JPH03191523A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03191523A JPH03191523A JP33207089A JP33207089A JPH03191523A JP H03191523 A JPH03191523 A JP H03191523A JP 33207089 A JP33207089 A JP 33207089A JP 33207089 A JP33207089 A JP 33207089A JP H03191523 A JPH03191523 A JP H03191523A
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- Japan
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- chemical solution
- flow rate
- circulation
- solution
- rate control
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業−１−の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にウェハースの洗浄
あるいはエツチング等の処理を行なうための液体槽を有
する半導体製造装置に関する。
あるいはエツチング等の処理を行なうための液体槽を有
する半導体製造装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置は、第３図の縦断面図に
示すように、液体槽（以下、処理槽と称す）３２内のパ
ーティクルレベルを低減する目的で、液体（以下、薬液
と称す）３３の循環フィルターリングを行なっている。
示すように、液体槽（以下、処理槽と称す）３２内のパ
ーティクルレベルを低減する目的で、液体（以下、薬液
と称す）３３の循環フィルターリングを行なっている。
すなわち、キャリア３６に収納されたウェハース３１は
、多数の開孔を有する仕切板３９を介して処理槽３２内
に置かれ、ポンプ３４によってフィルター３５を介して
循環する薬液３３により処理される。
、多数の開孔を有する仕切板３９を介して処理槽３２内
に置かれ、ポンプ３４によってフィルター３５を介して
循環する薬液３３により処理される。
上述した従来の半導体製造装置は、循環後の薬液の流れ
を考慮せずに、直接、処理槽３２内に吐出しているため
、循環効率が低下したり、薬液流の停留が発生し易くな
ったり、薬液使用量が多くなる等の問題が発生し、従っ
て、特に、連続処理を行なう場合のパーティクルレベル
の低減化及び確保が容易ではないという欠点がある。
を考慮せずに、直接、処理槽３２内に吐出しているため
、循環効率が低下したり、薬液流の停留が発生し易くな
ったり、薬液使用量が多くなる等の問題が発生し、従っ
て、特に、連続処理を行なう場合のパーティクルレベル
の低減化及び確保が容易ではないという欠点がある。
本発明は、薬液を循環させ半導体基板の洗浄あるいはエ
ツチング等の処理を行なう半導体製造装置において、循
環する薬液を前記半導体基板にのみ供給する液流制御板
を処理槽内に設けた半導体製造装置である。
ツチング等の処理を行なう半導体製造装置において、循
環する薬液を前記半導体基板にのみ供給する液流制御板
を処理槽内に設けた半導体製造装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。
第１図に示すような循環フィルターリングを行なう処理
槽において、循環後の薬液の吐出口を処理槽１２の底部
に設け、かつ、キャリア１６内に移載されているウェハ
ース１１にのみ循環後の薬液を供給する液流制御板１７
、及び、前記吐出口から液流制御板１７までの間の薬液
の停留を防止する液流制御部］８によって構成されてい
る。上述した液流制御板１７及び液流制御部１８の設置
によって、循環後の清浄な薬液をウェハース１１に高効
率で供給することが出来、従って、ウェハース１１に付
着するパーティクル及び薬液１３の停留によって発生す
るパーティクルを低減することが容易になると共に、液
流制御部１８の設置によって処理槽１２内の薬液１３の
使用量が低減出来、かつ、時間当たりの循環効率を向上
することが可能となる。
槽において、循環後の薬液の吐出口を処理槽１２の底部
に設け、かつ、キャリア１６内に移載されているウェハ
ース１１にのみ循環後の薬液を供給する液流制御板１７
、及び、前記吐出口から液流制御板１７までの間の薬液
の停留を防止する液流制御部］８によって構成されてい
る。上述した液流制御板１７及び液流制御部１８の設置
によって、循環後の清浄な薬液をウェハース１１に高効
率で供給することが出来、従って、ウェハース１１に付
着するパーティクル及び薬液１３の停留によって発生す
るパーティクルを低減することが容易になると共に、液
流制御部１８の設置によって処理槽１２内の薬液１３の
使用量が低減出来、かつ、時間当たりの循環効率を向上
することが可能となる。
一例として、ウェハース上の酸化膜を１＝１０〜１ ：
１００の希弗酸でエツチングする場合、循環系を含む
総薬液使用量３０〜５０ｅ、ポンプ１５の吐出量を４〜
６ｅ／分とすると、従来方式に比較して、総薬液使用量
で１０〜３０％低減、処理槽１２内の薬液１３のパーテ
ィクルレベルで１０〜５０％低減、パーティクルレベル
回復時間で１０〜５０％短縮出来る。
１００の希弗酸でエツチングする場合、循環系を含む
総薬液使用量３０〜５０ｅ、ポンプ１５の吐出量を４〜
６ｅ／分とすると、従来方式に比較して、総薬液使用量
で１０〜３０％低減、処理槽１２内の薬液１３のパーテ
ィクルレベルで１０〜５０％低減、パーティクルレベル
回復時間で１０〜５０％短縮出来る。
第４図は本発明の処理槽及び従来の処理槽を使用した場
合における槽内のパーティクルレベルの時間依存特性図
である。この図から明らかなように、パーティクルレベ
ル回復時間が短縮されているのがわかる。
合における槽内のパーティクルレベルの時間依存特性図
である。この図から明らかなように、パーティクルレベ
ル回復時間が短縮されているのがわかる。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。
第２図に示すような循環フィルターリングを行なう処理
槽において、循環後の薬液の吐出口を処理槽２２の底部
に設け、かつ、穴あきキャリア２６内に移載されている
ウェハース２１及び穴あきキャリア２６と処理槽２２の
内壁に循環後の薬液を供給する液流制御板２７、前記吐
出口から穴あきキャリア２６の側面までの薬液の流速を
確保する液流制御部２８によって構成されている。上述
した液流制御板２７及び液流制御部２８の設置によって
、循環後の清浄な薬液をウェハース２１に供給すると共
に、穴あきキャリア２６の穴部付近での薬液の伴流を防
止することが可能となり、従って、ウェハース２２に付
着するパーティクル及び薬液２３の停留によって発生す
るパーティクルを低減することが容易になると共に、液
流制御部２８の設置によって処理槽２２内の薬液２３の
使用量が低減出来、かつ、時間当たりの循環効率を向上
することが可能となる。
槽において、循環後の薬液の吐出口を処理槽２２の底部
に設け、かつ、穴あきキャリア２６内に移載されている
ウェハース２１及び穴あきキャリア２６と処理槽２２の
内壁に循環後の薬液を供給する液流制御板２７、前記吐
出口から穴あきキャリア２６の側面までの薬液の流速を
確保する液流制御部２８によって構成されている。上述
した液流制御板２７及び液流制御部２８の設置によって
、循環後の清浄な薬液をウェハース２１に供給すると共
に、穴あきキャリア２６の穴部付近での薬液の伴流を防
止することが可能となり、従って、ウェハース２２に付
着するパーティクル及び薬液２３の停留によって発生す
るパーティクルを低減することが容易になると共に、液
流制御部２８の設置によって処理槽２２内の薬液２３の
使用量が低減出来、かつ、時間当たりの循環効率を向上
することが可能となる。
一例として、ウェハース上の酸化膜を１：１０〜１：１
００の希弗酸でエツチングする場合、循環系を含む総薬
液使用量２０〜５０ｆｆ、ポンプ２５の吐出量を４〜６
ｅ／分とすると、従来方式に比較して、総薬液使用量で
１５〜４０％低減、処理槽２２内の薬液２３のパーティ
クルレベルで１０〜５０％低減、パーティクルレベル回
復時間で２０〜５０％短縮出来る。
００の希弗酸でエツチングする場合、循環系を含む総薬
液使用量２０〜５０ｆｆ、ポンプ２５の吐出量を４〜６
ｅ／分とすると、従来方式に比較して、総薬液使用量で
１５〜４０％低減、処理槽２２内の薬液２３のパーティ
クルレベルで１０〜５０％低減、パーティクルレベル回
復時間で２０〜５０％短縮出来る。
以上説明したように本発明は、処理槽内に循環後の薬液
の流れを制御する液流制御板及び液流ｉ＃制御部を設け
ることにより、薬液自体のノ＼−ティクルレベルを低減
することで、ウエノ１−スζこイ寸着″１−るパーティ
クルを低減させ、高歩留、高品質の半導体装置を得るこ
とが出来る効果があると共番こ、総薬液使用量を低減す
ることで、循環効率の向上、及び、パーティクルレベル
回復時間の短縮番こより前述した効艮を助け、かつ、大
幅な費用削減が出来る効果も合わせて有する。
の流れを制御する液流制御板及び液流ｉ＃制御部を設け
ることにより、薬液自体のノ＼−ティクルレベルを低減
することで、ウエノ１−スζこイ寸着″１−るパーティ
クルを低減させ、高歩留、高品質の半導体装置を得るこ
とが出来る効果があると共番こ、総薬液使用量を低減す
ることで、循環効率の向上、及び、パーティクルレベル
回復時間の短縮番こより前述した効艮を助け、かつ、大
幅な費用削減が出来る効果も合わせて有する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来の処理槽
の縦断面図、第４図は本発明の処理槽及び従来の処理槽
を使用した場合における槽内のパーティクルの時間依存
特性図である。 １．１，２１．３１・・ウェハース、１２，２２゜３２
・・・処理槽、１３，２３．３３・・・薬液、１４゜２
４．３４・・・ポンプ、１ら、２５．３５・・・フィル
ター、１６．３６・・・キャリア、２６・・・穴あきキ
ャリア、１７．２８・・・液流制御板、１８．２８・・
・液流制御部、３９・・・仕切板、４１・・・従来検使
用時のパーティクル特性、４２・・・本発明の処理槽使
用時のパーティクル特性。
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来の処理槽
の縦断面図、第４図は本発明の処理槽及び従来の処理槽
を使用した場合における槽内のパーティクルの時間依存
特性図である。 １．１，２１．３１・・ウェハース、１２，２２゜３２
・・・処理槽、１３，２３．３３・・・薬液、１４゜２
４．３４・・・ポンプ、１ら、２５．３５・・・フィル
ター、１６．３６・・・キャリア、２６・・・穴あきキ
ャリア、１７．２８・・・液流制御板、１８．２８・・
・液流制御部、３９・・・仕切板、４１・・・従来検使
用時のパーティクル特性、４２・・・本発明の処理槽使
用時のパーティクル特性。
Claims (1)
- 薬液を循環させ半導体基板の洗浄あるいはエッチング等
の処理を行なう半導体製造装置において、循環する薬液
を前記半導体基板にのみ供給する液流制御板を処理槽内
に設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33207089A JPH03191523A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33207089A JPH03191523A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03191523A true JPH03191523A (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=18250811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33207089A Pending JPH03191523A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03191523A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339842A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-23 | Specialty Coating Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning objects |
| US5845663A (en) * | 1996-03-13 | 1998-12-08 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wafer wet processing device |
| WO2000000303A1 (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-06 | Speedfam Corporation | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices |
| US6146468A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer treatment |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP33207089A patent/JPH03191523A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339842A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-23 | Specialty Coating Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning objects |
| US5845663A (en) * | 1996-03-13 | 1998-12-08 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wafer wet processing device |
| WO2000000303A1 (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-06 | Speedfam Corporation | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices |
| US6146468A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer treatment |
| US6244280B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-06-12 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices |
| US6284055B1 (en) * | 1998-06-29 | 2001-09-04 | Z Cap L.L.C. | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices |
| US6641675B2 (en) | 1998-06-29 | 2003-11-04 | Z Cap, L.L.C. | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices |
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