JPS58182823A - 半導体ウエハ−のメツキ装置 - Google Patents
半導体ウエハ−のメツキ装置Info
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- JPS58182823A JPS58182823A JP6682182A JP6682182A JPS58182823A JP S58182823 A JPS58182823 A JP S58182823A JP 6682182 A JP6682182 A JP 6682182A JP 6682182 A JP6682182 A JP 6682182A JP S58182823 A JPS58182823 A JP S58182823A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハーのメッキ装置にかが９、とくに
半導体ウェハー表面に配線材料としての金属ｉｔ、ｔａ
メッキ形成する半導体ウニ・・−のメッキ装置に関する
ものである。
半導体ウェハー表面に配線材料としての金属ｉｔ、ｔａ
メッキ形成する半導体ウニ・・−のメッキ装置に関する
ものである。
半導体ウェハー表面に、配線材料としての例えば金又は
銅等全電解メッキ形成する工程は、例えばビームリード
型ＩＣ，バンプ型ＩＣの製造工程で行なわれている。
銅等全電解メッキ形成する工程は、例えばビームリード
型ＩＣ，バンプ型ＩＣの製造工程で行なわれている。
半導体ウェハーに対する従来のメッキ装置の構造全第１
図に示す。図中１１はテフロン等よりなるメッキ都本体
、１２はメッキ時の負（−）電極となるいわゆるカソー
ド電極部ｓ １２ａ はカソード電極部１２と導通
させた牛導体つェノ１−の支持部で、メッキ用マスク材
（通常ホトレジスト）導通じて半導体ウェハー表面（メ
ッキ面）へメッキ電流全供給する必要から針状に形成さ
れている。
図に示す。図中１１はテフロン等よりなるメッキ都本体
、１２はメッキ時の負（−）電極となるいわゆるカソー
ド電極部ｓ １２ａ はカソード電極部１２と導通
させた牛導体つェノ１−の支持部で、メッキ用マスク材
（通常ホトレジスト）導通じて半導体ウェハー表面（メ
ッキ面）へメッキ電流全供給する必要から針状に形成さ
れている。
なお、支持部１２ａはメッキ耶本体１１の開口線に、一
定間隔を置いて３〜４個所に設けられ九ものである。１
３はメッキ時の正（＋）電極となるいわゆるアノード電
極部で、半導体ウェハー１５の被メッキ面と対面してメ
ッキ部本体１１内に配設された網状体１３１に有してい
る。１４は支持部１２ａ上に半導体ウェハー全圧接して
カソード電極１２に半導体ウェハー金導通させる押えバ
ネ、１５はメッキ配線を形成しようとする被メ、キ部分
を有する半導体ウェハー、１６はメッキ液の流れ状況を
示す。
定間隔を置いて３〜４個所に設けられ九ものである。１
３はメッキ時の正（＋）電極となるいわゆるアノード電
極部で、半導体ウェハー１５の被メッキ面と対面してメ
ッキ部本体１１内に配設された網状体１３１に有してい
る。１４は支持部１２ａ上に半導体ウェハー全圧接して
カソード電極１２に半導体ウェハー金導通させる押えバ
ネ、１５はメッキ配線を形成しようとする被メ、キ部分
を有する半導体ウェハー、１６はメッキ液の流れ状況を
示す。
このような従来技術のメッキ装置を用いて半導体ウェハ
ー１５の表面被メツキ部分にメッキ配線全形成すると、
被着されたメッキ金属のウェハー内における膜厚分布が
悪く通常ウェハー中央部で厚く、周辺部で薄い状況を示
し、２〜３ミクロン程度の被着厚に対し±５０％程度の
精度しか得られない欠点があった。
ー１５の表面被メツキ部分にメッキ配線全形成すると、
被着されたメッキ金属のウェハー内における膜厚分布が
悪く通常ウェハー中央部で厚く、周辺部で薄い状況を示
し、２〜３ミクロン程度の被着厚に対し±５０％程度の
精度しか得られない欠点があった。
メッキ装置におけるメッキ都の構造においては。
メッキ厚分布に重要なかかわりのある被メツキ面近傍で
のメッキ金属のイオン濃度の均一化が重要であるが第１
図に示される従来構造ではメッキ金属のイオン濃度の均
一化に対するコントロール性に欠けることがメッキ厚分
布を悪くする原因となっている。
のメッキ金属のイオン濃度の均一化が重要であるが第１
図に示される従来構造ではメッキ金属のイオン濃度の均
一化に対するコントロール性に欠けることがメッキ厚分
布を悪くする原因となっている。
本発明は上記問題点を解消するもので、１）アノード電
極部の被メッキ面と対向する網状体部にテフロン等（材
料は絶縁物）よりなる分布補正板を有する、２）メッキ
時の正（＋）電極に接続（アノード電極と同電位）され
る第２の正電極（補助電極として）全メッキ部本体の内
壁に沿って配置すること全％徴とする。
極部の被メッキ面と対向する網状体部にテフロン等（材
料は絶縁物）よりなる分布補正板を有する、２）メッキ
時の正（＋）電極に接続（アノード電極と同電位）され
る第２の正電極（補助電極として）全メッキ部本体の内
壁に沿って配置すること全％徴とする。
以下本発明の実施例金弟２図によって説明する。
第２図において、２１はテフロン等よりなるメッキ都本
体、２２はメッキ時の負（−）電極となるーわゆるカソ
ード電極部、２２ａはカソード電極と導通させた半導体
ウェハーの支持部で被メッキ面へメッキ電流會供給する
必要から針状に形成されている。なお支持部２２ａはメ
ツ中部本体２１の開口縁に一定間隔全ｉ１ｂて３〜４個
所に設けられたものである。２３はメッキ時の正（＋）
電極となるいわゆるアノード電極部で半導体ウェハー２
５の被メッキ面と対面してメッキ都不体２１内に設置さ
れた網状体２３ａを有している。２４は支持部２２ａ上
で半導体ウェハーを圧接してカソード電極２２ＶＣ半導
体ウニ八〜を導通させる押えバネである以上の点までは
従来と同じである。本発明においては前記のアノード電
極の網状体２３ａの上面にテフロン等の絶縁材からなる
分布補正板２７（図の例では中央部が穴空けされてなる
円板）全設置する、アノード電極２３に接続（アノード
電極と同電位）される第２の正電極（補助電極）２８全
メッキ部本体２１の内壁に沿って設置するものである。
体、２２はメッキ時の負（−）電極となるーわゆるカソ
ード電極部、２２ａはカソード電極と導通させた半導体
ウェハーの支持部で被メッキ面へメッキ電流會供給する
必要から針状に形成されている。なお支持部２２ａはメ
ツ中部本体２１の開口縁に一定間隔全ｉ１ｂて３〜４個
所に設けられたものである。２３はメッキ時の正（＋）
電極となるいわゆるアノード電極部で半導体ウェハー２
５の被メッキ面と対面してメッキ都不体２１内に設置さ
れた網状体２３ａを有している。２４は支持部２２ａ上
で半導体ウェハーを圧接してカソード電極２２ＶＣ半導
体ウニ八〜を導通させる押えバネである以上の点までは
従来と同じである。本発明においては前記のアノード電
極の網状体２３ａの上面にテフロン等の絶縁材からなる
分布補正板２７（図の例では中央部が穴空けされてなる
円板）全設置する、アノード電極２３に接続（アノード
電極と同電位）される第２の正電極（補助電極）２８全
メッキ部本体２１の内壁に沿って設置するものである。
２５はメッキ配線形成しようとする被メツキ部分を有す
る半導体ウェハー、２６はメッキ液の流れ状況をそれぞ
れ示す。
る半導体ウェハー、２６はメッキ液の流れ状況をそれぞ
れ示す。
不発明によれば、メッキ被着する金属のウェハー内分布
に関し、アノード電極の網状体部に取り付けた分布補正
板２７はメッキ液の流れをコントロールし、メッキ部本
体内壁に配置しアノード電極と同電位にした補助電極板
２８はウェハー周辺のメッキ厚分布を補正する効果全有
し、この分布補正板と補助電極板は、メッキ金属のイオ
ン濃度にかかわりウェハーとメッキ液界面で収集し得る
メッキ電流（＝電１流密度）を被メッキ面を持つウェハ
ー径内のあらゆる位ｆに於てバラツキが最小となり、か
つ従来構造より大巾に均一化される様な足膚的に求めら
れる形状２寸法が存在し得てメッキ被着された金属のウ
ェハー内分布が大巾に改善される事と彦った。
に関し、アノード電極の網状体部に取り付けた分布補正
板２７はメッキ液の流れをコントロールし、メッキ部本
体内壁に配置しアノード電極と同電位にした補助電極板
２８はウェハー周辺のメッキ厚分布を補正する効果全有
し、この分布補正板と補助電極板は、メッキ金属のイオ
ン濃度にかかわりウェハーとメッキ液界面で収集し得る
メッキ電流（＝電１流密度）を被メッキ面を持つウェハ
ー径内のあらゆる位ｆに於てバラツキが最小となり、か
つ従来構造より大巾に均一化される様な足膚的に求めら
れる形状２寸法が存在し得てメッキ被着された金属のウ
ェハー内分布が大巾に改善される事と彦った。
５−
以上の様に本発明によれば半導体ウェハーの表面に配線
材料としての金属を性能よく電解メッキ形成することが
できる効果金有するものである。
材料としての金属を性能よく電解メッキ形成することが
できる効果金有するものである。
第１図は従来の半導体ウェへ〜メ、＋装置の縦断面図、
第２因は本発明装置の一実施例を示す縦断面図である。 ２１・・・・・・メッキ部本体、２２・・・・・・カソ
ード電極部、２２ａ・・・・・・針状加工部（ウェハー
支持部）、２３・・・・・・アノード電極部、２３ａ・
・・・・・網状体。 ２４・・・・・ウェハー押えバネ、２５．・・、、９半
導体ウェハー、２７・・・・・・分布補正板、２８・・
・・・・補助電極板。 ６−
第２因は本発明装置の一実施例を示す縦断面図である。 ２１・・・・・・メッキ部本体、２２・・・・・・カソ
ード電極部、２２ａ・・・・・・針状加工部（ウェハー
支持部）、２３・・・・・・アノード電極部、２３ａ・
・・・・・網状体。 ２４・・・・・ウェハー押えバネ、２５．・・、、９半
導体ウェハー、２７・・・・・・分布補正板、２８・・
・・・・補助電極板。 ６−
Claims (1)
- 半導体ウェハー上に金属全被着するメッキ装置のメッキ
部分の構造において、半導体ウェハーの被メッキ面と対
面するアノード電極部に分布補正板を有し、対向する半
導体ウニ・・−とアノード電極間において第２の正電極
全有すること全特徴とする半導体ウェハーのメッキ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6682182A JPS58182823A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6682182A JPS58182823A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182823A true JPS58182823A (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=13326894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6682182A Pending JPS58182823A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182823A (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1982
- 1982-04-21 JP JP6682182A patent/JPS58182823A/ja active Pending
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