KR20200051314A - 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 스테이지를 중심으로 서로 마주보도록 구비되며, 챔버 내의 파티클을 제거하기 위한 공기를 제공하는 송풍팬 및 챔버로부터 공기를 배출하는 배기팬을 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 있어서, 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도로 구동한 후, 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보한다. 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 한편, 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 송풍팬 및 배기팬을 고속 회전 속도로부터 정상회전 속도로 회복시킨다. 이후, 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킬 수 있다.

Description

프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법{METHOD OF REMOVING PARTICLES FROM A CHAMBER OF A PROBE STATION}
본 발명의 실시예들은 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼에 대하여 전기적인 검사를 수행하는 프로브 스테이션 챔버 내에 파티클을 제거하는 파티클 제거 방법에 관한 것이다.
일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.
이러한 일련의 공정들을 통해 반도체 소자들을 형성한 후 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.
검사 공정을 위해 검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 장착될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼를 지지하는 척이 배치될 수 있다. 척의 아래에는 척을 회전시키는 회전 구동부가 배치될 수 있으며, 회전 구동부의 아래에는 척을 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부와 척을 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동부가 배치될 수 있다.
특히, 상기 검사 챔버 내의 파티클이 잔류할 경우, 상기 검사 공정의 오동작이 발생할 수 있다. 따라서, 싱기 검사 챔버 내에 잔류하는 파티클을 제거하기 위하여 챔버 내에 공기를 제공하는 송풍팬 및 배기팬이 구비될 수 있다.
상기 송풍팬 및 상기 배기팬은 상기 공기를 일정하게 챔버내로 흐르게 함으로써 상기 공기의 흐름을 통하여 챔버 내에 부유하는 파티클이 함께 제거될 수 있다.
하지만, 상기 송풍팬 및 배기팬은 일정한 회전 속도로 회전함에 따라 특히, 파티클의 수가 감소된 경우 일정한 회전 속도로 구동하여 해당 유닛의 소비 전력이나 수명이 악화되는 문제가 있다.
본 발명의 실시예들은 챔버 내의 파티클의 수에 따라 송풍팬 및 배기팬의 회전 속도를 조절할 수 있는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 스테이지를 중심으로 서로 마주보도록 구비되며, 챔버 내의 파티클을 제거하기 위한 공기를 제공하는 송풍팬 및 상기 챔버로부터 상기 공기를 배출하는 배기팬을 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 있어서, 상기 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도로 구동한다. 이어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보한다. 상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 상기 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 한편, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상회전 속도로 회복시킨다. 이후, 상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위해, 상기 챔버 내의 파티클을 포집하고, 상기 파티클의 개수를 카운팅할 수 있다.
여기서, 상기 챔버 내의 파티클을 포집하기 위하여, 상기 웨이퍼 스테이지와 인접하게 배치된 포집기가 이용될 수 있다.
한편, 상기 파티클의 개수를 카운팅하기 위하여, 상기 파티클들에 레이저를 조사하여 산란되는 산란광의 세기를 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위하여, 상기 챔버 내에 수행되는 세부 공정별로 발생하는 파티클의 개수를 예측할 수 있다.
예를 들면, 상기 세부 공정 중 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정과 비교할 때 높은 파티클 개수를 가지는 것을 예측할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하고, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 한편, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상회전 속도로 회복시킨다. 이로써, 챔버 내의 파티클의 개수에 따라 상기 송풍팬 및 배기팬의 회전 속도가 조절될 수 있다. 결과적으로 챔버 내의 파티클의 개수에 따라 파티클이 챔버 내부로부터 효과적으로 제거될 수 있다.
한편, 상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킴에 따라, 상기 송풍팬 및 배기팬의 소비 전력 및 기대 수명을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 프로브 스테이션을 도시한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 세부 공정 별 챔버 내의 파티클 개수를 도시한 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 프로브 스테이션을 도시한 개략적인 구성도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 순서도이다
도 1을 참조하면, 프로브 스테이션(100)은 반도체 소자들(11)이 형성된 기판(10)에 대하여 프로브 카드(20)를 이용해 전기적인 검사를 수행한다. 프로브 스테이션(100)은 기판(10)에 대한 전기적인 검사를 수행하기 위한 공간을 제공하는 검사 챔버(110), 상기 검사 챔버(110)에 구비되는 척(120), 상기 검사 챔버(110) 내에 서로 마주보도록 구비되어 공기를 챔버(110) 내에 제공하고 배기하는 송풍팬(130)과 배기팬(140), 및 상기 프로브 카드(20)를 상기 검사 챔버(10) 안에 고정하는 카드 홀더(150)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 척(120)은 상기 검사 챔버(110) 안에 배치되며, 상기 기판(10)이 상면에 안착될 수 있다. 여기서, 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있으며, 반도체 소자들인 복수의 다이(11)가 상면에 형성된다. 상기 다이(11)는 도 3에 도시된 것처럼 전극 패드들을 구비한다.
도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 척(120)은 상기 기판(10) 상의 다이들(11)이 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)과 접촉되도록 수직 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 또한, 상기 척(120)은 상기 기판(10)의 정렬을 위해 회전 가능하게 구성될 수 있다.
상기 척(120)의 상측에는 상기 카드 홀더(150)가 배치될 수 있다. 상기 카드 홀더(150)는 상기 검사 챔버(110)의 상부에 결합되고, 상기 프로브 카드(20)는 상기 카드 홀더(150)의 하면에 탈착 가능하게 결합되어 상기 검사 챔버(110)의 안에 배치된다.
상기 프로브 스테이션(100)은 상기 기판(10)의 전기적인 특성을 검사하는 전기적 신호를 발생하는 테스터(40)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(40)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 기판(10)의 검사를 위한 전기적 신호들을 상기 다이들(11)에 인가하고, 상기 다이들(11)로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 기판(10)의 전기적인 특성을 검사한다. 이때, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)은 상기 다이들(11)의 전극 패드들(미도시)에 접촉되어 상기 테스터(40)로부터 인가된 전기적 신호들 상기 전극 패드들에 인가한다.
한편, 상기 프로브 스테이션(100)은 상기 척(120)의 일측에 배치되어 상기 척(120)과 함께 이동 가능하며 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)에 대한 이미지를 획득하기 위한 하부 정렬 카메라(170)와, 상기 척(120)의 상측에 배치되어 상기 기판(10) 상의 패턴들에 대한 이미지를 획득하기 위한 상부 정렬 카메라(180)를 포함할 수 있다. 도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 상부 정렬 카메라(180)는 브릿지 형태를 갖는 구동부에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 상기 하부 및 상부 정렬 카메라들(170, 180)은 상기 기판(10)과 상기 프로브 카드(20) 사이의 정렬을 위해 사용될 수 있다.
상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)은 상기 검사 챔버(110)를 중심으로 서로 마주보도록 구비된다. 상기 송풍팬은 공기를 챔버(110) 내에 제공하는 한편, 상기 배기팬은 상기 공기를 챔버 내부로부터 배출할 수 있도록 팬을 구비할 수 있다. 이로써,
상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)은 공기의 흐름을 이용하여 상기 검사 챔버(110) 내에 존재하는 파티클을 제거할 수 있다. 이하, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 구동 방법에 대하여 도 2를 참고하여 이하 상세히 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 상기 검사 챔버 내에 검사 공정이 수행되는 동안, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 정상 회전 속도로 구동한다(S110). 상기 정상 회전 속도는 기설정값에 해당한다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 구동에 따라 상기 챔버(110) 내의 파티클들이 제거될 수 있다.
상기 검사 공정이 수행되는 동안, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보한다(S130). 상기 파티클의 개수에 대한 데이터는 실시간으로 확인될 수 있다. 이와 다르게, 상기 파타클의 개수는 해당 세부 공정에 따라 예측된 값에 해당할 수 있다.
상기 파티클의 개수에 대한 데이터를 확보하는 방법에 대하여는 후술하기로 한다.
상기 파티클의 개수에 대한 데이터를 기초하여 상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우 상대적으로 챔버(110) 내의 오염도가 높음을 의미한다. 따라서, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)이 구동한다(S150). 따라서, 상기 챔버(110) 내의 오염도를 효과적으로 감소시킬 수 있다.
이후, 상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상 회전 속도로 회복시킨다. 이로서, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 고속 회전에 따른 유닛의 소비 전력의 증가 및 수명 악화를 억제할 수 있다.
한편, 상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시킨다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 에너지 효율이 개선될 수 있으며 나아가 수명을 개선할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위하여, 실시간으로 챔버(110) 내의 파티클들의 개수를 측정할 수 있다.
상기 챔버(110) 내의 파티클을 측정하기 위해, 상기 챔버(110) 내의 파티클을 포집한다. 상기 파티클을 포집하는 데 있어서, 사용되는 포집기(미도시)는 상기 척(120)에 인접하여 배치될 수 있다. 이로써 상기 척(120) 상에 배치되는 기판의 교체, 기판 및 프브로 카드 사이의 컨택시 발생할 수 있는 파티클을 보다 정확하게 측정할 수 있다.
이어서, 상기 포집된 파티클에 대하여 상기 파티클의 개수를 카운팅할 수 있다. 상기 파티클의 개수를 카운팅하기 위하여, 상기 포집된 파티클에 대하여 레이저를 조사하여 발생되는 산란광의 세기에 따라 파티클의 개수를 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하기 위하여, 상기 챔버(110) 내에 수행되는 세부 공정별로 발생하는 파티클의 개수를 예측할 수 있다.
도 3은 세부 공정 별 챔버 내의 파티클 개수를 도시한 그래프이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 챔버(110) 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는, 상기 세부 공정 중 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정과 비교할 때 높은 파티클 개수를 가지는 것으로 예측된다. 따라서, 상기 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 수행되는 동안 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 정상 회전 속도보다 상대적으로 고속 회전시킬 수 있다. 이로써, 상기 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정 중 발생되는 파티클들이 보다 신속하게 효과적으로 제거될 수 있다.
반면에, 프로브 카드의 정렬 또는 웨이퍼 정렬 공정 중에는 상대적으로 적은 개수의 파티클이 발생함을 예측할 수 있다. 이때에는 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)을 상기 정상 회전 속도보다 상대적으로 낮은 저속 회전시킬 수 있다. 이로써, 상기 송풍팬(130) 및 배기팬(140)의 에너지 효율이 개선될 수 있으며 나아가 수명을 개선할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 프로브 스테이션 110 : 검사 챔버
120 : 척 130 : 송풍팬
140 : 배기팬 150 : 카드 홀더

Claims (6)

  1. 웨이퍼 스테이지를 중심으로 서로 마주보도록 구비되며, 챔버 내의 파티클을 제거하기 위한 공기를 제공하는 송풍팬 및 상기 챔버로부터 상기 공기를 배출하는 배기팬을 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법에 있어서,
    상기 송풍팬 및 배기팬을 정상 회전 속도로 구동하는 단계;
    상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계;
    상기 파티클의 개수가 최대 기준값을 초과할 경우, 상기 정상 회전 속도보다 큰 고속 회전 속도로 상기 송풍팬 및 배기팬을 구동하는 단계;
    상기 파티클의 개수가 최대 기준값 이하로 감소할 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 고속 회전 속도로부터 상기 정상회전 속도로 회복시키는 단계; 및
    상기 파티클의 개수가 최소 기준값 미만일 경우, 상기 송풍팬 및 배기팬을 상기 정상 회전 속도보다 낮은 저속 회전 속도로 구동시키는 단계;를 포함하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는,
    상기 챔버 내의 파티클을 포집하는 단계; 및
    상기 파티클의 개수를 카운팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 챔버 내의 파티클을 포집하는 단계는, 상기 웨이퍼 스테이지와 인접하게 배치된 포집기를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 파티클의 개수를 카운팅하기 위하여, 상기 파티클들에 레이저를 조사하여 산란되는 산란광의 세기를 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔배 내의 파티클 제거 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는,
    상기 챔버 내에 수행되는 세부 공정별로 발생하는 파티클의 개수를 예측하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 챔버 내에 파티클의 개수에 관한 데이터를 확보하는 단계는,
    상기 세부 공정 중 웨이퍼 교체 공정 및 프로브 핀의 연마 공정이 프로브 카드의 정렬 공정 및 웨이퍼 정렬 공정과 비교할 때 높은 파티클 개수를 가지는 것을 예측하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법.
KR1020180134528A 2018-11-05 2018-11-05 프로브 스테이션 챔버 내의 파티클 제거 방법 KR102595552B1 (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20040070589A (ko) * 2003-02-04 2004-08-11 아남반도체 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 클리닝시스템의 배기장치
JP2007109759A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Fujifilm Corp 半導体検査装置及び半導体検査方法
JP2013258386A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Sharp Corp 検査装置
KR20150141470A (ko) * 2014-06-10 2015-12-18 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040070589A (ko) * 2003-02-04 2004-08-11 아남반도체 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 클리닝시스템의 배기장치
JP2007109759A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Fujifilm Corp 半導体検査装置及び半導体検査方法
JP2013258386A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Sharp Corp 検査装置
KR20150141470A (ko) * 2014-06-10 2015-12-18 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법

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