JPS60215799A - メツキ装置 - Google Patents
メツキ装置Info
- Publication number
- JPS60215799A JPS60215799A JP7060284A JP7060284A JPS60215799A JP S60215799 A JPS60215799 A JP S60215799A JP 7060284 A JP7060284 A JP 7060284A JP 7060284 A JP7060284 A JP 7060284A JP S60215799 A JPS60215799 A JP S60215799A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- anode
- plating
- holder
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体等のウエノ・−のメッキ装置、特に合金
メッキする際に組成の均一性に優れたメッキを施し得る
装置に関する。
メッキする際に組成の均一性に優れたメッキを施し得る
装置に関する。
従来、半導体集子表面の電極形成、素子裏面へのろう材
層形成にメッキ技術か適用されている。
層形成にメッキ技術か適用されている。
このようなメッキ処理はウエノ・−の段階で施すのが一
般的で、通常ウエノ・−を水平に保持し、ウェハー下方
からメッキ液を噴射する噴流式メッキ装置が用いられて
いる。
般的で、通常ウエノ・−を水平に保持し、ウェハー下方
からメッキ液を噴射する噴流式メッキ装置が用いられて
いる。
ところが、このようなメツｉ装置により半田メッキを施
すとメッキされた半田層の組成が半径方向で変化する現
象があシ、ウェハーの直径が大きくなるに従い、この傾
向は顕著になっている。この原因は、ウェハー中心部に
噴射されたメッキ液かウェハーに沿って周縁部に向って
流れる際の流速が変化するため、電流分布が均一になら
ず、このため半田を構成する金属成分の電着がウェハー
面上で変化するからであろうと考えられている。
すとメッキされた半田層の組成が半径方向で変化する現
象があシ、ウェハーの直径が大きくなるに従い、この傾
向は顕著になっている。この原因は、ウェハー中心部に
噴射されたメッキ液かウェハーに沿って周縁部に向って
流れる際の流速が変化するため、電流分布が均一になら
ず、このため半田を構成する金属成分の電着がウェハー
面上で変化するからであろうと考えられている。
この場合、半田層の組成変化か僅かであれば、さして問
題とはならないが、同一のウェハー内で半田組成のばら
つきが゛大きいと、融点かけらつく結果、これを半導体
チップに切離してグイプントする際、同一の温度条件で
の融着の度合かばらつき、接合の信頼性を低下させる原
因となる。
題とはならないが、同一のウェハー内で半田組成のばら
つきが゛大きいと、融点かけらつく結果、これを半導体
チップに切離してグイプントする際、同一の温度条件で
の融着の度合かばらつき、接合の信頼性を低下させる原
因となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、合金メッ
キにおいてウェハー全面に亘り極めて均一な組成のメッ
キ層を形成し得るメッキ装置を提供することを目的とす
るものである。
キにおいてウェハー全面に亘り極めて均一な組成のメッ
キ層を形成し得るメッキ装置を提供することを目的とす
るものである。
この目的を達成するため、本発明は槽内中央部又は槽内
側壁に陽極を配置したメッキ槽と、駆動手段によシ回転
される回転軸に連結され、上記陽極赤ら離間して、かつ
陽極と相対してウェハーを保持するためのウェハー保持
具とを具備し、前記回転軸を回転させなから陽極と保持
具間に所要の電圧を印加してウェハー上にメッキを施す
ようにしたものでおる。
側壁に陽極を配置したメッキ槽と、駆動手段によシ回転
される回転軸に連結され、上記陽極赤ら離間して、かつ
陽極と相対してウェハーを保持するためのウェハー保持
具とを具備し、前記回転軸を回転させなから陽極と保持
具間に所要の電圧を印加してウェハー上にメッキを施す
ようにしたものでおる。
以下本発明の一実施例を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明メッキ装置の一実施例を示す概略断面図
である、図に示すように、メッキ槽１の中央部には陽極
２か配置され、この陽極２を挾んでウェハー保持具３が
、図では２個、回転軸４に取付けられている。このウェ
ハー保持具３の拡大図を第２図に示す。即ち、この保持
具３はウェハー５を背面及び下部で支持する部材３ａと
、ウェハー５の上部を部材３ａに押し付けて容易に脱落
しないようにするための押え板３ｂ及び上記回転軸４へ
の連結杆３Ｃから成っているーなお、ウェハー５の正面
にのみメッキを施すためウェハー５の背面は樹脂コーテ
ィング層６か設けておる。またウェハー保持具３自体に
メッキが施されるのを防止するため、支持部材３ａ、連
結杆１ｃは絶縁材料で構成され、給餉、線７を介して給
電端子となる押え板３ｂは全縮製であるが、正面及び側
面を絶縁材で被接しておる。
である、図に示すように、メッキ槽１の中央部には陽極
２か配置され、この陽極２を挾んでウェハー保持具３が
、図では２個、回転軸４に取付けられている。このウェ
ハー保持具３の拡大図を第２図に示す。即ち、この保持
具３はウェハー５を背面及び下部で支持する部材３ａと
、ウェハー５の上部を部材３ａに押し付けて容易に脱落
しないようにするための押え板３ｂ及び上記回転軸４へ
の連結杆３Ｃから成っているーなお、ウェハー５の正面
にのみメッキを施すためウェハー５の背面は樹脂コーテ
ィング層６か設けておる。またウェハー保持具３自体に
メッキが施されるのを防止するため、支持部材３ａ、連
結杆１ｃは絶縁材料で構成され、給餉、線７を介して給
電端子となる押え板３ｂは全縮製であるが、正面及び側
面を絶縁材で被接しておる。
一方、回転軸４には、それぞれ保持具３に給電するため
の集電部８が設けてらシ、この集電部８に接触子９が摺
動可能に取付けられている。
の集電部８が設けてらシ、この集電部８に接触子９が摺
動可能に取付けられている。
そして、上記メッキ槽１に所要のメッキ液を入れ、図示
しない駆動手段により回転軸４を回転させなから陽極２
と接触子９の間に所要の電圧を印加すればウェハー５上
にメッキが施される。
しない駆動手段により回転軸４を回転させなから陽極２
と接触子９の間に所要の電圧を印加すればウェハー５上
にメッキが施される。
なお、本装置の場合、陽極２とウェハー５の距離はらま
り近過ぎると陽極２とウェハー５間の電流分布が不均一
になる恐れかおる。このため、極間距離を１０＋ｗ以上
とするのが好ましい。また電流分布を均一にするには陽
極２の形状を一様な丸棒状にせず、角棒状、ネット状或
は縦に複数個に分割された形状にするのが好ましい。ま
た、電極２は槽内側壁側に設けても良い。この場合、陽
極２絋円筒状゛にする必要はなく、むしろ複数個に分割
して配置するのがコスト的でもらるし、電流分布を均一
化する上でも好ましい。そしてウェハー保持具３は当然
ウェハー５かこの陽極２に相対するよう麿向きにされな
ければならないっ このようにすると、ウェハー保持具３の回転により相対
的にメッキ液がウェハー５の表面を一方向に、一様に流
れ、その流速はウェハー５上で均一になるため電流分布
が一様となり、均一な組成の合金電着か可能となる。
り近過ぎると陽極２とウェハー５間の電流分布が不均一
になる恐れかおる。このため、極間距離を１０＋ｗ以上
とするのが好ましい。また電流分布を均一にするには陽
極２の形状を一様な丸棒状にせず、角棒状、ネット状或
は縦に複数個に分割された形状にするのが好ましい。ま
た、電極２は槽内側壁側に設けても良い。この場合、陽
極２絋円筒状゛にする必要はなく、むしろ複数個に分割
して配置するのがコスト的でもらるし、電流分布を均一
化する上でも好ましい。そしてウェハー保持具３は当然
ウェハー５かこの陽極２に相対するよう麿向きにされな
ければならないっ このようにすると、ウェハー保持具３の回転により相対
的にメッキ液がウェハー５の表面を一方向に、一様に流
れ、その流速はウェハー５上で均一になるため電流分布
が一様となり、均一な組成の合金電着か可能となる。
次に、本発明装置の有効性を証するための実施例を次に
示す。
示す。
実施例
直径３０備、高さ２０ｃＷｔの円筒型メッキ槽をアクリ
ル樹脂で作り、白金をメッキしたチタン板を直径３ｆｉ
、長さ１０信の円筒状にして槽中央部に配置した。一方
、不銹鋼の丸棒を回転軸に用い、集電部を除いて、これ
にＰＶＣｆ被覆し１、軸下端に第２図に示すようなウェ
ハー保持具をｐｖｃ製連結杆を介して、２個吊シ下げた
。このウェハー保持具に、直径７５＋＋ｅ＋の背面にフ
ォトレジストを塗布したｓ１ウェハーを保持し、５ｎ−
Ｐｂ合金メッキを施したうなお、メッキ浴組成を第】表
に、またメッキ条件を第２表に示す。
ル樹脂で作り、白金をメッキしたチタン板を直径３ｆｉ
、長さ１０信の円筒状にして槽中央部に配置した。一方
、不銹鋼の丸棒を回転軸に用い、集電部を除いて、これ
にＰＶＣｆ被覆し１、軸下端に第２図に示すようなウェ
ハー保持具をｐｖｃ製連結杆を介して、２個吊シ下げた
。このウェハー保持具に、直径７５＋＋ｅ＋の背面にフ
ォトレジストを塗布したｓ１ウェハーを保持し、５ｎ−
Ｐｂ合金メッキを施したうなお、メッキ浴組成を第】表
に、またメッキ条件を第２表に示す。
第１表 第２表
次に、メッキされたウェハーを取出し、メッキ層の組成
をウェハー中心から５１１１１毎に螢光Ｘ線で調べた。
をウェハー中心から５１１１１毎に螢光Ｘ線で調べた。
その結果から５ｎ−Ｐｂ合金中のｐｂ濃度を計算し、こ
れを第３図に示したつその結果、極めて均一な合金組成
か維持されることが分る。なお、比較のため従来の噴流
式メッキ装置によりメッキした場合の合金組成の例を第
４図に示す。
れを第３図に示したつその結果、極めて均一な合金組成
か維持されることが分る。なお、比較のため従来の噴流
式メッキ装置によりメッキした場合の合金組成の例を第
４図に示す。
第１図は本発明メッキ装置の一実施例を示す概略断面図
、第２図はそのウェハー保持具の拡大図で、（４）は正
面図、（Ｂ）は側面図、第３図は本発明装置による５ｎ
−Ｐｂ合金中のｐｂ濃度特性を示す図、第４図は従来の
噴流式メッキ装置による５ｎ−Ｐｂ合金中のＰｂ＃度特
性を示す図でおる。 】・・・メッキ槽、２・・・陽極、３・・・ウェハー保
持具、３ａ・・・支持部材、３ｂ・・・押え板、３ｃ・
・・連結杆、４・・・回転軸、５・・・ウェハー、６・
・・樹脂コーティング層 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第 １ 図
、第２図はそのウェハー保持具の拡大図で、（４）は正
面図、（Ｂ）は側面図、第３図は本発明装置による５ｎ
−Ｐｂ合金中のｐｂ濃度特性を示す図、第４図は従来の
噴流式メッキ装置による５ｎ−Ｐｂ合金中のＰｂ＃度特
性を示す図でおる。 】・・・メッキ槽、２・・・陽極、３・・・ウェハー保
持具、３ａ・・・支持部材、３ｂ・・・押え板、３ｃ・
・・連結杆、４・・・回転軸、５・・・ウェハー、６・
・・樹脂コーティング層 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第 １ 図
Claims (1)
- 槽内中央部又は槽内側壁に陽＠Ｌｆ配置したメッキ槽と
、駆動手段により回転さ詐る回転軸に連結さｎ、上記陽
極から離間して、かつ陽極と相対してウェハーを保持す
るためのウエト一保持共とを具備せしめたことを特徴と
するメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060284A JPS60215799A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060284A JPS60215799A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60215799A true JPS60215799A (ja) | 1985-10-29 |
| JPH0453960B2 JPH0453960B2 (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=13436278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060284A Granted JPS60215799A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60215799A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174489A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-27 | Fujisen Shokai:Kk | Plating device for small articles |
| JPS58135473U (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-12 | コニカ株式会社 | 電解処理装置 |
| JPS59205500A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-21 | Sansen Kikai Kogyo Kk | 表面処理装置 |
| JPS60234975A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 板状物の浸漬処理方法 |
-
1984
- 1984-04-09 JP JP7060284A patent/JPS60215799A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174489A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-27 | Fujisen Shokai:Kk | Plating device for small articles |
| JPS58135473U (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-12 | コニカ株式会社 | 電解処理装置 |
| JPS59205500A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-21 | Sansen Kikai Kogyo Kk | 表面処理装置 |
| JPS60234975A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 板状物の浸漬処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453960B2 (ja) | 1992-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |