JPS6292445A - 半導体装置の処理装置 - Google Patents
半導体装置の処理装置Info
- Publication number
- JPS6292445A JPS6292445A JP60232646A JP23264685A JPS6292445A JP S6292445 A JPS6292445 A JP S6292445A JP 60232646 A JP60232646 A JP 60232646A JP 23264685 A JP23264685 A JP 23264685A JP S6292445 A JPS6292445 A JP S6292445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- solution
- filter
- processing
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Filtration Of Liquid (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の処理装置に関する。
従来、この種の処理装置の濾過方法としては、薬液を循
環濾過した後供給する方法（循環濾過）や、処理槽の薬
液をオーバー・フローで回収し濾過した後供給する方法
がある。
環濾過した後供給する方法（循環濾過）や、処理槽の薬
液をオーバー・フローで回収し濾過した後供給する方法
がある。
上述した従来の循環濾過方式では、薬液の濾過は供給時
にのみ行われるため、処理槽内の薬液中の異物はウェハ
ーの処理枚数が増加するに従って増加する。一方、処理
槽の薬液をオーバー・フローで回収し濾過する回収濾過
方式では、装置の制限上、フィルターを１回だけ通す場
合が多い。この場合、薬液中の異物は１回だけの濾過で
は十分に除去しきれず、多くの異物は薬液中に残った捷
まとなｐ、ウエノ・−の処理枚数が増加すれば、薬液中
の異物も増加する。
にのみ行われるため、処理槽内の薬液中の異物はウェハ
ーの処理枚数が増加するに従って増加する。一方、処理
槽の薬液をオーバー・フローで回収し濾過する回収濾過
方式では、装置の制限上、フィルターを１回だけ通す場
合が多い。この場合、薬液中の異物は１回だけの濾過で
は十分に除去しきれず、多くの異物は薬液中に残った捷
まとなｐ、ウエノ・−の処理枚数が増加すれば、薬液中
の異物も増加する。
供給側と回収側を共に循環濾過すれば、薬液中の異物の
量が減少することが期待できるが、この場合、供給側と
回収側が別々の循環ｐ過装置を有していると、処理装置
自体が非常に大規模なものになる。
量が減少することが期待できるが、この場合、供給側と
回収側が別々の循環ｐ過装置を有していると、処理装置
自体が非常に大規模なものになる。
近年、半導体素子の集積度が増すにつれて、ウェハー表
面に付着する異物によって半導体素子の受ける影響が増
々大きくなってきている。例えばリソグラフィ工程にお
いて、設計ルールが１紬の場合、０．ＩＮｒＬ以上の異
物が付着していると、ノくターンくずれ等の欠陥を引き
起こすといわれている。
面に付着する異物によって半導体素子の受ける影響が増
々大きくなってきている。例えばリソグラフィ工程にお
いて、設計ルールが１紬の場合、０．ＩＮｒＬ以上の異
物が付着していると、ノくターンくずれ等の欠陥を引き
起こすといわれている。
さらに、酸化・拡散工程においては、異常拡散や酸化膜
厚のムラの原因となる。このように、ウエバー表面に付
着する異物が多くなれば、半導体素子の特性の劣化や、
歩留りの低下、あるいは品質の低下をもたらすという問
題がある。
厚のムラの原因となる。このように、ウエバー表面に付
着する異物が多くなれば、半導体素子の特性の劣化や、
歩留りの低下、あるいは品質の低下をもたらすという問
題がある。
従って、ウェハー表面への異物の付着を少なくするには
、処理槽内の薬液を常に清浄に保つ必要があり、且つク
リーン・ルームの有効活用のために、装置の占める面積
を極力小さくしなければならない。
、処理槽内の薬液を常に清浄に保つ必要があり、且つク
リーン・ルームの有効活用のために、装置の占める面積
を極力小さくしなければならない。
本発明は前記問題点を解消して常に清浄な状態の処理液
を得る処理装置を提供するものである。
を得る処理装置を提供するものである。
本発明の半導体装置の処理装置は、薬液を循環濾過して
処理槽に供給する第１の供給部と、処理槽内の薬液を回
収し循環濾過した後、処理槽に再供給する第２の供給部
とを有することを特徴とするものである。
処理槽に供給する第１の供給部と、処理槽内の薬液を回
収し循環濾過した後、処理槽に再供給する第２の供給部
とを有することを特徴とするものである。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、１は貯液槽、５１１−ｔ、処理槽、６
は処理槽５の上端縁からオーバー・フローした薬液を回
収する外槽である。
は処理槽５の上端縁からオーバー・フローした薬液を回
収する外槽である。
処理槽５と貯液槽１との間にポンプ２、フィルター３、
流路切替用のパルプ４を設けて、これらを配管し、パル
プ４の−の出口を貯液槽ｌに接続する。
流路切替用のパルプ４を設けて、これらを配管し、パル
プ４の−の出口を貯液槽ｌに接続する。
さらに、外槽６の底部に流路切替用のパルプ７を設け、
該パルプ７をポンプ２の流入側に接続するＯ ここに、貯液槽１、ポンプ２、フィルター３、パルプ４
により、薬液を循環濾過して処理槽５に供給する第１の
供給部が構成され、一方貯液槽１、外槽６、パルプ４，
７、ポンプ２、フィルター３により、処理槽５内の薬液
を回収して循環濾過した後、処理槽５に再供給する第２
の供給部が構成される。
該パルプ７をポンプ２の流入側に接続するＯ ここに、貯液槽１、ポンプ２、フィルター３、パルプ４
により、薬液を循環濾過して処理槽５に供給する第１の
供給部が構成され、一方貯液槽１、外槽６、パルプ４，
７、ポンプ２、フィルター３により、処理槽５内の薬液
を回収して循環濾過した後、処理槽５に再供給する第２
の供給部が構成される。
実施例において、処理に用いられる薬液はまず貯液槽１
に貯えられる。貯液槽１内の薬液はポンプ２によってフ
ィルター３に送られる。フィルター３で濾過された薬液
はパルプ４を通して貯液槽１に戻される。以上のサイク
ルを何度かくυ返されて十分に清浄になった薬液が処理
槽５に供給される。処理槽５内の薬液はオーバー・フロ
ーによって外槽６に回収され、パルプ７を通してポンプ
２によってフィルター３に送られ、循環濾過されて再び
処理槽５内に戻される。
に貯えられる。貯液槽１内の薬液はポンプ２によってフ
ィルター３に送られる。フィルター３で濾過された薬液
はパルプ４を通して貯液槽１に戻される。以上のサイク
ルを何度かくυ返されて十分に清浄になった薬液が処理
槽５に供給される。処理槽５内の薬液はオーバー・フロ
ーによって外槽６に回収され、パルプ７を通してポンプ
２によってフィルター３に送られ、循環濾過されて再び
処理槽５内に戻される。
このようにして、処理槽５内には常に循環沖過された薬
液が供給される上、槽内の微粒子を含む薬液はオーバー
・フローによって槽外に排出されるため、槽内の薬液は
常に清浄に保たれる。
液が供給される上、槽内の微粒子を含む薬液はオーバー
・フローによって槽外に排出されるため、槽内の薬液は
常に清浄に保たれる。
第２図はウェハーの処理枚数とウェハー表面に付着する
異物の量との関係を示したものである。
異物の量との関係を示したものである。
第２図（ａ）は供給時のみ循環濾過を行った従来法の場
合、第２図（ｂ）は本発明による処理装置を用いた場合
を示す。
合、第２図（ｂ）は本発明による処理装置を用いた場合
を示す。
従来法の場合、処理枚数が増加するに従って、ウェハー
表面に付着する異物の量が増加しており、処理槽の薬液
中の異物の量が次第に増加しているのが分かる。これに
対して、本発明の処理装置を用いた場合、処理枚数が増
加しても、ウェハー表面に付着する異物の量はほとんど
増加しておらず、処理槽の薬液はウェハーの処理を行っ
たにも拘らず、供給時の清浄度を維持しているといえる
。
表面に付着する異物の量が増加しており、処理槽の薬液
中の異物の量が次第に増加しているのが分かる。これに
対して、本発明の処理装置を用いた場合、処理枚数が増
加しても、ウェハー表面に付着する異物の量はほとんど
増加しておらず、処理槽の薬液はウェハーの処理を行っ
たにも拘らず、供給時の清浄度を維持しているといえる
。
以上説明したように本発明の処理装置は、循環濾過によ
って薬液を処理槽に供給することができる上に、処理槽
中の薬液も常に循環濾過されて処理槽に再供給されるた
め、処理槽内の薬液は常に清浄な状態に保たれる。
って薬液を処理槽に供給することができる上に、処理槽
中の薬液も常に循環濾過されて処理槽に再供給されるた
め、処理槽内の薬液は常に清浄な状態に保たれる。
さらに、回収された処理済みの薬液は、供給前の薬液と
混合されて循環濾過されるために、循環濾過に必要なポ
ンプとフィルターも一組あれば良い。
混合されて循環濾過されるために、循環濾過に必要なポ
ンプとフィルターも一組あれば良い。
従って、本発明の処理装置を用いることによって、処理
後の半導体装置の表面に付着する異物の量を著しく減少
させることができ、高品質・高歩留りの半導体装置を提
供することができる効果を有するものである。
後の半導体装置の表面に付着する異物の量を著しく減少
させることができ、高品質・高歩留りの半導体装置を提
供することができる効果を有するものである。
第１図は本発明の処理装置を示す模式図、第２図（α）
、 （ｂ）はウェハーの処理枚数とウェハー表面の異
物の量との関係を示す図である。
、 （ｂ）はウェハーの処理枚数とウェハー表面の異
物の量との関係を示す図である。
Claims (1)
- （１）薬液を循環濾過して処理槽に供給する第１の供給
部と、処理槽内の薬液を回収し循環濾過した後、処理槽
に再供給する第２の供給部とを有することを特徴とする
半導体装置の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232646A JPS6292445A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体装置の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232646A JPS6292445A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体装置の処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292445A true JPS6292445A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16942550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232646A Pending JPS6292445A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体装置の処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292445A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022112A (ja) * | 1987-12-17 | 1990-01-08 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体ウェファの処理方法と装置 |
| JPH02277538A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60232646A patent/JPS6292445A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022112A (ja) * | 1987-12-17 | 1990-01-08 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体ウェファの処理方法と装置 |
| JPH02277538A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
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