JPH06179998A - めっき装置 - Google Patents
めっき装置Info
- Publication number
- JPH06179998A JPH06179998A JP4353327A JP35332792A JPH06179998A JP H06179998 A JPH06179998 A JP H06179998A JP 4353327 A JP4353327 A JP 4353327A JP 35332792 A JP35332792 A JP 35332792A JP H06179998 A JPH06179998 A JP H06179998A
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- Japan
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- plating solution
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 亜硫酸金ナトリウム系めっき液への有機物混
入を防止し、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成が得ら
れるめっき装置を提供する。 【構成】 亜硫酸金ナトリウム系めっき液１１を用いる
めっき装置である。めっき液１１に接する大部分がテフ
ロンで構成されている。
入を防止し、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成が得ら
れるめっき装置を提供する。 【構成】 亜硫酸金ナトリウム系めっき液１１を用いる
めっき装置である。めっき液１１に接する大部分がテフ
ロンで構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、亜硫酸金ナトリウム系
めっき液を用いるめっき装置に関し、更に詳しくは、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等に金めっきを施すのに好適なめっき装置に係る。
めっき液を用いるめっき装置に関し、更に詳しくは、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等に金めっきを施すのに好適なめっき装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄
膜磁気ヘッド用ウエハ等において、被めっき物である基
板もしくはウエハ上に金めっきをする場合、一般に、亜
硫酸金ナトリウム系めっき液が用いられる。めっき槽、
アノード電極装置及びカソード電極装置などの各構成部
分の内、電気絶縁を必要とする部分は、通常、塩化ビニ
ルやポリプロピレンなどの電気絶縁性エンジニアリン
グ．プラスチック又はガラスなどで構成される。
膜磁気ヘッド用ウエハ等において、被めっき物である基
板もしくはウエハ上に金めっきをする場合、一般に、亜
硫酸金ナトリウム系めっき液が用いられる。めっき槽、
アノード電極装置及びカソード電極装置などの各構成部
分の内、電気絶縁を必要とする部分は、通常、塩化ビニ
ルやポリプロピレンなどの電気絶縁性エンジニアリン
グ．プラスチック又はガラスなどで構成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、亜硫酸金ナト
リウム系めっき液と、塩化ビニル、ポリプロピレンなど
の電気絶縁性エンジニアリング．プラスチックまたはガ
ラスとの組み合わせは、めっき液中への有機物の混入を
招き、めっき膜質が劣化すると共に、めっき膜厚が変動
してしまうという問題点がある。
リウム系めっき液と、塩化ビニル、ポリプロピレンなど
の電気絶縁性エンジニアリング．プラスチックまたはガ
ラスとの組み合わせは、めっき液中への有機物の混入を
招き、めっき膜質が劣化すると共に、めっき膜厚が変動
してしまうという問題点がある。
【０００４】そこで、本発明の課題は、亜硫酸金ナトリ
ウム系めっき液への有機物混入を防止し、均一なめっき
膜厚及びめっき膜組成が得られるめっき装置を提供する
ことである。
ウム系めっき液への有機物混入を防止し、均一なめっき
膜厚及びめっき膜組成が得られるめっき装置を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、亜硫酸金ナトリウム系めっき液を用いる
めっき装置であって、前記めっき液に接する大部分がテ
フロンで構成されている。
め、本発明は、亜硫酸金ナトリウム系めっき液を用いる
めっき装置であって、前記めっき液に接する大部分がテ
フロンで構成されている。
【０００６】
【作用】テフロン（四フッ化エチレン）は亜硫酸金ナト
リウム系めっき液には溶けない。このため、亜硫酸金ナ
トリウム系めっき液に接する大部分がテフロンで構成さ
れているめっき装置により、均一なめっき膜厚及びめっ
き膜組成を得ることが可能である。
リウム系めっき液には溶けない。このため、亜硫酸金ナ
トリウム系めっき液に接する大部分がテフロンで構成さ
れているめっき装置により、均一なめっき膜厚及びめっ
き膜組成を得ることが可能である。
【０００７】
【実施例】図１は本発明に係るめっき装置の概略を示す
図である。図において、１はめっき槽、２はアノード電
極装置、３はカソード電極装置、４は被めっき物であ
る。
図である。図において、１はめっき槽、２はアノード電
極装置、３はカソード電極装置、４は被めっき物であ
る。
【０００８】めっき槽１は、槽本体１０内にめっき液１
１を収納している。めっき液１１は亜硫酸金ナトリウム
系（Ａｕ（ＳＯ3）3Ｎａ3）である。１２はめっき液１
１の供給路、１３はめっき液１１の回収路である。めっ
き液１１は供給路１２を通り槽内１０に供給され、槽内
１０から回収路１３を通して回収される。
１を収納している。めっき液１１は亜硫酸金ナトリウム
系（Ａｕ（ＳＯ3）3Ｎａ3）である。１２はめっき液１
１の供給路、１３はめっき液１１の回収路である。めっ
き液１１は供給路１２を通り槽内１０に供給され、槽内
１０から回収路１３を通して回収される。
【０００９】亜硫酸金ナトリウム系めっき液１１に接す
る大部分、例えばめっき槽１、供給路１２、回収路１
３、アノード電極装置２及びカソード電極装置３の接液
部はテフロンで構成されている。これらの各構成部分を
テフロン部材で構成するか、または接液面にテフロン膜
をコーティングする。本発明の目的達成手段として、理
想的には、すべての接液部をテフロンで構成するのが望
ましいが、構造的にテフロンで構成することが不適当ま
たは不可能な箇所、例えば電極引き出し部等は当然存在
する。
る大部分、例えばめっき槽１、供給路１２、回収路１
３、アノード電極装置２及びカソード電極装置３の接液
部はテフロンで構成されている。これらの各構成部分を
テフロン部材で構成するか、または接液面にテフロン膜
をコーティングする。本発明の目的達成手段として、理
想的には、すべての接液部をテフロンで構成するのが望
ましいが、構造的にテフロンで構成することが不適当ま
たは不可能な箇所、例えば電極引き出し部等は当然存在
する。
【００１０】テフロンは亜硫酸金ナトリウム系めっき液
１１には溶けないから、亜硫酸金ナトリウム系めっき液
１１に接する大部分がテフロンで構成されているめっき
装置により、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得る
ことが可能である。
１１には溶けないから、亜硫酸金ナトリウム系めっき液
１１に接する大部分がテフロンで構成されているめっき
装置により、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得る
ことが可能である。
【００１１】実施例は噴流型めっき装置を示し、めっき
槽１にはめっき液１１が噴流として供給される。そのた
めの具体的構成として、アノード電極装置２はめっき槽
１の下側に配置され、カソード電極装置３３は上側に配
置されている。アノード電極装置２はめっき液供給路１
２を有しており、めっき液１１はめっき液供給路１２を
通して噴流となる。カソード電極装置３は、カソード電
極３１及び被めっき物４がめっき液１１の噴流内に位置
するように取り付けられている。
槽１にはめっき液１１が噴流として供給される。そのた
めの具体的構成として、アノード電極装置２はめっき槽
１の下側に配置され、カソード電極装置３３は上側に配
置されている。アノード電極装置２はめっき液供給路１
２を有しており、めっき液１１はめっき液供給路１２を
通して噴流となる。カソード電極装置３は、カソード電
極３１及び被めっき物４がめっき液１１の噴流内に位置
するように取り付けられている。
【００１２】アノード電極装置２はアノード電極板２１
を含む。参照符号２２は電極支持装置である。アノード
電極板２１はめっき液供給路１２を横断するように配置
される。図２はアノード電極板２１の平面図であり、中
心部付近に比較的大きな中心孔２３を有するとともに、
その回りに多数の小孔２４を有する。
を含む。参照符号２２は電極支持装置である。アノード
電極板２１はめっき液供給路１２を横断するように配置
される。図２はアノード電極板２１の平面図であり、中
心部付近に比較的大きな中心孔２３を有するとともに、
その回りに多数の小孔２４を有する。
【００１３】めっき槽１はめっき液１１が噴流として供
給されるものであり、カソード電極装置３はめっき液１
１の噴流内に位置するようにめっき槽１に取り付けられ
ており、アノード電極板２１は多数の小孔がめっき液の
流通路を構成し、カソード電極装置３と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されているから、各種電子部品
用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等のめ
っきに有効な噴流型のめっき装置が得られる。
給されるものであり、カソード電極装置３はめっき液１
１の噴流内に位置するようにめっき槽１に取り付けられ
ており、アノード電極板２１は多数の小孔がめっき液の
流通路を構成し、カソード電極装置３と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されているから、各種電子部品
用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等のめ
っきに有効な噴流型のめっき装置が得られる。
【００１４】アノード電極装置２は、アノード電極板２
１が中心部付近に中心孔２３を有するから、最も流動障
害が大きくなる中心部分で流動障害が除去される。この
ため、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが
可能になる。
１が中心部付近に中心孔２３を有するから、最も流動障
害が大きくなる中心部分で流動障害が除去される。この
ため、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが
可能になる。
【００１５】小孔２４を形成する格子２５は、断面がめ
っき液の流れ方向ａに取られた対称軸に関して線対称性
を有することが望ましい。具体的には、格子２５の断面
形状が円形状、矩形状、三角形状が考えられる。この他
にも種々の断面形状が考えられる。このような構成であ
ると、めっき液の流れに偏りがなくなり、実質的にアノ
ード電極板２１の主面に対して直交する方向に流れるよ
うになる。このため、より一層、均一なめっき膜厚及び
めっき膜組成を得ることが可能になる。
っき液の流れ方向ａに取られた対称軸に関して線対称性
を有することが望ましい。具体的には、格子２５の断面
形状が円形状、矩形状、三角形状が考えられる。この他
にも種々の断面形状が考えられる。このような構成であ
ると、めっき液の流れに偏りがなくなり、実質的にアノ
ード電極板２１の主面に対して直交する方向に流れるよ
うになる。このため、より一層、均一なめっき膜厚及び
めっき膜組成を得ることが可能になる。
【００１６】電極支持装置２２は全体として筒状であっ
て、めっき槽１の底部に一体的に取りつけられており、
その軸方向の中間部において、アノード電極板２１を電
気絶縁して支持している。アノード電極板２１はリード
配線２５によって端子２６に導かれている。２７はリー
ド配線２４をめっき液１１から保護する配管である。
て、めっき槽１の底部に一体的に取りつけられており、
その軸方向の中間部において、アノード電極板２１を電
気絶縁して支持している。アノード電極板２１はリード
配線２５によって端子２６に導かれている。２７はリー
ド配線２４をめっき液１１から保護する配管である。
【００１７】カソード電極装置３は、めっき槽１の槽内
１０においてアノード電極装置２と対向するようにめっ
き槽１に取り付けられている。カソード電極装置３は、
リング状カソード電極３１と、押え部材３２と、ケース
部材３３とを含んでいる。カソード電極３１は被めっき
物４の外周縁を受け、押え部材３２は被めっき物４をカ
ソード電極３１に押付けている。ケース部材３３はカソ
ード電極３１及び被めっき物４の後方に、閉じられた空
間３４を形成している。また、ケース部材３３は空間３
４に連なる気体導入路３５及び気体排出路３７を有す
る。気体導入路３５を通して導入される気体は、空気や
窒素などである。３６はカソード電極３１に導通する端
子である。
１０においてアノード電極装置２と対向するようにめっ
き槽１に取り付けられている。カソード電極装置３は、
リング状カソード電極３１と、押え部材３２と、ケース
部材３３とを含んでいる。カソード電極３１は被めっき
物４の外周縁を受け、押え部材３２は被めっき物４をカ
ソード電極３１に押付けている。ケース部材３３はカソ
ード電極３１及び被めっき物４の後方に、閉じられた空
間３４を形成している。また、ケース部材３３は空間３
４に連なる気体導入路３５及び気体排出路３７を有す
る。気体導入路３５を通して導入される気体は、空気や
窒素などである。３６はカソード電極３１に導通する端
子である。
【００１８】上述のような具体例において、めっき槽
１、供給路１２、回収路１３、アノード電極装置２のア
ノード電極２１を除く部分及びカソード電極装置３のカ
ソード電極３１を除く部分の接液部はテフロンで構成さ
れている。アノード電極２１及びカソード電極３１の接
液面は、テフロンコーテイングすることが望ましい。配
管２７も外周面にテフロンコーティングしたものを用い
るのが望ましい。
１、供給路１２、回収路１３、アノード電極装置２のア
ノード電極２１を除く部分及びカソード電極装置３のカ
ソード電極３１を除く部分の接液部はテフロンで構成さ
れている。アノード電極２１及びカソード電極３１の接
液面は、テフロンコーテイングすることが望ましい。配
管２７も外周面にテフロンコーティングしたものを用い
るのが望ましい。
【００１９】被めっき物４は、各種電子部品用基板、Ｉ
Ｃ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等であり、めっき
液１１と接する下面４１がめっき付着面となっており、
空間３４側に位置する背面４２はめっきを必要としない
面となっている。背面４２に押え部材３２からの押し付
け力が加わり、その押し付け力により、めっき付着面と
なる下面４１の外周縁がカソード電極３１に接触し導通
する。従って、押え部材３２の押付け力によって被めっ
き物４をカソード電極３１に接触させることができ、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等にめっきを施すのに好適なめっき装置が得られ
る。
Ｃ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等であり、めっき
液１１と接する下面４１がめっき付着面となっており、
空間３４側に位置する背面４２はめっきを必要としない
面となっている。背面４２に押え部材３２からの押し付
け力が加わり、その押し付け力により、めっき付着面と
なる下面４１の外周縁がカソード電極３１に接触し導通
する。従って、押え部材３２の押付け力によって被めっ
き物４をカソード電極３１に接触させることができ、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等にめっきを施すのに好適なめっき装置が得られ
る。
【００２０】ケース部材３３は、カソード電極３１及び
被めっき物４の後方に閉じられた空間３４を形成すると
共に、空間３４に連なる気体導入路３５を有している。
従って、気体導入路３５を通して空間３４内に導入され
た気体の圧力により、空間３４内へのめっき液１１の漏
れを阻止できる。このため、被めっき物４の下面４１と
カソード電極３１との接触界面からの液漏れがなくな
り、被めっき物４の背面４２側にめっきが付着すること
がない。空間３４内の圧力は気体排出路３６の直径また
は弁３７の調整によって適正な値に調整できる。
被めっき物４の後方に閉じられた空間３４を形成すると
共に、空間３４に連なる気体導入路３５を有している。
従って、気体導入路３５を通して空間３４内に導入され
た気体の圧力により、空間３４内へのめっき液１１の漏
れを阻止できる。このため、被めっき物４の下面４１と
カソード電極３１との接触界面からの液漏れがなくな
り、被めっき物４の背面４２側にめっきが付着すること
がない。空間３４内の圧力は気体排出路３６の直径また
は弁３７の調整によって適正な値に調整できる。
【００２１】図示の押え部材３２は棒状であって、ケー
ス部材３３にねじ止めなどの手段によって取りつけら
れ、先端が空間３４を通して被めっき物４の背面４２に
接触し、被めっき物４をカソード電極３１に押付けてい
る。
ス部材３３にねじ止めなどの手段によって取りつけら
れ、先端が空間３４を通して被めっき物４の背面４２に
接触し、被めっき物４をカソード電極３１に押付けてい
る。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、亜硫酸金
ナトリウム系めっき液を用いるめっき装置であって、め
っき液に接する大部分がテフロンで構成されているか
ら、めっき液への有機物混入を防止し、均一なめっき膜
厚及びめっき膜組成が得られるめっき装置を提供するこ
とができる。
ナトリウム系めっき液を用いるめっき装置であって、め
っき液に接する大部分がテフロンで構成されているか
ら、めっき液への有機物混入を防止し、均一なめっき膜
厚及びめっき膜組成が得られるめっき装置を提供するこ
とができる。
【図１】本発明に係るめっき装置の概略図である。
１ めっき槽 １１ めっき液 ２ アノード電極装置 ２１ アノード電極板 ３ カソード電極装置 ３１ カソード電極 ４ 被めっき物
Claims (1)
- 【請求項１】 亜硫酸金ナトリウム系めっき液を用いる
めっき装置であって、 前記めっき液に接する大部分がテフロンで構成されてい
るめっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35332792A JP3187579B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35332792A JP3187579B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | めっき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179998A true JPH06179998A (ja) | 1994-06-28 |
| JP3187579B2 JP3187579B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=18430103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35332792A Expired - Fee Related JP3187579B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187579B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418816B1 (ko) * | 2001-03-17 | 2004-02-19 | 정을연 | 전자단자의 금도금장치 |
| KR101038793B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2011-06-03 | 주식회사 포스코 | 강재의 수소지연파괴 특성 평가를 위한 팔라듐(Ｐｄ) 코팅용 전해액, 이를 이용한 팔라듐(Ｐｄ) 코팅방법과 코팅용 도금조 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP35332792A patent/JP3187579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418816B1 (ko) * | 2001-03-17 | 2004-02-19 | 정을연 | 전자단자의 금도금장치 |
| KR101038793B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2011-06-03 | 주식회사 포스코 | 강재의 수소지연파괴 특성 평가를 위한 팔라듐(Ｐｄ) 코팅용 전해액, 이를 이용한 팔라듐(Ｐｄ) 코팅방법과 코팅용 도금조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3187579B2 (ja) | 2001-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010425 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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