ａ，６ａ
の表面が酸化し易くなるためである。したがって、以
後、プリフラックス膜９が形成されるまでのプリント配
線基板１の洗浄、すなわち中圧水洗機構３０、多流量水
洗機構３１、水洗機構３２で行う水洗では、３５℃の純
水が用いられる。これによって、水洗機構２９は、プリ
ント配線基板１の表面の硫酸過水を除去する。

【００２１】水洗機構２９で水洗されたプリント配線基
板１を更に洗浄する中圧水洗機構３０は、図２（Ｂ）に
示すように、水平状態のプリント配線基板１を搬送する
搬送機構４４と、洗浄水を噴射するスプレー４５とを有
する。搬送機構４４は、水平状態で搬送されるプリント
配線基板１を狭持するように、プリント配線基板１の上
面側と下面側に複数配設されている。搬送機構４４は、
プリント配線基板１に付着した硫酸過水を洗浄すること
ができるように、例えば３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで
プリント配線基板１を図２（Ｂ）中矢印Ａ方向に搬送す
る。また、スプレー４５は、プリント配線基板１の両面
に付着した硫酸過水を洗浄するため、搬送機構４４に搬
送されるプリント配線基板１の上面側に４本と下面側に
４本設けられている。これらスプレー４５は、３５℃の
純水を水洗機構２９のスプレー４２より高圧で、例えば
スプレー圧が０．５ＭＰａ以上の条件で噴霧する。これ
によって、中圧水洗機構３０は、プリント配線基板１の
表面の硫酸過水を除去する。

【００２２】中圧水洗機構３０で水洗されたプリント配
線基板１を更に洗浄する多流量水洗機構３１は、水平状
態のプリント配線基板１を搬送する搬送機構４７と、洗
浄水を噴射するスプレー４８とを有する。搬送機構４７
は、水平状態で搬送されるプリント配線基板１を狭持す
るように、プリント配線基板１の上面側と下面側に複数
配設されている。搬送機構４７は、プリント配線基板１
を洗浄することができるように、例えば３ｍ／ｍｉｎの
搬送スピードでプリント配線基板１を図２（Ｂ）中矢印
Ａ方向に搬送する。また、スプレー４８は、プリント配
線基板１の両面に付着した硫酸過水を確実に洗浄するた
め、搬送機構４７に搬送されるプリント配線基板１の上
面側に２本と下面側に２本設けられている。これらスプ
レー４５は、３５℃の純水を水洗機構２９のスプレー４
２より多流量で、例えば５リットル／ｃｍ²・以上の流
量で噴霧する。これによって、多流量水洗機構３１は、
プリント配線基板１の表面の硫酸過水を除去する。

【００２３】多流量水洗機構３１で水洗されたプリント
配線基板１を更に洗浄する水洗機構３２は、水平状態の
プリント配線基板１を搬送する搬送機構５０と、洗浄水
を噴射するスプレー５１とを有する。搬送機構５０は、
水平状態で搬送されるプリント配線基板１を狭持するよ
うに、プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設
されている。搬送機構５０は、プリント配線基板１を確
実に洗浄することができるように、例えば３ｍ／ｍｉｎ
の搬送スピードでプリント配線基板１を図２（Ｂ）中矢
印Ａ方向に搬送する。また、スプレー５１は、プリント
配線基板１の両面に付着した硫酸過水を洗浄するため、
搬送機構５０に搬送されるプリント配線基板１の上面側
に２本と下面側に２本設けられている。これらスプレー
５１は、３５℃の新水をスプレー圧が０．１ＭＰａ以上
で噴霧する。これによって、水洗機構２９は、プリント
配線基板１の表面の硫酸過水を除去する。なお、ここで
は、洗浄水として新しい純水、すなわち新水を用いる。
これにより、水洗機構３２は、プリント配線基板１に付
着した処理液、すなわち硫酸過水が次工程に持ち込まれ
ることを防止している。

【００２４】水洗機構３２で水洗されたプリント配線基
板１の表面に付着した水分を除去するエアブロー機構３
３は、水平状態のプリント配線基板１を搬送する搬送機
構５３と、プリント配線基板１の上下面にエアを噴射す
るエア噴射機５４とを有する。搬送機構５３は、水平状
態で搬送されるプリント配線基板１を狭持するように、
プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設されて
いる。搬送機構５３は、プリント配線基板１に付着した
水分を確実に除去することができるように、例えば３ｍ
／ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１を図２
（Ｂ）中矢印Ａ方向に搬送する。また、エア噴射機５４
は、プリント配線基板１に付着した水分を確実に除去す
るため、エアが搬送機構５３に搬送されるプリント配線
基板１の上面と下面に確実にエアを噴射することができ
るように、プリント配線基板１の上面側と下面側に配設
されている。このようなエアブロー機構３３は、プリフ
ラックス膜９が形成される直前のプリント配線基板１の
上下面より水分を確実に除去する。

【００２５】かくして、エッチング機構１２や酸洗機構
２８でランド５ｂ，６ｂの表面の酸化物が確実に除去さ
れたプリント配線基板１は、プリフラックス膜９を形成
する前に、水洗機構２９、中圧水洗機構３０、多流量水
洗機構３１、水洗機構３２を用いた条件の異なる４段階
の水洗が行われることで、プリント配線基板１の表面、
特に貫通孔７内に残留している硫酸過水が確実に除去さ
れる。また、中圧水洗機構３０は、通常の水洗機構２
７，２９より高圧で純水をプリント配線基板１の上下面
に噴射し、多流量水洗機構３１は、通常の水洗機構２
７，２９より多流量の純水をプリント配線基板１の上下
面に噴射することから、プリント配線基板１からは確実
に硫酸過水を除去することができる。また、純水を用い
た洗浄では、水温が３５℃の純水を用いることで、水洗
効果を高めることができるとともに、ランド５ｂ，６ｂ
の表面の酸化を防止することができる。これにより、プ
リント配線基板１は、ランド５ｂ，６ｂに硫酸過水が残
存してしまうことで、ランド５ｂ，６ｂが酸化してしま
い表面が粗くなることを防止することができ、また、貫
通孔７内に設けられためっき層７ａが酸化し断線してし
まうことを確実に防止することができる。

【００２６】エアブロー機構３３で表面より水分が除去
されたプリント配線基板１のランド５ｂ，６ｂにプリフ
ラックス膜９を形成するため、プリント配線基板１は、
図２（Ｃ）に示すように、処理漕５６に貯留されたプリ
フラックス液９ａに浸漬される。そして、このプリント
配線基板１は、気泡除去機構１４、プリフラックス形成
機構１５に搬送される。

【００２７】この気泡除去機構１４は、図２（Ｃ）に示
すように、処理漕５６のプリフラックス液９ａに浸漬さ
れたときに、プリント配線基板１の表面に発生する気泡
５８を除去するものであり、プリフラックス液が貯留さ
れる処理漕５６と、プリフラックス液９ａの液中を水平
状態でプリント配線基板１を搬送する搬送機構となると
ともに、プリフラックス液９ａに浸漬したときにプリン
ト配線基板１の表面に発生する気泡５８を除去する気泡
除去ローラ５７とを有する。処理漕５６に貯留されるプ
リフラックス液９ａは、水溶性プリフラックスであり、
酢酸とイミダゾールを主成分とするもの、例えば四国化
成工業株式会社製タフエースＦ２（商品名）が用いられ
る。

【００２８】また、気泡除去ローラ５７は、水平状態で
搬送されるプリント配線基板１を狭持するように、プリ
ント配線基板１の上面側と下面側に複数配設されてい
る。気泡除去ローラ５７は、他の搬送機構２１，２５，
３８，４１，４４，４７，５０，５３と同じ同じ３ｍ／
ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１を図２
（Ｃ）中矢印Ａ方向に搬送する。また、これら気泡除去
ローラ５７は、例えばクロロスルフォン化ポリエチレン
によりスポンジ状に形成されている。プリント配線基板
１に接触している気泡除去ローラ５７は、回転駆動され
ることで、プリント配線基板１の表面に付着した気泡５
８を除去し、次工程で、ランド５ｂ、６ｂ上に形成され
るプリフラックス膜９を均一な膜厚に形成することがで
きるようにしている。

【００２９】プリフラックス液９ａに浸漬され、気泡除
去機構１４で表面の気泡５８が除去されたプリント配線
基板１のランド５ｂ，６ｂにプリフラックス膜９を形成
するプリフラックス形成機構１５は、図２（Ｃ）に示す
ように、上述したプリフラックス液９ａが貯留される処
理漕５６と、プリフラックス液９ａの液中を水平状態で
プリント配線基板１を搬送する搬送機構６０と、プリフ
ラックス液９ａを噴射する液中スプレー６１とを有す
る。

【００３０】搬送機構６０は、回転ローラよりなり、水
平状態で搬送されるプリント配線基板１を狭持するよう
に、プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設さ
れている。プリント配線基板１の上下に設けられた回転
ローラは、プリント配線基板１の厚みｔより間隔Ｃが大
きくなるように形成され、プリント配線基板１に加わる
ローラ圧を小さくし、プリフラックス膜９の形成途中で
プリフラックス膜９にローラー痕等がつかないように
し、均一な膜厚のプリフラックス膜９を形成することが
できるようにしている。例えば、間隔Ｃは、０．５ｍｍ
以下、好ましくは２ｍｍとされる。このような搬送機構
６０は、ランド５ｂ，６ｂの表面にプリフラックス膜９
を所定の厚さに形成することができるように、プリント
配線基板１を水溶性プリフラックス液９ａに浸漬させた
状態で例えば３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードでプリント配
線基板１を図２（Ｃ）中矢印Ａ方向に搬送する。プリン
ト配線基板１は、例えば１２０秒間、処理漕５６の水溶
性プリフラックス液９ａに浸漬される。

【００３１】また、液中スプレー６１は、プリント配線
基板１の両面に膜厚が均一のプリフラックス膜９を形成
するため、搬送機構６０に搬送されるプリント配線基板
１の上面側に１０本と下面側に１０本、処理漕５６に貯
留された水溶性プリフラックス液９ａの液中に設けられ
ている。これら液中スプレー６１は、広範に亘って水溶
性プリフラックス液９ａを噴射できるように、フラット
ノズルよりなり輻射角が略９０°となるように形成され
ている。これら液中スプレー６１は、３５℃の水溶性プ
リフラックス液９ａをスプレー圧が０．１ＭＰａ以上で
プリント配線基板１の上下面に噴霧する。プリフラック
ス液９ａの液中で液中スプレー６１によってプリフラッ
クス液９ａがプリント配線基板１に噴射されることか
ら、ランド５ｂ，６ｂ上には、厚さが０．２〜０．３μ
ｍの膜厚が均一のプリフラックス膜９が形成される。銅
箔よりなるランド５ｂ，６ｂ上に形成されるプリフラッ
クス膜９は、イミダゾール化合物を主成分とするもので
あり、化１に基づいて形成される。

【００３２】

【化１】

【００３３】前工程において、ランド５ｂ，６ｂは、エ
ッチング機構１２によりソフトエッチングされ、更に酸
洗機構２８により酸洗されることによって表面の酸化物
が確実除去され、また、硫酸過水が確実に洗浄されてい
ることから、表面が平坦に形成されている。したがっ
て、このプリフラックス膜９は、ランド５ｂ，６ｂに密
着し、また、表面が平坦に形成される。これによって、
プリフラックス膜９は、ランド５ｂ、６ｂに確実に密着
し、また、半田濡れ性に優れたものとなる。

【００３４】そして、プリフラックス形成機構１５によ
ってランド５ｂ，６ｂによってプリフラックス膜９が形
成されたところで、プリント配線基板１は、処理漕５６
より取り出される。そして、処理漕５６より取り出され
たプリント配線基板１は、表面に付着しているプリフラ
ックス液９ａを液切りするため液切り機構１６に搬送さ
れる。この液切り機構１６は、図２（Ｃ）及び図４に示
すように、処理漕５６より取り出されたプリント配線基
板１を水平状態で搬送する搬送機構となるとともに、プ
リント配線基板１の表面に付着したプリフラックス液９
ａを除去する上下一対の液切りローラ６２と、下側の液
切りローラ６２の下側に配設される下皿６３とを有す
る。

【００３５】液切りローラ６２は、水平状態で搬送され
るプリント配線基板１を狭持するように、プリント配線
基板１の上面側と下面側に複数配設されている。液切り
ローラ６２は、他の搬送機構２１，２５，３８，４１，
４４，４７，５０，５３，５７，６０と同じ同じ３ｍ／
ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１を図２
（Ｃ）及び図４中矢印Ａ方向に搬送する。また、これら
液切りローラ６２は、例えばクロロスルフォン化ポリエ
チレンにより吸水性のあるスポンジ状に形成され、自重
をプリント配線基板１に加えることができるように形成
されている。また、液切りローラ６２は、図３に示すよ
うに、プリント配線基板１の搬送方向である図３中矢印
Ａ方向に対して略直交する方向に、プリント配線基板１
の表面に付着したプリフラックス液９ａを除去し易くす
るための溝部６４が複数形成されている。

【００３６】また、図４に示すように、液切りローラ６
２により搬送されるプリント配線基板１の下側には、液
切りローラ６２の略下側半分を覆うように塩化ビニル等
により形成された下皿６３が設けられている。この下皿
６３は、プリフラックス液９ａの貯留部であり、この下
皿６３内では、水溶性プリフラックス液９ａが５〜１０
リットル／ｍｉｎの割合で循環するようになっている。
これによって、液切りローラ６２には、常に新しい水溶
性プリフラックス液９ａが含浸されることになり、液切
りローラ６２に含浸された液成分が酸化し、プリフラッ
クス膜９を剥離してしまうことを防止することができ
る。

【００３７】以上のような液切り機構１６は、スポンジ
状の液切りローラ６２により、処理漕５６より取り出さ
れてときプリント配線基板１の表面に付着している余分
なプリフラックス液９ａを除去することで、プリフラッ
クス膜９の表面を平坦に形成することができる。特に、
液切りローラ６２には、溝部６４が形成されていること
から、確実にプリント配線基板１の表面に付着したプリ
フラックス液９ａを除去することができる。更には、下
側の液切りローラ６２は、スポンジ状に形成されて、プ
リフラックス液９ａが循環している下皿６３に一部が覆
われている。したがって、液切りローラ６２に含浸され
た液成分が酸化し、プリフラックス膜９を剥離してしま
うことを防止することができる。

【００３８】液切り機構１６により表面のプリフラック
ス液９ａが除去され、プリフラックス膜９が形成された
プリント配線基板１を洗浄する洗浄機構１７は、図２
（Ｄ）に示すように、プリフラックス膜９が形成された
プリント配線基板１を洗浄する水洗機構６６と、水洗機
構６６で水洗されたプリント配線基板１を更に水洗する
水洗機構６７と、プリント配線基板１の表面に付着した
水分を除去するエアブロー機構６８とを有する。

【００３９】プリフラックス膜９が形成されたプリント
配線基板１を洗浄する水洗機構６６は、図２（Ｄ）に示
すように、水平状態のプリント配線基板１を搬送する搬
送機構７１と、洗浄水を噴射するスプレー７２とを有す
る。搬送機構７１は、水平状態で搬送されるプリント配
線基板１を狭持するように、プリント配線基板１の上面
側と下面側に複数配設されている。搬送機構７１は、液
切り機構１６で除去しきれていないプリント配線基板１
の表面に付着した不要なプリフラックス液９ａを除去す
ることができるように、例えば３ｍ／ｍｉｎの搬送スピ
ードでプリント配線基板１を図２（Ｄ）中矢印Ａ方向に
搬送する。また、スプレー７２は、プリント配線基板１
の表面に付着したプリフラックス液９ａを除去するた
め、搬送機構７１に搬送されるプリント配線基板１の上
面側に３本と下面側に３本設けられている。これらスプ
レー７２は、常温の新水、すなわち新しい純水をスプレ
ー圧が０．１ＭＰａ以上の条件で噴霧する。これによっ
て、水洗機構６６は、プリント配線基板１の表面のプリ
フラックス液９ａを除去するとともに、新水を用いるこ
とでプリフラックス液９ａが次工程に持ち込まれること
を防止する。

【００４０】水洗機構６６で水洗されたプリント配線基
板１を更に水洗する水洗機構６７は、水平状態のプリン
ト配線基板１を搬送する搬送機構７４と、洗浄水を噴射
するスプレー７５とを有する。搬送機構７４は、水平状
態で搬送されるプリント配線基板１を狭持するように、
プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設されて
いる。搬送機構７４は、水洗機構６６で除去しきれてい
ないプリント配線基板１の表面に付着した不要なプリフ
ラックス液９ａを除去することができるように、例えば
３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１を図
２（Ｄ）中矢印Ａ方向に搬送する。また、スプレー７５
は、プリント配線基板１に付着しているプリフラックス
液９ａを除去するため、搬送機構７４に搬送されるプリ
ント配線基板１の上面側に２本と下面側に２本設けられ
ている。これらスプレー７５は、常温の新水をスプレー
圧が０．１ＭＰａ以上で噴霧する。すなわち、水洗機構
６７では、スプレー７５は、水洗機構６６で使用した洗
浄水を用いるのではなく、新しい洗浄水、すなわち新水
を用いることで、処理液、すなわちプリフラックス液９
ａが持ち込まれ洗浄水が酸性になり、プリフラックス膜
９を剥離してしまうことを防止している。これによっ
て、水洗機構６７は、プリント配線基板１の表面のプリ
フラックス液９ａを確実に除去することができる。

【００４１】水洗機構６７で水洗されたプリント配線基
板１の表面に付着した水分を除去するエアブロー機構６
８は、水平状態のプリント配線基板１を搬送する搬送機
構７７と、プリント配線基板１の上下面にエアを噴射す
るエア噴射機７８とを有する。搬送機構７７は、水平状
態で搬送されるプリント配線基板１を狭持するように、
プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設されて
いる。搬送機構７７は、プリント配線基板１に付着した
水分を確実に除去することができるように、例えば３ｍ
／ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１を図２
（Ｄ）中矢印Ａ方向に搬送する。また、エア噴射機７８
は、搬送機構７７に搬送されるプリント配線基板１の上
面と下面に確実にエアを噴射することができるように、
プリント配線基板１の上面側と下面側に配設されてい
る。このようなエアブロー機構６８は、プリフラックス
膜９が形成されたプリント配線基板１の上下面より水分
を確実に除去する。

【００４２】不要なプリフラックス液を水洗により完全
に除去されたプリント配線基板１を乾燥する乾燥機構１
８は、水平状態のプリント配線基板１を搬送する搬送機
構８１と、プリント配線基板１の上下面を加熱するヒー
タ８２とを有する。搬送機構８１は、水平状態で搬送さ
れるプリント配線基板１を狭持するように、プリント配
線基板１の上面側と下面側に複数配設されている。搬送
機構８１は、プリント配線基板１に付着した水分を確実
に蒸発することができるように、例えば３ｍ／ｍｉｎの
搬送スピードでプリント配線基板１を図２（Ｄ）中矢印
Ａ方向に搬送する。また、ヒータ８２は、処理室内を約
１５０℃に加熱する。そして、搬送機構８１により搬送
されるプリント配線基板２は、約３０秒間加熱され、確
実に乾燥される。

【００４３】乾燥機構１８により乾燥されたプリント配
線基板１を冷却する冷却機構１９は、水平状態のプリン
ト配線基板１を搬送する搬送機構８４を有する。搬送機
構８４は、水平状態で搬送されるプリント配線基板１を
狭持するように、プリント配線基板１の上面側と下面側
に複数配設されている。そして、搬送機構８４は、３ｍ
／ｍｉｎの搬送スピードでプリント配線基板１を常温で
約２０秒間冷却する。

【００４４】次に、以上のように構成された表面処理装
置１０を用いて、プリフラックス膜９をランド５ｂ，６
ｂ上に形成する方法について図２（Ａ）〜（Ｄ）及び図
５を参照して説明する。

【００４５】先ず、ステップＳ１において、ソルダーレ
ジスト８，８が塗布され、導通検査等が終了したプリン
ト配線基板１は、図示しない搬送機構によって洗浄機構
１１に搬送される。ここで、このプリント配線基板１
は、搬送機構２１によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピード
で搬送され、プリント配線基板１の上下に各２本ずつ設
けられたスプレー２２によって、常温の井水をスプレー
圧が０．１ＭＰａ以上で噴霧されることによって洗浄さ
れる。これによって、プリント配線基板１は、プリフラ
ックス膜９を形成する前に表面に付着した塵埃等の異物
が払拭される。そして、洗浄されたプリント配線基板１
は、搬送機構２１からエッチング機構１２の搬送機構２
５に搬送される。

【００４６】ところで、ランド５ｂ，６ｂは、図６に示
すように、表面が酸化することから凸凹な状態になって
いる。この図６に示す状態のランド５ｂ，６ｂ上にプリ
フラックス膜９が形成されると、プリフラックス膜９
は、ランド５ｂ，６ｂに対する密着性が悪くなり、ま
た、ランド５ｂ，６ｂの凹凸がプリフラックス膜９上に
反映し、プリフラックス膜９の表面までもが凸凹になっ
てしまい、半田濡れ性が悪化してしまうことになる。そ
こで、ランド５ｂ，６ｂは、表面がソフトエッチング及
び酸洗されることによって、表面の凹凸、すなわち酸化
物が除去されることによって平坦にされる。

【００４７】すなわち、ステップＳ２において、表面が
洗浄されたプリント配線基板１のランド５ｂ，６ｂは、
エッチング機構１２によりソフトエッチングされる。具
体的に、プリント配線基板１は、搬送機構２５によっ
て、処理漕２４に貯留された硫酸過水を主成分としたエ
ッチング液２４ａ中を３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬
送され、３０秒間でランド５ｂ，６ｂを構成する銅箔が
１．５〜２．５μｍエッチングされる。これによって、
ランド５ｂ，６ｂに付着した酸化物は除去される。そし
て、ランド５ｂ，６ｂがソフトエッチングされたプリン
ト配線基板１は、搬送機構２５から水洗機構２７の搬送
機構３５に搬送される。

【００４８】ステップＳ３において、エッチング機構１
２でランド５ｂ，６ｂがエッチングされたプリント配線
基板１は、水洗機構２７によってプリント配線基板１の
全面に付着したエッチング液２４ａが洗い流される。す
なわち、このプリント配線基板１は、搬送機構３５によ
って３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送され、プリント
配線基板１の上下に各３本ずつ設けられたスプレー３６
によって、常温の井水がスプレー圧が０．１ＭＰａ以上
の条件で噴霧されることによって、表面に付着している
余分なエッチング液２４ａが除去される。そして、水洗
機構２７によって洗浄されたプリント配線基板１は、搬
送機構３５から酸洗機構２８の搬送機構３８に搬送され
る。

【００４９】ステップＳ４において、水洗機構２７でエ
ッチング液２４ａが水洗されたプリント配線基板１は、
酸洗機構２８によって更にランド５ｂ，６ｂの酸化物が
除去される。具体的に、このプリント配線基板１は、搬
送機構３８によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送
され、プリント配線基板１の上下に各４本ずつ設けられ
たスプレー３９によって、常温の５％硫酸の硫酸過水が
スプレー圧が０．２ＭＰａ以上の条件で上面及び下面に
噴霧されることによって、ランド５ｂ，６ｂの酸化物が
確実に除去される。

【００５０】すなわち、ランド５ｂ，６ｂの表面から
は、先ずステップＳ２においてエッチング機構１２によ
ってソフトエッチングがされ、次いでステップＳ４にお
いて酸洗機構２８による酸洗が行われる、すなわち２段
階の酸化物除去工程が行われることによって、図７に示
すように、酸化物が確実に確実に除去され、ランド５
ｂ，６ｂの表面は平坦に加工される。これによって、ラ
ンド５ｂ，６ｂに対するプリフラックス膜９の密着性が
高められるとともに、半田濡れ性が向上される。

【００５１】ところで、ランド５ｂ，６ｂの表面の酸化
物を除去するのに、上述したように硫酸過水を用いるこ
とから、プリント配線基板１の貫通孔７内にこの硫酸過
水が残存すると、貫通孔７内に設けられためっき層７ａ
が酸化し断線してしまうおそれがある。そこで、ステッ
プＳ５では、先ず、酸洗機構２８でランド５ｂ，６ｂが
酸洗され、搬送機構３８より搬送されたプリント配線基
板１が水洗機構２９によって水洗される。すなわち、こ
のプリント配線基板１は、搬送機構４１によって３ｍ／
ｍｉｎの搬送スピードで搬送され、このプリント配線基
板１の上下面には、プリント配線基板１の上下に各２本
ずつ設けられたスプレー４２によって、３５℃の純水が
スプレー圧が０．１ＭＰａ以上で噴霧される。これによ
り、プリント配線基板１からは、硫酸過水が洗浄され
る。そして、水洗機構２９によって水洗されたプリント
配線基板１は、搬送機構３８から中圧水洗機構３０の搬
送機構４４に搬送される。

【００５２】次いで、ステップＳ６において、水洗機構
２９で水洗されたプリント配線基板１は、中圧水洗機構
３０によって水洗機構２９のスプレー４２より高圧で水
洗される。具体的に、このプリント配線基板１は、搬送
機構４４によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送さ
れ、このプリント配線基板１の上下面には、プリント配
線基板１の上下に各４本ずつ設けられたスプレー４５に
よって、スプレー圧が０．５ＭＰａ以上で３５℃の純水
が噴霧される。これにより、プリント配線基板１から
は、硫酸過水が洗浄される。そして、中圧水洗機構３０
によって水洗されたプリント配線基板１は、搬送機構４
４から多流量水洗機構３１の搬送機構４７に搬送され
る。

【００５３】そして、ステップＳ７において、中圧水洗
機構３０で水洗されたプリント配線基板１は、多流量水
洗機構３１によって水洗機構２９のスプレー４２より多
流量で水洗される。具体的に、このプリント配線基板１
は、搬送機構４７によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピード
で搬送され、このプリント配線基板１の上下面には、プ
リント配線基板１の上下に各２本ずつ設けられたスプレ
ー４８によって５リットル／ｃｍ²・以上の流量で３５
℃の純水が噴霧される。これにより、プリント配線基板
１からは、硫酸過水が洗浄される。そして、多流量水洗
機構３１によって水洗されたプリント配線基板１は、搬
送機構４７から水洗機構３２の搬送機構５０に搬送され
る。

【００５４】次いで、ステップＳ８において、多流量水
洗機構３１で水洗されたプリント配線基板１は、水洗機
構３２によって新水により洗浄される。すなわち、この
プリント配線基板１は、搬送機構５０によって３ｍ／ｍ
ｉｎの搬送スピードで搬送され、このプリント配線基板
１の上下面には、プリント配線基板１の上下に各２本ず
つ設けられたスプレー５１によって３５℃の新水をスプ
レー圧が０．１ＭＰａ以上で噴霧される。これにより、
プリント配線基板１からは、硫酸過水が完全に洗浄され
る。ここでは、洗浄水として、新しい純水、すなわち新
水が用いられる。これにより、プリント配線基板１に付
着した処理液、すなわち硫酸過水が次工程に持ち込まれ
ることを防止している。そして、水洗機構３２によって
水洗されたプリント配線基板１は、搬送機構５０からエ
アブロー機構３３の搬送機構５３に搬送される。

【００５５】ステップＳ９において、水洗機構３２で新
水により水洗されたプリント配線基板１は、エアブロー
機構３３によって、表面に付着した水分が除去される。
具体的に、このプリント配線基板１は、搬送機構５３に
よって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送され、このプ
リント配線基板１は、上下面に、エア噴射機５４により
エアが噴射され、プリフラックス膜９が形成される直前
のプリント配線基板１の上下面より水分が確実に除去さ
れる。

【００５６】以上のように、プリント配線基板１は、ス
テップＳ５〜ステップＳ８において、水洗機構２９、中
圧水洗機構３０、多流量水洗機構３１、水洗機構３２を
用いた条件の異なる４段階の水洗が行われることで、プ
リント配線基板１の表面、特に貫通孔７内に残留してい
る硫酸過水が確実に除去される。また、純水を用いたス
テップＳ５〜ステップＳ８の洗浄では、水温が３５℃の
純水を用いることで、水洗効果を高めることができると
ともに、ランド５ｂ，６ｂの表面の酸化を防止すること
ができる。更に、ステップＳ８では、洗浄水として新水
を用いることでプリント配線基板１に付着した処理液、
すなわち硫酸過水が次工程に持ち込まれることを防止し
ている。

【００５７】以上のことより、プリント配線基板１は、
ランド５ｂ，６ｂに硫酸過水が残存してしまうことで、
一度ステップＳ２のソフトエッチング及びステップＳ４
の酸洗によって平坦に形成されたランド５ｂ，６ｂが酸
化してしまい表面が再び粗くなることを防止することが
できる。また、プリント配線基板１は、貫通孔７内に設
けられためっき層７ａが酸化し断線してしまうことを確
実に防止することができる。そして、以上のように平坦
に形成されたランド５ｂ，６ｂには、次にプリフラック
ス膜９が形成される。

【００５８】すなわち、ステップＳ１０において、エア
ブロー機構３３で余分な水分が除去されたプリント配線
基板１は、エアブロー機構３３の搬送機構５３から気泡
除去機構１４の気泡除去ローラ５７よりなる搬送機構に
搬送され、処理漕５６に貯留されたプリフラックス液９
ａに浸漬される。このとき、プリント配線基板１の表面
には、気泡５８が発生する。この気泡５８が発生した状
態でプリフラックス膜９を形成すると、プリフラックス
膜９は、均一な膜厚に形成することができない。そこ
で、気泡５８が表面に付着したプリント配線基板１は、
プリント配線基板１の上面側と下面側に複数配設され気
泡除去ローラ５７によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピード
で搬送されることにより、気泡５８が除去される。そし
て、処理漕５６でプリフラックス液９ａに浸漬され、気
泡５８が除去されたプリント配線基板、気泡除去ローラ
５７からなる搬送機構からプリフラックス形成機構１５
の搬送機構６０に搬送される。

【００５９】ステップＳ１１において、表面より気泡５
８が除去されたプリント配線基板１は、プリフラックス
形成機構１５によって、ランド５ｂ，６ｂ上にプリフラ
ックス膜９が形成される。具体的に、このプリント配線
基板１は、処理漕５６内に貯留された酢酸とイミダゾー
ルを主成分とする水溶性プリフラックス液９ａ内を、搬
送機構６０により３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送す
る。そして、プリフラックス液９ａ中のプリント配線基
板１の表面には、プリント配線基板１の上下に各１０本
ずつ設けられた液中スプレー６１によって、３５℃の水
溶性プリフラックス液がスプレー圧が０．１ＭＰａ以上
で噴霧される。これによって、ランド５ｂ，６ｂ上に
は、厚さが０．２〜０．３μｍの膜厚が均一のイミダゾ
ール化合物を主成分とするプリフラックス膜９が形成さ
れる。このプリフラックス膜９は、図８に示すように、
前工程において、ランド５ｂ，６ｂがステップＳ２のソ
フトエッチングとステップＳ４の酸洗によって、ランド
５ｂ，６ｂの表面が平坦となるように形成されているこ
とで、ランド５ｂ，６ｂに密着し、また、表面が平坦に
形成される。これによって、ランド５ｂ，６ｂに対する
密着性と半田濡れ性に優れるプリフラックス膜９を形成
することができる。また、搬送機構６０を構成する上下
一対の回転ローラは、プリント配線基板１の厚みより大
きい間隔で配設されている。したがって、プリント配線
基板１の表面に加わるローラ圧は、小さくなり、形成途
中のプリフラックス膜９の表面にローラ痕等が形成さ
れ、表面が凸凹になることを防止することができる。そ
して、プリフラックス膜９がランド５ｂ，６ｂに形成さ
れたプリント配線基板１は、搬送機構６０から液切り機
構１６に搬送される。なお、プリント配線基板１は、処
理漕５６のプリフラックス液９ａに１２０秒間浸漬され
る。

【００６０】ステップＳ１２において、プリフラックス
膜９が形成されたプリント配線基板１は、処理漕５６か
ら取り出され、余分なプリフラックス液９ａを除去する
ための液切り機構１６の搬送機構を構成する液切りロー
ラ６２により搬送される。すなわち、プリフラックス液
９ａが形成されたプリント配線基板１は、スポンジ状の
液切りローラ６２の間を通過することによって、不要な
プリフラックス液９ａが除去される。また、プリント配
線基板１の下側の液切りローラ６２は、下皿６３に一部
が被覆されており、下皿６３は、プリフラックス液９ａ
が循環していることから、スポンジ状の液切りローラ６
２には、常に新鮮なプリフラックス液９ａが含浸される
ことになり、したがって、液切りローラ６２に含浸され
た液成分が酸化し、プリフラックス膜９を剥離してしま
うことを防止することができる。そして、表面のプリフ
ラックス液９ａが除去されたプリント配線基板１は、搬
送機構ともなる液切りローラ６２からから水洗機構６６
の搬送機構７１に搬送される。

【００６１】次いで、ステップＳ１３おいて、液切り機
構１６で表面のプリフラックス液９ａが除去されたプリ
ント配線基板１は、水洗機構６６によって、表面に付着
した余分なプリフラックス液９ａが除去される。具体的
に、このプリント配線基板１は、搬送機構７１によって
３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送され、このプリント
配線基板１の上下面には、プリント配線基板１の上下に
各３本ずつ設けられたスプレー７２によって常温の新
水、すなわち新しい純水をスプレー圧が０．１ＭＰａ以
上で噴霧される。これにより、プリント配線基板１から
は、プリフラックス液が洗浄される。また、この工程で
は、水洗に洗浄水として新水を用いることで、プリフラ
ックス液９ａが次工程に持ち込まれることを防止してい
る。そして、水洗機構６６によって水洗されたプリント
配線基板１は、搬送機構７１から水洗機構６７の搬送機
構７４に搬送される。

【００６２】そして、ステップＳ１４において、水洗機
構６６で水洗されたプリント配線基板１は、更に水洗機
構６７によって、表面に付着した余分なプリフラックス
液９ａが除去される。具体的に、このプリント配線基板
１は、搬送機構７４によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピー
ドで搬送され、このプリント配線基板１の上下面には、
プリント配線基板１の上下に各２本ずつ設けられたスプ
レー７５によって常温の新水、すなわち新しい純水をス
プレー圧が０．１ＭＰａ以上で噴霧される。これによ
り、プリント配線基板１からは、プリフラックス液９ａ
が完全に除去される。また、この工程では、水洗に洗浄
水として新水を用いることで、プリフラックス液９ａが
次工程に持ち込まれることを防止している。そして、水
洗機構６６によって水洗されたプリント配線基板１は、
搬送機構７４からエアブロー機構６８の搬送機構７７に
搬送される。

【００６３】以上のように、プリフラックス膜９が形成
されたプリント配線基板１は、水洗機構６６，６７によ
って２段階で水洗されることにより、表面に付着した余
分なプリフラックス液９ａを確実に除去することができ
る。また、ステップＳ１２とステップＳ１３のプリント
配線基板１に付着した余分なプリフラックス液９ａを除
去する際、洗浄水として新水を用いることで、プリフラ
ックス液９ａを次工程に持ち込むことを防止することが
できる。

【００６４】次いで、ステップＳ１５において、水洗機
構６７で新水により水洗されたプリント配線基板１は、
エアブロー機構６８によって、表面に付着した水分が除
去される。具体的に、このプリント配線基板１は、搬送
機構７７によって３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送さ
れ、このプリント配線基板１は、上下面に、エア噴射機
７８によりエアが噴射され、プリント配線基板１の上下
面より水分が確実に除去される。

【００６５】次いで、ステップＳ１６において、エアブ
ロー機構６８によって不要な水分が除去されたプリント
配線基板１は、乾燥機構１８によって乾燥される。すな
わち、このプリント配線基板１は、搬送機構８１によっ
て３ｍ／ｍｉｎの搬送スピードで搬送され、このプリン
ト配線基板１は、ヒータ８２によって約１５０℃で約３
０秒間加熱されることにより乾燥される。

【００６６】そして、ステップＳ１７において、乾燥機
構１８によって乾燥されたプリント配線基板１は、冷却
機構１９によって冷却される。すなわち、このプリント
配線基板１は、搬送機構８４によって３ｍ／ｍｉｎの搬
送スピードで搬送され、このプリント配線基板１は、常
温で約２０秒間冷却される。

【００６７】以上のようなランド５ｂ，６ｂに水溶性の
プリフラックス膜９を形成するための表面処理装置１０
及び処理方法では、先ずステップＳ２におけるエッチン
グ機構１２によってソフトエッチングがされ、次いで酸
洗機構２８による酸洗が行われる、すなわち２段階の酸
化物除去工程が行われることによって、図７に示すよう
に、酸化物が確実に確実に除去され、ランド５ｂ，６ｂ
の表面は平坦に加工される。また、ステップＳ５〜ステ
ップＳ８において、水洗機構２９、中圧水洗機構３０、
多流量水洗機構３１、水洗機構３２を用いた条件の異な
る４段階の水洗が行われることで、プリント配線基板１
の表面、特に貫通孔７内に残留している硫酸過水が確実
に除去される。

【００６８】これにより、プリント配線基板１は、ラン
ド５ｂ，６ｂに硫酸過水が残存してしまうことで、一度
ステップＳ２のソフトエッチング及びステップＳ４の酸
洗によって平坦に形成されたランド５ｂ，６ｂが酸化し
てしまい表面が再び粗くなることを防止することができ
る。また、プリント配線基板１は、貫通孔７内に設けら
れためっき層７ａが酸化し断線してしまうことを確実に
防止することができる。そして、図７に示すように平坦
に加工されたランド５ｂ，６ｂにプリフラックス膜９が
形成されることで、ランド５ｂ，６ｂに対して密着性の
優れたプリフラックス膜９を形成することができるとと
もに、プリフラックス膜９の表面を平坦に形成すること
ができ、半田濡れ性に優れるプリフラックス膜９を形成
することができる。

【００６９】なお、以上、導電層が複数層設けられ、上
面と下面にランド５ｂ，６ｂが形成された多層型プリン
ト配線基板を例に取り説明したが、一方の面のみに導電
層が形成されたプリント配線基板のランドにプリフラッ
クス膜９を形成する場合にも適用してもよい。

【００７０】

【発明の効果】本発明によれば、導体パターンがエッチ
ングされることにより表面の酸化物が除去され表面が平
坦にされ、次いでエッチング液が洗浄された後、プリフ
ラックス膜が形成されることから、プリフラックス膜の
密着性の向上を図ることができるとともに、プリフラッ
クス膜の表面も導体パターンの表面の酸化物による凹凸
の影響をうけることがなくなることから平坦に形成する
ことができる。また、プリフラックス膜は、液中スプレ
ーを用いて形成されることから膜厚を均一にすることが
でき、半田濡れ性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】プリント配線基板の要部断面図である。

【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、上記プリント配線基板の表
面処理装置の構成を説明する図である。

【図３】気泡除去機構を構成する気泡除去ローラの平面
図である。

【図４】上記気泡除去ローラの下側に設けられる下皿を
説明する図である。

【図５】プリント配線基板のランドにプリフラックス膜
を形成する工程を説明する図である。

【図６】ランド表面が酸化されることにとって凹凸が形
成された状態を示すプリント配線基板の要部断面図であ
る。

【図７】ランド表面がソフトエッチング及び酸洗される
ことによって平坦に形成された状態を示すプリント配線
基板の要部断面図である。

【図８】ランド表面にプリフラックス膜が形成された状
態を示すプリント配線基板の要部断面図である。

【符号の説明】

１プリント配線基板、５ｂランド、６ｂランド、
９プリフラックス膜、９ａプリフラックス液、１０
表面処理装置、１１洗浄機構、１２エッチング機
構、１３洗浄機構、１４気泡除去機構、１５プリ
フラックス形成機構、１６液切り機構、１７洗浄機
構、１８乾燥機構、１９冷却機構、２４処理漕、
２４ａエッチング液、２７水洗機構、２８酸洗機
構、２９水洗機構、３０中圧水洗機構、３１多流量
水洗機構、３２水洗機構、３３エアブロー機構、５６
処理漕、６６水洗機構、６７水洗機構、６８エ
アブロー機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者八木正展石川県能美郡根上町赤井町は86番ソニー根上株式会社内 (72)発明者請田芳幸石川県能美郡根上町赤井町は86番ソニー根上株式会社内Ｆターム(参考） 4K053 QA06 RA07 RA15 XA01 XA22 XA26 YA02 YA04 5E319 AC01 CD01 CD21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プリント配線基板の少なくとも一方の面
に形成された導体パターンの表面をエッチングするエッ
チング手段と、上記エッチング手段によって導体パターンがエッチング
されたプリント配線基板の表面を洗浄する第１の洗浄手
段と、上記第１の洗浄手段によって洗浄されたプリント配線基
板を、処理漕内の水溶性のプリフラックス液に浸漬し、
上記プリフラックス液に浸漬されたプリント配線基板の
表面に付着した気泡を除去する気泡除去手段と、上記気泡除去手段によって気泡が除去されたプリフラッ
クス液中のプリント配線基板に、上記処理漕内のプリフ
ラックス液中に設けられた液中スプレーで上記導体パタ
ーン上にプリフラックス膜を形成するプリフラックス形
成手段と、上記処理漕より搬出され、上記プリフラックス膜が形成
されたプリント配線基板の表面よりプリフラックス液を
除去する液切り手段と、上記液切り手段により表面よりプリフラックス液が除去
されたプリント配線基板の表面を洗浄する第２の洗浄手
段とを備えるプリント配線基板の表面処理装置。
【請求項２】上記エッチング手段は、上記導体パター
ンの表面を１．５〜２．５μｍ除去することを特徴とす
る請求項１記載のプリント配線基板の表面処理装置。
【請求項３】上記第１の洗浄手段は、上記導体パター
ンがエッチングされたプリント配線基板の表面を酸洗
し、次いで、０．５ＭＰａ／ｃｍ²以上の条件で水洗
し、次いで、５リットル／ｃｍ²・ｍｉｎ以上の条件で
水洗することを特徴とする請求項１記載のプリント配線
基板の表面処理装置。
【請求項４】上記水洗は、３５℃以上の純水で行うこ
とを特徴とする請求項３記載記載のプリント配線基板の
表面処理装置。
【請求項５】上記プリフラックス膜は、イミダゾール
化合物を主成分とし、上記導体パターン上に０．２〜
０．３μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項
１記載のプリント配線基板の表面処理装置。
【請求項６】上記気泡除去手段は、スポンジ状の回転
ローラよりなることを特徴とする請求項１記載のプリン
ト配線基板の表面処理装置。
【請求項７】上記プリフラックス形成手段は、上記プ
リント配線基板の厚さより大きい間隔を隔てて設けられ
た上下一対の搬送ローラを用いて上記プリント配線基板
を搬送することを特徴とする請求項１記載のプリント配
線基板の表面処理装置。
【請求項８】上記液切り手段は、スポンジ状の回転ロ
ーラと、上記プリフラックス液が循環しながら貯留され
る下皿とを有し、上記回転ローラの一部は、上記下皿に
貯留されたプリフラックス液に浸漬されていることを特
徴とする請求項１記載のプリント配線基板の表面処理装
置。
【請求項９】プリント配線基板の少なくとも一方の面
に形成された導体パターンの表面をエッチングするステ
ップと、上記導体パターンがエッチングされたプリント配線基板
の表面を洗浄するステップと、上記洗浄されたプリント配線基板を、処理漕内の水溶性
のプリフラックス液に浸漬し、上記プリフラックス液に
浸漬されたプリント配線基板の表面に付着した気泡を除
去するステップと、上記気泡が除去されたプリフラックス液中のプリント配
線基板に、上記処理漕内のプリフラックス液中に設けら
れた液中スプレーで上記導体パターン上にプリフラック
ス膜を形成するステップと、上記プリフラックス膜が形成され、上記処理漕より搬出
されたプリント配線基板の表面よりプリフラックス液を
除去するステップと、上記表面よりプリフラックス液が液切りされたプリント
配線基板の表面を洗浄するステップとを有するプリント
配線基板の表面処理方法。
【請求項１０】上記エッチングは、上記導体パターン
の表面を１．５〜２．５μｍ除去することを特徴とする
請求項９記載のプリント配線基板の表面処理方法。
【請求項１１】上記導体パターンのエッチング後に行
う洗浄は、上記導体パターンがエッチングされたプリン
ト配線基板の表面を酸洗し、次いで、０．５ＭＰａ／ｃ
ｍ²以上の条件で水洗し、次いで、５リットル／ｃｍ²・
ｍｉｎ以上の条件で水洗することを特徴とする請求項９
記載のプリント配線基板の表面処理方法。
【請求項１２】上記水洗は、３５℃以上の純水で行う
ことを特徴とする請求項１１記載記載のプリント配線基
板の表面処理方法。
【請求項１３】上記プリフラックス膜は、イミダゾー
ル化合物を主成分とし、上記導体パターン上に０．２〜
０．３μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項
９記載のプリント配線基板の表面処理方法。
【請求項１４】上記気泡の除去は、スポンジ状の回転
ローラを用いて行うこと特徴とする請求項９記載のプリ
ント配線基板の表面処理方法。
【請求項１５】上記導体パターン上にプリフラックス
膜を形成するとき、上記プリント配線基板は、上記プリ
ント配線基板の厚さより大きい間隔を隔てて設けられた
上下一対の搬送ローラにより搬送されることを特徴とす
る請求項９記載のプリント配線基板の表面処理方法。
【請求項１６】上記プリフラックス液の液切りは、上
記プリフラックス液が循環しながら貯留される下皿のプ
リフラックス液に一部が浸漬されたスポンジ状の回転ロ
ーラを用いて行うことを特徴とする請求項９記載のプリ
ント配線基板の表面処理方法。