JP3241430B2 - 半導体ウエハのバンプ電極めっき装置およびバンプ電極めっき方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのバンプ
電極の形成に適用される半導体ウエハのバンプ電極めっ
き装置およびバンプ電極めっき方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図８は、例えば半導体ウエハのバンプ電
極を形成する際等に用いられる電気分解法に基づく一般
的なめっきの原理を示す図である。このめっき処理で
は、めっき槽１０２内に対向して配置されている陰極１
０３と陽極１０４との間に直流電源１０１より電圧を印
加すると、めっき液１０８中の金属イオンが陰極１０３
の表面で電子を受け取って放電し、陰極１０３で金属が
析出する。一方、陽極１０４では、陽極１０４の表面で
電子を放出し、陽極１０４の構成材が金属イオンとなっ
てめっき液１０８中に溶け込む。

【０００３】このとき、電極表面で行われる反応は、金
属イオンをＭ⁺ⁿ、電子を（−）で表すと、陰極１０３で
はＭ⁺ⁿ＋ｎ（−）＝Ｍとなり物質Ｍが作られ、陽極１０
４ではＭ＝Ｍ⁺ⁿ＋ｎ（−）となる。またその際、陰極１
０３では水素（Ｈ）の放出が、また陽極１０４では気泡
となる酸素（Ｏ）の放出が同時に起きる。そして、この
ような電気分解法に基づくめっき処理を、半導体ウエハ
の被めっき面に施すと、陽極１０４から放出された酸素
（気泡）がめっき液の流れとともに被めっき面に流れて
付着することが知られている。なお、図８において、１
０５は電流計、１０６は電圧計、１０７は抵抗である。

【０００４】従来、電気分解法に基づくめっき処理を半
導体ウエハのバンプ電極を形成するための装置に適用し
たものとしては、例えば特公昭５６−５３１８号公報に
見ることができる。図９は、その公報に開示されている
従来のめっき装置を備えためっきシステムの概略図であ
る。また、図１０は図９におけるめっき装置の縦断面図
であり、図１１は図１０のめっき装置におけるめっき槽
の上面図である。

【０００５】図９に示すように従来のめっきシステム
は、めっき液のタンク１、めっき液を循環させるための
ポンプ２、めっき槽３、めっき槽３を収める容器４、め
っき液の貯溜槽５および樋部７を備えて構成されてい
る。容器４内には、通常複数個のめっき槽３が同一の高
さで収納されている。また貯溜槽５は、めっき槽３より
高い位置に設けられており、貯溜槽５の底部と各めっき
槽３の底部とが管６によって接続されている。また、容
器４の底部および貯溜槽５の樋部７はそれぞれ、管８、
管９によってタンク１に接続され、タンク１と貯溜槽５
とは途中に上記ポンプ２を配した管１０を介して接続さ
れている。

【０００６】上記のようなシステムにおける各めっき槽
３は、図１０および図１１に示すように、陽極１３や陰
極２２等とともにめっき装置を構成している。すなわ
ち、めっき槽３には、その底部にめっき槽３内と連通す
る管部１１が垂設されている。管部１１の下端は上記シ
ステムにおける管６に接続する各めっき槽３共通の導管
１２に接続されており、めっき槽３内の管部１１の上端
位置にはメッシュ状の陽極１３が設けられている。めっ
き槽３の上端縁には、上方に突出した突出部１４が間隔
をあけて設けられ、これら突出部１４の内周面に同一高
さの段部１５が形成されている。半導体ウエハ２３は、
その周縁部をこの段部１５に載せることでめっき装置に
水平に配置（セット）されるようになっている。

【０００７】めっき槽３の上には、上下方向に可動する
押え１６が配設され、その下端縁に弾性材１８が設けら
れている。また押え１６の下端面には、このめっき装置
に配置された半導体ウエハ２３を上方から押さえる板バ
ネ１９が設けられ、押え１６の中央には空気管２０，２
１が設けられている。一方、めっき槽３の上端部の複数
箇所には、先端が上向きに鋭く尖った陰極２２が設けら
れている。

【０００８】このめっき装置を用いて半導体ウエハ２３
をめっきする場合には、半導体ウエハ２３の裏面（被め
っき面と反対側の面）を上側にして段部１５に載置し、
押え１６の板バネ１９で半導体ウエハ２３を押えつけ
て、陰極２２の先端を半導体ウエハ２３の表面（被めっ
き面）に食い込ませる。そして、陰極２２が導通したか
否かを確認した後、めっき装置のめっき電源をオンにす
る。このことにより、めっき処理が開始される。

【０００９】なお、めっき処理時には、図９に示すよう
に、タンク１中のめっき液が貯留槽５、管６、導管１２
および管部１１（図１０参照）を介してめっき槽３の底
部よりめっき槽３内に流入し、陽極１３を通過して半導
体ウエハ２３の表面に当たる。そして、めっき槽３の突
出部１４の間の隙間から流出して容器４（図９参照）に
入り、管８を介してタンク１に戻される。また、貯留槽
５で樋部７にオーバーフローしためっき液も管９を介し
てタンク１に戻される。このように、めっき液を半導体
ウエハ２３の下方から吹き上げつつ循環させてめっき処
理を行っている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の吹き上げ（噴流）式のめっき装置およびめっき
方法では、めっき処理中に発生する陽極１３の酸素によ
る気泡や、循環中にポンプ２および配管系（管６，８，
９，１０等）に付着している気泡がめっき槽３内のめっ
き液中に混入し、これが半導体ウエハ２３の被めっき面
に付着してめっき形状の障害となる問題点がある。

【００１１】特に、半導体ウエハ２３にバンプ電極形成
のためのめっき処理を施す場合には、半導体ウエハ２３
の被めっき面に、バンプ電極を形成する位置が開孔した
ホトレジストのパターンが形成されている。また、半導
体ウエハ２３が、その被めっき面を下に向けた状態で水
平に配置される。そのため、半導体ウエハ２３の下方か
ら吹き上げられるめっき液中の気泡が、半導体ウエハ２
３の被めっき面に当たった後、めっき液とともにめっき
槽３の外側に流出せずに被めっき面に溜り易く、溜まっ
た気泡がめっき形状の不良を引き起こす原因となってい
る。

【００１２】したがって、めっき形状不良により、半導
体ウエハ２３を分割して得られるチップ良品率の低下が
著しい。また、めっき形状不良のチップを選別したりす
るのにも手間がかかり、チップの生産性の低下を招いて
いる。さらに、不良チップを全て選別できるとは限ら
ず、この選別ミスが、チップを用いてパッケージを組み
立てる組立工程にて組立不良等の不具合を発生させる等
の問題点も有している。

【００１３】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、めっき液中に混入している気泡に起因するめ
っき形状不良の発生を抑え、チップ良品率を向上させる
ことができる半導体ウエハのバンプ電極めっき装置およ
びそのめっき方法を提供すること目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体ウエハのバンプ電極めっき装置は、半導
体ウエハの表面にバンプ電極を形成するために用いられ
るものであって、めっき液を導く流入口を有するめっき
槽と、前記めっき槽内に配置された回転可能な陽極と、
前記半導体ウエハと電気的に接続される陰極と、前記半
導体ウエハの表面を前記陽極に向けて当該半導体ウエハ
を配置するための配置手段とを有しており、さらには、
前記陽極から発生した気泡を前記表面の周縁側に導くよ
うに前記表面と前記陽極との間に配置された遮蔽板と、
前記陽極から発生した気泡の前記表面への付着を抑制す
るように前記めっき槽の内壁に沿って配置された仕切板
とのいずれか一方または両方を有することを特徴として
いる。

【００１５】又、本発明に係る半導体ウエハのバンプ電
極めっき方法は、半導体ウエハの表面にバンプ電極を形
成するために用いられる方法であって、めっき液を導く
流入口を有するめっき槽の内部に配置された回転可能な
陽極に、半導体ウエハの表面を対向させるように前記半
導体ウエハを配置する工程と、前記半導体ウエハを陰極
に電気的に接続する工程と、前記流入口から前記半導体
ウエハに向けてめっき液を流し、前記陽極を回転させ、
前記陽極から発生した気泡を前記表面の周縁側に導くよ
うな前記半導体ウエハと前記陽極との間に配置された遮
蔽板と、前記陽極から発生した気泡の前記表面への付着
を抑制するような前記めっき槽の内壁に沿って配置され
た仕切板とのいずれか一方または両方を用いて、前記表
面に対してめっきを行う工程とを有することを特徴とす
る。

【００１６】

【作用】本発明に係るバンプ電極めっき装置では、回転
可能な陽極と、その陽極に向けて配置された半導体ウエ
ハの表面との間に、遮蔽板が設けられていれば、その表
面に向けてめっき液を流しつつめっきを行うに際し、気
泡が混入しためっき液が流入口からめっき槽内に流入し
たり、陽極より発生した酸素（気泡）がめっき液に混入
しても、めっき液中の気泡が半導体ウエハの表面に至る
前に陽極の回転および遮蔽板によってその表面の周縁側
に導かれる。まためっき槽の内壁に沿って配置された仕
切板が設けられていれば、めっき液中の気泡の半導体ウ
エハの表面への付着が、陽極の回転および仕切板によっ
て抑制される。よって、めっき処理に際しては、気泡が
ほぼ除かれためっき液が半導体ウエハの表面に当たるこ
とになり、気泡の付着によるめっき形状不良の発生が抑
えられる。

【００１７】また本発明に係るバンプ電極めっき方法で
は、流入口から半導体ウエハに向けてめっき液を流し、
陽極を回転させ、遮蔽板と仕切板のいずれか一方または
両方を用いて、めっき液に混入している気泡を半導体ウ
エハの表面の周縁側に導き、その気泡の半導体ウエハの
表面への付着を抑制しつつ、その半導体ウエハの表面に
対するめっきを行う。そのため、気泡をほぼ除いためっ
き液を半導体ウエハの表面に当てて行うめっき処理とな
る。よって、半導体ウエハの表面は、気泡の付着による
めっき形状不良の発生の少ない状態にめっきされる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明に係る半導体ウエハのバン
プ電極を形成するめっき装置を示す縦断面図である。図
１に示すようにこのめっき装置３０では、従来と同様に
構成されためっき槽３４内にて陽極部３１および陰極部
３９が上下に対向して配置されている。陰極部３９は先
端が上向きに鋭く尖った接触ピンからなるもので、めっ
き槽３の上端部の複数箇所に設けられている。

【００１９】また、めっき槽３４の陰極部３９側には、
半導体ウエハ３８をその被めっき面が陽極部３１に向く
ように配置するための本発明の配置手段となる段部４
４、押え４５、および板バネ４１が設けられている。段
部４４は、従来と同様にめっき槽３４の上端縁に同一高
さに設けられたものである。よって、半導体ウエハ３８
の周縁部をこの段部４５に載せることで、めっき装置３
０に半導体ウエハ３８を水平に配置（セット）できるよ
うになっている。

【００２０】押え４５は、めっき槽２４の上に、めっき
槽３４に整合しかつ上下方向に可動するように配設さ
れ、その下端縁に弾性材４０が設けられたものである。
押え４５の下端面には、段部４４に載せた半導体ウエハ
３８を上方から押さえる上記した板バネ４１が設けられ
ている。なお、押え４５の中央には空気管４２，４３が
設けられている。

【００２１】めっき槽３４の陽極部３１を挟んで陰極部
３９と反対側の底部には、陽極部３１の略直下に、めっ
き槽３４内に流入するめっき液の流入口４６が形成され
ている。このめっき槽３４の底部には、流入口４６を介
してめっき槽３４内と連通する管部３６が垂設され、管
部３６の下端には、例えば図９に示したようなめっき液
を循環させるめっきシステムの管６に接続する導管３７
が接続されている。

【００２２】一方、陽極部３１は、その略真下にめっき
液の流入口４６が形成されていることにより、めっき槽
３４内において、ここに形成されるめっき液の流れの下
流側に配置されたものとなっている。この陽極部３１
は、めっき液に混入している気泡を、段部４４や押え４
５等によってめっき装置３０に半導体ウエハ３８が配置
された際のその被めっき面の周縁側に導く本発明の気泡
付着抑制手段を兼ねて構成されたものである。

【００２３】例えば図２の拡大側面図および図３の上面
図に示すように、複数枚の羽根が設けられた回転するプ
ロペラ型の陽極Ａと不導体材料で形成された回転する遮
蔽板Ｂとからなる。これらは、めっき槽３４に支持され
て陽極Ａを回転駆動するための駆動電動機部３２から鉛
直方向に延びた同じ回転軸Ｃによって支持されている。
なお、図１において矢印３３は、陽極部３１が回転する
ことによってめっき液中の気泡が流れる方向を示してい
る。

【００２４】遮蔽板Ｂは、流入口４６からめっき槽３４
内に流入して形成されるめっき液の流れに対向してこの
流れを遮る遮蔽面ｂを有している。遮蔽面ｂは、めっき
液に混入している気泡をめっき装置３０に半導体ウエハ
３８が配置された際のその被めっき面の周縁側に導くよ
うに傾斜した状態に形成されている。この第１の実施例
では遮蔽板Ｂは、図３に示すように円形枠状の本体Ｂ1
と、本体Ｂ1 から回転軸Ｃに向かって延びる複数（本実
施例では３つ）の支持部Ｂ2 とからなっている。そし
て、全体として回転軸Ｃから周縁側に向けて角度θで上
がる勾配を有して形成され、本体Ｂ1 と支持部Ｂ2 との
陽極Ａ側の面（下面）が遮蔽面ｂを構成している。

【００２５】さらにめっき装置３０には、めっき槽３４
内にて、陽極部３１と段部４４や押え４５等との間に、
めっき装置３０に半導体ウエハ３８が配置された際のそ
の被めっき面の周縁側にこの周縁全体に亘って第１間仕
切板３５が設けられている。このとき第１間仕切板３５
は、気泡付着抑制手段である陽極部３１によって被めっ
き面の周縁側に導かれた気泡を被めっき面の中心側から
隔離するための隔離部４７を、めっき槽３４の内面との
間で形成した状態に設けられている。

【００２６】このように構成された第１の実施例のめっ
き装置３０では、半導体ウエハ３８にバンプ電極を形成
するためのめっき処理を施す場合、半導体ウエハ３８の
被めっき面を下にして周縁部を段部４４に載置し、板バ
ネ４１および押え４５で半導体ウエハ３８を押えつけて
水平にセットするとともに、陰極部３９の上向きに尖っ
た先端を被めっき面に食い込ませる。なお、被めっき面
には予め、バンプ電極を形成する位置に開孔を有したホ
トレジストのパターンが形成されている。よって、陰極
部３９の先端は被めっき面のホトレジストを突き破り、
これにより導通が取られる。

【００２７】次いで、陰極部３９が導通したか否かを確
認後、めっき液を循環させるための図示せぬ循環ポンプ
電源と駆動電動機部３２の電源をオンにする。すると、
循環ポンプの駆動が開始するとともに陽極部３１が回転
し、めっき液はポンプの循環作用により、導管３７から
管部３６を通って流入口４６よりめっき槽３４内に流入
し、さらに半導体ウエハ３８の被めっき面に向かって噴
流する状態で流れる。また、陽極部３１と、陰極部３９
の接触ピンを介して半導体ウエハ３８との間に電圧が印
加されると電気めっきが始まる。

【００２８】このようにして電気めっきが始まってめっ
きが進むと、めっき液中や陽極部３１の陽極Ａに気泡が
発生する。しかし、陽極部３１が回転しているので、こ
の陽極Ａに発生した気泡は陽極Ａの回転で振り切られ
る。また、この振り切られためっき液中の気泡や流入口
４６に至るまでに混入しためっき液中の気泡は、陽極Ａ
上方の遮蔽板Ｂで受けられ、遮蔽板Ｂの遮蔽面ｂの勾配
θに沿って、半導体ウエハ３８の被めっき面の周縁側に
矢印３３で示すように導かれる。

【００２９】さらに、遮蔽板Ｂの作用で被めっき面の周
縁側に導かれた気泡は、めっき槽３４内に設けた第１間
仕切板３５とめっき槽３４との間の隔離部４７に流れて
半導体ウエハ３８の被めっき面の中心側から隔離され、
これによって気泡の被めっき面への付着がほぼ抑制され
る。つまり、このめっき処理では、陽極部３１の下方か
ら半導体ウエハ３８の被めっき面に向けてめっき液を噴
流させつつ、かつこのめっき液の流れの下流側にてめっ
き液に混入している気泡を被めっき面の周縁側に導きつ
つ被めっき面のめっきを行っている。

【００３０】ここで、このバンプ電極を形成する電気め
っきでは、バンプ電極の形成でめっきのむらができない
ようにするため、めっき電流を図４に示すようにステッ
プ的に増加させるようにする。すなわち、図４では３つ
のステップに分けてめっき電流を増加させる状態を示し
ており、縦軸に電流密度（σ）、横軸に時間（Ｔ）をそ
れぞれ示している。そして、（１）ステップ１では初期
電流密度σを０．２［Ａ／ｄｍ² ］として、これを３０
分間流し、（２）ステップ２ではめっき電流の増加分を
１分間当り０．４［Ａ／ｄｍ² ］として、これを５０分
間流し、（３）ステップ３ではめっき電流の増加分を
０．８［Ａ／ｄｍ² ］として、これを４５分間流す。

【００３１】また、めっき液の噴流スピードは、循環用
のポンプの回転数で定めるが、これをむやみに速くした
り遅くしたりすると、バンプ電極のめっき形状を阻害す
る恐れがある。このため本実施例では、陽極Ａを通常、
１分間に２０〜３０回転させて、めっき液の噴流を和ら
げる働きをさせるようにする。加えて、めっき処理中で
は間欠的に回転数を増加させて気泡を外側に振り切り、
遮蔽板Ｂによりさらに被めっき面の周縁の外側に気泡を
流す。なお、この間欠的に回転数を増加させるタイミン
グは、５分間毎に１０秒間で、その回転数は１分間に１
００〜１５０回程度で十分である。

【００３２】したがって、この実施例によれば、陽極部
３１の陽極Ａで発生してめっき液に混入した気泡や、め
っき液の循環中にめっき液に混入した気泡を、陽極部３
１によって、半導体ウエハ３８の被めっき面より下流側
で被めっき面の周縁側に導き、さらに隔離部４７で隔離
して半導体ウエハ３８の被めっき面の中心側に流れない
ようにしてめっきを行うので、めっき処理中に気泡が半
導体ウエハ３８に付着するのを抑制することができる。

【００３３】したがって、気泡に起因するめっき形状不
良の発生を減らすことができ、これによりチップ良品率
を向上させることができる。また、めっき形状不良のチ
ップが混在していることにより、このチップを用いてパ
ッケージを組み立てる組立工程で発生していた組立不良
の発生も減少させることができる。さらに、場合によっ
てはめっき工程の終了後、外観検査を全チップ、全バン
プ電極に対して行わなくても済むことになるので、外観
検査の手間も省けることになる。

【００３４】図５および図６は陽極部３１の一変形例を
示すもので、図５はその側面図、図６はその上面図であ
る。ここで、図５および図６に示す陽極部３１と、図２
および図３に示した陽極部３１との違いは、図５および
図６に示す陽極部３１における遮蔽板Ｂの本体Ｂ1下
面、つまり本体Ｂ1 の遮蔽面ｂに、遮蔽面ｂよりプロペ
ラ型の陽極Ａに向かって突出した状態で、翼片２ｂを複
数枚（本例では４枚）略等間隔に設けた点、および遮蔽
板Ｂを駆動電動機３２に対して回転自在に設けた点にあ
り、その他の構造は同じである。

【００３５】この変形例による陽極部３１を使用した場
合では、遮蔽板Ｂは駆動電動機部３２の駆動力で直接回
転されず、めっき槽３４内におけるめっき液の噴流と駆
動電動機部３２で回転される陽極Ａの回転によって作ら
れるめっき液の流れによって回転が起こされ、これによ
り気泡を半導体ウエハ３８の被めっき面の外周部にある
隔離部４７へと導く構造になる。

【００３６】図７は本発明に係るめっき装置の第２の実
施例を示す縦断面図であり、第１の実施例と同様に、半
導体ウエハ３８のバンプ電極の形成に適用した例を示し
た図である。図７において図１と同一符号を付したも
は、図１と同一の構成要素を示している。図７に示す第
２の実施例のめっき装置５０が、図１に示した第１の実
施例のめっき装置３０と異なる点は、真空ポンプ等を設
け、めっき液に混入している気泡を後述の空間に逃が
し、さらにこの空間から外部へ脱泡する機能を有した排
気手段を備えた点にある。

【００３７】すなわち、図７に示す第２の実施例におけ
るめっき装置５０では、その排気手段として、第１間仕
切板３５とめっき槽３４の内面との間の隔離部４７に流
されてきた気泡をめっき槽３４の外側へ逃がす貫通孔５
６がめっき槽３４の上端側に設けられている。これとと
もに、めっき槽３４の外周部に、貫通孔５６を介して隔
離部４７と連通する空間５７をめっき槽３４の外面との
間で形成した状態で第２間仕切板５８が設けられてい
る。さらにめっき槽３４の外側に、空間５７に連通する
配管５１、配管５１に接続された真空ポンプ５２よりな
る排気機構、真空ポンプ５２から延びた排気管５３、配
管５１に接続されたこの内部の圧力調整等を行う圧力調
整・大気開放弁５４、フィルター５５等が配設された構
造になっている。

【００３８】このように構成された第２の実施例に示す
めっき装置５０では、半導体ウエハ３８にバンプ電極を
形成するためのめっき処理を施すにあたり、めっき液を
循環させるための図示せぬ循環ポンプ電源と駆動電動機
部３２の電源をオンにし、陽極部３１と陰極部３９の接
触ピンを介して半導体ウエハ３８との間に電圧を印加す
ると、第１の実施例の場合と同様に、めっき液内に混入
された気泡等は、陽極部３１による陽極Ａ，遮蔽板Ｂ等
によって半導体ウエハ３８の被めっき面の周縁側にある
隔離部４７へ導かれる。また、この気泡はめっき槽３４
の上部に至ると、貫通孔５６を通ってめっき槽３４の外
側に流出し、めっき槽３４の外面と第２間仕切板５８と
の間の空間５７に溜る。

【００３９】一方、めっき処理と同時に真空ポンプ５２
も駆動すると、真空ポンプ５２によって空間５７が減圧
されて空気が吸い出され、排気管５３より大気中へ排出
される。この真空ポンプ５２による減圧量は、圧力調整
・大気開放弁５４によって調整することができ、一般的
にはめっき槽３４内の圧力が３００〜５００Ｔｏｒｒま
で減圧された状態で保持される。

【００４０】したがって、この第２の実施例によれば、
第１の実施例の場合と同様に、めっき処理中に、陽極部
３１の陽極Ａで発生してめっき液に混入した気泡や、め
っき液の循環中にめっき液に混入した気泡を、陽極部３
１および第１間仕切板３５によって半導体ウエハ３８の
被めっき面の中心側に流れないようにしているのに加え
て、第１間仕切板３５とめっき槽３４の内面との間の隔
離部４７へ導かれた気泡を貫通孔５６を通してめっき槽
３４の外側の空間５７に流出させ、さらに真空ポンプ５
２によって空間５７から積極的に排出しているので、効
率良くめっき液中の気泡を取り除くことができる。よっ
て、めっき時間の経過とともにめっき液中に混入してい
る気泡を減少させることができる。

【００４１】したがって、めっき処理中に半導体ウエハ
３８の被めっき面に付着する気泡をさらに低減できて、
さらに良好なめっき形状が得られるめっき処理を行うこ
とができので、チップ良品率を一層向上させることがで
きる。また、めっき形状不良のチップが混在しているこ
とに起因するパッケージの組立工程での組立不良もより
減少させることができる効果が得られる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したとおり本発明に係る半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置によれば、半導体ウエハ
の表面に向けてめっき液を流しつつめっきを行うに際
し、めっき液が半導体ウエハの表面に至る前にめっき液
中から気泡を除く構成としたので、半導体ウエハの表面
への気泡の付着を抑えることができる。

【００４３】また本発明に係る半導体ウエハのバンプ電
極めっき方法によれば、めっき液に混入している気泡を
半導体ウエハの表面の周縁側に導きつつめっきを行うの
で、気泡をほぼ除いためっき液により、気泡の付着によ
るめっき形状不良の発生が少ないめっき処理を施すこと
ができる。

【００４４】しがたって、本発明の半導体ウエハのバン
プ電極めっき装置およびそのめっき方法によれば、気泡
に起因するめっき形状不良の発生を低減でき、チップ良
品率を向上させることができる。また、めっき形状不良
のチップ混在による組立工程での組立不良の発生も減少
させることができる。さらに、場合によってはめっき工
程の終了後、外観検査を全チップ、全バンプ電極に対し
て行わなくても済むことになるので、外観検査の手間も
省ける等の効果を期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るめっき装置の第１の実施例を示す
縦断面図である。

【図２】図１に示しためっき装置における陽極部の側面
図である。

【図３】図１に示しためっき装置における陽極部の上面
図である。

【図４】めっき電流を流す方法の一例を説明するための
図である。

【図５】第１の実施例における陽極部の一変形例を示す
側面図である。

【図６】図４に示す陽極部の上面図である。

【図７】本発明に係るめっき装置の第２の実施例を示す
縦断面図である。

【図８】電気分解法によるめっきの原理の説明図であ
る。

【図９】従来のめっき装置を備えためっきシステムの概
略図である。

【図１０】従来のめっき装置の縦断面図である。

【図１１】従来のめっき装置におけるめっき槽の上面図
である。

【符号の説明】

３０，５０ めっき装置 ３１ 陽極部 ３４ めっき槽 ３５ 第１間仕切板 ３８ 半導体ウエハ ３９ 陰極部 ４１ 板バネ ４５ 押え ４６ 流入口 ４７ 隔離部 ５１ 配管 ５２ 真空ポンプ ５７ 空間 ５８ 第２間仕切板 ５２ 真空ポンプ Ａ 陽極 Ｂ 遮蔽板 Ｂ3 翼片 ｂ 遮蔽面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−133097（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−61089（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−37390（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−210492（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−154989（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−179234（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−74338（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 7/12 H01L 21/288

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの表面にバンプ電極を形成
   するために用いられる半導体ウエハのバンプ電極めっき
   装置であって、 めっき液を導く流入口を有するめっき槽と、 前記めっき槽内に配置された回転可能な陽極と、前記 半導体ウエハと電気的に接続される陰極と、 前記半導体ウエハの表面を前記陽極に向けて当該半導体
   ウエハを配置するための配置手段と、 前記陽極から発生した気泡を前記表面の周縁側に導くよ
   うに、前記表面と前記陽極との間に配置された遮蔽板と
   を有することを特徴とする半導体ウエハのバンプ電極め
   っき装置。
2. 【請求項２】 半導体ウエハの表面にバンプ電極を形成
   するために用いられる半導体ウエハのバンプ電極めっき
   装置であって、 めっき液を導く流入口および内壁を有するめっき槽と、 前記めっき槽内に配置された回転可能な陽極と、前記 半導体ウエハと電気的に接続される陰極と、 前記半導体ウエハの表面を前記陽極に向けて当該半導体
   ウエハを配置するための配置手段と、 前記陽極から発生した気泡の前記表面への付着を抑制す
   るように、前記内壁に沿って配置された仕切板とを有す
   ることを特徴とする半導体ウエハのバンプ電極めっき装
   置。
3. 【請求項３】 半導体ウエハの表面にバンプ電極を形成
   するために用いられる半導体ウエハのバンプ電極めっき
   装置であって、 めっき液を導く流入口および内壁を有するめっき槽と、 前記めっき槽内に配置された回転可能な陽極と、前記 半導体ウエハと電気的に接続される陰極と、 前記半導体ウエハの表面を前記陽極に向けて当該半導体
   ウエハを配置するための配置手段と、 前記陽極から発生した気泡を前記表面の周縁側に導くよ
   うに、前記表面と前記陽極との間に配置された遮蔽板
   と、 前記陽極から発生した気泡の前記表面への付着を抑制す
   るように、前記内壁に沿って配置された仕切板とを有す
   ることを特徴とする半導体ウエハのバンプ電極めっき装
   置。
4. 【請求項４】 前記遮蔽板は、前記陽極と一体であるこ
   とを特徴とする請求項１または３に記載の半導体ウエハ
   のバンプ電極めっき装置。
5. 【請求項５】 前記遮蔽板は、前記陽極から発生する気
   泡を前記表面の周縁側に導くように傾斜した状態で設け
   られていることを特徴とする請求項１または３に記載の
   半導体ウエハのバンプ電極めっき装置。
6. 【請求項６】 前記遮蔽板は、前記陽極側に向かって突
   出した翼片を有し、前記陽極の回転によって生じる前記
   めっき液の流れによって回転することを特徴とする請求
   項１または３に記載の半導体ウエハのバンプ電極めっき
   装置。
7. 【請求項７】 前記陽極から発生した気泡を排気するた
   めの排気機構を備えていることを特徴とする請求項１、
   ２、３に記載の半導体ウエハのバンプ電極めっき装置。
8. 【請求項８】 半導体ウエハの表面にバンプ電極を形成
   するために用いられる半導体ウエハのバンプ電極めっき
   方法であって、 めっき液を導く流入口を有するめっき槽の内部に配置さ
   れた回転可能な陽極に、半導体ウエハの表面を対向させ
   るように前記半導体ウエハを配置する工程と、 前記半導体ウエハを陰極に電気的に接続する工程と、 前記流入口から前記半導体ウエハに向けてめっき液を流
   し、前記陽極を回転させ、前記陽極から発生した気泡を
   前記表面の周縁側に導くような、前記半導体ウエハと前
   記陽極との間に配置された遮蔽板を用いて、前記表面に
   対してめっきを行う工程とを有することを特徴とする半
   導体ウエハのバンプ電極めっき方法。
9. 【請求項９】 半導体ウエハの表面にバンプ電極を形成
   するために用いられる半導体ウエハのバンプ電極めっき
   方法であって、 めっき液を導く流入口を有するめっき槽の内部に配置さ
   れた回転可能な陽極に、半導体ウエハの表面を対向させ
   るように前記半導体ウエハを配置する工程と、 前記半導体ウエハを陰極に電気的に接続する工程と、 前記流入口から前記半導体ウエハに向けてめっき液を流
   し、前記陽極を回転させ、前記陽極から発生した気泡の
   前記表面への付着を抑制するような、前記めっき槽の内
   壁に沿って配置された仕切板を用いて、前記表面に対し
   てめっきを行う工程とを有することを特徴とする半導体
   ウエハのバンプ電極めっき方法。
10. 【請求項１０】 半導体ウエハの表面にバンプ電極を形
    成するために用いられる半導体ウエハのバンプ電極めっ
    き方法であって、 めっき液を導く流入口を有するめっき槽の内部に配置さ
    れた回転可能な陽極に、半導体ウエハの表面を対向させ
    るように前記半導体ウエハを配置する工程と、前記半導
    体ウエハを陰極に電気的に接続する工程と、 前記流入口から前記半導体ウエハに向けてめっき液を流
    し、前記陽極を回転させ、前記陽極から発生した気泡を
    前記表面の周縁側に導くような、前記半導体ウエハと前
    記陽極との間に配置された遮蔽板と、前記陽極から発生
    した気泡の前記表面への付着を抑制するような、前記め
    っき槽の内壁に沿って配置された仕切板を用いて、前記
    表面に対してめっきを行う工程とを有することを特徴と
    する半導体ウエハのバンプ電極めっき方法。