JP2000034599A - めっき用電極およびめっき装置ならびにめっき方法 - Google Patents
めっき用電極およびめっき装置ならびにめっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被めっき体におけるめっき厚のばらつきを抑
える。 【解決手段】 アノード電極１の中心領域を低導電材質
アノード部とし、電極の外周辺部を高導電材質アノード
部として、電圧印加時にアノード電極１の中心領域では
電位が低くなり、外周辺領域では電位が高くなるような
電位分布を生じさせることにより、アノード電極１と被
めっきウエハ３間の電界は、めっき液６の噴流の中心部
において小さく、外周辺部において大きくなり、電界に
も分布が生じさせる。よって、流量の大きいめっき液噴
流中心では電界が小さいために、イオンのウエハ方向に
おける移動能力が、めっき液噴流周辺と比較して減少す
る。このため、一定時間内にウエハ表面に到達するイオ
ン量は、従来と比較して噴流の中心部において減少す
る。したがって、ウエハ上では、そのようなイオン量分
布に対応して、めっき厚が中心において厚くならない均
一なめっき層が形成できることになる。
える。 【解決手段】 アノード電極１の中心領域を低導電材質
アノード部とし、電極の外周辺部を高導電材質アノード
部として、電圧印加時にアノード電極１の中心領域では
電位が低くなり、外周辺領域では電位が高くなるような
電位分布を生じさせることにより、アノード電極１と被
めっきウエハ３間の電界は、めっき液６の噴流の中心部
において小さく、外周辺部において大きくなり、電界に
も分布が生じさせる。よって、流量の大きいめっき液噴
流中心では電界が小さいために、イオンのウエハ方向に
おける移動能力が、めっき液噴流周辺と比較して減少す
る。このため、一定時間内にウエハ表面に到達するイオ
ン量は、従来と比較して噴流の中心部において減少す
る。したがって、ウエハ上では、そのようなイオン量分
布に対応して、めっき厚が中心において厚くならない均
一なめっき層が形成できることになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程などにおけるめっき工程に適用されるめっき用
電極およびめっき装置ならびにめっき方法に関するもの
である。
製造工程などにおけるめっき工程に適用されるめっき用
電極およびめっき装置ならびにめっき方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
主に配線部分あるいは電極部分（バンプなど）を形成す
るためにめっき工程が用いられている。通常、半導体装
置に適用するめっき工程では、金，銀，はんだ等をウエ
ハのアルミニウム電極パッド上に形成する。めっき液
は、主成分である金，銀，はんだの他に亜硫酸，硫酸，
タリウムなどが溶解しためっき液、あるいはシアンが溶
解しためっき液が通常用いられている。
主に配線部分あるいは電極部分（バンプなど）を形成す
るためにめっき工程が用いられている。通常、半導体装
置に適用するめっき工程では、金，銀，はんだ等をウエ
ハのアルミニウム電極パッド上に形成する。めっき液
は、主成分である金，銀，はんだの他に亜硫酸，硫酸，
タリウムなどが溶解しためっき液、あるいはシアンが溶
解しためっき液が通常用いられている。
【０００３】また、めっき方式も複数あり、使用するめ
っき液によって電界をかけることによりめっきを行う電
解めっき方式、あるいは電界をかけることなくめっきを
行う無電解めっき方式などがあげられる。このめっき工
程に用いるめっき装置の構造も種々存在する。
っき液によって電界をかけることによりめっきを行う電
解めっき方式、あるいは電界をかけることなくめっきを
行う無電解めっき方式などがあげられる。このめっき工
程に用いるめっき装置の構造も種々存在する。
【０００４】前記電解めっき装置に用いられる従来のア
ノード電極の一例における概略構成を図６の平面図に示
す。従来のめっき装置のアノード電極２０は、装置の種
類によらず図６に示す通り、白金あるいは金などの導電
材料を全体に一様に用いて構成された一枚の円板状の形
になっていることが多い。このアノード電極２０をめっ
き装置に組み込むことによってめっきが行われる。
ノード電極の一例における概略構成を図６の平面図に示
す。従来のめっき装置のアノード電極２０は、装置の種
類によらず図６に示す通り、白金あるいは金などの導電
材料を全体に一様に用いて構成された一枚の円板状の形
になっていることが多い。このアノード電極２０をめっ
き装置に組み込むことによってめっきが行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
めっき装置では、径の大きいウエハ、特に８インチ以上
のウエハなどをめっきする場合、めっき液の流速，流量
のウエハ付近における不均一性、あるいはアノード電極
とカソード電極間に印加される電圧による被めっき体で
あるウエハ上、あるいはその近辺における電位分布の場
所による不均一性が大きくなるため、図６に示すアノー
ド電極２０の構成では、この電位分布のばらつきを吸収
することができず、めっき厚のばらつきが発生するおそ
れがある。
めっき装置では、径の大きいウエハ、特に８インチ以上
のウエハなどをめっきする場合、めっき液の流速，流量
のウエハ付近における不均一性、あるいはアノード電極
とカソード電極間に印加される電圧による被めっき体で
あるウエハ上、あるいはその近辺における電位分布の場
所による不均一性が大きくなるため、図６に示すアノー
ド電極２０の構成では、この電位分布のばらつきを吸収
することができず、めっき厚のばらつきが発生するおそ
れがある。
【０００６】本発明は、前記従来の問題点に鑑み、被め
っき体が大口径となっても、その被めっき体におけるめ
っき厚のばらつきを抑えることができて、均一なめっき
厚が得られるめっき用電極およびめっき装置ならびにめ
っき方法を提供することを目的とするものである。
っき体が大口径となっても、その被めっき体におけるめ
っき厚のばらつきを抑えることができて、均一なめっき
厚が得られるめっき用電極およびめっき装置ならびにめ
っき方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るめっき用電極は、少なくとも２種の互
いに異なる導電率を有する材質部を組み合わせて構成し
たことを特徴とし、また、本発明に係る他のめっき用電
極は、一部分に開口を設けたことを特徴とする。
め、本発明に係るめっき用電極は、少なくとも２種の互
いに異なる導電率を有する材質部を組み合わせて構成し
たことを特徴とし、また、本発明に係る他のめっき用電
極は、一部分に開口を設けたことを特徴とする。
【０００８】以上のようなめっき用電極を半導体デバイ
スの製造工程におけるめっき装置のアノード電極に用い
ることによって、被めっき体である半導体ウエハとアノ
ード電極間の電界に平面的に分布を持たせ、めっき液中
において、めっき層として成長すべきイオンの一定時間
当たりの流量分布を、めっき膜厚が均一になるように調
整することができる。特に一部分に開口を設けたアノー
ド電極は、より大きな場所的変化の電界分布を生成する
ことができ、めっき層の大きな膜厚不均一性を改善し、
大口径８インチウエハなどに対するめっきに効果を発揮
する。
スの製造工程におけるめっき装置のアノード電極に用い
ることによって、被めっき体である半導体ウエハとアノ
ード電極間の電界に平面的に分布を持たせ、めっき液中
において、めっき層として成長すべきイオンの一定時間
当たりの流量分布を、めっき膜厚が均一になるように調
整することができる。特に一部分に開口を設けたアノー
ド電極は、より大きな場所的変化の電界分布を生成する
ことができ、めっき層の大きな膜厚不均一性を改善し、
大口径８インチウエハなどに対するめっきに効果を発揮
する。
【０００９】噴流式めっき装置と呼ばれるタイプのめっ
き装置においては、アノード電極における互いに異なる
導電率を有する材質部の組み合わせ方を、被めっき体に
対向して設置されるその対向側において、中心部分が低
導電材質、かつ周辺部分が高導電材質からなるものにす
る。
き装置においては、アノード電極における互いに異なる
導電率を有する材質部の組み合わせ方を、被めっき体に
対向して設置されるその対向側において、中心部分が低
導電材質、かつ周辺部分が高導電材質からなるものにす
る。
【００１０】また、他の構成としては、被めっき体に対
向して設置されるその対向側において、中心部分に開口
を有するものにする。
向して設置されるその対向側において、中心部分に開口
を有するものにする。
【００１１】さらに、ディップ式めっき装置と呼ばれる
タイプのめっき装置においては、アノード電極は、電源
が接続された被めっき体に対向して設置されるその対向
側を、少なくとも被めっき体の電源接続部分に対向する
部分が低導電材質からなり、他の部分が高導電材質から
なるものにする。
タイプのめっき装置においては、アノード電極は、電源
が接続された被めっき体に対向して設置されるその対向
側を、少なくとも被めっき体の電源接続部分に対向する
部分が低導電材質からなり、他の部分が高導電材質から
なるものにする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１は本発明の第１実施形態を説明するた
めの半導体製造用の噴流式めっき装置の正面を断面して
内部主要部分を示す概略構成図であり、１は噴流式めっ
き装置用のアノード電極、２はめっきカップ、３は被め
っきウエハ（半導体ウエハ）、４はカソード電極、５は
噴流ポンプ、６はめっき液、７は電源である。本実施形
態では、噴流式めっき装置全体としては従来から用いら
れている装置と同様な構成からなるが、従来装置とはア
ノード電極１の構成が異なる点にその特徴を有するもの
である。
めの半導体製造用の噴流式めっき装置の正面を断面して
内部主要部分を示す概略構成図であり、１は噴流式めっ
き装置用のアノード電極、２はめっきカップ、３は被め
っきウエハ（半導体ウエハ）、４はカソード電極、５は
噴流ポンプ、６はめっき液、７は電源である。本実施形
態では、噴流式めっき装置全体としては従来から用いら
れている装置と同様な構成からなるが、従来装置とはア
ノード電極１の構成が異なる点にその特徴を有するもの
である。
【００１４】図２は図１に示す噴流式めっき装置に用い
られるアノード電極１の概略構成を示す平面図であり、
このアノード電極１は同心円状に２つの異なる材質を組
み合わせて構成されており、外周部の１−Ａが高導電材
質からなるアノード部、中央部の１−Ｂが低導電材質か
らなるアノード部であって、外周部１−Ａと中央部１−
Ｂとはそれぞれめっき液６が噴流可能であるようにメッ
シュ状に形成されている。
られるアノード電極１の概略構成を示す平面図であり、
このアノード電極１は同心円状に２つの異なる材質を組
み合わせて構成されており、外周部の１−Ａが高導電材
質からなるアノード部、中央部の１−Ｂが低導電材質か
らなるアノード部であって、外周部１−Ａと中央部１−
Ｂとはそれぞれめっき液６が噴流可能であるようにメッ
シュ状に形成されている。
【００１５】図３は図１に示す噴流式めっき装置に用い
られる他のアノード電極１の概略構成を示す平面図であ
り、このアノード電極１は、外周部の１−Ｃが高導電材
質からなるアノード部、中央部の１−Ｄが開口する全体
としてドーナツ形をなすように構成されている。
られる他のアノード電極１の概略構成を示す平面図であ
り、このアノード電極１は、外周部の１−Ｃが高導電材
質からなるアノード部、中央部の１−Ｄが開口する全体
としてドーナツ形をなすように構成されている。
【００１６】図１に示す噴流式めっき装置を用いてめっ
きを行う手順について説明する。
きを行う手順について説明する。
【００１７】まず、図２あるいは図３に示す円板状をな
すアノード電極１のいずれかを、噴流式めっき装置本体
のめっきカップ２に組み込む。その後、このめっきカッ
プ２の上部に被めっきウエハ３をセットする。この際、
被めっきウエハ３とカソード電極４が確実に電気的に接
続するようにセットする必要がある。その後、噴流ポン
プ５より、めっきカップ２の下部からめっき液６が噴流
され、被めっきウエハ３にめっき液６が当接する。その
後、電源７から電流がアノード電極１およびカソード電
極４に供給され、公知のようにめっきが行われる。
すアノード電極１のいずれかを、噴流式めっき装置本体
のめっきカップ２に組み込む。その後、このめっきカッ
プ２の上部に被めっきウエハ３をセットする。この際、
被めっきウエハ３とカソード電極４が確実に電気的に接
続するようにセットする必要がある。その後、噴流ポン
プ５より、めっきカップ２の下部からめっき液６が噴流
され、被めっきウエハ３にめっき液６が当接する。その
後、電源７から電流がアノード電極１およびカソード電
極４に供給され、公知のようにめっきが行われる。
【００１８】次に、図２に示すアノード電極の具体的な
材質，構成，効果について説明する。高導電材質アノー
ド部１−Ａには、白金，金，銀などの金属の中でも特に
比抵抗の低い材料を用いる。一方、低導電材質アノード
部１−Ｂには、チタン，アルミなどの白金，金，銀と比
較すると抵抗が高い材料を用いる。そして、図２に示す
ように、円形のアノード電極１の外周部分を高導電材質
アノード部１−Ａとし、中央部分を低導電材質アノード
部１−Ｂとする構成になっており、両アノード部１−
Ａ，１−Ｂはめっき液６が通過するようにメッシュ状に
成型されている。
材質，構成，効果について説明する。高導電材質アノー
ド部１−Ａには、白金，金，銀などの金属の中でも特に
比抵抗の低い材料を用いる。一方、低導電材質アノード
部１−Ｂには、チタン，アルミなどの白金，金，銀と比
較すると抵抗が高い材料を用いる。そして、図２に示す
ように、円形のアノード電極１の外周部分を高導電材質
アノード部１−Ａとし、中央部分を低導電材質アノード
部１−Ｂとする構成になっており、両アノード部１−
Ａ，１−Ｂはめっき液６が通過するようにメッシュ状に
成型されている。
【００１９】例えば６インチウエハを電流密度０．４Ａ
／ｄｍ2の条件により金めっきを行う場合、使用する噴
流式めっき装置用のアノード電極１の大きさは直径１０
０ｍｍとし、そのうち高導電材質アノード部１−Ａの部
分を外周辺から３０ｍｍ程度にすることが好ましい。
／ｄｍ2の条件により金めっきを行う場合、使用する噴
流式めっき装置用のアノード電極１の大きさは直径１０
０ｍｍとし、そのうち高導電材質アノード部１−Ａの部
分を外周辺から３０ｍｍ程度にすることが好ましい。
【００２０】このように高導電材質アノード部１−Ａと
低導電材質アノード部１−Ｂとを組み合わせたアノード
電極１を用いることによって、ウエハ上に成長するめっ
き層の厚さの均一性を改善することができる。この改善
効果は以下のように説明することができる。
低導電材質アノード部１−Ｂとを組み合わせたアノード
電極１を用いることによって、ウエハ上に成長するめっ
き層の厚さの均一性を改善することができる。この改善
効果は以下のように説明することができる。
【００２１】すなわち、噴流式めっき装置においては、
図１に示す噴流ポンプ５の噴流作用により、めっき液６
がめっきカップ２の上部出口から被めっきウエハ３の方
向に放射状に流れるが、その流れの分布を検討すると、
流れの中心部の流速が速くなり、めっきカップ２のテー
パー状表面に近くなるほど流速が遅くなる。
図１に示す噴流ポンプ５の噴流作用により、めっき液６
がめっきカップ２の上部出口から被めっきウエハ３の方
向に放射状に流れるが、その流れの分布を検討すると、
流れの中心部の流速が速くなり、めっきカップ２のテー
パー状表面に近くなるほど流速が遅くなる。
【００２２】ところで、めっき液６中にはウエハ上に成
長するめっき層を構成する導電物質のイオンが存在す
る。したがって、アノード電極１が従来のように均一な
単一材料で構成されていると、アノード電極１と被めっ
きウエハ３との間の電界がほぼ均一になるため、めっき
液６の場所的流速分布を反映したイオン流が被めっきウ
エハ３の表面に到達する。このため、めっき層の厚さ
は、イオン量、ひいては流速分布を反映し、めっき液噴
流中心に対応するウエハ中心部が厚くなる傾向にある。
長するめっき層を構成する導電物質のイオンが存在す
る。したがって、アノード電極１が従来のように均一な
単一材料で構成されていると、アノード電極１と被めっ
きウエハ３との間の電界がほぼ均一になるため、めっき
液６の場所的流速分布を反映したイオン流が被めっきウ
エハ３の表面に到達する。このため、めっき層の厚さ
は、イオン量、ひいては流速分布を反映し、めっき液噴
流中心に対応するウエハ中心部が厚くなる傾向にある。
【００２３】一方、図２に示すアノード電極１を用いた
場合、電極の中心領域は低導電材質アノード部１−Ｂに
より構成され、電極の外周辺部は高導電材質アノード部
１−Ａにより構成されるため、アノード電極１の中心領
域では電位が低くなり、外周辺領域では電位が高くなる
ような電位分布が生じる。したがって、アノード電極１
と被めっきウエハ３間の電界は、めっき液６の噴流の中
心部において小さく、外周辺部において大きくなり、電
界にも分布が生じることになる。よって、流量の大きい
めっき液噴流中心では電界が小さいために、イオンのウ
エハ方向における移動能力が、めっき液噴流周辺と比較
して減少する。
場合、電極の中心領域は低導電材質アノード部１−Ｂに
より構成され、電極の外周辺部は高導電材質アノード部
１−Ａにより構成されるため、アノード電極１の中心領
域では電位が低くなり、外周辺領域では電位が高くなる
ような電位分布が生じる。したがって、アノード電極１
と被めっきウエハ３間の電界は、めっき液６の噴流の中
心部において小さく、外周辺部において大きくなり、電
界にも分布が生じることになる。よって、流量の大きい
めっき液噴流中心では電界が小さいために、イオンのウ
エハ方向における移動能力が、めっき液噴流周辺と比較
して減少する。
【００２４】このため、一定時間内にウエハ表面に到達
するイオン量は、従来と比較して噴流の中心部において
減少することになる。よって、ウエハ上では、そのよう
なイオン量分布に対応して、めっき厚が中心において厚
くならない均一なめっき層を形成することができること
になる。
するイオン量は、従来と比較して噴流の中心部において
減少することになる。よって、ウエハ上では、そのよう
なイオン量分布に対応して、めっき厚が中心において厚
くならない均一なめっき層を形成することができること
になる。
【００２５】次に、図３に示すドーナツ形のアノード電
極１の材質，構成，効果について説明する。高導電材質
アノード部１−Ｃには、白金，金，銀などが用いられ、
全体形状としては、図３に示すように、中央部分が円形
にくりぬかれたような形状であり、高導電材質アノード
部１−Ｃの中央部分に開口１−Ｄが開けられた構成にな
っている。
極１の材質，構成，効果について説明する。高導電材質
アノード部１−Ｃには、白金，金，銀などが用いられ、
全体形状としては、図３に示すように、中央部分が円形
にくりぬかれたような形状であり、高導電材質アノード
部１−Ｃの中央部分に開口１−Ｄが開けられた構成にな
っている。
【００２６】この図３に示すアノード電極１では、その
中心部分に開口１−Ｄが存在するドーナツ形状にしたこ
とによって、めっき作業中、その開口１−Ｄには電位が
存在しないことになる。したがって、被めっきウエハ３
とアノード電極１間の電界は、めっき液６の噴流中心部
において、図２に示すアノード電極１を使用する場合よ
りも極めて低くなり、被めっきウエハ３に到達するイオ
ン量も大きく減少することになる。このため、図３に示
すアノード電極１は、図２に示すアノード電極１では制
御することができないようなめっき層の膜厚不均一を生
じた場合、あるいは、本来、不均一性が大きくなる大口
径ウエハ、例えば８インチ以上のウエハに対してめっき
を行う場合に非常に有効である。
中心部分に開口１−Ｄが存在するドーナツ形状にしたこ
とによって、めっき作業中、その開口１−Ｄには電位が
存在しないことになる。したがって、被めっきウエハ３
とアノード電極１間の電界は、めっき液６の噴流中心部
において、図２に示すアノード電極１を使用する場合よ
りも極めて低くなり、被めっきウエハ３に到達するイオ
ン量も大きく減少することになる。このため、図３に示
すアノード電極１は、図２に示すアノード電極１では制
御することができないようなめっき層の膜厚不均一を生
じた場合、あるいは、本来、不均一性が大きくなる大口
径ウエハ、例えば８インチ以上のウエハに対してめっき
を行う場合に非常に有効である。
【００２７】以上説明したアノード電極１における低導
電材質アノード部１−Ｂ，高導電材質アノード部１−Ａ
および高導電材質アノード部１−Ｃ，開口１−Ｄ部の寸
法などは、特に前記の例に限定されるものではない。こ
れらの寸法はウエハ上におけるめっき層が均一になるよ
うに適宜調整して設定する。
電材質アノード部１−Ｂ，高導電材質アノード部１−Ａ
および高導電材質アノード部１−Ｃ，開口１−Ｄ部の寸
法などは、特に前記の例に限定されるものではない。こ
れらの寸法はウエハ上におけるめっき層が均一になるよ
うに適宜調整して設定する。
【００２８】図４は本発明の第２実施形態を説明するた
めの半導体装置の製造工程に用いられるディップ式めっ
き装置の正面を断面して内部主要部分を示す概略構成図
であり、１０はアノード電極、１１は被めっきウエハ、
１２はカソード電極、１３はめっき液、１４は電源、１
５はめっき液槽である。
めの半導体装置の製造工程に用いられるディップ式めっ
き装置の正面を断面して内部主要部分を示す概略構成図
であり、１０はアノード電極、１１は被めっきウエハ、
１２はカソード電極、１３はめっき液、１４は電源、１
５はめっき液槽である。
【００２９】図５は図４に示すディップ式めっき装置に
適用されるアノード電極１０の概略構成を示す平面図で
あり、１０−Ａは下部に形成された高導電材質アノード
部、１０−Ｂは上部に形成された低導電材質アノード部
である。
適用されるアノード電極１０の概略構成を示す平面図で
あり、１０−Ａは下部に形成された高導電材質アノード
部、１０−Ｂは上部に形成された低導電材質アノード部
である。
【００３０】図４に示すディップ式めっき装置を用いて
めっきを行う手順を説明する。
めっきを行う手順を説明する。
【００３１】まず、アノード電極１０をディップ式めっ
き装置本体に組み込む。その後、カソード電極１２に被
めっきウエハ１１を連結し、被めっきウエハ１１をめっ
き液槽１５中のめっき液１３中に入れる。その後、電源
１４から電流がアノード電極１０およびカソード電極１
２に供給されてめっきが行われる。
き装置本体に組み込む。その後、カソード電極１２に被
めっきウエハ１１を連結し、被めっきウエハ１１をめっ
き液槽１５中のめっき液１３中に入れる。その後、電源
１４から電流がアノード電極１０およびカソード電極１
２に供給されてめっきが行われる。
【００３２】次に、図５に示すディップ式めっき装置用
のアノード電極１０の材質，構成，効果について説明す
る。高導電材質アノード部１０−Ａには白金，金，銀な
どが用いられる。また、低導電材質アノード部１０−Ｂ
にはチタン，アルミなどが用いられる。さらに図５に示
すように、円板状のアノード電極１０の上部（図４に示
す装置に設置した場合にはカソード電極１２側に対応す
る）にひろがった部分が高導電材質アノード部１０−Ａ
であり、その他の部分が低導電材質アノード部１０−Ｂ
となる構成になっている。
のアノード電極１０の材質，構成，効果について説明す
る。高導電材質アノード部１０−Ａには白金，金，銀な
どが用いられる。また、低導電材質アノード部１０−Ｂ
にはチタン，アルミなどが用いられる。さらに図５に示
すように、円板状のアノード電極１０の上部（図４に示
す装置に設置した場合にはカソード電極１２側に対応す
る）にひろがった部分が高導電材質アノード部１０−Ａ
であり、その他の部分が低導電材質アノード部１０−Ｂ
となる構成になっている。
【００３３】一般的にディップ式めっき装置では、図４
に示すように、被めっきウエハ１１の上端にカソード電
極１２を固定するが、半導体材料からなる被めっきウエ
ハ１１の抵抗値が、金属からなるアノード電極１０の抵
抗値と比較して極めて高いため、被めっきウエハ１１上
において、めっき層を形成するためのイオンによる電流
がカソード電極１２付近に集中して流入する傾向にあ
る。そうすると被めっきウエハ１１上のめっき厚がカソ
ード電極１２付近において厚くなってしまう。
に示すように、被めっきウエハ１１の上端にカソード電
極１２を固定するが、半導体材料からなる被めっきウエ
ハ１１の抵抗値が、金属からなるアノード電極１０の抵
抗値と比較して極めて高いため、被めっきウエハ１１上
において、めっき層を形成するためのイオンによる電流
がカソード電極１２付近に集中して流入する傾向にあ
る。そうすると被めっきウエハ１１上のめっき厚がカソ
ード電極１２付近において厚くなってしまう。
【００３４】そこでアノード電極１０を図５に示すよう
な構成のものとし、その低導電材質アノード部１０−Ｂ
を、カソード電極１１と相対するように上側にして設置
すれば、前述したように被めっきウエハ１１とアノード
電極１０間の電界は、アノード電極１０の上部において
小さくなり、また下部において大きくなる。したがっ
て、アノード電極１０の上部付近において一定時間に移
動するイオン量は、下部より小さくなり、この分布によ
って被めっきウエハ１１の上部のカソード電極１２に近
い部分における電流集中を相殺する作用を持つことにな
る。よって、被めっきウエハ１１上におけるめっき厚を
均一にすることができる。
な構成のものとし、その低導電材質アノード部１０−Ｂ
を、カソード電極１１と相対するように上側にして設置
すれば、前述したように被めっきウエハ１１とアノード
電極１０間の電界は、アノード電極１０の上部において
小さくなり、また下部において大きくなる。したがっ
て、アノード電極１０の上部付近において一定時間に移
動するイオン量は、下部より小さくなり、この分布によ
って被めっきウエハ１１の上部のカソード電極１２に近
い部分における電流集中を相殺する作用を持つことにな
る。よって、被めっきウエハ１１上におけるめっき厚を
均一にすることができる。
【００３５】なお、前記実施形態では、図２，図５に示
すいずれのアノード電極１，１０の構成を異なる導電率
を有する２種の材料を組み合わせたものとして説明した
が、前記の例に限らず、ウエハの口径，ウエハ上におけ
るめっき層の不均一性の度合いに応じて、３種以上の互
いに異なる導電率の材料を組み合わせてアノード電極を
構成することも考えられる。
すいずれのアノード電極１，１０の構成を異なる導電率
を有する２種の材料を組み合わせたものとして説明した
が、前記の例に限らず、ウエハの口径，ウエハ上におけ
るめっき層の不均一性の度合いに応じて、３種以上の互
いに異なる導電率の材料を組み合わせてアノード電極を
構成することも考えられる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成のよ
うなめっき用電極を使用することによって、被めっき体
付近におけるめっき液の流速，流量の不均一性、あるい
は被めっき体上およびその近辺の電位分布の不均一性に
よって発生する被めっき体上におけるめっき層の膜厚の
不均一性を改善することができる。そして、本発明は特
に径の大きい８インチ以上の半導体ウエハなどに対して
めっきする場合にその効果が大きい。
うなめっき用電極を使用することによって、被めっき体
付近におけるめっき液の流速，流量の不均一性、あるい
は被めっき体上およびその近辺の電位分布の不均一性に
よって発生する被めっき体上におけるめっき層の膜厚の
不均一性を改善することができる。そして、本発明は特
に径の大きい８インチ以上の半導体ウエハなどに対して
めっきする場合にその効果が大きい。
【図１】本発明の第１実施形態を説明するための噴流式
めっき装置の概略構成図
めっき装置の概略構成図
【図２】本発明の第１実施形態である噴流式めっき装置
用のアノード電極の概略構成を示す平面図
用のアノード電極の概略構成を示す平面図
【図３】本発明の第１実施形態である噴流式めっき装置
用の他のアノード電極の概略構成を示す平面図
用の他のアノード電極の概略構成を示す平面図
【図４】本発明の第２実施形態を説明するためのディッ
プ式めっき装置の概略構成図
プ式めっき装置の概略構成図
【図５】本発明の第２実施形態であるディップ式めっき
装置用のアノード電極の概略構成を示す平面図
装置用のアノード電極の概略構成を示す平面図
【図６】従来のめっき装置用のアノード電極の概略構成
を示す平面図
を示す平面図
１，１０ アノード電極 ２ めっきカップ ３，１１ 被めっきウエハ ４，１２ カソード電極 ５ 噴流ポンプ ６，１３ めっき液 ７，１４ 電源 １５ めっき液槽 １−Ａ，１−Ｃ，１０−Ａ 高導電材質アノード部 １−Ｂ，１０−Ｂ 低導電材質アノード部 １−Ｄ 開口
Claims (9)
- 【請求項１】 被めっき体上のめっき厚を所定の分布に
調節できるように、少なくとも２種の互いに異なる導電
率を有する材質部を組み合わせて構成したことを特徴と
するめっき用電極。 - 【請求項２】 被めっき体上のめっき厚を所定の分布に
調節できるように、一部分に開口を設けたことを特徴と
するめっき用電極。 - 【請求項３】 被めっき体に対してめっき液を噴流し、
電極に電界を加えてめっきを行う型式の噴流式めっき装
置に用いられるめっき用電極であって、被めっき体に対
向して設置され、その対向側において中心部分を低導電
材質とし、かつ周辺部分を高導電材質としたことを特徴
とするめっき用電極。 - 【請求項４】 被めっき体に対してめっき液を噴流し、
電極に電界を加えてめっきを行う型式の噴流式めっき装
置に用いられるめっき用電極であって、被めっき体に対
向して設置され、その対向側において中心部分に開口を
設けたことを特徴とするめっき用電極。 - 【請求項５】 めっき液に被めっき体を入れ、電極に電
界を加えてめっきを行う型式のディップ式めっき装置に
用いられるめっき用電極であって、電源が接続された被
めっき体に対向して設置され、少なくとも前記被めっき
体における前記電源の接続部分に対向する部分を低導電
材質とし、かつ他の部分を高導電材質としたことを特徴
とするめっき用電極。 - 【請求項６】 めっき液に浸された被めっき体に電界を
加えてめっきを行う構成のめっき装置において、被めっ
き体上のめっき厚を所定の分布に調節できるように、少
なくとも２種の互いに異なる導電率を有する材質部を組
み合わせて構成しためっき用電極を備えたことを特徴と
するめっき装置。 - 【請求項７】 めっき液に浸された被めっき体に電界を
加えてめっきを行う構成のめっき装置において、被めっ
き体上のめっき厚を所定の分布に調節できるように、一
部分に開口を設けためっき用電極を備えたことを特徴と
するめっき装置。 - 【請求項８】 めっき液に浸された被めっき体に電界を
加えてめっきを行うめっき方法において、少なくとも２
種の互いに異なる導電率を有する材質部を組み合わせて
構成しためっき用電極を被めっき体に対向させ、電源投
入時における前記めっき用電極と被めっき体間における
電界の発生状態を異ならせることによって、被めっき体
上のめっき厚を所定の分布に調整することを特徴するめ
っき方法。 - 【請求項９】 めっき液に浸された被めっき体に電界を
加えてめっきを行うめっき方法において、一部分に開口
を設けためっき用電極を被めっき体に対向させ、電源投
入時における前記めっき用電極と被めっき体間における
電界の発生状態を異ならせることによって、被めっき体
上のめっき厚を所定の分布に調整することを特徴するめ
っき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884498A JP3343077B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | めっき用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884498A JP3343077B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | めっき用電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000034599A true JP2000034599A (ja) | 2000-02-02 |
| JP3343077B2 JP3343077B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=16397865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19884498A Expired - Fee Related JP3343077B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | めっき用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3343077B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093834A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 噴流式バンプ形成装置 |
| FR2842536A1 (fr) * | 2002-07-19 | 2004-01-23 | Commissariat Energie Atomique | Reacteur electrolytique |
| JP2009108360A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Ebara Corp | 電気めっき用アノード及び電気めっき装置 |
| JPWO2019021468A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2020-02-27 | 三菱電機株式会社 | プロペラファン及び冷凍サイクル装置 |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP19884498A patent/JP3343077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093834A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 噴流式バンプ形成装置 |
| FR2842536A1 (fr) * | 2002-07-19 | 2004-01-23 | Commissariat Energie Atomique | Reacteur electrolytique |
| WO2004009877A2 (fr) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Commissariat A L'energie Atomique | Reacteur electrolytique |
| WO2004009877A3 (fr) * | 2002-07-19 | 2004-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Reacteur electrolytique |
| US7361256B2 (en) | 2002-07-19 | 2008-04-22 | Commissariat A L'energie Atomique | Electrolytic reactor |
| JP2009108360A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Ebara Corp | 電気めっき用アノード及び電気めっき装置 |
| JPWO2019021468A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2020-02-27 | 三菱電機株式会社 | プロペラファン及び冷凍サイクル装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3343077B2 (ja) | 2002-11-11 |
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