JPH04177726A - シリコンウェーハ洗浄液の循環装置 - Google Patents
シリコンウェーハ洗浄液の循環装置Info
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- JPH04177726A JPH04177726A JP30381590A JP30381590A JPH04177726A JP H04177726 A JPH04177726 A JP H04177726A JP 30381590 A JP30381590 A JP 30381590A JP 30381590 A JP30381590 A JP 30381590A JP H04177726 A JPH04177726 A JP H04177726A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 78
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野)
本発明は、L、 S +などの2に板として広く用いら
れているシリコンウェーハー?!:洸かする洗浄液の循
環装置に関する。
れているシリコンウェーハー?!:洸かする洗浄液の循
環装置に関する。
〈従来の技術〉
シリコンウェーハ(以上、!1′Iにつ、ア、−ハと称
する)の製造−L稈において、多数枚のつr−−ハをカ
セット内に立ててエツチング処理を施し、その処理後、
残留して付着しているコーノチング液を除去するため、
カセン1−ごと洗浄槽浸漬し水洗などの洗浄処理をして
、つTL”−ハの表面?lIj浄度合高めている。
する)の製造−L稈において、多数枚のつr−−ハをカ
セット内に立ててエツチング処理を施し、その処理後、
残留して付着しているコーノチング液を除去するため、
カセン1−ごと洗浄槽浸漬し水洗などの洗浄処理をして
、つTL”−ハの表面?lIj浄度合高めている。
従来のこの種の洗浄装置は、第2図に示すように、洗浄
槽1とポンプ2.洗a1液タンク3などから構成され、
洗浄槽1の棚部4に複数枚のつ丁、−ハ5を収納したカ
ヒソト(jをM置して、そのjJ【部に設げられた供給
孔7から洗浄液タンク36□口lj゛えられたアンモニ
ア、過酸化水素、純水、塩酸tI′どの洗浄液をポンプ
2によ、J−こ供給管)(を介U7て交互に槽内に供給
して、ウェーハ5およびカセン16の洗浄を行う。
槽1とポンプ2.洗a1液タンク3などから構成され、
洗浄槽1の棚部4に複数枚のつ丁、−ハ5を収納したカ
ヒソト(jをM置して、そのjJ【部に設げられた供給
孔7から洗浄液タンク36□口lj゛えられたアンモニ
ア、過酸化水素、純水、塩酸tI′どの洗浄液をポンプ
2によ、J−こ供給管)(を介U7て交互に槽内に供給
して、ウェーハ5およびカセン16の洗浄を行う。
なお、その洗浄後の溶液は、洗浄槽1の上部からオーハ
フ111−で排出し、回収管9を介して洗浄液タンク3
に戻され、再度循環される。このような洗浄液の循環は
、洗浄にかかわるエンヂング反応が拡散律速の状態にあ
ることから、とくに重要である。
フ111−で排出し、回収管9を介して洗浄液タンク3
に戻され、再度循環される。このような洗浄液の循環は
、洗浄にかかわるエンヂング反応が拡散律速の状態にあ
ることから、とくに重要である。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上記したような洗浄液の循環に用いられるポ
ンプ2の型式は、通常へローズポンプあるいはダイヤフ
ラノ、ポンプなどの脈流の大きいポンプが用いられるこ
とから、ウェーハ5の洗浄に1、うができζその表面清
浄度にバラツキが生しるという問題がある。そのため、
洗浄時間などの洗浄条件を厳しく4ざるを得す、生産性
を低下さ・Uる原因よなっている。
ンプ2の型式は、通常へローズポンプあるいはダイヤフ
ラノ、ポンプなどの脈流の大きいポンプが用いられるこ
とから、ウェーハ5の洗浄に1、うができζその表面清
浄度にバラツキが生しるという問題がある。そのため、
洗浄時間などの洗浄条件を厳しく4ざるを得す、生産性
を低下さ・Uる原因よなっている。
また、洗浄液に混入する微粒子を除去する目的で、供給
管8にフィルタ10を取イ」ける場合があるが、その脈
流による圧力変動のためにフィルタ10の捕集効率が低
下するよい・う別の問題をも含んでいる。
管8にフィルタ10を取イ」ける場合があるが、その脈
流による圧力変動のためにフィルタ10の捕集効率が低
下するよい・う別の問題をも含んでいる。
本発明は、−1−記のような課題を解決すべくしてなさ
れたものであって、洗浄液を脈流のない一定流型で循環
さ−υ得る装置を捉イBすることを目的とする。
れたものであって、洗浄液を脈流のない一定流型で循環
さ−υ得る装置を捉イBすることを目的とする。
く課題を解決するだめの手段〉
木発明は、ツリコンウェーハを洗浄する洗汀1槽内に洗
浄液を循環する装置であって、複数の密閉型の洗浄液加
圧タンクと、これらの洗浄液加圧タンクに接続されて、
ガス供給切替弁を介して交Jl′に不活性ガスを供給し
て洗i/II液を加圧するガス放出りJ替介を備えた不
活性ガス供給管と、加圧された側の洗浄液加圧タンクの
洗浄液を(Jj給すJ替弁を介して洗浄槽に圧送する供
給管と、洗浄槽から1)1出される洗浄液を回収切替弁
を介して加圧されない側の洗浄液力11圧タンクに回収
する回収管とからなることを特徴とするシリ′:1ンウ
ェーハ洗浄液の循環装置である。
浄液を循環する装置であって、複数の密閉型の洗浄液加
圧タンクと、これらの洗浄液加圧タンクに接続されて、
ガス供給切替弁を介して交Jl′に不活性ガスを供給し
て洗i/II液を加圧するガス放出りJ替介を備えた不
活性ガス供給管と、加圧された側の洗浄液加圧タンクの
洗浄液を(Jj給すJ替弁を介して洗浄槽に圧送する供
給管と、洗浄槽から1)1出される洗浄液を回収切替弁
を介して加圧されない側の洗浄液力11圧タンクに回収
する回収管とからなることを特徴とするシリ′:1ンウ
ェーハ洗浄液の循環装置である。
〈作 用〉
本発明によれば、洗浄液の圧送動力源として不活性ガス
を用い、かつ複数の洗浄液加圧タンクを用いてその一部
を洗浄液の圧送用にまた他の−・部を回収用にしたので
、これらを切り替えて交互に使用することにより脈流の
ない洗浄液の圧送を実現することができる。
を用い、かつ複数の洗浄液加圧タンクを用いてその一部
を洗浄液の圧送用にまた他の−・部を回収用にしたので
、これらを切り替えて交互に使用することにより脈流の
ない洗浄液の圧送を実現することができる。
〈実施例〉
以下に、本発明の実施例について、第1図を参照して訂
しく説明する。
しく説明する。
図に示すよ・うに、木発明の洗浄液循環装置には2個の
密閉型の洗浄液加圧タンク3a、3bが設けられ、供給
切替弁1ia、I]bを取イ」けた供給分岐管8a、8
bを介して供給管8に、また回収切替弁12a、12b
を取付りた回収分岐管9a、9bを介して回収管9にそ
れぞれ接続される。
密閉型の洗浄液加圧タンク3a、3bが設けられ、供給
切替弁1ia、I]bを取イ」けた供給分岐管8a、8
bを介して供給管8に、また回収切替弁12a、12b
を取付りた回収分岐管9a、9bを介して回収管9にそ
れぞれ接続される。
これら洗浄液加圧タンク3a、3b4こは、洗浄液を加
圧するだめのたとえばN2などの不活性ガスを供給する
不活性ガス供給管j3がそのガス分岐管13a、13b
に取イ1りられるガス供給切替ブt、+4a。
圧するだめのたとえばN2などの不活性ガスを供給する
不活性ガス供給管j3がそのガス分岐管13a、13b
に取イ1りられるガス供給切替ブt、+4a。
171bを介して接続される。
なお、これらガス供給切替弁14a、14bの出側にG
′、I不活性ガスを放出するガス放出切替弁15a。
′、I不活性ガスを放出するガス放出切替弁15a。
15bが取イ;Jりられる。
また、洗浄液加圧タンク3a、3bの底部ムこは1ノ1
液弁16a、+6bが取イτ1りられる。
液弁16a、+6bが取イτ1りられる。
さらに、回収イ[9の途中には、回収される洗浄液の温
度を−・定に調整するための加熱ヒータあるいはクーラ
などの熱交換器17が取石1りられる。
度を−・定に調整するための加熱ヒータあるいはクーラ
などの熱交換器17が取石1りられる。
ごこで、洗浄液加圧タンク3a、、’Jbの容j7fに
ついては、1分間の送液量に対して0.1倍以上であれ
ばよく、とくに0.5倍以上が好ましい。その理由は、
0.1倍未満では頻繁にタンクの切り替えを行う必要が
あるからである。なお、上限はとくに制限する必要がな
く大きくζも問題はない。
ついては、1分間の送液量に対して0.1倍以上であれ
ばよく、とくに0.5倍以上が好ましい。その理由は、
0.1倍未満では頻繁にタンクの切り替えを行う必要が
あるからである。なお、上限はとくに制限する必要がな
く大きくζも問題はない。
このように構成された供給切+)ブpHa、llb、回
収切替弁12a、12+)、ガス供給切?L(T’14
a、 14b、ガス放出切替弁+5a、15bはそれぞ
れ、洗′/i?液循環制御装置1Bによって以下のよう
な切り替え動作を行って、洗浄液を?+’i環する。
収切替弁12a、12+)、ガス供給切?L(T’14
a、 14b、ガス放出切替弁+5a、15bはそれぞ
れ、洗′/i?液循環制御装置1Bによって以下のよう
な切り替え動作を行って、洗浄液を?+’i環する。
いま、洗浄液加圧タンク3aに洗浄液を充満しζおき、
洗浄液加圧タンクJ31)は空きの状態と−ノる。そし
て、供給切替′:B11a、11b、回収切替ブ↑]、
2a、+2b、ガス供給切替弁14a、11b、ガス放
出切替弁15a、15bはずべて閉止の状態としておく
。
洗浄液加圧タンクJ31)は空きの状態と−ノる。そし
て、供給切替′:B11a、11b、回収切替ブ↑]、
2a、+2b、ガス供給切替弁14a、11b、ガス放
出切替弁15a、15bはずべて閉止の状態としておく
。
まず、ガス供給切替弁14aを開放して洗浄液加圧タン
ク3aを不活性ガスで加圧し、供給切替ブ↑11aを開
放して洗浄液加圧タンク3aの洗浄液を供給分岐管8a
、供給管8.フィルタ10を介して洗浄槽1に供給して
、槽内に載置されたウェーハ5およびカセット6の洗浄
を行う。同時に、ガス放出切替弁]、5bを開放の状態
にするとともに、回収切替弁12bを開放して、洗浄槽
1からオーバフローした洗浄液を回収管9を経て熱交換
器17で所定の温度に調整しながら回収分岐管9bを介
して洗浄液加圧タンク3bに回収する。
ク3aを不活性ガスで加圧し、供給切替ブ↑11aを開
放して洗浄液加圧タンク3aの洗浄液を供給分岐管8a
、供給管8.フィルタ10を介して洗浄槽1に供給して
、槽内に載置されたウェーハ5およびカセット6の洗浄
を行う。同時に、ガス放出切替弁]、5bを開放の状態
にするとともに、回収切替弁12bを開放して、洗浄槽
1からオーバフローした洗浄液を回収管9を経て熱交換
器17で所定の温度に調整しながら回収分岐管9bを介
して洗浄液加圧タンク3bに回収する。
ついで、図示しないレベル酊によって洗浄液加圧タンク
3bの洗浄液のレベルが所定の値に達したことを検出し
たら、ガス放出切替弁15bを閉止してからガス供給切
替ブ↑14bを開放して、洗浄液加圧タンク3bを不活
性ガスで加圧し、供給切替弁11bを開放して洗浄液加
圧タンク31〕の洗/’f+ 液を供給分岐管8b、供
給管8.フィルタ10を介して洗浄槽1に供給する。同
時に、供給切替弁11ン]とガス(Jj給切替弁J4a
を閉IJ−1j二だガス放出切替弁15aを開放の状態
にして、洗浄液加圧タンク3aからの洗浄液の供給を停
止するとともに、回収切替弁12aを開放してから回収
切替弁12bを閉止しζ、洗浄槽1からの洗浄液を洗浄
液加圧タンク3aに回収する。
3bの洗浄液のレベルが所定の値に達したことを検出し
たら、ガス放出切替弁15bを閉止してからガス供給切
替ブ↑14bを開放して、洗浄液加圧タンク3bを不活
性ガスで加圧し、供給切替弁11bを開放して洗浄液加
圧タンク31〕の洗/’f+ 液を供給分岐管8b、供
給管8.フィルタ10を介して洗浄槽1に供給する。同
時に、供給切替弁11ン]とガス(Jj給切替弁J4a
を閉IJ−1j二だガス放出切替弁15aを開放の状態
にして、洗浄液加圧タンク3aからの洗浄液の供給を停
止するとともに、回収切替弁12aを開放してから回収
切替弁12bを閉止しζ、洗浄槽1からの洗浄液を洗浄
液加圧タンク3aに回収する。
このようにして、洗浄液循環制御装置1Bによって各切
替弁をそれぞれ交互に切り替えて、洗浄法加圧タンク3
a、3bを交互に加圧しながら洗浄槽1へ洗浄液を供給
するごとにより、洗浄液が脈流することなく平滑的に供
給することができる。
替弁をそれぞれ交互に切り替えて、洗浄法加圧タンク3
a、3bを交互に加圧しながら洗浄槽1へ洗浄液を供給
するごとにより、洗浄液が脈流することなく平滑的に供
給することができる。
なお、」二記実施例に用いられる各切替弁は空気圧式や
電磁式などいずれでもよく、さらに3方弁あるいは4方
弁などを用いることにより切り替え操作を単純化するこ
とができる。ただし、弁体の材質としては装置の性質」
二から発塵性に十分苦慮する必要がある。
電磁式などいずれでもよく、さらに3方弁あるいは4方
弁などを用いることにより切り替え操作を単純化するこ
とができる。ただし、弁体の材質としては装置の性質」
二から発塵性に十分苦慮する必要がある。
また、上記実施例において洗浄液加圧タンクを2個用い
るとして説明したが、数が多くすることによりさらに平
滑化を図ることが可能である。
るとして説明したが、数が多くすることによりさらに平
滑化を図ることが可能である。
さらに、洗浄液加圧タンクの切り替えのタイミングは洗
浄液タンクのレベルを基4Fにするとして説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、たとえばタイ
マを用いて所定の時間が経過したら切り替えるようにし
てもよい。
浄液タンクのレベルを基4Fにするとして説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、たとえばタイ
マを用いて所定の時間が経過したら切り替えるようにし
てもよい。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明によれば、洗浄槽への洗浄液
の供給を脈流なしに平滑的に行うことができるから、ウ
ェーハの表面清浄度を高めることができるとともに、フ
ィルタの捕集効率をも高めることができるから、ウェー
ハの生産性および品質の向上が期待される。
の供給を脈流なしに平滑的に行うことができるから、ウ
ェーハの表面清浄度を高めることができるとともに、フ
ィルタの捕集効率をも高めることができるから、ウェー
ハの生産性および品質の向上が期待される。
第1図は本発明の実施例の概要を示す構成図、第2図は
従来例の概要を一部断面で示す構成図である。 ]・・・洗浄槽1.、 3a、3t〕・・・洗浄液加
圧タンク、 8・・・供給管、 9・・・回収管、
10・・・フィルタ、 Ila、l1b−・・供給切
替弁、 12a、l2b・・・回収切替弁、13・・
・不活1ソ1ガス供給管。 14a、14b−ガス供給切替弁、 15a、15b
・・ガス放出切替弁、 16a、16b=lJl液弁
、17・・・熱交換器、18・・・洗浄液循環側′4′
6Vl装置。 特許出願人 川崎製鉄株式会社
従来例の概要を一部断面で示す構成図である。 ]・・・洗浄槽1.、 3a、3t〕・・・洗浄液加
圧タンク、 8・・・供給管、 9・・・回収管、
10・・・フィルタ、 Ila、l1b−・・供給切
替弁、 12a、l2b・・・回収切替弁、13・・
・不活1ソ1ガス供給管。 14a、14b−ガス供給切替弁、 15a、15b
・・ガス放出切替弁、 16a、16b=lJl液弁
、17・・・熱交換器、18・・・洗浄液循環側′4′
6Vl装置。 特許出願人 川崎製鉄株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコンウェーハを洗浄する洗浄槽内に洗浄液を循環
する装置であって、 複数の密閉型の洗浄液加圧タンクと、 これらの洗浄液加圧タンクに接続されて、ガス供給切替
弁を介して交互に不活性ガスを供給して洗浄液を加圧す
るガス放出切替弁を備えた不活性ガス供給管と、 加圧された側の洗浄液加圧タンクの洗浄液を供給切替弁
を介して洗浄槽に圧送する供給管と、洗浄槽から排出さ
れる洗浄液を回収切替弁を介して加圧されない側の洗浄
液加圧タンクに回収する回収管と、 からなることを特徴とするシリコンウェーハ洗浄液の循
環装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30381590A JPH04177726A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | シリコンウェーハ洗浄液の循環装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30381590A JPH04177726A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | シリコンウェーハ洗浄液の循環装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04177726A true JPH04177726A (ja) | 1992-06-24 |
Family
ID=17925637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30381590A Pending JPH04177726A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | シリコンウェーハ洗浄液の循環装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04177726A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19701971C1 (de) * | 1997-01-22 | 1998-11-26 | Invent Gmbh Entwicklung Neuer Technologien | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Substratoberflächen |
US6415803B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-07-09 | Z Cap, L.L.C. | Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning with reuse of chemicals |
KR20020082317A (ko) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | 주식회사 윌비에스엔티 | 웨이퍼 세척 시 유체의 급속공급 및 급속회수 장치 |
KR100495400B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2005-06-14 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 반도체기판의 약액처리장치 |
JP2009099737A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給ユニット、液処理装置、処理液供給方法および記憶媒体 |
JP2017064671A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 有限会社タクショー | 鋼板用クリーナ装置 |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP30381590A patent/JPH04177726A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19701971C1 (de) * | 1997-01-22 | 1998-11-26 | Invent Gmbh Entwicklung Neuer Technologien | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Substratoberflächen |
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KR100495400B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2005-06-14 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 반도체기판의 약액처리장치 |
JP2009099737A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給ユニット、液処理装置、処理液供給方法および記憶媒体 |
KR101308276B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2013-09-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 유닛, 액처리 장치, 처리액 공급 방법 및 기억매체 |
JP2017064671A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 有限会社タクショー | 鋼板用クリーナ装置 |
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