CN116762157A - 加工变质层的评价方法和半导体单晶衬底的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体单晶衬底的情况下评价加工变质层的新技术。本发明是一种加工变质层的评价方法，其中，使激光(L1)从半导体单晶衬底(100)的表面入射，基于在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。本发明包括：测量步骤(S20)，测量使激光(L1)入射到半导体单晶衬底(100)的内部而散射的散射光(L4)；以及评价步骤(S30)，基于散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。
Description
技术领域
本发明涉及加工变质层的评价方法和半导体单晶衬底的制造方法。
背景技术
通常，半导体单晶衬底(所谓的晶圆)是通过对半导体材料的晶锭进行切片并对其表面进行研磨/抛光而形成的。在这种半导体单晶衬底的表面处存在具有在切片时或研磨/抛光时所引入的晶体的应变、划痕等的表面层(以下，称为加工变质层)。该加工变质层在器件的制造工序中成为降低器件的成品率的主要原因，所以优选的是将其去除。
以往，作为评价这种加工变质层的有无或程度的方法，一般采用破坏检查。例如，在被分类为极难加工的材料的化合物半导体材料的碳化硅(SiC)中，通过使用透射型电子显微镜(Transmission Electron Microscope:TEM)或扫描电子显微镜(ScanningElectron Microscope:SEM)的电子射线后方散射衍射(Electron Back ScatteredDiffraction Pattern:EBSD)法来观察将半导体单晶衬底劈开的截面，进行加工变质层的评价(参照专利文件1)。
现有技术文献
专利文献
专利文件1：日本特开2020-017627号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，以往对加工变质层的评价主要是通过劈开半导体单晶衬底来进行破坏检。因此，存在的问题是，评价了加工变质层的半导体单晶衬底不能再返回到器件制造工序。
另外，在半导体单晶衬底的加工变质层的评价中，对于采用拉曼光谱法进行了各种研究。另一方面，拉曼光谱法与瑞利散射等弹性散射相比，需要测量弱的拉曼散射，因而评价一个半导体单晶衬底的整个表面需要时间。因此，在引入到半导体单晶衬底的制造工序时，存在生产率降低的问题。
鉴于上述问题，本发明所要解决的问题是提供一种可以在不破坏半导体单晶衬底的情况下评价加工变质层的新颖的技术。
另外，本发明所要解决的问题是提供一种可以在不破坏半导体单晶衬底的情况下高速映射加工变质层的分布的新技术。
用于解决问题的手段
解决上述问题的本发明是一种加工变质层的评价方法，其中，使激光从半导体单晶衬底的表面入射，基于在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光的强度，评价所述半导体单晶衬底的加工变质层。
在本发明的优选方式中，包括：测量步骤，测量使激光入射到所述半导体单晶衬底的内部而散射的散射光的强度；以及评价步骤，基于所述散射光的强度来评价所述加工变质层。
在本发明的优选方式中，所述评价步骤具有：区域设置步骤，设置以任意面积划分所述半导体单晶衬底的多个任意区域；以及统计量计算步骤，针对每个所述任意区域计算所述散射光的强度的统计量。
在本发明的优选方式中，所述统计量计算步骤具有：累计步骤，累计所述任意区域内的所述散射光的强度；以及除法步骤，将在所述累计步骤中得到的累计值除以所述任意区域内取得的数据数。
在本发明的优选方式中，包括：阈值设置步骤，设置用于判别所述加工变质层的好坏的阈值；以及映射步骤，映射所述统计量超过所述阈值的所述任意区域。
在本发明的优选方式中，所述测量步骤是在使所述半导体单晶衬底旋转的同时扫描所述激光的步骤。
在本发明的优选方式中，所述测量步骤是测量包括弹性散射的所述散射光的步骤。
在本发明的优选方式中，所述测量步骤是使所述激光以相对于所述半导体单晶衬底的表面的法线倾斜的入射角度入射的步骤。
在本发明的优选方式中，所述激光具有比所述半导体单晶衬底的带隙大的光子能量的波长。
在本发明的优选方式中，包括清洗所述半导体单晶衬底的表面的清洗步骤。
在本发明的优选方式中，所述半导体单晶衬底是化合物半导体单晶衬底。
另外，本发明还涉及半导体装置的制造方法。即，解决上述问题的本发明是一种半导体单晶衬底的制造方法，包括：测量步骤，测量使激光从半导体单晶衬底的表面入射而在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光的强度；以及评价步骤，基于所述散射光的强度来评价所述半导体单晶衬底的加工变质层。
在本发明的优选方式中，在所述评价步骤之后进行去除所述半导体单晶衬底的加工变质层的加工变质层去除步骤。
在本发明的优选方式中，所述加工变质层去除步骤是化学机械抛光。
在本发明的优选方式中，所述加工变质层去除步骤是蚀刻。
在本发明的优选方式中，所述半导体单晶衬底是化合物半导体。
发明的效果
根据所公开的技术，可以提供一种能够在不破坏半导体单晶衬底的情况下评价加工变质层的新技术。
另外，根据所公开的技术，可以提供一种能够在不破坏半导体单晶衬底的情况下高速映射加工变质层的分布的新技术。
其他问题、特征和优点将通过阅读以下记载的具体实施方式并结合附图和权利要求书而变得显而易见。
附图说明
图1是说明根据实施方式的加工变质层的评价方法的说明图。
图2是在根据实施方式的评价方法中使用的评价装置的框图。
图3是根据实施方式的评价方法的测量工序的说明图。
图4是根据实施方式的评价方法的评价工序的说明图。
图5是说明实施例的评价结果的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的加工变质层的评价方法和半导体单晶衬底的制造方法的优选实施方式。本发明的技术范围不限于附图所示的实施方式，可以在权利要求书所记载的范围内进行适当的变更。另外，在以下的实施方式的说明和附图中，对于同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
《加工变质层的评价方法》
图1是说明根据实施方式的加工变质层的评价方法的说明图。
本发明的加工变质层的评价方法的特征在于，根据在加工变质层101中散射的散射光L4的强度来评价该加工变质层101。具体而言，使从投光系统10照射的激光L1从半导体单晶衬底100的表面入射到内部。入射到半导体单晶衬底100内部的入射光L3在加工变质层101处散射，由此产生散射光L4。该散射光L4由光接收系统20测量，并根据散射光L4的强度来评价加工变质层101。
半导体单晶衬底100是通过包括切片步骤、抛光步骤和研磨步骤中的至少一种的步骤来制造的半导体材料。作为通过这些步骤制造的半导体单晶衬底100，可以例示硅(Si)衬底。在上述的切片步骤、抛光步骤和研磨步骤中，可以引入对器件的制造产生不利的影响的加工变质层101。特别是，近年来的研究表明，被分类为难以加工的材料的化合物半导体材料，加工变质层101对器件产生不利影响。本发明适用于SiC衬底、GaN衬底、AlN衬底、Ga2O3衬底和蓝宝石衬底等化合物半导体材料衬底的加工变质层101的评价。
根据实施方式的加工变质层的评价方法可以包括：清洗半导体单晶衬底100的表面的清洗步骤S10，测量使激光L1入射到半导体单晶衬底100的加工变质层101而散射的散射光L4的强度的测量步骤S20，以及根据该散射光L4的强度评价加工变质层101的评价步骤S30。
以下，根据本发明的实施方式，详细说明各步骤。
<清洗步骤S10>
清洗步骤S10是排除由于附着在半导体单晶衬底100的表面的有机物污染、颗粒污染、氧化物层、离子污染等而导致激光L1在半导体单晶衬底100的表面散射的主要原因的步骤。特别是，在半导体单晶衬底100的表面附着有颗粒的情况下，产生比加工变质层101中产生的散射光L4更强的散射。因此，在进行加工变质层101的测量之前，优选的是去除颗粒污染等。
作为清洗步骤S10的方法，只要是能够去除附着在半导体单晶衬底100的表面的有机物污染、颗粒污染、氧化物层和离子污染中的至少任意一种的方法即可采用。例如，可以采用一般的RCA清洗(NH4OH,H2O2,H2O)、酸清洗(HCl,HF)等的化学清洗、使用气泡或刷子等的物理清洗。
以上，对根据实施方式的的清洗步骤S10进行了说明。另外，根据本发明的加工变质层的评价方法也可以例示不包括清洗步骤S10的方式。即，在半导体单晶衬底100的表面充分清洁的情况下，包括后述的测量步骤S20和评价步骤S30即可。
<测量步骤S20>
如图1所示，测量步骤S20是这样一种步骤：使从评价装置的投光系统10照射并从半导体单晶衬底100的表面入射的入射光L3在加工变质层101的内部散射，并利用光接收系统20测量该散射后的散射光L4的步骤。本实施方式的测量步骤S20是使激光L1以相对于半导体单晶衬底100表面的法线N倾斜的入射角度θ入射的步骤。
这样设置入射角度θ而从投光系统10照射的激光L1的一部分在半导体单晶衬底100的表面正反射而成为反射光L2，一部分入射到半导体单晶衬底100的内部而成为入射光L3。此外，入射光L3在加工变质层101散射，从而产生散射光L4。
反射光L2以与激光L1的入射角度θ相同的角度进行正反射，其强度高于散射光L4的强度。本发明是基于散射光L4的强度来评价加工变质层101的方法。因此，为了高精度地测量散射光L4，需要抑制反射光L2入射到光接收传感器24。例如，可以采用配置光接收系统20的方法以避开反射光L2，或在反射光L2的光路上配置遮光带等来限制向光接收传感器24的入射的方法。
本发明中测量的散射光L4包括弹性散射。即，通过包含在测量比非弹性散射强度高的弹性散射的散射光L4，可以提高测量的灵敏度，能够实现高速的测量。
根据实施方式的加工变质层的评价中使用的评价装置只要是能够测量使激光L1入射到半导体单晶衬底100并在加工变质层101散射的散射光L4的强度的装置结构，则当然可以采用。
以下，参照图1至图3，对实施方式中使用的评价装置的一例进行说明。
(评价装置)
图2是在根据实施方式的评价方法中使用的评价装置的框图。
评价装置具有：照射激光L1的投光系统10，接收散射光L4的光接收系统20，设置作为测量对象的半导体单晶衬底100的载物台30，设置投光系统10和光接收系统20的框体40，对由光接收系统20测量的信号进行信号处理的信号处理部50，进行数据处理的数据处理部60，以及进行控制的控制部70。
投光系统10具有激光输出部11和波长板12。该投光系统10安装在框体40上，以使激光L1以相对于半导体单晶衬底100的表面的法线N倾斜的入射角度θ入射。
激光输出部11是激光L1的产生源，例如，可以采用He-Ne激光等气体激光、半导体激光和YAG激光等固体激光等。
波长板12对由激光输出部11产生的激光L1进行波长的分离、微调、椭圆率的调整、偏振光的旋转等的调整。根据作为测量对象的半导体单晶衬底100的材料或条件来选择适当的材料或结构。
优选的是，激光L1的波长具有比半导体单晶衬底100的带隙大的光子能量。即，优选的是，激光L1的波长λ满足关系式“λ[nm]≤1239.8/带隙[eV]”。
具体而言，在测量对象是4H-SiC时，优选的是，设置为380nm以下的波长(λ[nm]≤1239.8/3.26[eV])。在测量对象是GaN时，优选的是，设置为365nm以下的波长(λ[nm]≤1239.8/3.39[eV])。
优选的是，激光L1的强度设置为不透过半导体单晶衬底100的强度。即，优选的是，将入射光L3的侵入长度PD设置为小于或等于半导体单晶衬底100的厚度。
光接收系统20具有物镜21、成像透镜22、分束器23、光接收传感器24和狭缝25。该光接收系统20以与入射角度θ不同的测量角度安装在框体40上，以使反射光L2不入射。
分束器23优选采用立方体型的分束器。光接收传感器24只要是可以将散射光L4的强度转换成电信号的结构即可。例如，可以采用光电倍增管或光电二极管等。狭缝25被配置成用于确定激光L1的检查区域。
图3是根据实施方式的评价方法的测量步骤S20的说明图。
如图3所示，载物台30设置有作为测量对象的半导体单晶衬底100，构成为能够以半导体单晶衬底100的中心为轴进行水平旋转。另外，载物台30构成为能够使半导体单晶衬底100相对于框体40(投光系统10和光接收系统20)平行平移。这样，通过在使半导体单晶衬底100旋转的同时使其平行移动，构成为激光L1能够扫描半导体单晶衬底100的宽范围(或整个面)。
另外，虽然示出了使载物台30移动的方式，但也可以构成为通过使框体40侧移动从而激光L1能够在半导体单晶衬底100上扫描。
信号处理部50将由光接收传感器24(光电倍增管)测量的电信号(模拟信号)放大后转换成数字信号。另外，信号处理部50根据载物台30的编码器信息获取位置信息，并将散射光L4的强度信息和位置信息相关联。
数据处理部60基于信号处理部50的数据，根据散射光L4的强度进行分类，并进行制作加工变质层101的分布图的数据处理。另外，控制部70进行激光的照射和扫描的控制。
该数据处理部60和控制部70例如采用处理器、存储器等硬件结构，构成为包括投光系统10、光接收系统20、载物台30和信号处理部50在内，能够通过局域网等进行相互通信。
另外，在根据本实施方式的测量步骤S20中，示出了使激光L1以相对于半导体单晶衬底100的表面的法线N倾斜的入射角度θ入射的方式，但当然也可以采用使激光L1平行于法线N入射(即，以入射角度θ＝0°入射)来产生散射光L4的方式。
<评价步骤S30>
图4是根据实施方式的评价方法的评价步骤S30的说明图。
评价步骤S30是根据根据在测量步骤S20中获得的数据来评价半导体单晶衬底100的加工变质层101的好坏的步骤。特别是，通过在半导体单晶衬底100上设置任意区域AA，并基于散射光L4的强度针对该每个任意区域AA评价加工变质层101，从而对半导体单晶衬底100中存在不良的加工变质层101的区域进行映射的步骤。
评价步骤S30可以包括：区域设置步骤S31，设置以任意的面积划分半导体单晶衬底100的任意区域AA；统计量计算步骤S32，针对每个该任意区域AA计算散射光L4的强度的统计量；阈值设置步骤S33，设置用于判别加工变质层101的好坏的阈值；以及映射步骤S34，映射统计量超过阈值的任意区域AA。
区域设置步骤S31是将测量步骤S20中测量的测量数据分割为多个区域来设置任意区域AA的步骤。在图4中，在同心圆上设置了扇形的任意区域AA，但例如可以设置成网格状或螺旋状等任意的形状/面积。
统计量计算步骤S32是针对设定的每个任意区域AA计算平均值、中央值、众数等的统计量的步骤。例如，在采用平均值作为统计量时，具有：累计步骤S321，对任意区域AA内的散射光L4的强度进行累计；以及除法步骤S322，将在该累计步骤S321中得到的累计值除以任意区域AA的任意区域内取得的数据数。
累计步骤S321是根据由信号处理部50相关联的散射光L4的强度信息和位置信息来计算所设定的任意区域AA内的散射光L4的累计值的步骤。
除法步骤S322是通过将在累计步骤S321中获得的累计值除以任意区域AA的任意区域内的取得数据数，得到所设定的任意区域AA范围的平均值的步骤。
阈值设置步骤S33是设置用于提取在器件的制造中产生不利影响的不合适的加工变质层101的阈值的步骤。另外，也可以设置多个阈值。
映射步骤S34是制作将加工变质层101的分布状况可视化的分布图的步骤。例如，用黑色显示任意区域AA的统计量的值比所设定的阈值高的区域，用白色显示任意区域AA的统计量的值比阈值低的区域。这样，通过在分布图上对任意区域AA进行颜色显示或对比度显示，能够在视觉上判别合适的加工变质层101分布的区域和不合适的加工变质层101分布的区域。另外，在设置了多个阈值时，也可以制作具有多个颜色或多阶段的对比度的分布图。
换言之，评价步骤S30是将统计量小于阈值的区域评价为合适的区域，将统计量大于阈值的区域评价为不合适的区域的步骤。
另外，根据实施方式的评价步骤S30可以采用使计算机的处理器执行区域设置步骤S31、统计量计算步骤S32、阈值设置步骤S33和映射步骤S34的结构。
根据本发明的加工变质层的评价方法，通过使激光L1从半导体单晶衬底100的表面入射，测量由该入射的入射光L3在加工变质层101的内部散射而产生的散射光L4，从而能够以非破坏的方式评价加工变质层101。因此，能够在非破坏的状态下判别具有对器件产生不利影响的加工变质层101的半导体单晶衬底100，在经过去除加工变质层101等适当的处理之后，流向器件的制造步骤。
另外，根据本发明的加工变质层的评价方法，可以通过测量包括弹性散射的散射光L4来提高测量的灵敏度。即，由于在加工变质层101的内部散射而产生的散射光L4的大部分是弹性散射。本发明通过测量散射光L4以包括该弹性散射来提高测量的灵敏度。
另外，根据本发明的加工变质层的评价方法，通过在使半导体单晶衬底100旋转的同时扫描激光L1，可以高速地映射加工变质层101。具体而言，如果是6英寸的半导体单晶衬底100，则可以在5分钟以内映射一片的整个面。
另外，根据本实施方式的加工变质层的评价方法，通过设置任意区域AA(区域设置步骤S31)并计算该任意区域AA的统计量(统计量计算步骤S32)，可以评价半导体单晶衬底100的宽范围内存在的加工变质层101的整体。即，不是对一部分的测量数据进行取舍选择，而是对全部的测量数据进行累计并活用，由此可以使加工变质层101可视化并进行评价。
《半导体单晶衬底的制造方法》
接着，对根据本发明的半导体单晶衬底的制造方法进行详细说明。另外，在以下的实施方式中，对于与之前的“加工变质层的评价方法”的实施方式基本相同的构成要素，标注相同的附图标记并简化其说明，。
根据本发明的半导体单晶衬底的制造方法包括评价对器件具有不利影响的加工变质层101的步骤。具体而言，其特征在于，包括：使激光L1入射到半导体单晶衬底100的内部，根据散射的散射光L4的强度，评价半导体单晶衬底100的加工变质层101的步骤。
通常，在制造半导体单晶衬底时，具有将晶锭切片并切出晶圆的切片步骤、之后用于使晶圆镜面化的研磨步骤和抛光步骤。伴随这些切片/研磨/抛光步骤，在半导体单晶衬底100中引入加工变质层101。本发明对上述的加工变质层101进行评价，可以在切片步骤之后采用。另外，本发明也可以在研磨步骤之后采用。另外，本发明也可以在抛光步骤之后采用。
根据实施方式的半导体单晶衬底的制造方法可以包括：测量步骤S20，测量使激光L1从半导体单晶衬底100的表面入射而在半导体单晶衬底100的内部散射的散射光L4；以及评价步骤S30，基于该散射光L4的强度评价半导体单晶衬底100的加工变质层101。
另外，根据实施方式的半导体单晶衬底的制造方法，可以包括在评价步骤S30之后去除半导体单晶衬底100的加工变质层101的加工变质层去除步骤S40。
以下，根据本发明的实施方式，详细说明各步骤。另外，测量步骤S20和评价步骤S30与之前的“加工变质层的评价方法”相同，因而简化其说明。
〈加工变质层去除步骤S40〉
加工变质层去除步骤S40是去除在评价步骤S30中被判断为不适合的加工变质层101的步骤。作为去除该加工变质层101的方法，可以例示化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing:CMP)或蚀刻方法。
化学机械抛光是将抛光垫的机械作用与浆料的化学作用并用进行抛光的方法。
蚀刻方法只要是用于蚀刻半导体单晶衬底100的方法即可。例如，在半导体单晶衬底材料是SiC时，可以例示SiVE法或氢蚀刻法等的热蚀刻法，使用氢氧化钾熔体、含有氢氟酸的药液、高锰酸钾系的药液、含有氢氧化四甲基铵的药液等的湿式蚀刻法。另外，通常，只要是湿式蚀刻中使用的药液即可采用。
根据本发明的半导体单晶衬底的制造方法，能够提供适合于器件的制造的半导体单晶衬底100。即，能够判别并提供不具有使器件的成品率恶化的加工变质层101的半导体单晶衬底100。结果，可以提高器件的成品率。
另外，根据本实施方式的半导体单晶衬底的制造方法，能够再利用具有降低器件的成品率的加工变质层101的半导体单晶衬底100。即，由于能够以非破坏方式评价半导体单晶衬底100的加工变质层101，因而通过经过去除成为问题的加工变质层101的加工变质层去除步骤S40，能够制造适合于器件的制造的半导体单晶衬底100。
实施例
以下，列举实施例更具体地说明本发明。
使用本发明的实施方式中所示的评价装置，对化学机械抛光后的6英寸4H-SiC晶片的101工质变质层进行评价。
<清洗步骤S10>
对经过化学机械抛光的6英寸4H-SiC晶片进行RCA清洗。
<测量步骤S20>
使用图1和图2所示的评价装置对经过了清洗步骤S10的4H-SiC晶片进行测量。如图3所示，通过在使配置在载物台30上的4H-SiC晶圆旋转的同时使其在在X轴方向上移动，从而在半导体单晶衬底100的整个表面上扫描激光L1，测量了包括弹性散射的散射光L4。另外，在测量区域为144mm，激光L1的波长为355nm的条件下进行了测量。另外，一片6英寸4H-SiC晶片所需的测量时间为3分钟。
<评价步骤S30>
如图4所示，从半导体单晶衬底100的中心放射状地设置了扇形的任意区域AA(区域设置步骤S31)。接着，累计与设置的任意区域AA的位置对应的范围的散射光L4的强度(累计步骤S321)。接着，将累计的值除以任意区域AA的取得数据数，并针对每个任意区域AA计算平均值(除法步骤S322)。最后，设置多个阈值(阈值设置步骤S33)，并制作将各任意区域AA的平均值分类为高于或低于所设置的阈值的区域的分布图，使半导体单晶衬底100的加工变质层101的适合/不适合可视化(映射步骤S34)。
图5是在评价步骤S30中得到的加工变质层101的分布图。
另外，在该实施例中，设置了任意单位50，任意单位100，任意单位110，任意单位130，任意单位150，任意单位200，任意单位400，任意单位800这8个阈值。具体而言，平均值为任意单位50以下的区域为白色，平均值为任意单位50～100的区域为深蓝色，平均值为任意单位100～110的区域为深绿色，平均值为任意单位110～130的区域为黄绿色，平均值为任意单位130～150的区域为黄色，平均价值为任意单位150～200的区域为橙色，平均值为任意单位200～400的区域为红色，平均值为任意单位400～800的区域为紫色，平均值为任意单位800以上的区域为黑色的方式制作了分布图。
另外，任意单位是将由光接收系统20捕捉到的散射光L4的强度转换为电压后的单位，是与任意设置的散射光L4的强度成比例的单位。即，该任意单位只要能够相对地比较各任意区域即可。
从图5的分布图中可知，在衬底中央下部能够确认横向移动的划痕那样的黑色区域A1。此外，可以确认在衬底右侧部分呈方形出现的黑色区域A2。通过确认这样的分布图，可以掌握在出现黑色的区域存在有在器件制造时产生不利影响的加工变质层101。
另外，实施例的加工变质层的评价是以非破坏方式进行的。因此，评价后的4H-SiC晶片可以流向器件的制造步骤而无需废弃。
附图标记说明
100半导体单晶衬底
101加工变质层
102块体层
10投光系统
11激光输出部
12波长板
20光接收系统
21物镜
22成像透镜
23分束器
24光接收传感器
25狭缝
30载物台
40框体
50信号处理部
60数据处理部
70控制部
L1激光
L2反射光
L3入射光
L4散射光
PD侵入深度
AA任意区域
S10清洗步骤
S20测量步骤
S30评价步骤
S40加工变质层去除步骤
Claims (16)
1.一种加工变质层的评价方法，其中，使激光从半导体单晶衬底的表面入射，基于在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光的强度，评价所述半导体单晶衬底的加工变质层。
2.根据权利要求1所述的加工变质层的评价方法，包括：
测量步骤，测量使激光入射到所述半导体单晶衬底的内部而散射的散射光的强度；以及
评价步骤，基于所述散射光的强度来评价所述加工变质层。
3.根据权利要求2所述的加工变质层的评价方法，其中，所述评价步骤具有：
区域设置步骤，设置以任意面积划分所述半导体单晶衬底的多个任意区域；以及
统计量计算步骤，针对每个所述任意区域计算所述散射光的强度的统计量。
4.根据权利要求3所述的加工变质层的评价方法，其中，所述统计量计算步骤具有：
累计步骤，累计所述任意区域内的所述散射光的强度；以及
除法步骤，将在所述累计步骤中得到的累计值除以所述任意区域内的取得数据数。
5.根据权利要求3或4所述的加工变质层的评价方法，其中，所述评价步骤包括：
阈值设置步骤，设置用于判别所述加工变质层的好坏的阈值；以及
映射步骤，映射所述统计量超过所述阈值的所述任意区域。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述测量步骤是在使所述半导体单晶衬底旋转的同时扫描所述激光的步骤。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述测量步骤是测量包括弹性散射的所述散射光的步骤。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述测量步骤是使所述激光以相对于所述半导体单晶衬底的表面的法线倾斜的入射角度入射的步骤。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述激光是具有比所述半导体单晶衬底的带隙大的光子能量的波长。
10.根据权利要求2至9中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，包括清洗所述半导体单晶衬底的表面的清洗步骤。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述半导体单晶衬底是化合物半导体单晶衬底。
12.一种半导体单晶衬底的制造方法，包括：
测量步骤，测量使激光从半导体单晶衬底的表面入射而在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光的强度；以及
评价步骤，基于所述散射光的强度来评价所述半导体单晶衬底的加工变质层。
13.根据权利要求12所述的半导体单晶衬底的制造方法，其中，在所述评价步骤之后进行去除所述加工变质层的加工变质层去除步骤。
14.根据权利要求13所述的半导体单晶衬底的制造方法，其中，所述加工变质层去除步骤是化学机械抛光。
15.根据权利要求13所述的半导体单晶衬底的制造方法，其中，所述加工变质层去除步骤是蚀刻。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的半导体单晶衬底的制造方法，其中，所述半导体单晶衬底是化合物半导体。
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