JPH02225693A - 噴流式ウエハメッキ装置 - Google Patents
噴流式ウエハメッキ装置Info
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- JPH02225693A JPH02225693A JP4331489A JP4331489A JPH02225693A JP H02225693 A JPH02225693 A JP H02225693A JP 4331489 A JP4331489 A JP 4331489A JP 4331489 A JP4331489 A JP 4331489A JP H02225693 A JPH02225693 A JP H02225693A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001932 seasonal effect Effects 0.000 description 1
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は噴流式ウェハメッキ装置に関するものである。
［従来の技術］
噴流式ウェハメッキ装置は、第５図に示すように、アノ
ード電極Ａの役目を果たすカップＢの上端に外周よりも
内側に櫛歯状をしたカソードビン電極Ｃを設け、このカ
ソードビン電＆Ｃの上面にウェハＤを載置し、カップＢ
の底部に設けた入口から導入したメッキ液Ｆの噴流をカ
ソードビン電極Ｃから流出させカップＢからオーバーフ
ロー受Ｇにオーバーフローさせる。このカソードビン電
極Ｃ間をメッキ液か通過する際にウェハ〇に接触してメ
ッキされる。
ード電極Ａの役目を果たすカップＢの上端に外周よりも
内側に櫛歯状をしたカソードビン電極Ｃを設け、このカ
ソードビン電＆Ｃの上面にウェハＤを載置し、カップＢ
の底部に設けた入口から導入したメッキ液Ｆの噴流をカ
ソードビン電極Ｃから流出させカップＢからオーバーフ
ロー受Ｇにオーバーフローさせる。このカソードビン電
極Ｃ間をメッキ液か通過する際にウェハ〇に接触してメ
ッキされる。
オーバーフローしたメッキ液はタンクＨに送られ、ポン
プＩによりフィルターＪを介して再び入口Ｅからカップ
Ｂに送られるようになっている。
プＩによりフィルターＪを介して再び入口Ｅからカップ
Ｂに送られるようになっている。
［発明が解決しようとする課題］
前記従来の装置にあっては、カップ内におけるメッキ液
の速度分布がウェハ中心部で強い為に。
の速度分布がウェハ中心部で強い為に。
この部分の厚みが厚く、ウェハの中心部と外周部ではメ
ッキ厚にバラツキがある。
ッキ厚にバラツキがある。
例えば、第６図に示すように、最大中心か１０ｐｍのメ
ッキ厚に対し、エッチ部分での厚さは８．５μｍであり
、バラツキが１．５ＪＬｍあった。
ッキ厚に対し、エッチ部分での厚さは８．５μｍであり
、バラツキが１．５ＪＬｍあった。
又、半径方向におけるバラツキも発生し、均一な厚さの
メッキを行うのが困難であった。
メッキを行うのが困難であった。
そこで本発明においてはメッキ厚さのバラツキを減少さ
せることができる装置を提供するのが目的である。
せることができる装置を提供するのが目的である。
［課題を解決するための手段］
本発明は前記目的を達成するために噴流式ウェハメッキ
装置を下面の入口からメッキ液を導入し、上端の櫛歯状
をした支持部材からオーバーフローさせるカップにおい
て、カップをアノード電極と、支持部材をカソード電極
とし５このカソード電極にウェハを載置して導電し、前
記入口の上側に流速を減少させる整流器を設置したもの
である。
装置を下面の入口からメッキ液を導入し、上端の櫛歯状
をした支持部材からオーバーフローさせるカップにおい
て、カップをアノード電極と、支持部材をカソード電極
とし５このカソード電極にウェハを載置して導電し、前
記入口の上側に流速を減少させる整流器を設置したもの
である。
又、下面の入口からメッキ液を導入し、上端からオーバ
ーフローさせるカップにおいて、カップをアノード電極
とし、カップの上側に位置するウェハをカソード電極で
ある回転する真空チャックで保持したものである。
ーフローさせるカップにおいて、カップをアノード電極
とし、カップの上側に位置するウェハをカソード電極で
ある回転する真空チャックで保持したものである。
［作 用］
第１番目の発明においてはカソード電極とアノード電極
とに通電してウェハに導電し、入口から導入したメッキ
液を入口の上側に位置した整流器により流速を減少させ
、全体の流速をほぼ均一にすることにより中心部とエッ
チ部とにおけるメッキ厚さのバラツキを小さくする。
とに通電してウェハに導電し、入口から導入したメッキ
液を入口の上側に位置した整流器により流速を減少させ
、全体の流速をほぼ均一にすることにより中心部とエッ
チ部とにおけるメッキ厚さのバラツキを小さくする。
又、第２番目の発明においては真空チャックをカソード
電極とし、アノード電極との間に通電してウェハの下面
に導電し、ウェハを回転させることにより、全体を均一
なメッキ厚にする。
電極とし、アノード電極との間に通電してウェハの下面
に導電し、ウェハを回転させることにより、全体を均一
なメッキ厚にする。
［￥施例］
第１番目の発明の実施例を第１．２図に基づいて詳細に
説明すると、従来から用いられていたカップｌの入口２
の上部に整流器３を設けて導入するメッキ液４の中心部
の流れを阻止するようになっている。
説明すると、従来から用いられていたカップｌの入口２
の上部に整流器３を設けて導入するメッキ液４の中心部
の流れを阻止するようになっている。
このカップ１は一部がアノード電極５の役目をなし、従
来と同様に櫛歯状をした支持部材６を設け、これをカソ
ードビン電極７とする。このカソードビン電極７の間か
らメッキ液４を流出させ、その途中においてメッキを行
うようになっている。
来と同様に櫛歯状をした支持部材６を設け、これをカソ
ードビン電極７とする。このカソードビン電極７の間か
らメッキ液４を流出させ、その途中においてメッキを行
うようになっている。
この実施例においては入口２の上側に整流器３が設置さ
れているので、中心部のメッキ液の流れか邪魔されるの
で流速か遅くなり、流れを均一化することができる。そ
の結果、流速により生じたメッキ厚さの不均一性を極力
少なくすることができる。
れているので、中心部のメッキ液の流れか邪魔されるの
で流速か遅くなり、流れを均一化することができる。そ
の結果、流速により生じたメッキ厚さの不均一性を極力
少なくすることができる。
この実施例によれば、第２図に示すように中心が１１０
７ｚの厚さに対し、エッチ部は９．５ｐｍの厚さになっ
た。それ故、バラツキは０．５ＪＬｍにすることかでき
た。
７ｚの厚さに対し、エッチ部は９．５ｐｍの厚さになっ
た。それ故、バラツキは０．５ＪＬｍにすることかでき
た。
次に第２番目の発明の実施例を第３図に基いて詳細に説
明すると、本実施例に従来から用いられている力・ンブ
ｌの上方にウェハ８を位置させる。
明すると、本実施例に従来から用いられている力・ンブ
ｌの上方にウェハ８を位置させる。
このウェハ８は真空チャック９で保持し、自由に回転で
きるようになっており、真空チャック９がカソード電極
７′を兼務できるようにしてウェハ８に導電できるよう
になっている。そして、カソード電極７′とアノード電
極５との間に直流及びパルス電流を流してメッキを行う
。
きるようになっており、真空チャック９がカソード電極
７′を兼務できるようにしてウェハ８に導電できるよう
になっている。そして、カソード電極７′とアノード電
極５との間に直流及びパルス電流を流してメッキを行う
。
第３図中、第１図と同一部材は同一符号を付し、説明を
省略する。
省略する。
尚、ウェハ８′が高抵抗で下面に導電できない場合には
第４図に示すように、真空チャック９の外周とウェハ８
′の下面とに接する通電部材１０でウェハ８′を挾持す
ることによりウェハ８′の下面に通電できるようにする
。
第４図に示すように、真空チャック９の外周とウェハ８
′の下面とに接する通電部材１０でウェハ８′を挾持す
ることによりウェハ８′の下面に通電できるようにする
。
他は前記実施例と同一なので、同一符号を付し説明を省
略する。
略する。
尚、支持部材６は櫛歯状にする必要はなくメッキ液をオ
ーバーフローさせればよいもので、カップの側壁をその
まま延長させてもよいものである。
ーバーフローさせればよいもので、カップの側壁をその
まま延長させてもよいものである。
前記両実施例においてはウェハを回転させなからメッキ
を行うので、メッキ液の全周へのオーバーフローの不均
一な流れ及びメッキ液の流量分布のバラツキによるメッ
キ厚が場所によりバラツクのを防止して均一なメッキを
行うことができる。
を行うので、メッキ液の全周へのオーバーフローの不均
一な流れ及びメッキ液の流量分布のバラツキによるメッ
キ厚が場所によりバラツクのを防止して均一なメッキを
行うことができる。
特に、同一円周における不均一を確実に防止することが
できる。
できる。
尚、再実施例における回転速度は１０分／１回転〜１分
／１回転が適当である。
／１回転が適当である。
尚、第１番目の発明と第２番目の発明を組合わせるとよ
り一そう優れた発明を構成することができるのは勿論で
ある。
り一そう優れた発明を構成することができるのは勿論で
ある。
［発明の効果］
第１番目の発明においては、メッキ液の流れの均一化を
することかでき、流速により生じた中心部とエッチ部と
のメッキ厚のバラツキを極力少なくすることかできる。
することかでき、流速により生じた中心部とエッチ部と
のメッキ厚のバラツキを極力少なくすることかできる。
又第２番目の発明においては、ウェハを回転することに
より、ウェハの製造及び装置の構造上の不確実性を無く
すことかできるので、安定した均一性の良いメッキを行
うことかできる。
より、ウェハの製造及び装置の構造上の不確実性を無く
すことかできるので、安定した均一性の良いメッキを行
うことかできる。
第１図は第１番目の発明の実施例を示す断面図、第２図
はメッキ厚分布を示す説明図、第３図は第２番目の発明
の実施例の断面図、第４図は他の実施例の断面図、第５
図は従来装置の断面図。 第６図は従来のメッキ厚分布の説明図である。 ｌ・・・カップ、２・・・入口、３・・・整流器、４・
・・メッキ液、５・・・アノード電極、６・・・支持部
材、７・・・カソードビン電極、７′・・・カソード電
極、８，８′・・・ウェハ、９・・・真空チャック、ｌ
Ｏ・・・通電部材。 第１図 第２図 メφも季さ分布 ウェハ
はメッキ厚分布を示す説明図、第３図は第２番目の発明
の実施例の断面図、第４図は他の実施例の断面図、第５
図は従来装置の断面図。 第６図は従来のメッキ厚分布の説明図である。 ｌ・・・カップ、２・・・入口、３・・・整流器、４・
・・メッキ液、５・・・アノード電極、６・・・支持部
材、７・・・カソードビン電極、７′・・・カソード電
極、８，８′・・・ウェハ、９・・・真空チャック、ｌ
Ｏ・・・通電部材。 第１図 第２図 メφも季さ分布 ウェハ
Claims (2)
- （１）下面の入口からメッキ液を導入し、上端の櫛歯状
をした支持部材からオーバーフローさせるカップにおい
て、カップをアノード電極と、支持部材をカソード電極
とし、このカソード電極にウェハを載置して導電し、前
こ入口の上側に流速を減少させる整流器を設置したこと
を特徴とする噴流式ウェハメッキ装置。 - （２）下面の入口からメッキ液を導入し、上端からオー
バーフローさせるカップにおいて、カップをアノード電
極とし、カップの上側に位置するウェハをカソード電極
である回転する真空チャックで保持したことを特徴とす
る噴流式ウェハメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331489A JPH02225693A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 噴流式ウエハメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331489A JPH02225693A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 噴流式ウエハメッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225693A true JPH02225693A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12660345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4331489A Pending JPH02225693A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 噴流式ウエハメッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225693A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04246199A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Nec Corp | めっき処理装置 |
| JP2002220690A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 電気メッキ方法および装置 |
| JP2007070658A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | ニッケルめっき金型の製造方法および製造装置 |
| WO2008071239A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Apparatus and process for single-side wet chemical and electrolytic treatment of goods |
| JP2012007201A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | めっき装置 |
| JP2023107659A (ja) * | 2022-01-24 | 2023-08-03 | アスカコーポレーション株式会社 | 噴流式めっき装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182823A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Nec Corp | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
| JPS62133097A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハのめつき装置 |
| JPS6410072B2 (ja) * | 1980-10-11 | 1989-02-21 | Canon Kk |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP4331489A patent/JPH02225693A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410072B2 (ja) * | 1980-10-11 | 1989-02-21 | Canon Kk | |
| JPS58182823A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Nec Corp | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
| JPS62133097A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハのめつき装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04246199A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Nec Corp | めっき処理装置 |
| JP2002220690A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 電気メッキ方法および装置 |
| JP2007070658A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | ニッケルめっき金型の製造方法および製造装置 |
| WO2008071239A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Apparatus and process for single-side wet chemical and electrolytic treatment of goods |
| JP2012007201A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | めっき装置 |
| JP2023107659A (ja) * | 2022-01-24 | 2023-08-03 | アスカコーポレーション株式会社 | 噴流式めっき装置 |
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