JP2003034893A - メッキ方法およびメッキ装置 - Google Patents
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Abstract
単純な形状の遮蔽板を設けることにより、ばらつきの非
常に少ないメッキ厚を得ることができるメッキ方法およ
びメッキ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板(被メッキ基板)4と陽極電
極5との間に、1つの開口部を有する遮蔽板7を挿入
し、上記遮蔽板7の開口部はその外縁が半導体基板4の
外縁よりも所定長さだけ小さくなっており、上記所定長
さは半導体基板4と開口部との寸法差が、半導体基板4
全面におけるメッキ厚(バンプ電極)を均一にする最適
の値となるように設定する。
Description
用したメッキ方法およびメッキ装置に関するものであ
り、特に、被メッキ材において均一なメッキ厚を得るた
めのメッキ方法およびメッキ装置に関するものである。
いて小型軽量化が進んでおり、それに呼応して、これら
の電子機器に組み込まれる半導体集積回路自体にも、小
型軽量化や高密度実装化が求められている。
する)の小型化および高密度実装化を達成する有力な方
法として、実装用の突起電極(所謂バンプ電極)を用い
る方法が広く用いられている。この方法では、半導体装
置表面の所定の位置に、メッキ技術を応用して金(A
u)によるバンプ電極を形成し、このバンプ電極を利用
して半導体装置を実装基板に直接実装するようになって
いる。
数組み込まれた半導体基板の表面にフォトレジストを塗
布し、バンプ電極を形成させるべき箇所のフォトレジス
ト膜を開口して、該半導体基板において予め堆積させて
おいた下地金属膜を露出させる。次いで、半導体基板を
メッキ液に浸たし、フォトレジスト膜の開口部分におい
て露出した下地金属膜上に、メッキ技術を用いてメッキ
金属、例えば金(Au)を析出させ、バンプ電極を形成
する。
キ法との2つの方法があるが、バンプ電極の形成には、
通常電解メッキ法が用いられている。電解メッキ法は、
メッキをすべき基板を陰極電極に接続し、基板と陽極電
極とを対向させてメッキ液中に浸漬し、所定の直流電圧
を印加して基板上の所定の位置にメッキ金属を析出させ
る方法であるが、無電解メッキ法に比べてメッキの成長
速度が格段に早く、また下地金属とメッキ液との組合わ
せの自由度が大きいこと等により、バンプ電極に必要な
数十μmの厚みのメッキ層を容易に形成することができ
る。
半導体装置を実装基板に実装する方法では、バンプ電極
と実装基板との接続強度の確保や、接続に係る実装基板
の信頼性の確保のために、半導体装置の表面に形成され
るバンプ電極の高さ、つまりメッキの厚さが、半導体装
置内はもとより、半導体基板内で均一であることが必要
不可欠である。
は、メッキすべき基板の表面近傍におけるメッキ金属の
イオン濃度を所定の濃度に保つことが必要である。この
ため、メッキ液を攪拌したり、あるいはメッキ液に所定
の流速を与えて、基板周辺で常にメッキ液を置換する方
法が用いられている。
メッキ槽内での電気力線は、基板の中心部では、基板お
よび陽極電極に垂直且つ互いに平行で、その密度もほぼ
均一であるものの、基板の周辺部では、エッジ効果など
によって電気力線が集中する傾向がある。このため、基
板の周辺部ではメッキの成長速度が基板の中心部より早
くなり、その結果、基板周辺部のメッキ厚が増大すると
いった問題が生じる。このような電界メッキ法において
発生するメッキの不均一性は、メッキ液の攪拌等により
基板周辺でメッキ液を置換させる上述の方法では、十分
に抑制することはできない。
厚を基板内で均一に保つ方法として、基板と陽極電極と
の間に、所定の形状の孔を設けた遮蔽板を挿入し、基板
表面の電場を制御する方法がある。
基板と陽極電極との間に小径穴を多数設けた遮蔽板を挿
入し、メッキ液の流れを調整してメッキ厚さの均一性を
図る技術が開示されている。しかしながら、上記遮蔽板
に形成される小径穴の大きさや配置を最適にするために
は煩雑極まりない処理が必要となる。
は、基板と陽極電極との間に開口部を有する遮蔽板を挿
入することで基板周辺部での電気力線の集中を防ぎ、基
板内でのメッキ厚の均一化を図る技術が開示されてい
る。
に開示してあるメッキ装置の概略図である。上記電解メ
ッキ装置11は、メッキ槽12中にメッキ液13が満た
されているものであり、該メッキ液13中に基板14お
よび陽極電極15が対向して配置されている。また、該
基板14および陽極電極15には電源16により直流電
圧が印加されている。基板14と陽極電鏡との間には遮
蔽板17が配置されている。
に開示された遮蔽板17の一例を示す平面図であり、該
遮蔽板17はレンズの絞りと同様な機構により、中心に
設けられた開口17aの大きさを任意に変えることがで
きるようになっている。また、該特開平11−2469
99号公報には、開口部の口径が異なる遮蔽板を複数枚
用い、それを抜き差しすることで、開口の大きさを変え
る方法も開示されている。
示されている方法では、メッキを行う際に基板の表面に
形成された導電膜の電気抵抗の変化を監視し、電気抵抗
の変化に応じて遮蔽板の開口部の大きさを変える(つま
り、絞りの開閉を行う、或いは遮蔽板を抜き差しする)
ことで、基板内でのメッキ厚の均一性を向上させること
ができる。
開平11−246999号公報の方法では、以下のよう
な課題が発生する。
部を有する構成とした場合、開口部の直径を任意に変化
させることは可能であるが、メッキ作業ごとの口径の再
現性に難がある。尚、上記絞りの調節にクリックストッ
プ機構を用いれば口径の再現性は向上するが機構的には
複雑となる。また、開口部の口径が異なる複数の遮蔽板
を利用する構成の場合、開口部の口径は遮蔽板ごとに定
まっているため口径の再現性は向上するが、多くの遮蔽
板を必要とする。
するために、基板表面に形成された導電膜の電気抵抗の
変化を常に監視し、電気抵抗の変化に伴い遮蔽板の開口
部の大きさを変化させる必要がある。そのためには、導
電膜の電気抵抗の変化を監視する手段、および遮蔽板の
開口部の大きさを変化させる手段が必要である。
の電気抵抗変化の察知、および電気抵抗の変化に応じた
遮蔽板の開口部の口径の変更を人手に頼って行なうとす
れば、作業者に対して煩雑な処理が要求されることとな
る。また、導電膜の電気抵抗の変化を監視する手段、お
よび遮蔽板の開口部の大きさを変化させる手段を装置に
て自動化することは、技術的にはもちろん可能である
が、多大な費用が発生することは明らかである。
なされたもので、その目的は、導電膜の電気抵抗の変化
を監視する手段、および遮蔽板の開口部の大きさを変化
させる手段を設けることなく、単純な形状の遮蔽板を設
けることにより、ばらつきの非常に少ないメッキ厚を得
ることができるメッキ方法およびメッキ装置を提供する
ことにある。
上記の課題を解決するために、被メッキ基板を陰極電極
とし、被メッキ基板と陽極電極とを略平行に対向させて
メッキ槽に充填されたメッキ液に浸漬して、電解メッキ
法により被メッキ基板にメッキを行なうメッキ方法にお
いて、上記被メッキ基板と陽極電極との間に1つの開口
部を有する遮蔽板を挿入し、上記遮蔽板の開口部は、そ
の外縁が被メッキ基板の外縁よりも所定長さだけ小さく
なっており、上記所定長さは、被メッキ基板と開口部と
の寸法差が、被メッキ基板全面におけるメッキ厚を均一
にする最適の値となるように設定されていることを特徴
としている。
て、被メッキ基板全面におけるメッキ厚を均一にするた
めの遮蔽板における開口部の最適値は、被メッキ基板の
外縁寸法と比較した場合、被メッキ基板の外縁寸法に関
わらず、被メッキ基板と遮蔽板の開口部との寸法差の一
定値として与えられることが明らかとなったことにより
なされたものである。
板の開口部は、その外縁が被メッキ基板の外縁よりも所
定長さだけ小さくなっており、上記所定長さは被メッキ
基板と開口部との寸法差が上記一定値になるように設定
される。これにより、被メッキ基板の寸法が決まった
時、その被メッキ基板に対して開口部寸法が最適な値に
設定された遮蔽板を準備するにあたって、開口部の寸法
調整などの特別な作業は必要は無く、最適な遮蔽板を容
易に準備することができる。
遮蔽板を用いてメッキ処理を行なうことにより、被メッ
キ基板内でのメッキ厚のばらつきの非常に少ないメッキ
が可能となる。この時、従来のように、メッキを行う際
の電気抵抗の変化を監視したり、遮蔽板の調整または交
換等を行なう必要がなく、従来技術に比べて大幅な費用
の抑制が可能となる。
して、上記被メッキ基板に半導体集積回路を組み込んだ
円形の半導体基板を用い、該半導体基板表面にメッキに
よるバンプ電極の形成を行なうと共に、上記遮蔽板の開
口部は円形形状であり、半導体基板と遮蔽板の開口部と
の直径差が、半導体基板全面におけるバンプ電極高さを
均一にする最適の値となるように設定されている構成と
することができる。
において、メッキ装置に導電膜の電気抵抗の変化を監視
する手段や遮蔽板の開口部の大きさを変化させる手段等
を備えることなく、半導体基板全体でのバンプ電極高さ
の均一性を高めることが可能となる。これにより、実用
に耐え得るレベルのバンプ電極と実装基板との接続強度
を容易に得ることができる。
するために、被メッキ基板を陰極電極とし、被メッキ基
板と陽極電極とを略平行に対向させてメッキ槽に充填さ
れたメッキ液に浸漬して、電解メッキ法により被メッキ
基板にメッキを行なうメッキ装置において、上記被メッ
キ基板と陽極電極との間に1つの開口部を有する遮蔽板
を挿入し、上記遮蔽板の開口部は、その外縁が被メッキ
基板の外縁よりも所定長さだけ小さくなっており、上記
所定長さは、被メッキ基板と開口部との寸法差が、被メ
ッキ基板全面におけるメッキ厚を均一にする最適の値と
なるように設定されていることを特徴としている。
用いてメッキ処理を行なうことが可能であり、被メッキ
基板の寸法が決まった時、その被メッキ基板に対して開
口部寸法が最適な値に設定された遮蔽板を準備するにあ
たって、開口部の寸法調整などの特別な作業は必要は無
く、最適な遮蔽板を容易に準備することができる。
遮蔽板を用いてメッキ処理を行なうことにより、被メッ
キ基板内でのメッキ厚のばらつきの非常に少ないメッキ
が可能となる。この時、従来のように、メッキを行う際
の電気抵抗の変化を監視したり、遮蔽板の調整または交
換等を行なう必要がなく、従来技術に比べて大幅な費用
の抑制が可能となる。
基板が、半導体集積回路を組み込んだ円形の半導体基板
であると共に、上記メッキ装置は該半導体基板表面にメ
ッキによるバンプ電極の形成を行なうものであって、上
記遮蔽板の開口部は円形形状であり、半導体基板と開口
部との直径差が、半導体基板全面におけるバンプ電極高
さを均一にする最適の値となるように設定されている構
成とすることができる。
において、メッキ装置に導電膜の電気抵抗の変化を監視
する手段や遮蔽板の開口部の大きさを変化させる手段等
を備えることなく、半導体基板全体でのバンプ電極高さ
の均一性を高めることが可能となる。これにより、実用
に耐え得るレベルのバンプ電極と実装基板との接続強度
を容易に得ることができる。
板の直径と遮蔽板の開口部の直径との差が、30mm以
上90mm以下であることが好ましく、45mm以上7
5mm以下であることがより好ましい。
いた場合の半導体集積回路の実装方法において、バンプ
電極と実装基板との実用的な実装強度が得られるとされ
るバンプ電極のばらつきの均一性を得ることができる。
1ないし図4に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。尚、以下の説明においては、本発明を適用するメッ
キ装置として、金メッキによりバンプ電極を形成する半
導体集積回路の製造に用いられる電界メッキ装置を例示
する。また、半導体集積回路の製造工程や製造条件等
は、通常の半導体集積回路の製造工程にて用いられてい
るものと同じである。
略構成を図1に示す。上記電解メッキ装置1は、メッキ
槽2中にメッキ液3が満たされているものであり、該メ
ッキ液3中に陰極電極となる半導体基板4および陽極電
極5が対向して配置されている。また、半導体基板4お
よび陽極電極5には電源6により直流電圧が印加されて
いる。半導体基板4と陽極電鏡との間には遮蔽板7が配
置されている。
他に、例えばメッキ槽2へのメッキ液の流入口や排出口
など、その他多くの部品等が付随しているが、図面の煩
雑さを避けるために本発明の特徴点について特に関係の
ない構成については図面中の記載を省略している。
いた半導体集積回路の製造方法、すなわち、半導体基板
4上への金(Au)メッキによるバンプ電極形成工程に
ついて説明する。
用いられる上記半導体基板4は、複数個の半導体集積回
路を組み込んでなるものであり、以下の工程により作成
される。但し、以下の説明による工程はあくまで一例で
あり、本発明はこれに限定されるものではない。
m)のシリコンウエハの表面全面に、SiO2 等の絶縁
膜を所定の厚さに堆積し、フォトリソグラフ技術および
絶縁膜エッチング技術を用いて、該絶縁膜の所定の位置
を開口する。
等の金属薄膜を約1umの厚さに堆積し、フォトリソグ
ラフ技術および金属薄膜エッチング技術を用いて出入力
用端子であるパッド電極を形成する。ここで、パッド電
極の大きさは、約60um×110umとした。また、
この際にウエハ表面に組み込まれたトランジスタ等の素
子の相互配線なども同時に形成されるものとする。
て、例えばSiN膜等の絶縁膜を約0.6umの厚さに
堆積し、フォトリソグラフ技術および絶縁膜エッチング
技術を用いて、表面保護膜の所定の位置、つまりパッド
電極の上部の表面保護膜を開口し、パッド電極を露出さ
せる。表面保護膜の開口部の大きさは、約30um×8
0umとした。
厚さに堆積する。この金属薄膜は、バンプ電極となるA
uと、パッド電極の材料であるAl、またはAl合金と
の反応を阻止すると共に、電解メッキを行う際の所謂カ
レントフィルムの役割を果たすもので、下地金属とも称
される。なお、この下地金属は、単層の金属薄膜でもか
まわないが、前記のようなAuとAlまたはAl合金と
の反応阻止性や、あるいはその他の観点から、通常は複
数の金属の積層膜が用いられている。下地金属として
は、下層にTiWを約0.2um、その上層にAuを
0.2umを堆積させた。
布し、フォトリソグラフ技術を用いて、ウエハ上の所定
の位置、すなわち表面保護膜の開口部上方のフォトレジ
ストを除去する。
いて被メッキ基板となる半導体基板4が形成される。な
お、ウエハ上に残ったフォトレジストはメッキ工程での
マスクの役目を果たし、メッキ金属はフォトレジストの
開口部に析出する。
メッキによってバンプ電極を形成するメッキ工程につい
て説明する。本実施の形態にかかる電界メッキ装置1
は、このメッキ工程を行なう装置である。
させた下地金属の所定位置に電界メッキ装置1の陰極電
極を接続する。そして、上記半導体基板4と陽極電極5
とを略平行に対向させ、メッキ槽2に充填してあるメッ
キ液3中に浸漬させる。また、半導体基板4と陽極電極
5との間には円形の開口部を有する絶縁体からなる遮蔽
板7を挿入する。半導体基板4と陽極電極5との間に電
源6によって所定の電圧を印加し、電解メッキ法により
メッキ金属を半導体基板4の所定の位置、すなわち、フ
ォトレジストの開口部に析出させる。
る電圧は、半導体基板4の大きさやメッキ速度などから
適宜設定すれば良い。また、半導体基板4と陽極電極5
との間隔は約40mm、遮蔽板7はその略中間に配置し
た。また、上記メッキ工程にて析出されるバンプ電極の
高さ(すなわち、メッキ厚さ)は約18umとし、バン
プ電極の大きさは約50um×100umとした。
終了した半導体基板4においては、フォトレジストが除
去され、さらに、該バンプ電極自体をマスクとして不要
な部分の下地金属が除去される。その後に所定の工程を
経て半導体集積回路が完成する。
金(Au)メッキによるバンプ電極の形成が行なわれる
が、本実施の形態に係る電界メッキ装置1は該バンプ電
極の高さを均一にするために、遮蔽板7の開口部の直径
を最適な値とすることを特徴としている。
値を調べるため、本実施の形態では遮蔽板7に設けた円
形の開口部の直径を変えてメッキを行い、メッキの厚さ
(バンプ電極の高さ)のウエハ内でのばらつきを調査し
た。尚、バンプ電極の高さの目標値は18umとした。
り、横軸は遮蔽板7の径と半導体基板4のウエハ径との
差(mm)、縦軸はバンプ電極の高さのばらつきの標準
偏差(3σ)を表わしている。また、図2では、半導体
基板4と陽極電極5との間に電圧を印加する電源とし
て、直流電源を用いた場合とパルス電源と用いた場合と
を示している。
電極の高さのばらつき(3σ)は、円形開口部の直径が
ウエハの直径より略60mm小さい場合に、最小の約
1.4umとなっていることがわかる。
を用いた実装技術において、バンプ電極と実装基板との
接続強度を得るためにはバンプ電極高さのばらつきはで
きるだけ小さいことが望ましく、半導体集積回路の高機
能化に伴い微細化が進展することで、その許容値はます
ます小さくなっている。そして、実際の製品レベルにお
いて、実用に耐え得るバンプ電極高さの差の許容値は最
大で約4μm程度とされている。すなわち、バンプ電極
高さのばらつき(3σ)の許容値は、プラスマイナスで
約2μm程度となる。
った場合、遮蔽板7に設ける円形開口部の直径は、半導
体基板4のウエハの直径より約30mmから90mm小
さい円形であれば良いことがわかる。また、より好まし
くは、遮蔽板7に設ける円形開口部の直径は、半導体基
板4のウエハの直径より約45mmから75mm小さい
円形とすれば、より強い接続強度が得られる。
板4(陰極電極)および陽極電極5直流電圧を印加した
場合の結果であるが、図2に示すように、パルス電圧を
印加してメッキを行った場合でも直流電圧を印加した場
合と同様の傾向を示し、円形開口部の直径がウエハの直
径より略60mm小さい場合にバンプ電極の高さのばら
つきが最小となっていることがわかる。
時間80msec、OFF時間20msec、印加時間
81分、印加電圧0.4mVである。この結果から陰極
電極および陽極電極にパルス電圧を印加しても、同等以
上の効果が得られることがわかる。
おいては6インチ(約150mm)のシリコンウエハを
用い、金(Au)によるバンプ電極の形成例を説明した
が、6インチ(約150mm)ウエハに限らず、8イン
チ(約200mm)のウエハでも、ウエハの直径より約
60mm小さい直径の開口部を有する遮蔽板7を用いた
ときにバンプ電極のばらつきは最小となり、遮蔽板7に
設ける円形開口部の直径が半導体基板4のウエハ径より
約30mmから90mm小さい場合にバンプ電極高さの
ばらつき(3σ)が実用における許容範囲内となること
が確認されている。
1において、遮蔽板7における開口部の最適値は、半導
体基板4のウエハ径と比較して、その直径の差を所定の
値とすることで均一なメッキ厚(すなわち、バンプ電極
高さ)が得られることが明らかである。そして、上記電
界メッキ装置1に用いる遮蔽板7の開口部の直径は、半
導体基板4のウエハの直径より約30mmから90m
m、より好ましくは約45mmから75mm小さければ
良く、ウエハの直径より60mm小さくすることが最も
望ましい。
ンウエハの直径は、6インチ(約150mm)、8イン
チ(約200mm)等とインチサイズで規格化されてい
る。そして、上述のように、遮蔽板7における開口部の
最適値が半導体基板4のウエハ径との差によって規定さ
れることが明らかになったことにより、各ウエハサイズ
に対して開口部の口径が最適に設定された遮蔽板7をた
だ1種類求めることが容易となり、遮蔽板7を開口部口
径を変えて多数準備する必要はない。また、上記遮蔽板
7は、絶縁体板に円形の開口部を設けただけの非常に簡
単な形状をしており、遮蔽板7を準備するために特別な
費用が発生することはない。
7を用いてメッキを行う場合には、メッキ中に開口部の
大きさを変える必要はなく、また、ウエハ表面の導電層
の電気抵抗とその変化を監視する必要はない。したがっ
て、電気抵抗の監視装置、および監視と調整に係る費用
の発生はなく、従来技術に比べると大幅な費用の抑制が
可能となる。
基板4と陽極電極5との間隔を約40mm、かつ、遮蔽
板7をその略中間に配置した条件で上記結果が得られて
いる。しかしながら、厳密には、半導体基板4と遮蔽板
7との距離が変化すれば、最適な数値範囲は変化する可
能性がある。
置におけるバンプ電極を金(Au)メッキにて形成する
装置である場合、被メッキ基板である半導体基板4にサ
イズのばらつきが少ないこと、および金メッキの場合に
はメッキ液のコストが高くつくためメッキ液の使用量を
少なくしようとする要求があることから、メッキ槽のサ
イズが限界まで小さくされており、電極の配置間隔等の
条件において装置毎のばらつきが生じることは少ないと
考えられる。
は、被メッキ基板の周辺部では電気力線が集中し、その
ために基板の中心部よりも周辺部のメッキ厚が厚くなる
ことが知られており、それを防止するために被メッキ基
板と陽極電極との間に遮蔽板を設ける方法が提案されて
いる。
路の製造に使用する場合、半導体基板4に用いられるシ
リコンウエハは通常円形であるので、遮蔽板7に設けた
開口部の形状も円形とし、また、被メッキ基板であるウ
エハの中心と、遮蔽板7の開口部の中心、および陽極電
極5の中心が、略同一の線状に来るように配置すること
が好適である。この場合、ウエハから見た場合の対称性
が良く、ウエハ周辺部での電気力線の集中を避け、ウエ
ハ全面でメッキの成長速さ、すなわち最終的に得られる
メッキ厚のばらつきを抑えるのに効果的である。
えば被メッキ基板であるウエハの直径と大差のない場合
には、遮蔽板7の外側を通る電気力線のため、ウエハ周
辺部での電気力線の集中を避けることが困難となる。し
たがって遮蔽板7の大きさは、ウエハの直径より大きく
する必要がある。本実施の形態で用いた遮蔽板7の外形
寸法は、約285mm×280mmとし、その中心付近
の所定の位置に円形の開口部を設けている。
近傍でのメッキ金属のイオン濃度を一定に保つために、
メッキ液を撹拌したり、メッキ液を一定の流速で流動さ
せる方法が一般的に用いられている。
るように設ける方法が提案されているが(例えば、特開
2000−195823号公報)、遮蔽板とメッキ槽の
内壁とが接する部分は、メッキ液の流動性が妨げられ、
メッキ液の溜まりとなるためメッキ速度のばらつきを招
く。またメッキ液の液溜まりには、メッキ液中に混入す
る異物も溜まり易く、これらの異物がメッキ処理中にお
いて被メッキ基板の表面に付着した場合には、その付着
箇所でのメッキ異常が生じる。
1では、遮蔽板7とメッキ槽2の底面との間に所定の間
隙を設けて、この間隙のどこの部分でもメッキ液の流れ
る量が略一定となるようにしている。遮蔽板7の外形
は、メッキ槽の内側における液流方向に直交する断面の
形状と略同じ形状とされている。このように、遮蔽板7
とメッキ槽2の底面との間に所定の間隙を設けることに
よりメッキ槽2の中でのメッキ液の滞留や異物の滞留を
防止している。
れる遮蔽板7の一例を示す平面図である。上記遮蔽板7
では、開口部7aの直径は約90mmであり、遮蔽板7
の下辺とメッキ槽2の底面との間隙は約15mmであ
る。
キ方法およびメッキ装置を、金メッキによりバンプ電極
を形成する半導体集積回路の製造に適用する場合を例示
しているが、被メッキ基板におけるメッキ厚の均一化を
図ることは、通常のメッキ装置においても要求されるこ
とである。したがって、本発明のメッキ方法およびメッ
キ装置は、半導体集積回路の製造への適用に限定される
ものではなく、通常のメッキ処理においても適用可能で
ある。
場合、被メッキ基板の形状は半導体装置のウエハのよう
に円形形状であるとは限らず、したがって遮蔽板の開口
部形状も円形以外の形状を取る必要がある。例えば、図
4に示すように、被メッキ基板形状が矩形形状である場
合、遮蔽板の開口部形状も矩形形状とし、さらに、遮蔽
板の開口部の外縁が被メッキ基板の外縁よりも所定の長
さdだけ小さくなっている形状とすればよい。
部の形状が図4に示すようなものである場合、該被メッ
キ基板および遮蔽板の距離が先に説明した半導体基板4
および遮蔽板7の距離と同じであれば、被メッキ基板と
遮蔽板の開口部との寸法差、すなわち(L1 −l1 )お
よび(L2 −l2 )が約60mmである時、被メッキ基
板に形成されるメッキの厚さが最も均一となることが示
唆される。
ッキ装置において、メッキ金属の種類等は特に限定され
るものではなく、Au以外の金属を用いることももちろ
ん可能である。
上記被メッキ基板と陽極電極との間に1つの開口部を有
する遮蔽板を挿入し、上記遮蔽板の開口部は、その外縁
が被メッキ基板の外縁よりも所定長さだけ小さくなって
おり、上記所定長さは、被メッキ基板と開口部との寸法
差が、被メッキ基板全面におけるメッキ厚を均一にする
最適の値となるように設定されている構成である。
時、その被メッキ基板に対して開口部寸法が最適な値に
設定された遮蔽板を準備するにあたって、開口部の寸法
調整などの特別な作業は必要は無く、最適な遮蔽板を容
易に準備することができるといった効果を奏する。
遮蔽板を用いてメッキ処理を行なうことにより、被メッ
キ基板内でのメッキ厚のばらつきの非常に少ないメッキ
が製造コストの上昇を招くことなく可能となる。
して、上記被メッキ基板に半導体集積回路を組み込んだ
円形の半導体基板を用い、該半導体基板表面にメッキに
よるバンプ電極の形成を行なうと共に、上記遮蔽板の開
口部は円形形状であり、半導体基板と遮蔽板の開口部と
の直径差が、半導体基板全面におけるバンプ電極高さを
均一にする最適の値となるように設定されている構成と
することができる。
て、メッキ装置に導電膜の電気抵抗の変化を監視する手
段や遮蔽板の開口部の大きさを変化させる手段等を備え
ることなく、半導体基板全体でのバンプ電極高さの均一
性を高めることができるといった効果を奏する。これに
より、実用に耐え得るレベルのバンプ電極と実装基板と
の接続強度を容易に得ることができる。
記被メッキ基板と陽極電極との間に1つの開口部を有す
る遮蔽板を挿入し、上記遮蔽板の開口部は、その外縁が
被メッキ基板の外縁よりも所定長さだけ小さくなってお
り、上記所定長さは、被メッキ基板と開口部との寸法差
が、被メッキ基板全面におけるメッキ厚を均一にする最
適の値となるように設定されている構成である。
キ処理を行なうことが可能であり、被メッキ基板の寸法
が決まった時、最適な遮蔽板を容易に準備することがで
きるといった効果を奏する。
基板が、半導体集積回路を組み込んだ円形の半導体基板
であると共に、上記メッキ装置は該半導体基板表面にメ
ッキによるバンプ電極の形成を行なうものであって、上
記遮蔽板の開口部は円形形状であり、半導体基板と開口
部との直径差が、半導体基板全面におけるバンプ電極高
さを均一にする最適の値となるように設定されている構
成とすることができる。
て、メッキ装置に導電膜の電気抵抗の変化を監視する手
段や遮蔽板の開口部の大きさを変化させる手段等を備え
ることなく、半導体基板全体でのバンプ電極高さの均一
性を高めることができるといった効果を奏する。
板の直径と遮蔽板の開口部の直径との差が、30mm以
上90mm以下であることが好ましく、45mm以上7
5mm以下であることがより好ましい。
半導体集積回路の実装方法において、バンプ電極と実装
基板との実用的な実装強度が得られるとされるバンプ電
極のばらつきの均一性を得ることができるといった効果
を奏する。
ッキ装置の概略構成を示す説明図である。
体基板にバンプ電極を形成した場合における、遮蔽板の
開口部の径と半導体基板のウエハ径との差と、半導体基
板の面内均一性との関係を示すグラフである。
の一例を示す平面図である。
ッキ基板寸法と遮蔽板の開口部の寸法との関係を示す説
明図である。
である。
の構成を示す説明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】被メッキ基板を陰極電極とし、被メッキ基
板と陽極電極とを略平行に対向させてメッキ槽に充填さ
れたメッキ液に浸漬して、電解メッキ法により被メッキ
基板にメッキを行なうメッキ方法において、 上記被メッキ基板と陽極電極との間に、1つの開口部を
有する遮蔽板を挿入し、 上記遮蔽板の開口部は、その外縁が被メッキ基板の外縁
よりも所定長さだけ小さくなっており、上記所定長さ
は、被メッキ基板と開口部との寸法差が、被メッキ基板
全面におけるメッキ厚を均一にする最適の値となるよう
に設定されていることを特徴とするメッキ方法。 - 【請求項2】メッキ処理として、上記被メッキ基板に半
導体集積回路を組み込んだ円形の半導体基板を用い、該
半導体基板表面にメッキによるバンプ電極の形成を行な
うと共に、 上記遮蔽板の開口部は円形形状であり、半導体基板と遮
蔽板の開口部との直径差が、半導体基板全面におけるバ
ンプ電極高さを均一にする最適の値となるように設定さ
れていることを特徴とする請求項1に記載のメッキ方
法。 - 【請求項3】被メッキ基板を陰極電極とし、被メッキ基
板と陽極電極とを略平行に対向させてメッキ槽に充填さ
れたメッキ液に浸漬して、電解メッキ法により被メッキ
基板にメッキを行なうメッキ装置において、 上記被メッキ基板と陽極電極との間に1つの開口部を有
する遮蔽板を挿入し、 上記遮蔽板の開口部は、その外縁が被メッキ基板の外縁
よりも所定長さだけ小さくなっており、上記所定長さ
は、被メッキ基板と開口部との寸法差が、被メッキ基板
全面におけるメッキ厚を均一にする最適の値となるよう
に設定されていることを特徴とするメッキ装置。 - 【請求項4】上記被メッキ基板が、半導体集積回路を組
み込んだ円形の半導体基板であると共に、上記メッキ装
置は該半導体基板表面にメッキによるバンプ電極の形成
を行なうものであって、 上記遮蔽板の開口部は円形形状であり、半導体基板と開
口部との直径差が、半導体基板全面におけるバンプ電極
高さを均一にする最適の値となるように設定されている
ことを特徴とする請求項3に記載のメッキ装置。 - 【請求項5】上記半導体基板の直径と遮蔽板の開口部の
直径との差が、30mm以上90mm以下であることを
特徴とする請求項4に記載のメッキ装置。 - 【請求項6】上記半導体基板の直径と遮蔽板の開口部の
直径との差が、45mm以上75mm以下であることを
特徴とする請求項4に記載のメッキ装置。
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