JPS62136859A - 半導体ウエハのメツキ装置 - Google Patents
半導体ウエハのメツキ装置Info
- Publication number
- JPS62136859A JPS62136859A JP60278562A JP27856285A JPS62136859A JP S62136859 A JPS62136859 A JP S62136859A JP 60278562 A JP60278562 A JP 60278562A JP 27856285 A JP27856285 A JP 27856285A JP S62136859 A JPS62136859 A JP S62136859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wafer
- contacts
- contact
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハ表面に配線電極やバンプ等の電極
を形成する半導体ウェハのメッキ装置に関する。。
を形成する半導体ウェハのメッキ装置に関する。。
半導体ウェハにメッキ電極を形成するには一般に、ウェ
ハｌに導電性膜２を設けその後必要部分以外をレジスト
膜３でマスキングし、噴流又はディプ方式で電気メッキ
を施している。その際、ウェハとメッキ電極とのコンタ
クトのとり方としては第３図に示す如く、メッキ槽本体
７の開口端にカソード電極となる針状のコンタクト６を
設けてこのコンタクト６を支持部としてその上に上記ウ
ェハを圧下させて上記レジスト膜３を突き破って導電性
膜２と接触させて導通をとっている。
ハｌに導電性膜２を設けその後必要部分以外をレジスト
膜３でマスキングし、噴流又はディプ方式で電気メッキ
を施している。その際、ウェハとメッキ電極とのコンタ
クトのとり方としては第３図に示す如く、メッキ槽本体
７の開口端にカソード電極となる針状のコンタクト６を
設けてこのコンタクト６を支持部としてその上に上記ウ
ェハを圧下させて上記レジスト膜３を突き破って導電性
膜２と接触させて導通をとっている。
なお、上記コンタクト６はメッキ槽本体７の開口端の円
周上に適当な間隔をもって数個所設けられている。また
、上記メッキ槽本体７の内部に上記ウェハ下面と対面す
るように網状のアノード電極８が配設されている。１０
はメッキ液の流れを示しメッキ後はウェハ１とメッキ槽
本体７との間の間隔から流出してメッキ浴槽へ戻る。
周上に適当な間隔をもって数個所設けられている。また
、上記メッキ槽本体７の内部に上記ウェハ下面と対面す
るように網状のアノード電極８が配設されている。１０
はメッキ液の流れを示しメッキ後はウェハ１とメッキ槽
本体７との間の間隔から流出してメッキ浴槽へ戻る。
上記メッキ装置を用いて、半導体ウェハ１の表面にバン
ブ又はメッキ配線を形成する場合には下記の如くの欠点
があった。
ブ又はメッキ配線を形成する場合には下記の如くの欠点
があった。
つまり、
（１）レジスト膜３を完全に突き破れずメッキのための
良好な点接触が得られず、正常なメッキ処理が行えず、
柱状バンプ４等を形成するために厚いレジスト膜を使用
したときにはコンタクト不良が多く発生する。
良好な点接触が得られず、正常なメッキ処理が行えず、
柱状バンプ４等を形成するために厚いレジスト膜を使用
したときにはコンタクト不良が多く発生する。
（２）コンタクト部６にメッキ析出が集中しやすくコン
タクトの劣化が著しい。
タクトの劣化が著しい。
などの理由のため従来のメッキ装置では半導体ウェハ表
面に所望のメッキ処理が施せないという欠点を有してい
た。
面に所望のメッキ処理が施せないという欠点を有してい
た。
本発明は叙上の問題点を解消するメッキ装置として、半
導体ウェハの被メツキ表面にメッキ析出が均一になされ
その際に電気メッキのコンタクト部へのメッキ析出を防
止してコンタクトの劣化を防ぐ半導体ウェハのメッキ装
置を提供することを目的とする。
導体ウェハの被メツキ表面にメッキ析出が均一になされ
その際に電気メッキのコンタクト部へのメッキ析出を防
止してコンタクトの劣化を防ぐ半導体ウェハのメッキ装
置を提供することを目的とする。
しかして、本発明のメッキ装置は、メッキ槽本体の開口
端に設けられてウェハを支持しかつカソード電極となる
コンタクトの周囲をとり囲む絶縁体カバーを備えており
、前記絶縁体カバーは前記ウェハ上に設けられたメッキ
用マスキング部材と接触し、前記コンタクトは前記マス
キング部材のない部分で前記ウェハと直接接触させるよ
うにしている。
端に設けられてウェハを支持しかつカソード電極となる
コンタクトの周囲をとり囲む絶縁体カバーを備えており
、前記絶縁体カバーは前記ウェハ上に設けられたメッキ
用マスキング部材と接触し、前記コンタクトは前記マス
キング部材のない部分で前記ウェハと直接接触させるよ
うにしている。
なお、半導体ウェハにコンタクトを直接接触させるには
、通常半導体ウェハ製造工程で用いられているレジスト
によるマスキング手法を用いればウェハ表面上の所望の
位置にレジスト膜のコンタクトホールを設けることがで
きる。
、通常半導体ウェハ製造工程で用いられているレジスト
によるマスキング手法を用いればウェハ表面上の所望の
位置にレジスト膜のコンタクトホールを設けることがで
きる。
第１図において、ウェハ１は導電性膜乏、例えばＮ Ｉ
ＳＣｕ上にメッキが必要な部分とコンタクトホール５
以外をレジスト膜３で通常用いられるホトレジスト手法
でマスキングされている。一方、メッキ槽本体７はウェ
ハ１のコンタクトホール５に対応する部位にコンタクト
６がカソード電極となるように結線されている。このコ
ンタクト６はステンレス、ｐｔ等のメッキ液に侵されに
くい金属が適している。
ＳＣｕ上にメッキが必要な部分とコンタクトホール５
以外をレジスト膜３で通常用いられるホトレジスト手法
でマスキングされている。一方、メッキ槽本体７はウェ
ハ１のコンタクトホール５に対応する部位にコンタクト
６がカソード電極となるように結線されている。このコ
ンタクト６はステンレス、ｐｔ等のメッキ液に侵されに
くい金属が適している。
コンタクト６の周囲にはこれを覆うように耐メツキ液性
でかつ柔軟性のある絶縁体カバー９が上記メッキ槽本体
７側に設けられている。
でかつ柔軟性のある絶縁体カバー９が上記メッキ槽本体
７側に設けられている。
上記ウェハ１をメッキ槽本体側のコンタクト６と位置合
わせしてコンタクト６側に圧下して前記アノード、カソ
ード電極間に電圧を印加して電流を流す。メッキ液、は
矢印１０の如くメッキ槽本体下部から吹き上げられて半
導体ウェハ１の被メツキ表面にメッキ後にウェハ１とメ
ッキ槽本体７との間の隙間から外側へ流出してメッキ浴
槽へ戻る。
わせしてコンタクト６側に圧下して前記アノード、カソ
ード電極間に電圧を印加して電流を流す。メッキ液、は
矢印１０の如くメッキ槽本体下部から吹き上げられて半
導体ウェハ１の被メツキ表面にメッキ後にウェハ１とメ
ッキ槽本体７との間の隙間から外側へ流出してメッキ浴
槽へ戻る。
このとき、柔軟性ある絶縁体カバー９は、つ豊ハ１の圧
下により、レジスト３と密着しておりメッキ液の侵入を
防ぐためコンタクト６はメッキされることがない。なお
、第１図に示す実施例では噴流式メッキ装置の場合で説
明したが、ディップ方式のメッキ装置など他の装置へも
応用可能なことはいうまでもない。
下により、レジスト３と密着しておりメッキ液の侵入を
防ぐためコンタクト６はメッキされることがない。なお
、第１図に示す実施例では噴流式メッキ装置の場合で説
明したが、ディップ方式のメッキ装置など他の装置へも
応用可能なことはいうまでもない。
以上のように本発明装置によればコンタクトと半導体ウ
ェハとの間で良好な電気的接触が得られ、併せてコンタ
クト部分にメッキが析出されることによるコンタクト劣
化、メッキ電流のバラツキを抑えながら半導体ウェハ表
面に充分なメッキ析出層を形成させることが出来るとい
う優れた効果がある。
ェハとの間で良好な電気的接触が得られ、併せてコンタ
クト部分にメッキが析出されることによるコンタクト劣
化、メッキ電流のバラツキを抑えながら半導体ウェハ表
面に充分なメッキ析出層を形成させることが出来るとい
う優れた効果がある。
第１図は本発明の半導体ウェハのメッキ装置の縦断面図
、第２図は第１図図示装置の要部斜視図、第３図は従来
メッキ装置の縦断面図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・導電性膜、３・・・レ
ジスト膜、４・・・電気メッキで形成されたバンプ、５
・・・コンタクトホール、６・・・コンタクト （カソ
ード電極）、７・・・メッキ層本体、８・・・網状電極
（アノード電極）、９・・・絶縁体カバー、１０・・・
メ・ツキ液の流れ。 代理人弁理士 岡 部 隆 第２図 第３図
、第２図は第１図図示装置の要部斜視図、第３図は従来
メッキ装置の縦断面図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・導電性膜、３・・・レ
ジスト膜、４・・・電気メッキで形成されたバンプ、５
・・・コンタクトホール、６・・・コンタクト （カソ
ード電極）、７・・・メッキ層本体、８・・・網状電極
（アノード電極）、９・・・絶縁体カバー、１０・・・
メ・ツキ液の流れ。 代理人弁理士 岡 部 隆 第２図 第３図
Claims (1)
- 網状のアノード電極部を配設したメッキ槽本体の開口端
に半導体ウェハの支持部となり且つカソード電極ともな
る針状のコンタクトと該コンタクトの先端部が突出する
ようにその周囲を取り囲む柔軟性ある絶縁体カバーを配
設し、前記絶縁体カバーは前記半導体ウェハ表面に設け
られたメッキ用マスキング部材と接触し、前記コンタク
トは前記マスキング部材のない部分で前記半導体ウェハ
と直接接触させるようにしたことを特徴とする半導体ウ
ェハのメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278562A JPS62136859A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体ウエハのメツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278562A JPS62136859A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体ウエハのメツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136859A true JPS62136859A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0251254B2 JPH0251254B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=17598991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60278562A Granted JPS62136859A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体ウエハのメツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215622A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Fujitsu Ltd | メッキ処理方法およびメッキ処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6288985B2 (ja) | 2013-08-13 | 2018-03-07 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60278562A patent/JPS62136859A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215622A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Fujitsu Ltd | メッキ処理方法およびメッキ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251254B2 (ja) | 1990-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100329454B1 (ko) | 기판상에재료층을증착하는공정및도금시스템 | |
| US6579430B2 (en) | Semiconductor wafer plating cathode assembly | |
| JPS58182823A (ja) | 半導体ウエハ−のメツキ装置 | |
| JP2009024242A (ja) | 金属パイプのめっき装置および金属パイプのめっき方法 | |
| KR100729973B1 (ko) | 상호 절연된 시트 및 포일 재료 피스의 도전성 표면을 전해 처리하는 방법 및 장치 | |
| JPS62136859A (ja) | 半導体ウエハのメツキ装置 | |
| US20060000708A1 (en) | Noble metal contacts for plating applications | |
| JP3257668B2 (ja) | 電極組立体、カソード装置及びメッキ装置 | |
| CN110777412B (zh) | 在基板上形成电镀结构的电镀装置及电镀方法 | |
| JPH05243183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02243800A (ja) | リード端子の製造方法 | |
| JPS62188798A (ja) | メツキ用コンタクトピン | |
| US3112554A (en) | Process of manufacturing field-effect transistors | |
| JPH0813198A (ja) | 接触導通用電極及びそれを用いた半導体製造装置 | |
| JP3206131B2 (ja) | ウエハ用メッキ装置 | |
| JP2003253496A (ja) | 電気めっき治具および電気めっき方法 | |
| US20170167042A1 (en) | Selective solder plating | |
| JPH06179998A (ja) | めっき装置 | |
| JPH0749793Y2 (ja) | 半導体装置のめっき用接続体 | |
| JP2003027288A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
| TWI254087B (en) | A method and device for electrolytic polishing metal surface | |
| JPS60228697A (ja) | 金属メツキ装置 | |
| JPH0713213Y2 (ja) | 化成装置 | |
| US6184613B1 (en) | Electrode assembly, cathode device and plating apparatus including a gap configured to eliminate a concentration of a line of electrical force at a boundary between a cathode and plate forming surface of an object | |
| KR200148654Y1 (ko) | 반도체의 납도금장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |