JPH06188247A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH06188247A JPH06188247A JP33993492A JP33993492A JPH06188247A JP H06188247 A JPH06188247 A JP H06188247A JP 33993492 A JP33993492 A JP 33993492A JP 33993492 A JP33993492 A JP 33993492A JP H06188247 A JPH06188247 A JP H06188247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- semiconductor substrate
- anode
- cathode pin
- plating liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキの欠落や形状不良のないバンプを有す
る半導体基板の製造装置を提供する。 【構成】 半導体基板表面を上方に向け、かつ、半導体
基板に接触するカソードピンをパッキン内に埋め込み、
その先端を半導体基板に接触させた状態で電解メッキを
行い、このメッキ液排出液をアノードの高さより高い位
置から排出する。
る半導体基板の製造装置を提供する。 【構成】 半導体基板表面を上方に向け、かつ、半導体
基板に接触するカソードピンをパッキン内に埋め込み、
その先端を半導体基板に接触させた状態で電解メッキを
行い、このメッキ液排出液をアノードの高さより高い位
置から排出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の製造方法に
関し、更に詳しくは外部接続のための取り出し口となる
突起電極（以下、バンプと称する）形成のための製造方
法に関する。
関し、更に詳しくは外部接続のための取り出し口となる
突起電極（以下、バンプと称する）形成のための製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の製造方法に用いられる製造
装置の概略断面図である。以下に、この図面を参照しな
がら説明する。
装置の概略断面図である。以下に、この図面を参照しな
がら説明する。
【０００３】従来例に用いられる製造装置には、メッキ
槽３０の内部の管部３１の上端にアノード３５が設けら
れ、円筒形のメッキ槽３０の頂部の周囲には等間隔に離
れた複数個の突出部３２が一体に設けられている。これ
らの突出部３２の内周面には同一高さの段部３４があ
り、そこに被メッキ物として半導体基板３８がカソード
ピンと接続される。
槽３０の内部の管部３１の上端にアノード３５が設けら
れ、円筒形のメッキ槽３０の頂部の周囲には等間隔に離
れた複数個の突出部３２が一体に設けられている。これ
らの突出部３２の内周面には同一高さの段部３４があ
り、そこに被メッキ物として半導体基板３８がカソード
ピンと接続される。
【０００４】このような構成の半導体基板の製造装置を
用いてバンプをメッキ形成する方法を以下に説明する。
半導体基板３８の表面を下向きにセットする。メッキ液
を管部３１から流入する。このメッキヘッド下部より流
入したメッキ液は半導体基板表面に達した後、メッキヘ
ッドと半導体基板３８との隙間より流出する。
用いてバンプをメッキ形成する方法を以下に説明する。
半導体基板３８の表面を下向きにセットする。メッキ液
を管部３１から流入する。このメッキヘッド下部より流
入したメッキ液は半導体基板表面に達した後、メッキヘ
ッドと半導体基板３８との隙間より流出する。
【０００５】この状態で、アノード３５とカソードピン
３３との間に電圧を印加することにより半導体基板３８
上にバンプをメッキ形成する。
３３との間に電圧を印加することにより半導体基板３８
上にバンプをメッキ形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体基板
上にバンプを形成する場合、半導体基板上はバンプメッ
キ用レジストで覆われており、バンプを形成する部分の
み窓開けされている。
上にバンプを形成する場合、半導体基板上はバンプメッ
キ用レジストで覆われており、バンプを形成する部分の
み窓開けされている。
【０００７】従来例の場合、下に向けた半導体基板上に
メッキ液を吹き上げるために、メッキスタート時に窓開
け部分に空気が残留したり、メッキ液中に存在する気泡
が新たに窓開け部分に付着したりすることにより、メッ
キの欠落や形状不良が発生するという問題があった。ま
た、図３に示す形状のメッキヘッドを用いた場合、メッ
キ用レジスト（図示せず）の膜厚が１０μｍ以上の厚い
場合では、カソードピン３３がレジストをうまく突き抜
けることが出来ず、矢附で示す（一点鎖線部分）箇所に
コンタクト不良が生じたり、また、異常析出やメッキ厚
不足が生じるといった問題が生じていた。さらに、コン
タクト部分のレジストを除去することによりカソードピ
ン３３とのコンタクトを良好にしようとした場合、メッ
キ時にレジスト除去部分もメッキされてしまうという問
題もあった。
メッキ液を吹き上げるために、メッキスタート時に窓開
け部分に空気が残留したり、メッキ液中に存在する気泡
が新たに窓開け部分に付着したりすることにより、メッ
キの欠落や形状不良が発生するという問題があった。ま
た、図３に示す形状のメッキヘッドを用いた場合、メッ
キ用レジスト（図示せず）の膜厚が１０μｍ以上の厚い
場合では、カソードピン３３がレジストをうまく突き抜
けることが出来ず、矢附で示す（一点鎖線部分）箇所に
コンタクト不良が生じたり、また、異常析出やメッキ厚
不足が生じるといった問題が生じていた。さらに、コン
タクト部分のレジストを除去することによりカソードピ
ン３３とのコンタクトを良好にしようとした場合、メッ
キ時にレジスト除去部分もメッキされてしまうという問
題もあった。
【０００８】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、メッキの欠落や形状不良のない半導
体基板の製造装置を提供することを目的とする。
されたものであり、メッキの欠落や形状不良のない半導
体基板の製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体基板の製造方法は、半導体基板を
載置する半導体支持部とメッキ液供給手段及びアノード
を備えたメッキヘッド本体とが接合されてなるメッキ槽
の内部に、メッキすべき半導体基板を設置し、その半導
体基板表面をメッキ液に晒し、かつ、半導体基板にカソ
ードピンを接触させた状態で、そのカソードピン及び上
記アノード間に電位差を与えることにより電解メッキを
行って上記半導体基板の所定部分に突起電極を形成する
方法において、上記半導体基板表面を上方に向けて載置
するとともに、上記半導体支持部とメッキヘッド本体と
の接合をパッキンを介して行い、上記カソードピンの先
端を上記半導体基板表面に接触させた状態で当該カソー
ドピンを上記パッキン内に埋め込み、かつ、排出すべき
メッキ液を上記アノードの上方位置より排出することに
よって特徴付けられる。
めに、本発明の半導体基板の製造方法は、半導体基板を
載置する半導体支持部とメッキ液供給手段及びアノード
を備えたメッキヘッド本体とが接合されてなるメッキ槽
の内部に、メッキすべき半導体基板を設置し、その半導
体基板表面をメッキ液に晒し、かつ、半導体基板にカソ
ードピンを接触させた状態で、そのカソードピン及び上
記アノード間に電位差を与えることにより電解メッキを
行って上記半導体基板の所定部分に突起電極を形成する
方法において、上記半導体基板表面を上方に向けて載置
するとともに、上記半導体支持部とメッキヘッド本体と
の接合をパッキンを介して行い、上記カソードピンの先
端を上記半導体基板表面に接触させた状態で当該カソー
ドピンを上記パッキン内に埋め込み、かつ、排出すべき
メッキ液を上記アノードの上方位置より排出することに
よって特徴付けられる。
【００１０】
【作用】半導体基板表面を上方に向けた状態では、メッ
キ窓開け部分に残留した空気は抜けやすく、また、メッ
キ液中に存在する気泡が半導体基板に付着しにくい。
キ窓開け部分に残留した空気は抜けやすく、また、メッ
キ液中に存在する気泡が半導体基板に付着しにくい。
【００１１】また、カソードピンはその先端のみを半導
体基板に接触するようにし、また先端以外のカソードピ
ンの周囲部分はパッキンによって保護されているので、
そのカソードピンの周囲部分にはメッキは成長しない。
体基板に接触するようにし、また先端以外のカソードピ
ンの周囲部分はパッキンによって保護されているので、
そのカソードピンの周囲部分にはメッキは成長しない。
【００１２】また、メッキ排出液をアノードより高い位
置から排出するようにしたので、アノードとカソードピ
ン間のメッキ槽内は常にメッキ液が充満した状態とな
る。
置から排出するようにしたので、アノードとカソードピ
ン間のメッキ槽内は常にメッキ液が充満した状態とな
る。
【００１３】
【実施例】図１は本発明実施例を実施するにあたり用い
られる製造装置の全体構成を示す概略断面図である。以
下この図面を参照しながら本発明実施例を説明する。
られる製造装置の全体構成を示す概略断面図である。以
下この図面を参照しながら本発明実施例を説明する。
【００１４】本発明実施例に用いられる製造装置は、図
２（ａ）に示す半導体基板支持部と、図２（ｂ）に示す
メッキヘッド本体の２つの部分からなる。まず、半導体
支持部１上には半導体基板８が載置され、半導体基板８
の表面は上方に向けられている。
２（ａ）に示す半導体基板支持部と、図２（ｂ）に示す
メッキヘッド本体の２つの部分からなる。まず、半導体
支持部１上には半導体基板８が載置され、半導体基板８
の表面は上方に向けられている。
【００１５】メッキヘッド本体９は、この半導体支持部
１と接合してメッキ槽を形成する。この場合、メッキヘ
ッド本体９の側壁部と半導体基板支持部１及び半導体基
板の周縁部分とが、パッキン２を介して接合されてい
る。このパッキン２は、メッキ液を循環した時にメッキ
液が漏れないように設けられたものである。このパッキ
ン２は、メッキヘッド本体９側に固着されており、例え
ば塩化ビニル樹脂やポリエチレン等の弾性の大きい高分
子材料であるエラストマが用いられている。また、カソ
ードピン３はパッキン２中に埋め込まれ、カソードピン
３の先端が半導体基板８に接触するように埋め込まれて
おり、カソードピン３の周囲はパッキン２によって保護
された状態になっている。メッキヘッド本体９には、半
導体基板８に対向する上方にアノード５が設けられてお
り、さらにこのアノード５にはメッキ液を供給する管部
１０が接続され、その管部１０の最上部には途中にエア
ー抜き４が設けられている。このエアー抜き４を最上部
に設けることにより、管部１０及びメッキ液内の空気を
収集し易くしており、液面センサ（図示せず）によりメ
ッキ液面を検知して、その液面上に溜まった空気を電磁
弁により自動的に排出する。
１と接合してメッキ槽を形成する。この場合、メッキヘ
ッド本体９の側壁部と半導体基板支持部１及び半導体基
板の周縁部分とが、パッキン２を介して接合されてい
る。このパッキン２は、メッキ液を循環した時にメッキ
液が漏れないように設けられたものである。このパッキ
ン２は、メッキヘッド本体９側に固着されており、例え
ば塩化ビニル樹脂やポリエチレン等の弾性の大きい高分
子材料であるエラストマが用いられている。また、カソ
ードピン３はパッキン２中に埋め込まれ、カソードピン
３の先端が半導体基板８に接触するように埋め込まれて
おり、カソードピン３の周囲はパッキン２によって保護
された状態になっている。メッキヘッド本体９には、半
導体基板８に対向する上方にアノード５が設けられてお
り、さらにこのアノード５にはメッキ液を供給する管部
１０が接続され、その管部１０の最上部には途中にエア
ー抜き４が設けられている。このエアー抜き４を最上部
に設けることにより、管部１０及びメッキ液内の空気を
収集し易くしており、液面センサ（図示せず）によりメ
ッキ液面を検知して、その液面上に溜まった空気を電磁
弁により自動的に排出する。
【００１６】以上の構成の半導体基板の製造装置の動作
を、図１を参照しながら以下に説明する。メッキ液は図
面の矢附に示すように、エアー抜き４及び管部１０を通
り、アノード５を介してメッキヘッド内に入り、半導体
基板８の表面上に達する。メッキ液を循環させる場合、
当初はエアー抜き４にからメッキヘッド内にかけて空気
が残るが、エアー抜き４によって管部１０内の空気は除
去される。このように半導体基板８表面上にメッキ液が
供給される場合、この半導体基板８表面上に空気が触れ
ることがない。このメッキ液はさらにメッキ液排出ライ
ン６を介してメッキ液排出口７から外部に排出される。
このようにメッキ液は循環を繰り返す。
を、図１を参照しながら以下に説明する。メッキ液は図
面の矢附に示すように、エアー抜き４及び管部１０を通
り、アノード５を介してメッキヘッド内に入り、半導体
基板８の表面上に達する。メッキ液を循環させる場合、
当初はエアー抜き４にからメッキヘッド内にかけて空気
が残るが、エアー抜き４によって管部１０内の空気は除
去される。このように半導体基板８表面上にメッキ液が
供給される場合、この半導体基板８表面上に空気が触れ
ることがない。このメッキ液はさらにメッキ液排出ライ
ン６を介してメッキ液排出口７から外部に排出される。
このようにメッキ液は循環を繰り返す。
【００１７】メッキ液がアノード５と半導体基板８の間
を常に隙間なく循環している状態でアノード５及びカソ
ードピン３に電流を流すことにより、例えば、Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｐｂ／Ｓｎ等の電解メッキが行われ
る。またこの場合、半導体基板８とパッキン２が接触す
る部分のレジストをあらかじめ除去しておくことによ
り、パッキン２の中を通してあるカソードピン３と半導
体基板８は十分コンタクトをとることができ、しかもカ
ソードピン３はパッキン２に保護されているので、メッ
キされることはない。このようにして、半導体基板８の
所定部分にバンプを形成することができる。
を常に隙間なく循環している状態でアノード５及びカソ
ードピン３に電流を流すことにより、例えば、Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｐｂ／Ｓｎ等の電解メッキが行われ
る。またこの場合、半導体基板８とパッキン２が接触す
る部分のレジストをあらかじめ除去しておくことによ
り、パッキン２の中を通してあるカソードピン３と半導
体基板８は十分コンタクトをとることができ、しかもカ
ソードピン３はパッキン２に保護されているので、メッ
キされることはない。このようにして、半導体基板８の
所定部分にバンプを形成することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体基
板の製造方法によれば、半導体基板表面を上方に向け、
かつ、半導体基板に接触するカソードピンをパッキン内
に埋め込み、その先端を半導体基板に接触させた状態で
電解メッキを行い、このメッキ液排出液をアノードの高
さより高い位置から排出するようにしたので、メッキを
良好に行うことができ、メッキの欠落や形状不良等の異
常を低減することが可能となる。
板の製造方法によれば、半導体基板表面を上方に向け、
かつ、半導体基板に接触するカソードピンをパッキン内
に埋め込み、その先端を半導体基板に接触させた状態で
電解メッキを行い、このメッキ液排出液をアノードの高
さより高い位置から排出するようにしたので、メッキを
良好に行うことができ、メッキの欠落や形状不良等の異
常を低減することが可能となる。
【図１】本発明実施例に用いられる製造装置の全体構成
を示す概略断面図
を示す概略断面図
【図２】本発明実施例に用いられる製造装置を分割して
示す概略断面図
示す概略断面図
【図３】従来例に用いられる製造装置をの概略断面図
１・・・・半導体基板支持部 ２・・・・パッキン ３・・・・カソードピン ４・・・・エアー抜き ５・・・・アノード ６・・・・メッキ液排出ライン ７・・・・メッキ液排出口 ８・・・・半導体基板 ９・・・・メッキヘッド本体 １０・・・・管部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を載置する半導体支持部とメ
ッキ液供給手段及びアノードを備えたメッキヘッド本体
とが接合されてなるメッキ槽の内部に、メッキすべき半
導体基板を設置し、その半導体基板表面をメッキ液に晒
し、かつ、半導体基板にカソードピンを接触させた状態
で、そのカソードピン及び上記アノード間に電位差を与
えることにより電解メッキを行って上記半導体基板の所
定部分に突起電極を形成する方法において、上記半導体
基板表面を上方に向けて載置するとともに、上記半導体
支持部とメッキヘッド本体との接合をパッキンを介して
行い、上記カソードピンの先端を上記半導体基板表面に
接触させた状態で当該カソードピンを上記パッキン内に
埋め込み、かつ、排出すべきメッキ液を上記アノードの
上方位置より排出することを特徴とする半導体基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33993492A JPH06188247A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33993492A JPH06188247A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188247A true JPH06188247A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18332145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33993492A Pending JPH06188247A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853559A (en) * | 1997-02-17 | 1998-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for electroplating a semiconductor substrate |
| JP2002173794A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Electroplating Eng Of Japan Co | カップ式めっき装置 |
| DE19861248B4 (de) * | 1997-04-28 | 2005-03-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Wafers |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP33993492A patent/JPH06188247A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853559A (en) * | 1997-02-17 | 1998-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for electroplating a semiconductor substrate |
| DE19861248B4 (de) * | 1997-04-28 | 2005-03-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Wafers |
| JP2002173794A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Electroplating Eng Of Japan Co | カップ式めっき装置 |
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