JP2001009392A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】装置スペースの大型化を抑え、短時間で高品質
な洗浄処理をすること。 【解決手段】搬送ローラ７による基板搬送面に沿って基
板Ａが１次洗浄槽２１内を搬送される。オゾン生成手段
７０で生成されたオゾンガス７４がオゾンガス供給管２
２から１次洗浄槽２１内に供給され、基板Ａの表面が１
次洗浄処理される。基板Ａは、搬送ローラ７により２次
洗浄槽４１に搬送される。オゾン生成手段７０で生成さ
れたオゾン水７５がオゾン水供給管４２から基板Ａの表
面に供給されて２次洗浄処理される。基板Ａの表面の接
触角はオゾンガス７４による１次洗浄処理によって短時
間で接触角１５゜まで低下し、続いて２次洗浄部４でオ
ゾン水７５により２次洗浄処理されて接触角１０゜以下
まで低下する。このようにオゾンガスとオゾン水による
洗浄処理を組み合わせることで、洗浄処理に要する処理
時間を短縮できるとともに、より高品質な洗浄処理をお
こなうことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ガ
ラス基板、半導体基板、プリント基板及びプラズマディ
スプレイ用基板等の板状の基板（以下、基板と呼ぶ）に
対して洗浄処理を施す基板洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板洗浄装置として紫外線照
射（以下、ＵＶと呼ぶ）処理をおこなうものが知られて
いる。ＵＶ処理の目的は、基板表面の有機物を分解除去
したり、基板表面の接触角を低下させることにより基板
と水との親水性を高めることにある。このようにＵＶ処
理は多様な効果を備える反面、基板の種類によっては表
面状態やデバイス特性に悪影響をおよぼしたり、ランプ
照度の経時変化により基板への紫外線照射量が変動して
洗浄効果が不安定になったり、また、適正な紫外線照射
量を得るための制御が難しいことや、ランプ寿命が短い
ためにランニングコストが高くなる等の問題があった。

【０００３】そこで、近年ＵＶ処理に代わるものとし
て、オゾンガスを用いた乾式洗浄処理や、オゾン水を用
いた湿式洗浄処理が注目されている。これらオゾンを用
いた洗浄処理は、ＵＶ処理と同様に有機物の分解除去
や、基板表面の接触角を低下させて親水性を向上させる
等の多様な機能を備えているとともに、デバイスへの悪
影響が小さいという長所がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、オゾンガスを
用いた乾式洗浄処理では、例えば接触角６０゜の基板を
洗浄処理した場合、接触角１５゜までは４０秒程度の短
時間で低下するものの、それ以上処理を続けても接触角
は低下しないため、高品質な洗浄効果が得られない。ま
たオゾンガスのみによる洗浄処理では、基板に付着した
パーティクルが除去しきれないと言った問題もある。

【０００５】また、オゾン水を用いた湿式洗浄処理で
は、接触角１０゜以下の高品質な洗浄効果が得られる反
面、オゾン水洗浄処理のみで接触角を１０゜以下まで低
下させるためには１００秒以上の時間を要することか
ら、処理時間を長くするか、洗浄槽を長くする等の対策
が必要があり、処理時間または装置スペースのいずれか
を犠牲にしなければならないという問題があった。

【０００６】また、洗浄処理に用いられるオゾンガスは
人体に有害なため、装置外への漏出を防止しなければな
らないという問題も存在した。

【０００７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、装置スペースの大型化を抑
えた上で、短時間で高品質な洗浄処理をすることができ
るとともに、人体に有害なオゾンガスを、装置外へ漏出
することなく洗浄処理がおこなえる基板洗浄装置及び基
板洗浄方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板の洗浄をおこなう基板洗浄装置において、上流
側から下流側に向けて所定の方向に基板を搬送する搬送
手段と、オゾンガスとオゾン水を生成するオゾン生成手
段と、搬送手段によって搬送された基板にオゾン生成手
段で生成されたオゾンガスを供給して基板の１次洗浄を
おこなう１次洗浄部と、１次洗浄部の下流側に配設され
るとともに１次洗浄された基板にオゾン生成手段で生成
されたオゾン水を供給して基板の２次洗浄をおこなう２
次洗浄部と、を備えていることを特徴とする。

【０００９】請求項１に記載の発明によれば、搬送手段
により１次洗浄部へと搬送された基板は、最初に１次洗
浄部内においてオゾン生成手段から供給されるオゾンガ
スにより１次洗浄処理され、基板表面の接触角は短時間
で一定の接触角まで低下する。

【００１０】次に２次洗浄部へと搬送された基板は２次
洗浄部内においてオゾン生成手段により生成されたオゾ
ン水を供給され、基板表面の接触角はさらに所要の接触
角まで低下させられる。２次洗浄部におけるオゾン水洗
浄処理は１次洗浄部におけるオゾンガス洗浄処理と比較
すると接触角の低下速度は遅いが、１次洗浄部が基板洗
浄処理前の接触角から所定の接触角まで大きく低下させ
るのに対し、２次洗浄部では１次洗浄処理後の接触角か
ら所要の接触角までわずかに低下させるだけなので、処
理に要する時間は短時間ですみ、オゾン水のみで洗浄処
理する場合と比較すると洗浄処理に要する総時間は大幅
に短縮される。

【００１１】また、１次洗浄部においてオゾンガスで洗
浄処理した際に基板へパーティクルが付着しても、２次
洗浄部のオゾン水で湿式洗浄処理されることにより、基
板に付着したパーティクルも洗い流されてより高品質な
洗浄処理がおこなえる。

【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の１次洗浄部は、搬送手段によって搬送される基板が搬
入される基板搬入口と搬送手段によって搬送されつつ基
板が搬出される基板搬出口とを有し、搬入された基板を
収納可能な１次洗浄槽と、１次洗浄槽の基板搬入口及び
基板搬出口をそれぞれ開閉可能であるとともに、１次洗
浄槽へ基板を搬入する際は基板搬入口を開口し１次洗浄
槽から基板を搬出する際は基板搬出口を開口するように
制御される一対の遮蔽手段と、オゾンガスを１次洗浄槽
内に搬入された基板に供給するオゾンガス供給管と、１
次洗浄槽内の排気を行うとともに、１次洗浄槽内の基板
へオゾンガスを供給するときにはオゾンガスの供給量に
応じた排気量で排気をおこない、１次洗浄槽に対して基
板を搬入及び搬出する際はオゾンガス供給時よりも排気
量を増大させるように制御される排気手段と、を備えて
いることを特徴とする。

【００１３】請求項２に記載の発明によれば、１次洗浄
槽にはオゾン生成手段からオゾンガスが供給され、１次
洗浄槽内に搬入された基板はオゾンガスによる１次洗浄
処理が施される。このとき、基板搬入口と基板搬出口は
遮蔽手段により遮蔽されるとともに、排気手段はオゾン
ガスの供給量に応じた排気量で排気がおこなわれ、オゾ
ンガスが１次洗浄槽外へ漏出しないようにされている。

【００１４】１次洗浄槽の基板搬入口と基板搬出口に開
閉可能に設けられた遮蔽手段は、１次洗浄槽へ基板を搬
入するときは基板搬入口を開口し、１次洗浄槽から２次
洗浄槽へ基板を搬出するときは基板搬出口を開口するよ
うに制御されており、１次洗浄槽への基板搬入出時は、
排気手段の排気量が基板へオゾンガスを供給するときよ
りも増大し、１次洗浄槽内のオゾンガスは１次洗浄槽の
外部に漏出することなく排気される。

【００１５】請求項３に記載の発明では、１次洗浄部に
供給されるオゾンガスと２次洗浄部に供給されるオゾン
水を生成するオゾン生成手段は、オゾンガスを生成する
オゾンガス生成部と、純水を供給する純水供給部と、オ
ゾンガス生成部で生成されたオゾンガスと純水供給部か
ら供給された純水とを混合してオゾン水を生成する混合
部と、を備えていることを特徴とする。

【００１６】請求項３に記載の発明によれば、１次洗浄
部に供給するオゾンガスと、２次洗浄部に供給するオゾ
ン水を、オゾン生成手段単体で生成供給しているので、
装置スペースの小型化が容易になる。また、人体に有害
なオゾンガスの漏れ対策の面でも、オゾン生成手段に集
中して対策を施すことができる

【００１７】請求項４に記載の発明では、基板の洗浄を
おこなう基板洗浄方法において、基板にオゾンガスを供
給して１次洗浄をおこなう１次洗浄工程と、１次洗浄さ
れた基板にオゾン水を供給して２次洗浄をおこなう２次
洗浄工程と、からなることを特徴とする。

【００１８】請求項４に記載の発明によれば、基板は最
初に１次洗浄工程においてオゾンガスにより１次洗浄処
理され、基板表面の接触角は短時間で一定の接触角まで
低下する。

【００１９】次に２次洗浄工程においてオゾン水を供給
され、基板表面の接触角はさらに所要の接触角まで低下
させられる。２次洗浄工程におけるオゾン水洗浄処理は
１次洗浄工程におけるオゾンガス洗浄処理と比較すると
接触角の低下速度は遅いが、１次洗浄工程が基板洗浄処
理前の接触角から所定の接触角まで大きく低下させるの
に対し、２次洗浄工程では１次洗浄処理後の接触角から
所要の接触角までわずかに低下させるだけなので、処理
に要する時間は短時間ですみ、オゾン水のみで洗浄処理
する場合と比較すると洗浄処理に要する総時間は大幅に
短縮される。

【００２０】また、１次洗浄工程においてオゾンガスで
洗浄処理した際に基板へパーティクルが付着しても、２
次洗浄工程のオゾン水で湿式洗浄処理されることによ
り、基板に付着したパーティクルも洗い流されてより高
品質な洗浄処理がおこなえる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を液晶用ガラス基板
の洗浄処理をおこなう基板洗浄装置に適用した場合を例
として、図面に基づいて実施の形態を説明する。

【００２２】図１は本発明に係る基板洗浄装置１００
（枚葉方式の洗浄装置）の側面概要図である。図１にお
いて、この基板洗浄装置１００は前工程より搬送されて
くる基板（以下、基板Ａと呼ぶ）を受け入れる基板受け
入れ部１と、１次洗浄部２と、基板バッファ部３と、２
次洗浄部４と、水洗部５と、乾燥部６とが直列に上流側
から順次配設されている。

【００２３】上記１次洗浄部２、２次洗浄部４、水洗部
５、乾燥部６は、それぞれ箱形の１次洗浄槽２１、２次
洗浄槽４１、水洗槽５１、乾燥槽６１を備えて形成され
ている。各槽２１、４１、５１、６１の上流壁及び下流
壁には水平方向で互いに対向した開口１１が形成されて
おり、この開口１１を通して基板Ａが各槽２１、４１、
５１、６１に搬入出されるようになっている。

【００２４】本実施形態において、１次洗浄槽２１では
洗浄剤としてオゾンガス７４が用いられ、２次洗浄槽４
１では洗浄剤としてオゾン水７５が用いられ、水洗槽５
１では水洗水として純水５３が用いられている。

【００２５】基板Ａを各槽２１、４１、５１、６１内で
搬送する手段としてローラコンベアーが適用されてい
る。このローラコンベアーは、基板Ａの搬送方向と直交
する面内で、水平に支持軸を有する搬送ローラ７が搬送
方向（図１の右方）に向けてほぼ等ピッチで並列配置さ
れて基板載置面を形成しており、図略の駆動手段の駆動
によって同一方向に回転されるようになっている。

【００２６】洗浄の対象となる基板Ａとしては、新しい
ガラス基板や、成膜前の受け入れ洗浄処理済みの基板
や、成膜後のレジスト塗布前の基板や、レジスト剥離後
の基板や、レジスト剥離後洗浄処理の終わった配向膜形
成前の基板、等である。

【００２７】これら前工程から搬送された基板Ａは、基
板受け入れ部１の搬送ローラ７の駆動によって基板洗浄
装置１００内に導入され、搬送方向（図１の右方）に向
けて搬送され、１次洗浄槽２１内への搬入が完了する
と、オゾンガス供給管２２からオゾンガス７４の供給に
よる１次洗浄処理が施される。次いで２次洗浄槽４１で
オゾン水供給管４２からオゾン水７５の供給を受けて２
次洗浄処理が施される。

【００２８】引き続き水洗槽５１において純水供給部材
５２ａ、５２ｂから基板Ａの表裏両面に純水５３の供給
を受けて仕上げ洗浄処理がおこなわれ、最後の乾燥槽に
おいてエアーナイフ６２ａ、６２ｂからの気体噴射供給
による乾燥処理により、洗浄処理を完了して次行程へ向
けて搬出されるようになっている。

【００２９】前工程から基板受け入れ部１の図示左側の
開口１１より搬入された基板Ａは、搬送ローラ７により
基板受け入れ部１内へ搬送される。基板受け入れ部１内
への搬送が終わると搬送ローラ７は停止し、図２に記載
された１次洗浄槽２１への搬送待機状態となる。基板Ａ
を連続して処理する場合は、基板受け入れ部１から１次
洗浄槽２１への基板Ａの搬入は、１次洗浄槽２１で洗浄
処理された基板Ａを基板バッファ部３へ搬出するのと同
期しておこなわれる。

【００３０】１次洗浄槽２１のオゾンガス７４による１
次洗浄処理は、１次洗浄槽２１内で基板Ａを静止させた
状態で処理がおこなわれるので、処理タクトを短縮する
ために１次洗浄槽２１の基板Ａの搬入出は、２次洗浄槽
４１から乾燥部６までの搬送速度よりも、基板受け入れ
部１から基板バッファ部３までの搬送ローラ７を高速で
駆動することにより搬送時間を短縮させている。

【００３１】次に、図２を用いて１次洗浄部の構成を説
明する。図２はオゾンガス７４を用いて１次洗浄処理を
おこなう１次洗浄部２の構造の一例を示す断面図であ
る。

【００３２】１次洗浄槽２１の基板搬入口の開口１１ａ
（図示左方）と、基板搬出口の開口１１ｂ（図示右方）
には、それぞれの開口１１ａ、１１ｂを遮蔽する遮蔽手
段３０が設けられている。遮蔽手段３０は、ソレノイド
２３ａ、２３ｂにより伸縮駆動する駆動シャフト２４
ａ、２４ｂと、駆動シャフト２４ａ、２４ｂの上部に支
持部２５ａ、２５ｂを介して連結されたシャッター２６
ａ、２６ｂとからなる一対の遮蔽部材３０ａ、３０ｂと
から構成されている。

【００３３】また、１次洗浄槽２１の底部には排気手段
３１が設けられており、排気手段３１は排気管２７を介
してダンパー２８に接続されており、ダンパー２８の内
部に設けられたバタフライ２９が図示しない駆動手段に
より回転制御され、排気量を制御するように構成されて
いる。

【００３４】次に１次洗浄槽内における１次洗浄処理の
流れを説明する。遮蔽手段３０は、基板Ａを基板受け入
れ部１から１次洗浄槽２１へ搬入する際と、１次洗浄槽
２１から基板バッファ部３へ搬出する際に、遮蔽部材３
０ａ、３０ｂのソレノイド２３ａ、２３ｂの駆動により
駆動シャフト２４ａ、２４ｂを図示下方向へ駆動し、シ
ャッター２６ａ、２６ｂを基板搬入口の開口１１ａと基
板搬出口の開口１１ｂとを開口する実線で示された位置
へと移動する。

【００３５】１次洗浄槽２１における基板Ａの搬入出が
完了すると搬送ローラ７は回転を停止し、基板Ａは１次
洗浄槽２１内の搬送ローラ７上で停止する。基板Ａが１
次洗浄槽２１内にセットされると、遮蔽部材３０ａ、３
０ｂのソレノイド２３ａ、２３ｂの駆動により駆動シャ
フト２４ａ、２４ｂが図示上方向へ駆動し、シャッター
２６ａ、２６ｂが実線で示された開口位置から破線で示
された遮蔽位置へと切り替えられ、基板搬入口の開口１
１ａと基板搬出口の開口１１ｂが遮蔽される。

【００３６】基板搬入口の開口１１ａと基板搬出口の開
口１１ｂの遮蔽が完了すると、後述するオゾン生成手段
７０から配管７６を介して供給されるオゾンガス７４
が、オゾンガス供給管２２のオゾンガス供給ノズル２２
ａ、２２ｂから１次洗浄槽２１内へ供給されて、基板Ａ
の１次洗浄処理が始まる。

【００３７】オゾンガス７４の供給と連動して、１次洗
浄槽２１の底部に設けられた排気手段３１が１次洗浄槽
２１内を排気するようになっている。排気手段３１はダ
ンパー２８の内部に設けられたバタフライ２９が図示し
ない駆動手段により回転制御され、オゾンガス７４の供
給量に応じた排気量となるようにバタフライ２９の角度
が制御される。

【００３８】本実施形態において、１次洗浄部２で１次
洗浄処理される基板Ａのサイズは５５０mm×６５０mmで
あり、１次洗浄槽２１の容積は８０リットル、オゾンガ
ス７４のオゾン濃度は５０００ｐｐｍのものが用いら
れ、オゾンガス７４の供給量と排気手段３１からの排気
量は毎分５リットルに設定されている。

【００３９】１次洗浄槽２１へ搬入され、オゾンガス７
４を供給された基板Ａの接触角は、約４０秒で６０゜か
ら１５゜まで低下する。

【００４０】１次洗浄処理が終了すると、遮蔽部材３０
ａ、３０ｂのソレノイド２３ａ、２３ｂの駆動により駆
動シャフト２４ａ、２４ｂが図示下方向へ駆動し、シャ
ッター２６ａ、２６ｂは、破線で示された基板搬入口の
開口１１ａと基板搬出口の開口１１ｂを遮蔽する位置か
ら実線で示された開口する位置へと切り替えられる。

【００４１】一方、排気手段３１は、ダンパー２８の内
部に設けられたバタフライ２９が、図示しない駆動手段
により全開位置２９’へと角度制御され、排気手段３１
の排気量は毎分１００００リットルに増大されて、１次
洗浄槽２１内のオゾンガス７４が１次洗浄槽２１の外へ
漏出しないように排気される。このとき１次洗浄槽２１
へのオゾンガス７４の供給は停止しておくことが望まし
い。

【００４２】次に、１次洗浄処理された基板Ａは、搬送
ローラ７の駆動により基板搬出口の開口１１ｂより基板
バッファ部３へと搬出され、同時に基板受け入れ部１に
待機していた次の基板Ａは、基板搬入口の開口１１ａか
ら１次洗浄槽２１内へと搬送され、１次洗浄槽２１内へ
導入された次の基板Ａは、１次洗浄槽２１内で前述と同
様の処理が繰り返される。

【００４３】１次洗浄処理が完了して基板バッファ部３
へと搬出された基板Ａは、搬送ローラ７の駆動速度を２
次洗浄処理に適した速度に減速されて２次洗浄槽４１へ
と搬送される。

【００４４】次に図１及び図３を用いて２次洗浄部４の
構成を説明する。図３はオゾン水７５を用いて２次洗浄
処理をおこなう２次洗浄部４の構造の一例を示す概要図
である。

【００４５】２次洗浄部４は、２次洗浄槽４１と、搬送
ローラ７により２次洗浄槽４１内へ搬送されてくる基板
Ａの表面にオゾン水７５を供給するためのオゾン水供給
管４２と、基板Ａに供給されたオゾン水７５を排出する
ためのドレン４３とから構成されており、オゾン水供給
管４２の先端部は、基板Ａの表面に対向して設けられた
複数の供給ノズル４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４
２ｅに分岐されている。

【００４６】後述するオゾン水供給手段７０により生成
されたオゾン水７５は、配管７７を介して２次洗浄槽４
１へ供給され、オゾン水供給管４２を通り供給ノズル４
２ａ〜４２ｅから基板Ａの表面へと供給されて、２次洗
浄処理がおこなわれる。

【００４７】本実施形態において、基板Ａに対するオゾ
ン水７５の供給量は毎分３０リットルの流量で供給され
る。また、２次洗浄槽４１内における基板Ａの搬送速度
は、基板Ａに約１５秒間オゾン水７５が供給される速度
で２次洗浄槽４１内を通過するように設定されている。

【００４８】１次洗浄槽２１で接触角１５゜にまで洗浄
処理された基板Ａは、このオゾン水７５の供給により、
接触角１０゜以下になるまで２次洗浄処理され、高品質
な洗浄処理がおこなわれる。

【００４９】また１次洗浄槽２１においてオゾンガス７
４の１次洗浄処理で発生したパーティクルも、オゾン水
７５による湿式洗浄処理により洗い流されるので、より
高品質な洗浄効果が得られる。

【００５０】２次洗浄処理が終わった基板Ａは、搬送ロ
ーラ７により水洗部５の水洗槽５１内へと搬送され、水
洗槽５１において純水供給部材５２ａ、５２ｂから基板
Ａの表裏両面に純水５３の供給を受けて仕上げ洗浄処理
がおこなわれ、乾燥部６へと搬出される。

【００５１】乾燥部６では、乾燥槽６１に設けられたエ
アーナイフ６２ａ、６２ｂにより、基板Ａの表裏両面か
ら気体噴射供給による乾燥処理が施され、後行程へと搬
出されて洗浄処理が終了する。

【００５２】次に、１次洗浄槽２１、及び２次洗浄槽４
１へ供給するオゾンガス７４、及びオゾン水７５を生成
するためのオゾン生成手段７０の構成を、図４を用いて
説明する。図４はオゾン生成手段７０の構成を示す構成
ブロック図である。オゾン生成手段７０は、オゾンガス
７４を生成するオゾンガス生成部７１と、純水５３を供
給する純水供給部７２と、オゾンガス生成部７１で生成
されたオゾンガス７４と、純水供給部７２から供給され
る純水５３を混合してオゾン水７５を生成する混合部７
３とから構成されている。

【００５３】オゾンガス生成部７１で生成されたオゾン
ガス７４の一方は、１次洗浄槽２１に接続された配管７
６により１次洗浄槽２１内に供給される。オゾンガス生
成部７１で生成されたもう一方のオゾンガス７４は混合
部７３へと供給され、純水供給部７２から供給された純
水５３と混合されてオゾン水７５となり、２次洗浄槽４
１へ接続された配管７７により２次洗浄槽４１内へと供
給される。またオゾン生成手段７０は、図示しない箱体
の中に収納配置されており、箱体は外部にオゾンガスが
漏出することのないように密閉されている。

【００５４】本発明は、上記の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の内容をも包含するものである。

【００５５】（１）本実施形態においては、１次洗浄部
２で１次洗浄処理される基板Ａのサイズは５５０mm×６
５０mmであり、１次洗浄槽２１の容積は８０リットル、
オゾンガス７４のオゾン濃度は５０００ｐｐｍのものが
用いられ、オゾンガス７４の供給量と排気手段３１から
の排気量は毎分５リットルに設定されているが、これら
の数値に限定されるものではなく、基板の種類や装置の
大きさなどの条件により適正な数値に設定すればよい。

【００５６】（２）本実施形態においては、基板Ａを連
続して処理する場合を例に、遮蔽手段３０の遮蔽部材３
０ａ、３０ｂが同期して駆動する場合を説明したが、１
次洗浄槽２１へ最初の基板Ａを搬入する場合は、基板搬
入口の開口１１ａのみを開口するとともに、１次洗浄槽
２１から最後の基板Ａを搬出する場合は、基板搬出口の
開口１１ｂのみを、それぞれ遮蔽部材３０ａ、３０ｂに
より開口するように構成すればよい。

【００５７】（３）本実施形態においては、基板Ａの搬
送面をローラコンベアーにより水平姿勢に維持して搬送
処理しているが、特開平９−２７０４０８号公報に記載
された基板処理装置のように、このローラコンベアーを
基板Ａの搬送方向に直交する面内で、水平方向に対して
傾斜した支持軸を有する搬送ローラ７を搬送方向に向け
てほぼ等ピッチに並接配置して、基板Ａを傾斜姿勢で搬
送する装置に適用してもよい。

【００５８】（４）本実施形態において、２次洗浄槽４
１における基板Ａに対するオゾン水７５の供給量は毎分
３０リットルの流量で供給され、２次洗浄槽４１内にお
ける基板Ａの搬送速度は、基板Ａに約１５秒間オゾン水
７５が供給される速度で２次洗浄槽４１内を通過するよ
うに設定されているが、オゾン水７５の供給量及び基板
Ａの搬送速度はこの値に限定されるものではなく、基板
の種類や装置の大きさなどの条件により適正な量に設定
すればよい。

【００５９】（５）本実施形態において、２次洗浄槽４
１のオゾン水供給管４２は基板Ａの表面側に設けられて
いるが、これに加えて基板Ａの裏面側にも設けるように
してもよい。

【００６０】（６）本実施形態において、１次洗浄槽２
１への基板Ａの搬入は、ローラコンベアーにより前工程
から基板受け入れ部１を介して搬入するようにしている
が、ローラコンベアーに代わりに、搬送ロボットを用い
て１次洗浄槽２１へ直接搬入するようにしてもよい。

【００６１】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、１次洗
浄部においてオゾンガスによる１次洗浄処理をおこなっ
た後に、２次洗浄部においてオゾン水による２次洗浄処
理をおこなうようにしたので、オゾンガスにより１次洗
浄処理された基板表面の接触角は短時間で一定の接触角
まで低下し、次にオゾン水により２次洗浄処理された基
板表面の接触角は、さらに所要の高品質な接触角まで低
下させられる。このように、まずオゾンガスで１次洗浄
処理してから、オゾン水により２次洗浄処理するように
構成したので、オゾン水のみで洗浄処理する場合よりも
洗浄処理に要する総時間を大幅に短縮できるとともに、
オゾンガスの洗浄処理のみでは得られない高品質な洗浄
効果が得られる。また、１次洗浄部においてオゾンガス
で洗浄処理した際にパーティクルが発生しても、２次洗
浄部のオゾン水で湿式洗浄処理されることにより、１次
洗浄部で発生したパーティクルも洗い流されて、より高
品質な洗浄処理がおこなえる

【００６２】請求項２記載の発明によれば、１次洗浄部
の１次洗浄槽に基板が搬入されると、１次洗浄槽の基板
搬入口と基板搬出口を遮蔽手段により遮蔽するととも
に、排気手段によりオゾンガスの供給量に応じた排気量
で排気するようにしたので、１次洗浄処理中に人体に有
害なオゾンガスが１次洗浄槽外に漏れるのを防止するこ
とができる。また１次洗浄処理が終了すると、１次洗浄
槽の基板搬入口と基板搬出口を遮蔽手段により開口する
とともに、排気手段の排気量を増大するように構成した
ので、基板を１次洗浄槽から搬出するときも、１次洗浄
槽内のオゾンガスが１次洗浄槽の外部に漏出するのを防
止することができる。

【００６３】請求項３記載の発明によれば、１次洗浄部
に供給するオゾンガスと、２次洗浄部に供給するオゾン
水を、オゾン生成手段単体で生成供給しているので、装
置スペースの小型化が容易になる。また、人体に有害な
オゾンガスの漏れ対策の面でも、オゾン生成手段に集中
して対策を施すことができるので対策が容易となる。

【００６４】請求項４に記載の発明によれば、１次洗浄
工程においてオゾンガスによる１次洗浄処理をおこなっ
た後に、２次洗浄工程においてオゾン水による２次洗浄
処理をおこなうようにしたので、オゾンガスにより１次
洗浄処理された基板表面の接触角は短時間で一定の接触
角まで低下し、次にオゾン水により２次洗浄処理された
基板表面の接触角は、さらに所要の高品質な接触角まで
低下させられる。このように、まずオゾンガスで１次洗
浄処理してから、オゾン水により２次洗浄処理するよう
に構成したので、オゾン水のみで洗浄処理する場合より
も洗浄処理に要する総時間を大幅に短縮できるととも
に、オゾンガスの洗浄処理のみでは得られない高品質な
洗浄効果が得られる。また、１次洗浄工程においてオゾ
ンガスで洗浄処理した際にパーティクルが発生しても、
２次洗浄工程のオゾン水で湿式洗浄処理されることによ
り、１次洗浄工程で発生したパーティクルも洗い流され
て、さらに高品質な洗浄処理がおこなえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板洗浄装置の側面概要図であ
る。

【図２】本発明に係る１次洗浄部の構造の一例を示す断
面図である。

【図３】本発明に係る２次洗浄部の構造の一例を示す概
要図である。

【図４】本発明に係るオゾン生成手段の構成を示す構成
ブロック図である。

【符号の説明】

Ａ 基板 １ 基板受け入れ部 ２ １次洗浄部 ３ 基板バッファ部 ４ ２次洗浄部 ５ 水洗部 ６ 乾燥部 ７ 搬送ローラ １１ 開口 １１ａ 基板搬入口の開口 １１ｂ 基板搬出口の開口 ２１ 一次洗浄槽 ２２ オゾンガス供給管 ３０ 遮蔽手段 ３０ａ 遮蔽部材 ３０ｂ 遮蔽部材 ３１ 排気手段 ４１ ２次洗浄槽 ４２ オゾン水供給管 ７０ オゾン生成手段 ７１ オゾンガス生成部 ７２ 純水供給部 ７３ 混合部 １００ 基板洗浄装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｓ Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA21 FA25 FA26 FA28 FA30 HA01 MA16 MA20 3B201 AA02 AB14 BB23 BB24 BB93 BB98 CB15 CC01 CC12 CD11 CD31 5F043 BB27 DD02 DD12 DD13 DD15 DD23 DD30 EE07 EE36 EE40 GG10

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板の洗浄をおこなう基板洗浄装置におい
   て、 上流側から下流側に向けて所定の方向に基板を搬送する
   搬送手段と、オゾンガスとオゾン水を生成するオゾン生
   成手段と、 搬送手段によって搬送された基板にオゾン生成手段で生
   成されたオゾンガスを供給して基板の１次洗浄をおこな
   う１次洗浄部と、 １次洗浄部の下流側に配設されるとともに１次洗浄され
   た基板にオゾン生成手段で生成されたオゾン水を供給し
   て基板の２次洗浄をおこなう２次洗浄部と、を備えてい
   ることを特徴とする基板洗浄装置。
2. 【請求項２】１次洗浄部は、 搬送手段によって搬送される基板が搬入される基板搬入
   口と搬送手段によって搬送されつつ基板が搬出される基
   板搬出口とを有し、搬入された基板を収納可能な１次洗
   浄槽と、 １次洗浄槽の基板搬入口及び基板搬出口をそれぞれ開閉
   可能であるとともに、１次洗浄槽へ基板を搬入する際は
   基板搬入口を開口し１次洗浄槽から基板を搬出する際は
   基板搬出口を開口するように制御される一対の遮蔽手段
   と、 オゾン生成手段で生成されたオゾンガスを１次洗浄槽内
   に搬入された基板に供給するオゾンガス供給管と、 １次洗浄槽内の排気をおこなうとともに、１次洗浄槽内
   の基板へオゾンガスを供給するときにはオゾンガスの供
   給量に応じた排気量で排気をおこない、１次洗浄槽に対
   して基板を搬入及び搬出する際はオゾンガス供給時より
   も排気量を増大させるように制御される排気手段と、を
   備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄
   装置。
3. 【請求項３】１次洗浄部に供給されるオゾンガスと２次
   洗浄部に供給されるオゾン水を生成するオゾン生成手段
   は、 オゾンガスを生成するオゾンガス生成部と、 純水を供給する純水供給部と、 オゾンガス生成部で生成されたオゾンガスと純水供給部
   から供給された純水とを混合してオゾン水を生成する混
   合部と、から構成したことを特徴とする請求項１または
   請求項２に記載の基板洗浄装置
4. 【請求項４】基板の洗浄をおこなう基板洗浄方法におい
   て、 基板にオゾンガスを供給して１次洗浄をおこなう１次洗
   浄工程と、 １次洗浄された基板にオゾン水を供給して２次洗浄をお
   こなう２次洗浄工程と、からなることを特徴とする基板
   洗浄方法。