JP3317223B2 - 枚葉式メッキ装置 - Google Patents

枚葉式メッキ装置

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JP3317223B2 JP35861497A JP35861497A JP3317223B2 JP 3317223 B2 JP3317223 B2 JP 3317223B2 JP 35861497 A JP35861497 A JP 35861497A JP 35861497 A JP35861497 A JP 35861497A JP 3317223 B2 JP3317223 B2 JP 3317223B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハを
1枚ずつメッキ処理するための枚葉式メッキ装置に係
り、特に半導体ウエハ上に柱状のバンプ(突起電極)を
形成する場合に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ上に数10〜100
μm程度の寸法のバンプ(突起電極)を形成する方法と
して、電気メッキが一般的に行われている。これを詳し
く説明すると、図4に示すように、半導体ウエハ50で
の各チップ形成領域50aにおいて、図5に示すように
多数のバンプ51を形成する際に、図6に示すように、
ウエハ50上に配線52を形成し、その上に形成した厚
膜レジスト53をパターニングして開口部53aを形成
し、図7に示すように、電気メッキによりそれぞれの開
口部53a内に柱状バンプ51を形成する。
【0003】電気メッキの方式としては、浸漬方式が一
般的に用いられてきた。浸漬式電気メッキは、例えば、
図8に示すように、支持プレート54の上にウエハ50
を配置するとともに、図9に示すように、カソード電極
55を配線52(図6参照)に接触させるとともにワッ
クス56で覆って図8のメッキ液57に対し絶縁したウ
エハとし、これをメッキ槽58内のメッキ液57に浸漬
し、対向するアノード電極59との間で電析反応させる
方式である。
【0004】しかし、浸漬方式は、必要なバンプ形成に
要するメッキ処理時間が極めて長く、生産量を確保する
ために多数のウエハを並行して同時に処理する必要があ
り、また、ウエハ50の取り扱いもマスク治具への脱
着、電極の確保等の作業が繁雑で生産性の低い方式であ
る。
【0005】また、近年微細化の要求に伴い、柱状バン
プ51の形状が図7においてD/L=1に近づくにつれ
てレジスト53の開口部53a内に溜まった気泡の抜け
が悪くなり、形状不良やバンプ無し不良などの不良率も
高くなるなどの問題が大きくなっている。
【0006】このような不具合を解消するために、メッ
キ処理を高速化し、ウエハの脱着を容易にする噴流方式
を改良したメッキ装置が開発された(例えば特開昭56
−152991号公報)。
【0007】図10には、一般的によく使用されている
噴流方式のメッキ装置を示す。図10において、図6の
状態のウエハ50を、被メッキ面を下に向けた状態でメ
ッキセル60に装着する。そして、循環槽61に収容し
たメッキ液62を、ポンプ63で揚液してノズル64か
ら噴射させ、図11に示すように、ウエハ50の被メッ
キ面に噴流として当ててメッキを行う。
【0008】噴流方式では浸漬方式に比べてメッキ処理
速度を2〜3倍程度高速化でき、発生気泡の洗い出しな
どの効果も望めるが、被メッキ面上でのメッキ液の流れ
の方向が各バンプ51で異なってしまったり流れが止ま
った淀み領域(図11でのZ1)が形成されるといった
不具合があり、浸漬方式の問題を全て解決するに至って
いない。
【0009】むしろ、厚膜レジスト53を使う柱状バン
プ51のメッキではレジスト53の開口部53aにおい
て析出する際にレジスト53が液流れでの析出面を覆う
ように配置されるため、初期の濡れ性が悪い場合は全く
メッキが析出しないなど、浸漬方式より高い不良率(7
%以上)になる。このようなバンプの柱状化に対応する
ために、特開平5−259170号公報等にみられるよ
うに、従来の浸漬方式のウエハの配置を工夫(被メッキ
面を上向きにして浸漬することでガス抜けを改善)した
開発もなされているが、メッキ液の劣化を伴うため改良
が求められている。
【0010】つまり、品質向上のためにメッキ液中には
各種の添加剤が加えられているが、これらが噴流形成の
ための循環により空気に接触して酸化劣化し、メッキ液
寿命を大幅に短くしてしまう等の問題があり、液更新や
廃水処理等のコストを押し上げる原因にもなっている。
特に、金メッキの場合は薬品の劣化による損失が、実際
のメッキコストの10倍以上にもなり、ウエハ当たりの
メッキコストを押し上げる要因になっている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この発明はこのような
事情に鑑みなされたもので、その目的は、メッキ液の劣
化を防止することができる噴流タイプの枚葉式メッキ装
置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の枚葉式
メッキ装置は、内部の底面部においてウエハの被メッキ
面を上向きで支持するメッキ槽と、メッキ槽の内部にお
いてウエハの上方に配置され、多数の細孔を有する細孔
構成体と、メッキ槽の内部においてメッキ液中に配置さ
れ、細孔構成体の細孔に対するメッキ槽内のメッキ液の
流れを形成して細孔構成体の細孔からウエハ上面に向け
てメッキ液を噴流として吐出させるためのインペラと、
を備えたことを特徴としている。
【0013】このような構成を採用すると、メッキ槽の
内部においてメッキ液の中にウエハが上向きで支持され
た状態において、インペラが回転すると、細孔構成体の
細孔に対するメッキ槽内のメッキ液の流れが形成されて
細孔構成体の細孔からウエハ上面に向けてメッキ液が噴
流として吐出され、ウエハにメッキが施される。その結
果、品質向上のためにメッキ液中には各種の添加剤が加
えられ、従来構造においてはメッキ液の酸化により劣化
しメッキ液寿命が大幅に短くなっていたが、本発明では
メッキ液はメッキ槽の内部を循環しているだけでありメ
ッキ液の劣化を防止することができ、液更新や廃水処理
等のコストダウンを図ることができる。
【0014】また、請求項2に記載のように、前記細孔
構成体とウエハとを相対的に移動させるようにすると、
噴流が移動することとなりメッキ面にメッキ液が均一に
供給され、安定したメッキを行うことができる。
【0015】ここで、請求項3に記載のように、固定し
たウエハに対して細孔構成体を揺動させるようにする
と、実用上好ましいものとなる。また、請求項4に記載
のように、メッキ槽の内部を気密封止構造にするととも
に、メッキ槽の内部を不活性ガスで満たすための不活性
ガス通路を設けると、メッキ槽内のメッキ液においては
不活性ガスが満たされ空気との接触が無く、メッキ液の
劣化(酸化)をより抑制することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図1には、本実施形態
における枚葉式メッキ装置の平面図を示すとともに、図
2に図1のA−A断面図を示す。本例では図7のように
シリコンウエハ50に柱状バンプ51を形成する場合を
想定している。
【0017】まず、メッキ槽としてのメッキポット1
を、図3を用いて説明する。メッキポット1は、リング
状のウエハベース2とプレート状のウエハプレート3と
筒状のウエハパイプ4とを具備している。ウエハベース
2の中央部には凹部2aが形成され、この凹部2aには
ウエハプレート3を嵌め込むことができるようになって
いる。ウエハプレート3は熱伝導の良いステンレス鋼板
材(例えばSUS304等)よりなる。ウエハプレート
3の上面にはシリコンウエハ5が載置できるとともにそ
の上にウエハパイプ4が一方の開口部を下にした状態で
載置される。つまり、シリコンウエハ5が筒状のウエハ
パイプ4の下面開口部を塞ぐように配置される。
【0018】ウエハベース2の上面とウエハパイプ4の
下面との間には環状のX型パッキン6が配置されるとと
もに、ウエハベース2とウエハパイプ4との対向面には
ポケット(凹部)2b,4bが形成されている。そし
て、真空ポンプ等でポケット2b,4b内の空気を排出
することでX型パッキン6が収縮してウエハベース2と
ウエハパイプ4とが引き寄せられる。この状態において
は、シリコンウエハ5は、ウエハパイプ4に設けた縁面
シール用リップパッキン7によるシールが行われるとと
もに、ウエハパイプ4に設けたカソード電極8に押しつ
けられる。このカソード電極8は図6における配線52
と電気的に接続され、図6におけるレジスト開口部53
aにおいてバンプが形成可能となる。このように、メッ
キ槽としてのメッキポット1の内部の底面部においてシ
リコンウエハ5が被メッキ面を上向きになる状態で支持
される。
【0019】このように構成したメッキポット1が図2
に示すように揺動機構を設けた枚葉式メッキ装置にセッ
トされ、かつ、メッキポット1内にメッキ液9が注入さ
れる。図2において、本体ベース10の上には前述のメ
ッキポット1が載置される。この本体ベース10には2
本の支柱11,12が立設され、支柱11,12の上端
にはキャッププレート13が水平状態で支持されてい
る。つまり、締結ボルト14,15をキャッププレート
13を介して支柱11,12に螺着することによりキャ
ッププレート13が固定されている。このキャッププレ
ート13によりメッキポット1の上面開口部が塞がれ
る。
【0020】キャッププレート13の上には、揺動ベー
ス16が、直交して配置された直動軸受け17,18を
介してキャッププレート13に対し水平方向(図1のX
−Y方向)に揺動可能に支持されている。揺動ベース1
6の中央部には揺動キャップ19が固定されている。揺
動キャップ19はポリプロピレン等の絶縁材料にて構成
されている。揺動キャップ19の下面にはアーム20,
21が垂下され、アーム20,21の下端には細孔構成
体としてのポンプボディ22が固定されている。このポ
ンプボディ22はメッキポット1内のメッキ液9中に配
置され、かつ、シリコンウエハ5の上方に所定の間隔を
おいて離間している。ポンプボディ22は良導体(例え
ばTiにPtメッキを施したもの)で構成され、全体形
状として所定厚さを有する円盤状をなしている。ポンプ
ボディ22はシリコンウエハ5の上面の被メッキ領域を
網羅するようにシリコンウエハ5の被メッキ領域より大
きい。
【0021】ポンプボディ22の内部にはポンプ室23
が形成されるとともに、ポンプボディ22の上面中央部
には開口部24が形成されている。また、ポンプボディ
22におけるシリコンウエハ5との対向面にはシリコン
ウエハ5のチップ形成領域に対応した細孔25が多数形
成されている。一方、揺動キャップ19の中央部には回
転軸26が回転可能に垂下され、回転軸26の上端はモ
ータ27の出力軸27aと連結されている。回転軸26
の下端にはインペラ28が固定され、同インペラ28は
ポンプボディ22のポンプ室23に位置している。そし
て、モータ27の駆動によるモータ出力軸27aの回転
によりポンプボディ22のポンプ室23においてインペ
ラ28が回転し、この回転に伴いメッキポット1内のメ
ッキ液9が開口部24からポンプ室23に吸入されると
ともに細孔(メッキ液噴射ノズル)25からシリコンウ
エハ5の上面に向けてメッキ液9を噴流として吐出させ
る。
【0022】さらに、ポンプボディ22は給電スタッド
29および前述の導電性アーム21を通してメッキ用直
流電源(図示略)と接続されており、ポンプボディ22
がメッキの際の対向電極(アノード電極)として機能す
る。つまり、メッキ液9の中において、シリコンウエハ
5における配線52(図6参照)とポンプボディ22と
が配置され、両者の間にメッキのための電圧が印加され
るようになっている。
【0023】一方、図1に示すように、揺動ベース16
には長方形の穴30a,30bが設けられ、この穴30
a,30bの中に偏心カム31a,31bが回転自在に
嵌合している。この偏心カム31a,31bの駆動軸3
2a,32bがモータ(図示略)とそれぞれ個別に駆動
連結され、駆動軸32a,32bを中心に偏心カム31
a,31bがそれぞれ回転する。そして、偏心カム31
a,31bが回転すると図1中X方向およびY方向に揺
動ベース16を移動させることができる。より正確に
は、偏心カム31aの回転によりX方向に、偏心カム3
1bの回転によりY方向に揺動ベース16が移動する。
この揺動ベース16の移動に伴い揺動キャップ19も移
動して図2のポンプボディ22およびインペラ28が移
動する。つまり、モータ等の駆動源により偏心カム31
a,31bを中心に回転することで、メッキポット1内
でポンプボディ22およびインペラ28をX−Y揺動さ
せることができる。
【0024】また、図2に示すように、前述のウエハプ
レート3の下面部にはヒータ(熱線等)33が配置さ
れ、同ヒータ33は通電により発熱してメッキポット1
内のメッキ液9を所望の温度にまで加熱することができ
るようになっている。
【0025】なお、図2において、キャッププレート1
3と揺動キャップ19とはシール材34によりシールさ
れ、揺動キャップ19と回転軸26とはシール材35に
よりシールされている。また、メッキポット1のウエハ
パイプ4の上面とキャッププレート13の下面との間に
はシール材36が介在されている。シール材34,35
によって可動自在に各隙間がシールされ、かつ、シール
材36を加えたシール材によりメッキポット1内の気密
が保たれている。
【0026】次に、このように構成した枚葉式メッキ装
置を用いたシリコンウエハのメッキ方法を説明する。ま
ず、図3に示すように、シリコンウエハ5をメッキポッ
ト1にセットする。より詳しくは、シリコンウエハ5を
図示していないローダによって被メッキ面が上向きにな
るようにウエハプレート3に乗せ、該ウエハプレート3
をウエハベース2に装着する。そして、ウエハベース2
にウエハパイプ4を被せ、図示していない真空ポンプな
どでポケット2b,4bを排気することでX型パッキン
6が収縮し、ウエハベース2とウエハパイプ4を引き寄
せ、ウエハパイプ4に設けた縁面シール用リップパッキ
ン7でシリコンウエハ5のシールを行うと同時に、ウエ
ハパイプ4に設けたカソード電極8がシリコンウエハ5
に押しつけられることで給電電極が確保される。
【0027】このように、図9に示すワックス56にて
マスキングするのではなく、図3の縁面シール用リップ
パッキン7等にてウエハ5がマスキングされる。このメ
ッキポット1を図2の枚葉式メッキ装置にセットする。
つまり、図2のキャッププレート13を外した状態で本
体ベース10の上にメッキポット1を載置し、締結ボル
ト14,15によりキャッププレート13を装着する。
より詳しくは、メッキポット1にメッキ液9を入れ、シ
ール材36を挟んでキャッププレート13を乗せ、締結
ボルト14,15でメッキポット1のシール及び固定を
行う。
【0028】この状態においてはキャッププレート13
には揺動キャップ19が取り付けられており、揺動キャ
ップ19がX−Y方向に揺動可能に支持される。そし
て、メッキ液9にシリコンウエハ5を浸漬した状態でX
−Y揺動を開始する。この揺動を伴うメッキ液9への浸
漬を所定時間行う。
【0029】このとき、モータ27の駆動によりインペ
ラ28が回転し、細孔(ノズル)25からシリコンウエ
ハ5の上面に対して垂直にメッキ液9が噴流となって噴
出する。噴射したメッキ液9は、ポンプボディ22の上
部に設けた開口部24に吸引されることでメッキポット
1内を循環し連続的にメッキが行われる。
【0030】ここで、図1の偏心カム31a,31bを
回転することでXおよびY方向に揺動プレート16を動
かすことができるため、それぞれの回転数を適正に設定
することでシリコンウエハ5のチップ形成領域に適合し
たX−Y揺動を行うことができる。
【0031】また、図2のメッキ液9は、ヒータ33に
よりウエハプレート3を介してシリコンウエハ5側から
加熱され、図示しない温度制御装置により、シリコンウ
エハ5表面の被メッキ面を正確に温度制御する。
【0032】従来、図10のような噴流方式にて60分
のメッキ時間を要するシリコンウエハの金メッキ処理
を、本実施形態の枚葉式メッキ装置で行った。その結果
を以下に説明する。
【0033】シリコンウエハ5を前記の要領でメッキポ
ット1によりマスキングした後、メッキ液9をシリコン
ウエハ5の加工面から80mm(図2のD値)まで入
れ、細孔(ノズル)25とシリコンウエハ5の距離Lを
15mmになるように固定した。
【0034】メッキ液9の温度はヒータ33により70
℃に維持して、ポンプボディ22のX−Y揺動は図1の
X方向への回転用モータによる回転数とY方向への回転
用モータによる回転数とが回転比12:13になるよう
に回転数を調整し、60分間のメッキを行った。
【0035】以上のメッキの結果、図10の装置を用い
た場合に比べて、品質面(高さ精度)、メッキ時間とも
同等以上の性能が得られた。また、シリコンウエハ5の
被メッキ面を上向きで行うため、極めてガス抜けがよく
バンプ形状不良は皆無であった。さらに、メッキポット
1内は空気雰囲気であり、この状態でメッキを行った
が、細孔(ノズル)25からの噴流は液中での噴射にな
るためメッキ液9の酸化劣化は見られなかった。
【0036】このようにして、品質を図8の浸漬方式と
同等以上に確保し、処理速度、液管理面で従来の図10
の噴流方式の不具合を解決することができた。つまり、
メッキポット1の構造として、底面に被メッキ物である
シリコンウエハ5の被メッキ面を上向きに配置でき、ウ
エハパイプ4においてシリコンウエハ5の縁部をマスキ
ングでき、かつシリコンウエハ5の給電に必要なカソー
ド電極8を備えたシリコンウエハ5のマスキング治具と
して用い、メッキポット1に少量のメッキ液9を入れて
シリコンウエハ5の被メッキ面に対向するようにアノー
ド電極の機能を有する円盤状のポンプボディ22を配置
し、アノード・カソード電極間で通電する。これによ
り、従来の浸漬メッキに必要な用件を満たすことができ
る。即ち、シリコンウエハ5をメッキポット1の底面に
配置し、かつ、シリコンウエハ5の被メッキ面を上向き
にすることで、メッキ開始時に付着した気泡やメッキ中
に発生するガスの離脱を極めて容易に行うことができ、
これにより気泡によるメッキ形状不良を無くすことがで
きる。さらに、アノード電極の機能を有するポンプボデ
ィ22からメッキ液9をシリコンウエハ5の被メッキ面
に向けて噴射し、更に細孔25をX−Yの2次元揺動す
ることにより、シリコンウエハ5の加工面へのメッキ液
9の流れがウエハ5に垂直となるとともに流速が均一
で、しかも高速なものとなり、新鮮なメッキ液9を均一
にメッキ箇所に供給することができる。これにより、各
チップ形成領域におけるメッキ条件を安定化し、厚膜レ
ジストの開口部53a内の気泡(反応ガス)を除去する
ことができるとともにメッキ界面流速の向上を図ること
ができる。即ち、図6に示すようにウエハ被メッキ面が
凹部(53a)内の深い底面部となっていてもメッキ液
9をメッキ面まで供給でき、深さ方向に均一なメッキを
行うことが可能となる。また、メッキポット1内に設け
た円盤状のポンプボディ22は上記の揺動運動によりシ
リコンウエハ5との対向面を常に相対運動させることで
電流集中を防止することができる。
【0037】また、メッキ液9を少量(メッキポット内
容積)で処理することができるため大幅な省資源化が実
現でき、さらに、X−Y揺動の速度や回転比率、また、
ポンプボディ22の形状(全体の形状および孔25の形
状)及び距離を容易に変更できるため、製品のマスクパ
ターンに合わせて容易に品質を作り込むことができる。
【0038】さらに、ポンプボディ22に設けた多数の
細孔25からシリコンウエハ5の被メッキ面に向けてメ
ッキ液9を噴流として吐出させたので、メッキ面流速分
布を均一にしてメッキを均一に成長させることができる
こととなる。これは、メッキ液9の流れにおける上流側
にメッキが成長しやすいためである。
【0039】さらには、小型のメッキポット(メッキ
槽)1内にポンプボディ22が配置でき、少量のメッキ
液9でメッキを行うことができることから毎回新品のメ
ッキ液を使用することが可能となりメッキ条件が毎回一
定で安定したものとすることができ、メッキ品質を安定
化することができる。
【0040】このように本実施形態は、下記の特徴を有
する。 (イ)図2のように内部の底面部においてシリコンウエ
ハ5の被メッキ面を上向きで支持するメッキポット1
と、メッキポット1の内部においてシリコンウエハ5の
上方に配置され、多数の細孔25を有するポンプボディ
22と、メッキポット1の内部においてメッキ液9中に
配置され、ポンプボディ22の細孔25に対するメッキ
ポット1内のメッキ液9の流れを形成してポンプボディ
22の細孔25からシリコンウエハ5上面に向けてメッ
キ液9を噴流として吐出させるためのインペラ28とを
備えた。よって、メッキポット1内のメッキ液9にシリ
コンウエハ5が上向きで支持された状態において、イン
ペラ28の回転にてポンプボディ22の細孔25に対す
るメッキポット1内のメッキ液9の流れが形成されて細
孔25からシリコンウエハ5上面に向けてメッキ液9が
噴流として吐出され、シリコンウエハ5にメッキが施さ
れる。その結果、品質向上のためにメッキ液中には各種
の添加剤が加えられ空気酸化による劣化を受けやすくな
っているが、メッキ液9はメッキポット1の内部を循環
しているだけでありメッキ液9の空気との接触が少なく
メッキ液9の酸化劣化を防止することができ、液更新や
廃水処理等のコストダウンを図ることができる。 (ロ)ポンプボディ22とシリコンウエハ5とを相対的
に移動させるようにしたので、噴流が移動することとな
りメッキ面にメッキ液が均一に供給され、安定したメッ
キを行うことができる。 (ハ)特に、固定したシリコンウエハ5に対してポンプ
ボディ22を揺動させるようにしたので、実用上好まし
いものとなる。
【0041】これまで説明した枚葉式メッキ装置以外に
も下記のように実施してもよい。図2において仮想線に
て示すように揺動キャップ19に不活性ガス通路37を
設け、この通路37を通してメッキポット1の内部を不
活性ガスで満たすようにしてもよい。つまり、メッキポ
ット1内を窒素ガス等の不活性ガスで満たすことで、メ
ッキ液9の劣化を容易に防止することができる。このよ
うに、メッキ槽をメッキポット1のように内部を気密に
保つ構造とし、メッキ槽の内部を不活性ガスで満たす
と、メッキ液が空気と接触することがなくメッキ液の劣
化(酸化)を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態における枚葉式メッキ装置の平面
図。
【図2】 図1のA−A断面図。
【図3】 メッキポットを示す断面図。
【図4】 シリコンウエハの平面図。
【図5】 チップ形成領域における斜視図。
【図6】 メッキを行う際のウエハの断面図。
【図7】 メッキを行う際のウエハの断面図。
【図8】 従来のメッキ装置を示す断面図。
【図9】 従来のメッキ装置を説明するための断面図。
【図10】 従来のメッキ装置を示す断面図。
【図11】 従来のメッキ装置の一部拡大図。
【符号の説明】
1…メッキポット、3…ウエハプレート、4…ウエハパ
イプ、5…シリコンウエハ、9…メッキ液、22…ポン
プボディ、25…細孔、28…インペラ、37…不活性
ガス通路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/60 H01L 21/60 311Q 311 21/92 604B 604Z (56)参考文献 特開 平6−280098(JP,A) 特開 昭62−297494(JP,A) 特開 平2−61089(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 17/00 C25D 5/08 C25D 21/10 301 C25D 21/11 H01L 21/288 H01L 21/60 H01L 21/60 311

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部の底面部においてウエハの被メッキ
    面を上向きで支持するメッキ槽と、 前記メッキ槽の内部において前記ウエハの上方に配置さ
    れ、多数の細孔を有する細孔構成体と、 前記メッキ槽の内部においてメッキ液中に配置され、前
    記細孔構成体の細孔に対するメッキ槽内のメッキ液の流
    れを形成して前記細孔構成体の細孔からウエハ上面に向
    けてメッキ液を噴流として吐出させるためのインペラ
    と、を備えたことを特徴とする枚葉式メッキ装置。
  2. 【請求項2】 前記細孔構成体とウエハとを相対的に移
    動させるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の
    枚葉式メッキ装置。
  3. 【請求項3】 固定したウエハに対して前記細孔構成体
    を揺動させるようにしたことを特徴とする請求項2に記
    載の枚葉式メッキ装置。
  4. 【請求項4】 メッキ槽の内部を気密封止構造にすると
    ともに、メッキ槽の内部を不活性ガスで満たすための不
    活性ガス通路を設けたことを特徴とする請求項1に記載
    の枚葉式メッキ装置。
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