JP3490238B2 - メッキ処理装置およびメッキ処理方法 - Google Patents
メッキ処理装置およびメッキ処理方法Info
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/003—Electroplating using gases, e.g. pressure influence
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にメッ
キ層を形成するメッキ処理装置およびメッキ処理方法に
関する。
キ層を形成するメッキ処理装置およびメッキ処理方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に、従来のメッキ処理装置の断面図
（特開平１−２９４８８８号公報）を示す。従来のメッ
キ処理装置では、メッキ処理槽１の底部上にウエハ６
（全面に給電用金属層形成済）がセットされ、その上に
給電用コンタクトピン１０が取り付けられた状態でウエ
ハが固定される。ウエハ６をセットしたメッキ処理装置
には、装置上部に設けられたメッキ液供給配管３よりメ
ッキ液が導入され、メッキ処理槽１内をメッキ液で満た
し、ウエハ６のメッキ処理を行う。このように、ウエハ
６を上向きに配置し、上部からメッキ液を導入すること
により、ウエハ表面に気泡が付着することによるメッキ
むらを低減することが可能となる。図中、４はメッキ液
排出管、７はメッキ液、１４はアノードメッシュ板であ
る。ウエハ６のメッキ処理終了後、メッキ液供給配管３
から窒素ガスが導入され、メッキ液はメッキ液排出管４
からメッキ液貯槽（図示せず）へ移送され再利用される
一方、残ったメッキ液は純水により洗浄され、ウエハ６
が取り出される。
（特開平１−２９４８８８号公報）を示す。従来のメッ
キ処理装置では、メッキ処理槽１の底部上にウエハ６
（全面に給電用金属層形成済）がセットされ、その上に
給電用コンタクトピン１０が取り付けられた状態でウエ
ハが固定される。ウエハ６をセットしたメッキ処理装置
には、装置上部に設けられたメッキ液供給配管３よりメ
ッキ液が導入され、メッキ処理槽１内をメッキ液で満た
し、ウエハ６のメッキ処理を行う。このように、ウエハ
６を上向きに配置し、上部からメッキ液を導入すること
により、ウエハ表面に気泡が付着することによるメッキ
むらを低減することが可能となる。図中、４はメッキ液
排出管、７はメッキ液、１４はアノードメッシュ板であ
る。ウエハ６のメッキ処理終了後、メッキ液供給配管３
から窒素ガスが導入され、メッキ液はメッキ液排出管４
からメッキ液貯槽（図示せず）へ移送され再利用される
一方、残ったメッキ液は純水により洗浄され、ウエハ６
が取り出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記メッキ処理槽１か
らのメッキ液の取り出しは、メッキ液供給配管３を通し
て導入された窒素ガスにより、メッキ液をメッキ液排出
管４を通してメッキ液貯蔵槽に移送して行っているが、
かかる方法では、メッキ液７の全量回収は不可能であ
り、メッキ処理毎に残ったメッキ液７は純水で洗い流し
て処理していた。しかし、メッキ処理毎に上記メッキ液
７を廃棄していたのでは、装置内のメッキ液が徐々に減
少し、頻繁にメッキ液量の確認およびメッキ液の補充が
必要となるとともに、メッキ液に高価なＡｕメッキ液等
を使用する場合にはメッキ処理のコストの上昇をも招く
こととなっていた。また、従来のメッキ処理装置では、
ウエハ周辺部のメッキ不要な部分にもメッキ層が形成さ
れ、メッキ液が無駄に消費されていた。そこで、本発明
は、メッキ液の無駄な消費量、廃棄量を減らした、メッ
キ液の回収効率の高いメッキ処理装置を提供することを
目的とする。
らのメッキ液の取り出しは、メッキ液供給配管３を通し
て導入された窒素ガスにより、メッキ液をメッキ液排出
管４を通してメッキ液貯蔵槽に移送して行っているが、
かかる方法では、メッキ液７の全量回収は不可能であ
り、メッキ処理毎に残ったメッキ液７は純水で洗い流し
て処理していた。しかし、メッキ処理毎に上記メッキ液
７を廃棄していたのでは、装置内のメッキ液が徐々に減
少し、頻繁にメッキ液量の確認およびメッキ液の補充が
必要となるとともに、メッキ液に高価なＡｕメッキ液等
を使用する場合にはメッキ処理のコストの上昇をも招く
こととなっていた。また、従来のメッキ処理装置では、
ウエハ周辺部のメッキ不要な部分にもメッキ層が形成さ
れ、メッキ液が無駄に消費されていた。そこで、本発明
は、メッキ液の無駄な消費量、廃棄量を減らした、メッ
キ液の回収効率の高いメッキ処理装置を提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者は鋭意研
究の結果、ウエハ周囲をシール部材でシールし、かかる
部分の不要なメッキ層の形成を防止するとともに、シー
ル部材内部のウエハ上面近傍まで延長された排出管を有
するメッキ液排出手段によりメッキ液を排出することに
より、メッキ液の回収効率が高くなることを見出し本発
明を完成した。
究の結果、ウエハ周囲をシール部材でシールし、かかる
部分の不要なメッキ層の形成を防止するとともに、シー
ル部材内部のウエハ上面近傍まで延長された排出管を有
するメッキ液排出手段によりメッキ液を排出することに
より、メッキ液の回収効率が高くなることを見出し本発
明を完成した。
【０００５】即ち、本発明は、ウエハ上面を上向きに載
置するためのメッキ処理槽底部と、上記ウエハ上面の周
囲をシールするシール手段を有し、該シール手段を介し
て上記ウエハ上面に密閉可能なメッキ処理浴を形成する
メッキ処理槽本体部とからなるメッキ処理槽と、上記メ
ッキ処理浴を密閉して加圧するためのガス導入手段と、
上記ガス導入手段により加圧された上記メッキ処理浴か
らメッキ液を排出するために、上記メッキ処理槽本体部
側壁から上記シール手段内部のウエハ上面近傍まで延長
された排出管を有するメッキ液排出手段とを有すること
を特徴とするメッキ処理装置である。このように、ウエ
ハ周辺部へのメッキを防止するためにシール部材でウエ
ハ周辺部をシールしてメッキするとともに、メッキ液排
出手段である排出管の先端部をウエハ上面近傍まで延長
することにより、ウエハ上面、特にシール部材内部に溜
まり、従来方法では回収不可能であったメッキ液の回収
が可能となり、メッキ液の回収効率を向上させることが
できる。この結果、メッキ液の再利用率向上が可能とな
り、メッキ工程のコストの低減が可能となる。また、メ
ッキ液を回収し、再利用するメッキ処理装置において
は、メッキ液減少量の管理負担の軽減も可能となる。
置するためのメッキ処理槽底部と、上記ウエハ上面の周
囲をシールするシール手段を有し、該シール手段を介し
て上記ウエハ上面に密閉可能なメッキ処理浴を形成する
メッキ処理槽本体部とからなるメッキ処理槽と、上記メ
ッキ処理浴を密閉して加圧するためのガス導入手段と、
上記ガス導入手段により加圧された上記メッキ処理浴か
らメッキ液を排出するために、上記メッキ処理槽本体部
側壁から上記シール手段内部のウエハ上面近傍まで延長
された排出管を有するメッキ液排出手段とを有すること
を特徴とするメッキ処理装置である。このように、ウエ
ハ周辺部へのメッキを防止するためにシール部材でウエ
ハ周辺部をシールしてメッキするとともに、メッキ液排
出手段である排出管の先端部をウエハ上面近傍まで延長
することにより、ウエハ上面、特にシール部材内部に溜
まり、従来方法では回収不可能であったメッキ液の回収
が可能となり、メッキ液の回収効率を向上させることが
できる。この結果、メッキ液の再利用率向上が可能とな
り、メッキ工程のコストの低減が可能となる。また、メ
ッキ液を回収し、再利用するメッキ処理装置において
は、メッキ液減少量の管理負担の軽減も可能となる。
【０００６】上記排出管は、上記メッキ処理浴内部の周
辺部に設けられることが好ましい。排出管が、メッキ処
理浴の周辺部に設けられることにより、メッキ処理中の
メッキ液の対流の均一性が向上し、形成されるメッキ膜
厚の均一化を図ることが可能となるからである。
辺部に設けられることが好ましい。排出管が、メッキ処
理浴の周辺部に設けられることにより、メッキ処理中の
メッキ液の対流の均一性が向上し、形成されるメッキ膜
厚の均一化を図ることが可能となるからである。
【０００７】上記メッキ液排出手段は、上記メッキ処理
浴からメッキ液を吸引するための吸引手段を有するもの
であっても構わない。かかる吸引手段を有することによ
り、更にウエハ上面上に溜まったメッキ液の回収効率を
向上させることが可能となるからである。
浴からメッキ液を吸引するための吸引手段を有するもの
であっても構わない。かかる吸引手段を有することによ
り、更にウエハ上面上に溜まったメッキ液の回収効率を
向上させることが可能となるからである。
【０００８】また、本発明は、メッキ処理槽底部上にウ
エハ上面を上向きに載置する工程と、上記ウエハ上面の
周囲をシールし、該ウエハ上面上にメッキ液を保持する
ためのメッキ浴が形成されるように、上記メッキ処理槽
底部上にメッキ処理槽本体部を配置する工程と、上記ウ
エハ上面にメッキ層を堆積する工程と、上記メッキ処理
浴を密閉し、ガスを導入して加圧することにより、上記
メッキ処理槽本体部側壁から上記シール手段内部のウエ
ハ上面近傍まで延長された排出管を有するメッキ液排出
手段により上記ウエハ上面上のメッキ液を排出する工程
とを含むことを特徴とするメッキ処理方法でもある。
エハ上面を上向きに載置する工程と、上記ウエハ上面の
周囲をシールし、該ウエハ上面上にメッキ液を保持する
ためのメッキ浴が形成されるように、上記メッキ処理槽
底部上にメッキ処理槽本体部を配置する工程と、上記ウ
エハ上面にメッキ層を堆積する工程と、上記メッキ処理
浴を密閉し、ガスを導入して加圧することにより、上記
メッキ処理槽本体部側壁から上記シール手段内部のウエ
ハ上面近傍まで延長された排出管を有するメッキ液排出
手段により上記ウエハ上面上のメッキ液を排出する工程
とを含むことを特徴とするメッキ処理方法でもある。
【０００９】また、本発明は、メッキ処理槽底部上にウ
エハ上面を上向きに載置する工程と、上記ウエハ上面の
周囲をシールし、該ウエハ上面上にメッキ液を保持する
ためのメッキ浴が形成されるように、上記メッキ処理槽
底部上にメッキ処理槽本体部を配置する工程と、上記ウ
エハ上面にメッキ層を堆積する工程と、上記メッキ処理
槽本体部側壁から上記シール手段内部のウエハ上面近傍
まで延長された排出管を有するメッキ液排出手段により
上記排出管を通して上記ウエハ上面上のメッキ液を吸引
する工程とを含むことを特徴とするメッキ処理方法でも
ある。ウエハ上に溜まったメッキ液を吸引して排出する
ことにより、更にメッキ液の回収効率が向上するからで
ある。
エハ上面を上向きに載置する工程と、上記ウエハ上面の
周囲をシールし、該ウエハ上面上にメッキ液を保持する
ためのメッキ浴が形成されるように、上記メッキ処理槽
底部上にメッキ処理槽本体部を配置する工程と、上記ウ
エハ上面にメッキ層を堆積する工程と、上記メッキ処理
槽本体部側壁から上記シール手段内部のウエハ上面近傍
まで延長された排出管を有するメッキ液排出手段により
上記排出管を通して上記ウエハ上面上のメッキ液を吸引
する工程とを含むことを特徴とするメッキ処理方法でも
ある。ウエハ上に溜まったメッキ液を吸引して排出する
ことにより、更にメッキ液の回収効率が向上するからで
ある。
【００１０】
実施の形態１．図１、２、３は、本発明の第１の実施の
形態にかかるメッキ処理装置の部分断面図である。図１
（ａ）に本実施の形態１にかかるメッキ処理装置の断面
図を、図１（ｂ）にその部分拡大図を、図２にメッキ処
理装置へのメッキ液の供給系統図を夫々示す。本実施の
形態１にかかるメッキ処理装置では、図１（ａ）に示す
ように、メッキ処理槽１は、メッキ処理槽本体部８およ
びメッキ処理槽底部９の２つの部分より形成され、ま
ず、メッキ処理槽底部９上にウエハ６（全面に給電用金
属層形成済）がセットされ、その上に、ウエハ６への給
電用コンタクトピン１０を内蔵したＯリングシール１１
が取り付けられたメッキ処理槽本体部８が固定される
（図１（ｂ））。Ｏリングシール１１は、ウエハ６とメ
ッキ処理槽本体部８をシールしてメッキ処理槽１内に密
閉可能なメッキ処理浴２０を形成する。かかるＯリング
シール１１は、更に、ウエハ６を確実に取り外すための
Ｎ２吹き出しレリーズ１２機構を内蔵している。ウエハ
６をセットしたメッキ処理装置には、装置上部に設けら
れたメッキ液供給配管３よりメッキ液が導入され、メッ
キ処理槽１内をメッキ液で満たし、ウエハ６のメッキ処
理を行う。図中、１４はアノードメッシュ板、１５は液
圧均一化用すのこ、１６は液漏れ防止用補助的Ｏリング
シールである。ウエハ６のメッキ処理後、メッキ液供給
配管３から窒素ガスが導入され、メッキ液はメッキ液排
出管４およびドレイン配管５からメッキ液貯槽２へ移送
され再利用される（図２）一方、メッキ処理槽内は純水
により洗浄され、メッキ処理されたウエハ６が取り出さ
れる。このように、図１（ａ）（ｂ）に示すメッキ処理
装置１では、Ｏリングシール１１によりウエハ６周辺部
がシールされシール内部にメッキ処理浴２０が形成され
るため、ウエハ６の周辺部には不要なメッキ層が形成さ
れず、メッキ液の無駄な消費を抑えることが可能とな
る。
形態にかかるメッキ処理装置の部分断面図である。図１
（ａ）に本実施の形態１にかかるメッキ処理装置の断面
図を、図１（ｂ）にその部分拡大図を、図２にメッキ処
理装置へのメッキ液の供給系統図を夫々示す。本実施の
形態１にかかるメッキ処理装置では、図１（ａ）に示す
ように、メッキ処理槽１は、メッキ処理槽本体部８およ
びメッキ処理槽底部９の２つの部分より形成され、ま
ず、メッキ処理槽底部９上にウエハ６（全面に給電用金
属層形成済）がセットされ、その上に、ウエハ６への給
電用コンタクトピン１０を内蔵したＯリングシール１１
が取り付けられたメッキ処理槽本体部８が固定される
（図１（ｂ））。Ｏリングシール１１は、ウエハ６とメ
ッキ処理槽本体部８をシールしてメッキ処理槽１内に密
閉可能なメッキ処理浴２０を形成する。かかるＯリング
シール１１は、更に、ウエハ６を確実に取り外すための
Ｎ２吹き出しレリーズ１２機構を内蔵している。ウエハ
６をセットしたメッキ処理装置には、装置上部に設けら
れたメッキ液供給配管３よりメッキ液が導入され、メッ
キ処理槽１内をメッキ液で満たし、ウエハ６のメッキ処
理を行う。図中、１４はアノードメッシュ板、１５は液
圧均一化用すのこ、１６は液漏れ防止用補助的Ｏリング
シールである。ウエハ６のメッキ処理後、メッキ液供給
配管３から窒素ガスが導入され、メッキ液はメッキ液排
出管４およびドレイン配管５からメッキ液貯槽２へ移送
され再利用される（図２）一方、メッキ処理槽内は純水
により洗浄され、メッキ処理されたウエハ６が取り出さ
れる。このように、図１（ａ）（ｂ）に示すメッキ処理
装置１では、Ｏリングシール１１によりウエハ６周辺部
がシールされシール内部にメッキ処理浴２０が形成され
るため、ウエハ６の周辺部には不要なメッキ層が形成さ
れず、メッキ液の無駄な消費を抑えることが可能とな
る。
【００１１】しかし、図１に示すメッキ処理装置では、
ウエハ６上のドレイン５配管より下部にあるメッキ液
７、特にＯリングシール１１の内部に残ったメッキ液の
回収が困難であった。そこで、図３に示すように、かか
るメッキ液を回収してメッキ液の回収効率を上げるため
に、ドレイン配管５とは別に、メッキ液吸い出し口がウ
エハ６表面近傍まで延長され、かつウエハと若干のすき
間をおいて配置された第２のドレイン配管１７を設ける
こととした。メッキ液の回収は、図１の場合と同様に、
メッキ処理浴２０内を密閉状態にし、メッキ液供給配管
３から窒素ガスを導入し、メッキ処理浴２０内を加圧す
ることにより、圧送して行う。
ウエハ６上のドレイン５配管より下部にあるメッキ液
７、特にＯリングシール１１の内部に残ったメッキ液の
回収が困難であった。そこで、図３に示すように、かか
るメッキ液を回収してメッキ液の回収効率を上げるため
に、ドレイン配管５とは別に、メッキ液吸い出し口がウ
エハ６表面近傍まで延長され、かつウエハと若干のすき
間をおいて配置された第２のドレイン配管１７を設ける
こととした。メッキ液の回収は、図１の場合と同様に、
メッキ処理浴２０内を密閉状態にし、メッキ液供給配管
３から窒素ガスを導入し、メッキ処理浴２０内を加圧す
ることにより、圧送して行う。
【００１２】これにより、図１に示す装置では回収不可
能であったドレイン配管５より下方に溜まったメッキ液
７、特にＯリングシール１１内部のメッキ液の回収が可
能となり、１回のメッキ処理工程で廃棄されるメッキ液
の量を減少させることができ、メッキ処理装置の維持、
管理が容易になるとともに、メッキ工程にかかるコスト
の削減も可能となる。
能であったドレイン配管５より下方に溜まったメッキ液
７、特にＯリングシール１１内部のメッキ液の回収が可
能となり、１回のメッキ処理工程で廃棄されるメッキ液
の量を減少させることができ、メッキ処理装置の維持、
管理が容易になるとともに、メッキ工程にかかるコスト
の削減も可能となる。
【００１３】尚、第２のドレイン配管１７は、メッキ処
理中のメッキ液の循環流を乱さないように、Ｏリングシ
ール１１近傍のメッキ処理浴２０の周辺部に配置するの
が望ましく、また、第２のドレイン配管１７の大部分
を、メッキ槽の外壁材中に封入した構造とするのが望ま
しい。また、第２のドレイン配管１７は、従来のドレイ
ン配管５の代わりに設けても良く、また従来のドレイン
配管５に加えて新たに設けても良い。
理中のメッキ液の循環流を乱さないように、Ｏリングシ
ール１１近傍のメッキ処理浴２０の周辺部に配置するの
が望ましく、また、第２のドレイン配管１７の大部分
を、メッキ槽の外壁材中に封入した構造とするのが望ま
しい。また、第２のドレイン配管１７は、従来のドレイ
ン配管５の代わりに設けても良く、また従来のドレイン
配管５に加えて新たに設けても良い。
【００１４】実施の形態２．図４は、本発明の第２の実
施の形態にかかるメッキ処理装置の部分断面図であり、
図中、図１、２と同一符号は同一または相当箇所を示
す。本実施の形態では、上記第１の実施の形態で設けた
第２のドレイン１７が、メッキ処理槽１外部に設けられ
たポンプ１８に接続されている。かかる構造により、従
来通り、窒素ガスの加圧によりウエハ６の上のメッキ液
溜りを回収した後、更にポンプ１８によりメッキ処理槽
１内を積極的に吸引することにより、更にウエハ６上に
残ったメッキ液７を回収することが可能となり、更に、
メッキ液の回収率を向上させ、メッキ液量の減少を低減
することが可能となる。
施の形態にかかるメッキ処理装置の部分断面図であり、
図中、図１、２と同一符号は同一または相当箇所を示
す。本実施の形態では、上記第１の実施の形態で設けた
第２のドレイン１７が、メッキ処理槽１外部に設けられ
たポンプ１８に接続されている。かかる構造により、従
来通り、窒素ガスの加圧によりウエハ６の上のメッキ液
溜りを回収した後、更にポンプ１８によりメッキ処理槽
１内を積極的に吸引することにより、更にウエハ６上に
残ったメッキ液７を回収することが可能となり、更に、
メッキ液の回収率を向上させ、メッキ液量の減少を低減
することが可能となる。
【００１５】実施の形態３．図５は、本発明の第３の実
施の形態にかかるメッキ処理装置の部分断面図であり、
図中、図１、２と同一符号は同一または相当箇所を示
す。本実施の形態では、メッキ処理槽１自体が傾斜可能
な構造（図示せず）となっており、従来の方法でドレイ
ン配管５からメッキ処理液を窒素ガスで送り出した後、
メッキ処理装置自体を傾斜させて、ドレイン配管５か
ら、ドレイン配管下方部分に残ったメッキ処理液を流し
出すことにより、メッキ処理液の回収率を向上させるも
のである。本実施の形態では、メッキ処理槽１自体を傾
斜可能な構造にすることが必要となる反面、メッキ処理
液を回収するための第２のドレイン配管１７の形成が不
要であり、メッキ処理槽１内部の構造の複雑化が防止で
き、メッキ処理中のメッキ液の循環流の乱れを防止する
ことが可能となる。
施の形態にかかるメッキ処理装置の部分断面図であり、
図中、図１、２と同一符号は同一または相当箇所を示
す。本実施の形態では、メッキ処理槽１自体が傾斜可能
な構造（図示せず）となっており、従来の方法でドレイ
ン配管５からメッキ処理液を窒素ガスで送り出した後、
メッキ処理装置自体を傾斜させて、ドレイン配管５か
ら、ドレイン配管下方部分に残ったメッキ処理液を流し
出すことにより、メッキ処理液の回収率を向上させるも
のである。本実施の形態では、メッキ処理槽１自体を傾
斜可能な構造にすることが必要となる反面、メッキ処理
液を回収するための第２のドレイン配管１７の形成が不
要であり、メッキ処理槽１内部の構造の複雑化が防止で
き、メッキ処理中のメッキ液の循環流の乱れを防止する
ことが可能となる。
【００１６】実施の形態４．図６（ａ）は、本発明の第
４の実施の形態をにかかるメッキ処理装置の部分断面
図、図６（ｂ）（ｃ）は、メッキ処理装置のＯリングシ
ール１１の拡大図であり、図中、図１、２と同一符号は
同一または相当箇所を示す。本実施の形態では、図６
（ａ）に示すように、メッキ処理時、即ち、メッキ処理
槽本体部８がウエハ６にＯリングシール１１を介して押
し付けられる状態では、かかる圧力によりドレイン孔１
９が圧着されて閉じるようなドレイン孔１９がＯリング
シール１１の側面に設けられている。図６（ｂ）は、Ｏ
リングシール１１に圧力がかかっていない時のＯリング
シール１１の側面図であり、ドレイン孔１９は開口して
いる。一方、図６（ｃ）は、Ｏリングシール１１に圧力
が加わった場合であり、ドレイン孔１９は閉じられてい
る。従って、本構造のＯリングシール１１を用いること
により、メッキ処理中は図６（ｃ）の状態で、メッキ処
理槽１はシールされ、メッキ処理終了後に従来と同様の
方法で窒素ガスでメッキ液を排出した後、メッキ処理槽
本体部８からＯリングシール１１にかかる圧力を減少さ
せることにより、図６（ｂ）に示すようにドレイン孔１
９を開口し、ウエハ６上に溜まったメッキ液を回収する
ことが可能となる。尚、上記ドレイン孔１９から排出さ
れたメッキ液は、メッキ処理槽底部９に設けられた排出
口（図示せず）からメッキ処理装置の外部に排出された
後、回収され、メッキ液貯蔵槽２に送られる。
４の実施の形態をにかかるメッキ処理装置の部分断面
図、図６（ｂ）（ｃ）は、メッキ処理装置のＯリングシ
ール１１の拡大図であり、図中、図１、２と同一符号は
同一または相当箇所を示す。本実施の形態では、図６
（ａ）に示すように、メッキ処理時、即ち、メッキ処理
槽本体部８がウエハ６にＯリングシール１１を介して押
し付けられる状態では、かかる圧力によりドレイン孔１
９が圧着されて閉じるようなドレイン孔１９がＯリング
シール１１の側面に設けられている。図６（ｂ）は、Ｏ
リングシール１１に圧力がかかっていない時のＯリング
シール１１の側面図であり、ドレイン孔１９は開口して
いる。一方、図６（ｃ）は、Ｏリングシール１１に圧力
が加わった場合であり、ドレイン孔１９は閉じられてい
る。従って、本構造のＯリングシール１１を用いること
により、メッキ処理中は図６（ｃ）の状態で、メッキ処
理槽１はシールされ、メッキ処理終了後に従来と同様の
方法で窒素ガスでメッキ液を排出した後、メッキ処理槽
本体部８からＯリングシール１１にかかる圧力を減少さ
せることにより、図６（ｂ）に示すようにドレイン孔１
９を開口し、ウエハ６上に溜まったメッキ液を回収する
ことが可能となる。尚、上記ドレイン孔１９から排出さ
れたメッキ液は、メッキ処理槽底部９に設けられた排出
口（図示せず）からメッキ処理装置の外部に排出された
後、回収され、メッキ液貯蔵槽２に送られる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、ウエハ周辺部での不要なメッキ層の形成を防止し
メッキ液の無駄な消費を低減できるとともに、従来回収
出来なかったメッキ処理浴底部のメッキ液を回収するこ
とにより、メッキ液の回収効率を向上させることができ
る。これにより、メッキ処理装置の維持、管理が容易に
なるとともに、特に高価なメッキ液を使用した場合のメ
ッキ工程にかかるコストの大幅な削減が可能となる。
では、ウエハ周辺部での不要なメッキ層の形成を防止し
メッキ液の無駄な消費を低減できるとともに、従来回収
出来なかったメッキ処理浴底部のメッキ液を回収するこ
とにより、メッキ液の回収効率を向上させることができ
る。これにより、メッキ処理装置の維持、管理が容易に
なるとともに、特に高価なメッキ液を使用した場合のメ
ッキ工程にかかるコストの大幅な削減が可能となる。
【図１】 （ａ） 本発明の第１の実施の形態にかかる
メッキ処理装置のメッキ処理槽の断面図である。 （ｂ） 本発明の第１の実施の形態にかかるメッキ処理
装置のメッキ処理槽の部分断面図である。
メッキ処理装置のメッキ処理槽の断面図である。 （ｂ） 本発明の第１の実施の形態にかかるメッキ処理
装置のメッキ処理槽の部分断面図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態にかかるメッキ処
理装置の配管系統図である。
理装置の配管系統図である。
【図３】 本発明の第１の実施の形態にかかるメッキ処
理槽の部分断面図である。
理槽の部分断面図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態にかかるメッキ処
理槽の部分断面図である。
理槽の部分断面図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態にかかるメッキ処
理槽の部分断面図である。
理槽の部分断面図である。
【図６】 （ａ） 本発明の第４の実施の形態にかかる
メッキ処理槽の部分断面図である。 （ｂ） 本発明の第４の実施の形態にかかるメッキ処理
液排出時のＯリングシール部分の拡大図である。 （ｃ） 本発明の第４の実施の形態にかかるメッキ処理
時のＯリングシール部分の拡大図である。
メッキ処理槽の部分断面図である。 （ｂ） 本発明の第４の実施の形態にかかるメッキ処理
液排出時のＯリングシール部分の拡大図である。 （ｃ） 本発明の第４の実施の形態にかかるメッキ処理
時のＯリングシール部分の拡大図である。
【図７】 従来のメッキ処理装置のメッキ処理槽の断面
図である。
図である。
１ メッキ処理槽、２ メッキ液貯蔵槽、３ メッキ液
供給配管、４ メッキ液排出配管、５ ドレイン配管、
６ ウエハ、７ メッキ液、８ メッキ処理槽本体部、
９ メッキ処理槽底部、１０ コンタクトピン、１１
Ｏリングシール、１２ 窒素ガス吹き出しレリーズ、１
３ 整流筒、１４ アノードメッシュ、１５ すのこ、
１６ 補助Ｏリングシール、１７ 第２のドレイン配
管、１８ポンプ、１９ ドレイン孔、２０ メッキ処理
浴。
供給配管、４ メッキ液排出配管、５ ドレイン配管、
６ ウエハ、７ メッキ液、８ メッキ処理槽本体部、
９ メッキ処理槽底部、１０ コンタクトピン、１１
Ｏリングシール、１２ 窒素ガス吹き出しレリーズ、１
３ 整流筒、１４ アノードメッシュ、１５ すのこ、
１６ 補助Ｏリングシール、１７ 第２のドレイン配
管、１８ポンプ、１９ ドレイン孔、２０ メッキ処理
浴。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−188247（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−162596（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−166697（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−176881（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−172974（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−49244（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−28340（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−294888（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C25D 5/08
C25D 7/12
C25D 17/00
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハ上面を上向きに載置するためのメ
ッキ処理槽底部と、上記ウエハ上面の周囲をシールする
シール手段を有し、該シール手段を介して上記ウエハ上
面に密閉可能なメッキ処理浴を形成するメッキ処理槽本
体部とからなるメッキ処理槽と、 上記メッキ処理浴を密閉して加圧するためのガス導入手
段と、 上記ガス導入手段により加圧された上記メッキ処理浴か
らメッキ液を排出するために、上記メッキ処理槽本体部
側壁から上記シール手段内部のウエハ上面近傍まで延長
された排出管を有するメッキ液排出手段とを有すること
を特徴とするメッキ処理装置。 - 【請求項２】 上記排出管が、上記メッキ処理浴内部の
周辺部に設けられることを特徴とする請求項１に記載の
メッキ処理装置。 - 【請求項３】 上記メッキ液排出手段が、上記メッキ処
理浴からメッキ液を吸引するための吸引手段を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載のメッキ処理装置。 - 【請求項４】 メッキ処理槽底部上にウエハ上面を上向
きに載置する工程と、 上記ウエハ上面の周囲をシールし、該ウエハ上面上にメ
ッキ液を保持するためのメッキ処理浴が形成されるよう
に、上記メッキ処理槽底部上にメッキ処理槽本体部を配
置する工程と、 上記ウエハ上面にメッキ層を堆積する工程と、 上記メッキ処理浴を密閉し、ガスを導入して加圧するこ
とにより、上記メッキ処理槽本体部側壁から上記シール
手段内部のウエハ上面近傍まで延長された排出管を有す
るメッキ液排出手段により上記ウエハ上面上のメッキ液
を排出する工程とを含むことを特徴とするメッキ処理方
法。 - 【請求項５】 メッキ処理槽底部上にウエハ上面を上向
きに載置する工程と、 上記ウエハ上面の周囲をシールし、該ウエハ上面上にメ
ッキ液を保持するためのメッキ処理浴が形成されるよう
に、上記メッキ処理槽底部上にメッキ処理槽本体部を配
置する工程と、 上記ウエハ上面にメッキ層を堆積する工程と、 上記メッキ処理槽本体部側壁から上記シール手段内部の
ウエハ上面近傍まで延長された排出管を有するメッキ液
排出手段により上記排出管を通して上記ウエハ上面上の
メッキ液を吸引する工程とを含むことを特徴とするメッ
キ処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03185497A JP3490238B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
| US08/891,870 US5853559A (en) | 1997-02-17 | 1997-07-09 | Apparatus for electroplating a semiconductor substrate |
| DE19738970A DE19738970C2 (de) | 1997-02-17 | 1997-09-05 | Vorrichtung und Verfahren zum Galvanisieren eines Halbleitersubstrats |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03185497A JP3490238B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10226896A JPH10226896A (ja) | 1998-08-25 |
| JP3490238B2 true JP3490238B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=12342647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03185497A Expired - Lifetime JP3490238B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
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| DE (1) | DE19738970C2 (ja) |
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- 1997-07-09 US US08/891,870 patent/US5853559A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-05 DE DE19738970A patent/DE19738970C2/de not_active Expired - Fee Related
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