JPH08253892A - めっき装置およびめっき方法 - Google Patents

めっき装置およびめっき方法

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JPH08253892A
JPH08253892A JP7057450A JP5745095A JPH08253892A JP H08253892 A JPH08253892 A JP H08253892A JP 7057450 A JP7057450 A JP 7057450A JP 5745095 A JP5745095 A JP 5745095A JP H08253892 A JPH08253892 A JP H08253892A
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▲吉▼次 阿部
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恵次 真山
Hiroshi Takenaka
博 竹中
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基樹 伊藤
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和夫 田中
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 めっき面積が大きくてもめっき形成部の形状
不良を生ぜずに、高精度と高速とを確保できる噴流方式
の電気めっき装置および方法を提供する。 【構成】 被めっき物10の被めっき面10A にめっき液13
を噴流14させるノズル群15A を構成し且つ内部に陽極16
を有するノズルヘッド17を、上記ノズル群15A が開口し
た前面17A を被めっき面10A に対向させて且つ被めっき
面10A を覆う面積で配置し、被めっき面10A と上記ノズ
ルヘッド17とを、被めっき面10A に平行に相対的に2次
元揺動させる機構を設けためっき装置において、上記ノ
ズル群15Aのノズル15同士の間に、被めっき面10A から
の戻り液19を上記ノズルヘッド17の前面17A から排出す
る戻り流路30を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高品質かつ高速で電気
めっきを行う噴流方式のめっき装置およびめっき方法に
関する。本発明のめっき装置およびめっき方法は、特に
半導体ウェハ上に電極用バンプを形成するめっき技術と
して好適である。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウェハ上にバンプ電極を
形成するには、図3に示したように例えばシリコンウェ
ハ1に金属薄膜2を蒸着し、レジスト3を塗布後、露光
および現像を行ってレジスト3に開口部4を形成する。
次に、金属薄膜2を陰極として電気めっきを行い、図4
に示したようにレジスト開口部4内の金属薄膜2上にバ
ンプ電極5を形成する。
【0003】本出願人は、このような電気めっきを高速
かつ高精度で行う噴流方式のめっき装置を特開平第2−
61089号公報により開示した。このめっき装置は、
図6にめっきセル部分を示したように、半導体ウェハ等
の被めっき物10を押さえ治具11でめっき装置のパレ
ット12上に固定し、被めっき面10Aへめっき液13
を噴流14として供給するノズル群15Aを構成し且つ
内部に陽極16を有するノズルヘッド17を、上記ノズ
ル群15Aが開口した前面17Aを被めっき面10Aに
対向させて且つ被めっき面10Aを覆う面積で配置し、
被めっき面10Aと上記ノズルヘッド17とを、矢印1
8のように被めっき面10Aに平行に相対的に2次元揺
動させる機構を設けたものである。被めっき面10Aに
作用しためっき液は、図6に矢印19で示したようにノ
ズルヘッド17へ戻り、ノズルヘッド17の周縁部から
矢印20で示したように排出される。
【0004】確かにこの装置は、直径4インチまでのウ
ェハの場合には非常に効果的であり、ノズルの口径とピ
ッチを適正化することにより、所望のバンプ電極を短時
間で形成することが可能であった。しかし、ウェハ処理
工程のスループットを向上させるため、より大口径のウ
ェハに適用するとバンプ電極形状の不良が発生すること
が分かった。すなわち、図5に示したように、めっき時
に発生する気泡6の影響によりバンプ電極の形状に5A
で示したような不良が発生してしまうという問題があ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、口径が大き
くてもバンプ電極等のめっき形成部の形状不良を生ぜず
に、高精度と高速とを確保できる噴流方式の電気めっき
装置および方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のめっき装置は、被めっき物の被めっき面
へめっき液を噴流させるノズル群を構成し且つ内部に陽
極を有するノズルヘッドを、上記ノズル群が開口した前
面を被めっき面に対向させて且つ被めっき面を覆う面積
で配置し、被めっき面と上記ノズルヘッドとを、被めっ
き面に平行に相対的に2次元揺動させる機構を設けため
っき装置において、上記ノズル群のノズル同士の間に、
被めっき面からの戻り液を上記ノズルヘッドの前面から
排出する戻り流路を設けたことを特徴とする。
【0007】上記本発明のめっき装置を用いて行う本発
明のめっき方法は、被めっき物の被めっき面へめっき液
を噴流させるノズル群を構成し且つ内部に陽極を有する
ノズルヘッドを、上記ノズル群が開口した前面を被めっ
き面に対向させて且つ被めっき面を覆う面積で配置し、
被めっき面と上記ノズルヘッドとを被めっき面に平行に
相対的に2次元揺動させてめっきを行うめっき方法にお
いて、上記ノズル群のノズル同士の間に設けた戻り流路
を介して、被めっき面からの戻り液を上記ノズルヘッド
の前面から排出することを特徴とする。
【0008】
【作用】本発明者は、従来の噴流方式めっき装置におい
てめっき面積が大きい場合にめっき形成部の形状不良が
発生する原因と、その解決手段とを見出して本発明を完
成させたものである。すなわち、ノズルから噴流された
めっき液は被めっき面に作用した後ノズルヘッドに戻っ
てくる。この戻り液はノズルヘッドの前面に沿って流れ
ノズルヘッドの周縁部から周囲へ排出される。被めっき
面の面積が大きい場合には、この戻り液がノズルヘッド
の前面、特にその中央部に滞留し易くなり、めっき液の
噴流・排出効率が低下する。その結果、被めっき面上で
めっき反応により発生する水素等のガスを除去しきれな
くなり、めっき形成部の形状不良が発生する。
【0009】本発明においては、ノズル群のノズル同士
の間に設けた戻り流路を介して、被めっき面からの戻り
液を上記ノズルヘッドの前面から排出するので、めっき
面積が大きくても戻り液が被めっき面上に滞留すること
が無く、めっき形成部の形状不良が発生しない。戻り液
をノズルヘッド前面から排出するための戻り流路は、例
えばノズルヘッド前面上に溝状の凹部として簡易に設け
ることもできるが、ノズルヘッド内部をその前面から後
面まで貫通した貫通路として設けた方が、排出効率を大
幅に向上することができる。
【0010】戻り流路をノズルヘッド内部を貫通した貫
通路として設けると、この貫通路の存在する位置には陽
極は存在できないから、陽極を個々のノズル毎に分割し
た形にする等の給電面積の減少を伴う場合が多い。この
ように給電面積が小さくなるとめっき電圧が高くなっ
て、結局はバンプ電極等のめっき形成部の形成精度が低
下してしまう。したがって、そのような場合には、この
給電面積の減少分を補うための補助陽極をノズルヘッド
の外表面に設けることが望ましく、一般にはノズルヘッ
ドの前面に設けることが望ましい。補助陽極を設けるこ
とにより、めっき電流の供給が安定に確保され、バンプ
電極等のめっき形成部の形成精度を良好に確保すること
ができる。
【0011】以下に、実施例により本発明を更に詳細に
説明する。
【0012】
【実施例】図1に本発明によるめっき装置のめっきセル
部の一例を示す。このめっき装置は、図6に示した従来
のめっき装置と同様に、半導体ウェハ等の被めっき物1
0を被めっき面10Aを下向きにして押さえ治具11で
めっき装置のパレット12上に固定し、被めっき面10
Aへめっき液13を噴流14として供給するノズル群1
5Aを構成し且つ内部に陽極16を有するノズルヘッド
17を、上記ノズル群15Aが開口した前面17Aを被
めっき面10Aに対向させて且つ被めっき面10Aを覆
う面積で配置し、被めっき面10Aと上記ノズルヘッド
17とを、矢印18のように被めっき面10Aに平行に
相対的に2次元揺動させるようになっている。そのため
の揺動機構については前出の特開平第2−61089号
公報に詳述したとおりである。
【0013】ただし、図6の従来装置とは下記の構成に
おいて異なる。すなわち、上記ノズル群15Aのノズル
15同士の間に、被めっき面10Aからの戻り液19を
上記ノズルヘッド17上端の前面17Aから排出する戻
り流路30を設けた。戻り流路30は、ノズルヘッド1
7の内部をその前面(上端)17Aから後面(下端)1
7Bまで貫通する貫通孔として形成されている。これに
より、戻り液19はノズルヘッド前面17Aから矢印2
1で示したようにノズルヘッド後面17を通り、ノズル
ヘッド17の下方へ流れ落ちる。このようにすると、戻
り液をノズルヘッド前面17Aから極めて効率良く排出
することができる。なお、戻り液19の一部は従来と同
様にノズルヘッド17の周縁部からも矢印20のように
排出される。
【0014】図1に示した構造では、戻り流路30がノ
ズルヘッド17内部の陽極16を貫通している。これに
より、陽極16は図6の従来構造に比べて戻り流路30
の貫通箇所の分だけ給電面積が減少する。これを補うた
めに、ノズルヘッド前面17A上に補助陽極35を設け
た。補助陽極35は、ノズルヘッド前面17Aとほぼ同
一の輪郭を持ち、ノズル15および戻り流路30の開口
部に対応する箇所に貫通孔35Aを形成したステンレス
鋼等の金属製プレートであり、ノズルヘッド前面17A
に密着した状態で固定してある。
【0015】直流電源25からウェハ10の被めっき面
10Aにはマイナス側リード線25Aが、ノズルヘッド
内部の陽極17とノズルヘッド前面上の補助陽極35に
はプラス側リード線25Bが接続されている。一般に、
直流電源25から定電流を流して電気めっきを行う。図
1のめっきセルを組み込んだめっき装置の全体配置の一
例を図2に示す。
【0016】図1のめっきセル50とめっき液貯蔵槽5
2とがめっき液供給系56とめっき液返還系58で接続
されている。めっき液貯蔵槽52は内部に貯蔵している
めっき液13を所定温度に維持するための冷却器52A
と加熱器52Bとを備えている。めっき液供給系56
は、配管56Aの途中にめっき液循環用ポンプ56B、
フィルター56Cおよび流量計56Dを備えている。め
っき液返還系58は実質的に配管で構成される。めっき
液貯蔵槽52には、めっき中に発生してめっき液中に混
入したスラッジを除去するための濾過器54が付属して
いる。濾過器54は例えばめっき液吸入用ポンプ54
A、活性炭フィルター54B、および微粒子フィルター
54Cから構成される。
【0017】めっき液はめっき液貯蔵槽52から供給系
56によりめっきセル50に供給され、めっきセル50
から返還系58を通って貯蔵槽52に戻る。図1および
図2に示した本発明によるめっき装置を用いて、硫酸銅
めっき液にて銅バンプ電極を形成した例を以下に説明す
る。電極16および補助電極35は銅板製とした。ノズ
ルヘッド17をウェハ10の被めっき面10Aと平行に
二次元揺動させながら、流速10m/秒でめっき液をウ
ェハ被めっき面10Aに噴流させ、電流密度25A/d
2 にて銅バンプ電極をめっきした。めっき液濃度は硫
酸(H2 SO4 )100g/L、硫酸銅(CuSO4
5H2 O)100g/Lとした。
【0018】上記条件下で本発明により直径4インチと
直径5インチのウェハ上にめっきを行って得られた銅バ
ンプ電極の形状不良率および寸法ばらつきを図7に示
す。ただし、めっき装置は図1の構成から補助陽極を取
り外した本発明の基本構成と、図1のとおり補助陽極を
装着した本発明の望ましい態様による構成の両方をそれ
ぞれ用いた。
【0019】同図には比較のため、同じく上記条件下で
特開平第2−61089号公報の従来装置によりめっき
を行った場合の結果も併せて示した。同図から分かるよ
うに、めっき液の戻り流路を備えていない従来装置で
は、4インチウェハ(同図A)の場合は電極形状不良は
無く寸法ばらつきも小さいが、ウェハサイズの大きい5
インチウェハ(同図B)の場合には電極形状不良が発生
した。
【0020】これに対して、めっき液の戻り流路を備え
た本発明の基本構成の装置によれば、電極形状不良は全
く発生しなかった(同図C)。更に、本発明の望ましい
態様により、めっき液戻り流路を備えると共に補助陽極
をも備えた場合には、電極形状不良が発生しないばかり
でなく、電極寸法ばらつきも低減された(同図D)。
【0021】上記の結果から、本発明によれば、被めっ
き面からの戻り液を排出する戻り流路を備えたことによ
り、ウェハサイズが4インチより大きい場合でも、従来
法では発生した電極形状不良の発生を無くすることがで
き、従来法による4インチウェハの場合と同等のバンプ
品質を得ることができる。更に、戻り流路がノズルヘッ
ド内を貫通させたためにノズルヘッド内部の陽極の給電
面積が減少する場合には、その減少分を補う補助陽極を
更に備えることにより、電極寸法ばらつきを低減するこ
とができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
口径が大きくてもめっき形成部の形状不良を生ぜずに、
高精度と高速とを確保して噴流方式で電気めっきを行う
ことができる。本発明は、特に直径4インチを超える大
口径のウェハ上にバンプ電極を形成する場合に有効であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明によるめっき装置の一構成例に
おけるめっきセル部を示す断面図である。
【図2】図2は、図1のめっきセル部を含む本発明によ
るめっき装置の全体構成の一例を示す配置図である。
【図3】図3は、バンプ電極を形成するために半導体ウ
ェハ上に金属薄膜とその上のレジストパターンとを形成
した状態を示す断面図である。
【図4】図4は、図3のウェハ上の電気めっきによりバ
ンプ電極を形成した状態を示す断面図である。
【図5】図5は、図4と同等なバンプ電極を形成する際
に発生する電極形状不良を示す断面図である。
【図6】図6は、従来の噴流式めっき装置のめっきセル
部を示す断面図である。
【図7】図7は、本発明および従来法によるめっきによ
り形成したバンプ電極の形状不良率および寸法ばらつき
を示すグラフである。
【符号の説明】
10…被めっき物 10A…被めっき面 13…めっき液 14…めっき液噴流 15…ノズル群15Aの個々のノズル 15A…ノズル群 16…ノズルヘッド内部の陽極 17…ノズルヘッド 17A…ノズルヘッド前面 19…被めっき面10Aからの戻り液 30…戻り液19をノズルヘッド前面17Aから排出す
る戻り流路 35…補助陽極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 基樹 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 田中 和夫 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被めっき物の被めっき面へめっき液を噴
    流させるノズル群を構成し且つ内部に陽極を有するノズ
    ルヘッドを、上記ノズル群が開口した前面を被めっき面
    に対向させて且つ被めっき面を覆う面積で配置し、被め
    っき面と上記ノズルヘッドとを、被めっき面に平行に相
    対的に2次元揺動させる機構を設けためっき装置におい
    て、 上記ノズル群のノズル同士の間に、被めっき面からの戻
    り液を上記ノズルヘッドの前面から排出する戻り流路を
    設けたことを特徴とするめっき装置。
  2. 【請求項2】 上記戻り流路が、上記ノズルヘッド内部
    をその前面から後面まで貫通していることを特徴とする
    請求項1に記載のめっき装置。
  3. 【請求項3】 上記戻り流路が上記ノズルヘッド内部を
    貫通したことによる陽極の給電面積の減少分を補う補助
    陽極を上記ノズルヘッドの外表面に設けたことを特徴と
    する請求項2に記載のめっき装置。
  4. 【請求項4】 上記補助陽極を上記ノズルヘッドの前面
    に設けたことを特徴とする請求項3に記載のめっき装
    置。
  5. 【請求項5】 被めっき物の被めっき面へめっき液を噴
    流させるノズル群を構成し且つ内部に陽極を有するノズ
    ルヘッドを、上記ノズル群が開口した前面を被めっき面
    に対向させて且つ被めっき面を覆う面積で配置し、被め
    っき面と上記ノズルヘッドとを被めっき面に平行に相対
    的に2次元揺動させてめっきを行うめっき方法におい
    て、 上記ノズル群のノズル同士の間に設けた戻り流路を介し
    て、被めっき面からの戻り液を上記ノズルヘッドの前面
    から排出することを特徴とするめっき方法。
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