JPS61278144A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS61278144A JPS61278144A JP11768485A JP11768485A JPS61278144A JP S61278144 A JPS61278144 A JP S61278144A JP 11768485 A JP11768485 A JP 11768485A JP 11768485 A JP11768485 A JP 11768485A JP S61278144 A JPS61278144 A JP S61278144A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマを発生させるのに必要なガスを導入す
る電極構造を改良したプラズマ処理装置に関するもので
ある。
る電極構造を改良したプラズマ処理装置に関するもので
ある。
従来、相対向するいずれかの電極からガスを当該電橋間
に導入するガス導入部として、例えば第４図に示すよう
なものがある。ガス導入部２１はアルミニウムあるいは
ステンレス鋼等の円板に機械的に直径０．５ｍｍないし
数ｍｍの孔２２を多数あけたものである。また、０．３
ミクロン程度の気孔径をもった焼結石英を用いたものも
ある。
に導入するガス導入部として、例えば第４図に示すよう
なものがある。ガス導入部２１はアルミニウムあるいは
ステンレス鋼等の円板に機械的に直径０．５ｍｍないし
数ｍｍの孔２２を多数あけたものである。また、０．３
ミクロン程度の気孔径をもった焼結石英を用いたものも
ある。
従来の第４図に示すようなガス導入部２１は、アルミニ
ウムあるいはステンレス鋼等の円板に機械的に多数の孔
２２をあけていたため、孔２２の位置精度や孔径の精度
等によって電極間に導入されるガスの量が均一でない場
所が生しることにより、あるいは孔２２の縁の部分で異
常放電が生しることにより場所によってエツチング速度
にむらが生じてしまうという問題点があった。また、ス
テンレス鋼をガス導入部２１として用いた場合には、ス
テンレス鋼の成分であるニッケル等がスパッタされて、
被加工物を汚染してしまうという問題点があった。更に
、多孔質の焼結石英をガス導入部２１として用いた場合
には、二酸化ケイ素の膜をエツチングする際に、当該多
孔質の焼結石英自体もエツチングされてしまうという問
題点があった。
ウムあるいはステンレス鋼等の円板に機械的に多数の孔
２２をあけていたため、孔２２の位置精度や孔径の精度
等によって電極間に導入されるガスの量が均一でない場
所が生しることにより、あるいは孔２２の縁の部分で異
常放電が生しることにより場所によってエツチング速度
にむらが生じてしまうという問題点があった。また、ス
テンレス鋼をガス導入部２１として用いた場合には、ス
テンレス鋼の成分であるニッケル等がスパッタされて、
被加工物を汚染してしまうという問題点があった。更に
、多孔質の焼結石英をガス導入部２１として用いた場合
には、二酸化ケイ素の膜をエツチングする際に、当該多
孔質の焼結石英自体もエツチングされてしまうという問
題点があった。
更に、焼結石英の場合には、気孔径が９０ないし３００
０人であってかなり小さく、ドライエ。
０人であってかなり小さく、ドライエ。
チングなどのように、０．５ないし１ｋｇｆ／ａ！の差
圧で必要な流量例えば約３００ ｃｃ／ｌ１ｉｎを得よ
うとすると、気孔数が多くなって多孔質体の強度が弱く
なるという問題がある。また、その製法は、ある程度粒
径の揃った粉末ガラスを焼結させるものであるため、気
孔径や気孔数をほしいままにコントロールできない問題
点がある。
圧で必要な流量例えば約３００ ｃｃ／ｌ１ｉｎを得よ
うとすると、気孔数が多くなって多孔質体の強度が弱く
なるという問題がある。また、その製法は、ある程度粒
径の揃った粉末ガラスを焼結させるものであるため、気
孔径や気孔数をほしいままにコントロールできない問題
点がある。
また、この多孔質体の厚みは、通常これを３龍以下程度
とすることが望ましい、その理由は、厚み分だけの誘電
体が電極間に挿入されて、プラズマ発生のための供給電
力に減衰を生じさせてしまうためである。このため、３
鰭以下という厚さで、直径１５０ないし２２０ｆｌの通
常の大きさの電極を覆う石英の多孔質焼結体を作ろうと
すると、強度的にかなりの無理を生ずる。更に言えば、
９０ないし３０００人の気孔径しか得られない焼結石英
では、例えばＳＬＯ，膜のエツチングなどを行う場合、
エツチング中にガスプラズマの反応で生じた種々の反応
生成物がガス吹き出し口に堆積し、孔がふさがれたり、
ガス吹き出しに不均一性が生じたりして、処理に不均一
を生じさせてしまうという問題点がある。
とすることが望ましい、その理由は、厚み分だけの誘電
体が電極間に挿入されて、プラズマ発生のための供給電
力に減衰を生じさせてしまうためである。このため、３
鰭以下という厚さで、直径１５０ないし２２０ｆｌの通
常の大きさの電極を覆う石英の多孔質焼結体を作ろうと
すると、強度的にかなりの無理を生ずる。更に言えば、
９０ないし３０００人の気孔径しか得られない焼結石英
では、例えばＳＬＯ，膜のエツチングなどを行う場合、
エツチング中にガスプラズマの反応で生じた種々の反応
生成物がガス吹き出し口に堆積し、孔がふさがれたり、
ガス吹き出しに不均一性が生じたりして、処理に不均一
を生じさせてしまうという問題点がある。
本願の第１の発明は、前記問題点を解決するために、相
対向する電極間にガスを導入するガス導入部として例え
ば金属酸化物を主成分とする多孔質体を電極に配置した
構成を採用している。更に、本願の第２の発明は、第１
の発明に係わる電極に取りつけた多孔質体の内側に導電
性の物質を付着させて、電気的な接続を行っている。
対向する電極間にガスを導入するガス導入部として例え
ば金属酸化物を主成分とする多孔質体を電極に配置した
構成を採用している。更に、本願の第２の発明は、第１
の発明に係わる電極に取りつけた多孔質体の内側に導電
性の物質を付着させて、電気的な接続を行っている。
第１図は本発明の原理的構成図を示す。図中、１はガズ
を導入するためのガスパイプ、２は金属酸化物を主成分
とする多孔質体からなるガス導入部、３はガス導入部の
内側に付着させた例えばアルミニウムのスパッタ膜等の
導電性物質、４．６は放電させてプラズマを発生させる
ための電極、５はイオンエッチ処理等行うための被加工
物、７は高周波電源を表す。
を導入するためのガスパイプ、２は金属酸化物を主成分
とする多孔質体からなるガス導入部、３はガス導入部の
内側に付着させた例えばアルミニウムのスパッタ膜等の
導電性物質、４．６は放電させてプラズマを発生させる
ための電極、５はイオンエッチ処理等行うための被加工
物、７は高周波電源を表す。
第１図において、ガス導入部２はガスパイプ１を介して
流入させたガスを電極３と電極５との間に導入するため
のものであって、金属酸化物例えばアルミナの多孔質体
によって構成されるものである。ガスパイプｌを介して
流入したガスはガス導入部２から電極４と電ｉ６との間
に導入される。
流入させたガスを電極３と電極５との間に導入するため
のものであって、金属酸化物例えばアルミナの多孔質体
によって構成されるものである。ガスパイプｌを介して
流入したガスはガス導入部２から電極４と電ｉ６との間
に導入される。
そして、電極４と電極６との間に高周波型′ａ７からの
高周波電力を供給することによって、導入したガスをプ
ラズマ化して電極６上に載置した被加工物５を例えばエ
ツチングしている。
高周波電力を供給することによって、導入したガスをプ
ラズマ化して電極６上に載置した被加工物５を例えばエ
ツチングしている。
以上説明しまたように金属酸化物を主成分とする多孔質
体からなるガス導入部２を用いているため、ガスを均一
に被加工物５に対していわば拡散するＢ様で吹き付ける
ことが可能となる。
体からなるガス導入部２を用いているため、ガスを均一
に被加工物５に対していわば拡散するＢ様で吹き付ける
ことが可能となる。
第１図に示すように、ガスパイプ１を通して流入したガ
スが、本発明に係わるガス導入部２を介して、被加工物
５に対して均一な態様で吹き付けられている。また、ガ
スを被加工物５に吹き付けるガス導入部２として、金属
酸化物を主成分とする多孔質体を用いているため、ガス
導入部２がたとえプラズマにさらされても、エツチング
速度が場所に応じて不均一になることがない。また、金
属酸化物を主成分とする多孔質体からなるガス導入部２
の内側に導電性物質を付着させて導電性を持たせている
ため、安定かつ高密度のプラズマを発生させることがで
きる。
スが、本発明に係わるガス導入部２を介して、被加工物
５に対して均一な態様で吹き付けられている。また、ガ
スを被加工物５に吹き付けるガス導入部２として、金属
酸化物を主成分とする多孔質体を用いているため、ガス
導入部２がたとえプラズマにさらされても、エツチング
速度が場所に応じて不均一になることがない。また、金
属酸化物を主成分とする多孔質体からなるガス導入部２
の内側に導電性物質を付着させて導電性を持たせている
ため、安定かつ高密度のプラズマを発生させることがで
きる。
第２図は本発明の１実施例構成の側面図を示す。
図中、８は処理槽、９はガス導入部°２と電極４とを電
気的に接続等するための電極リングを表す。
気的に接続等するための電極リングを表す。
尚、図中１ないし７は第１図に示すものに夫々対応する
ものである。
ものである。
第２図において、ガスパイプ１を介して流入したガスは
、電極４とガス導入部２との間に形成された空間に拡が
る。そして、金属酸化物を主成分とする多孔質体からな
るガス導入部２を通過したガスが、いわば拡散するａ様
で均一性良好に電極６上に載置した被加工物５に吹き付
けられる。該状態で電極４と電極６との間に高周波電源
７によって発生された高周波電力を供給すると、プラズ
マが電極間に発生し、被加工物５をエツチング処理等す
ることができる。
、電極４とガス導入部２との間に形成された空間に拡が
る。そして、金属酸化物を主成分とする多孔質体からな
るガス導入部２を通過したガスが、いわば拡散するａ様
で均一性良好に電極６上に載置した被加工物５に吹き付
けられる。該状態で電極４と電極６との間に高周波電源
７によって発生された高周波電力を供給すると、プラズ
マが電極間に発生し、被加工物５をエツチング処理等す
ることができる。
この際、ガス導入部２として金属酸化物を生成分とする
多孔質板を用いることが、いずれの被加工物５の場所に
対しても均一なガス量を常時吹き付けるのに有効である
。特に高速エツチングを行うのに必要な高いプラズマ電
位を得るために、電極４と電極６との間の電極間距離を
小さくし、かつ被加工物５のいずれの場所に対してもガ
スを均一に吹き付けるために、ガス導入部として従来の
第４図に示すようなシャワーヘッド形構造が考えられて
きた。しかし、機械的に穿孔したり、あるいはレーザー
光を用いて穿孔したりしたのでは、孔径を小さくしても
孔径の不均一が、プラズマ処理の不均一を生じさせ、時
には局部的に強い放電を生じさせてしまったりしていた
。これに比し、本発明に係わる多孔質体のガス導入部２
を用いることにより、ガスを拡散させるＢ様で、被加工
物５のいずれの場所に対しても均一に吹き付け、均一な
プラズマを発生させることができると共に、これが多孔
質板であるために従来のように孔をあけた場合に生じて
いたエツジ部分がなく局部的な強放電が生じない。
多孔質板を用いることが、いずれの被加工物５の場所に
対しても均一なガス量を常時吹き付けるのに有効である
。特に高速エツチングを行うのに必要な高いプラズマ電
位を得るために、電極４と電極６との間の電極間距離を
小さくし、かつ被加工物５のいずれの場所に対してもガ
スを均一に吹き付けるために、ガス導入部として従来の
第４図に示すようなシャワーヘッド形構造が考えられて
きた。しかし、機械的に穿孔したり、あるいはレーザー
光を用いて穿孔したりしたのでは、孔径を小さくしても
孔径の不均一が、プラズマ処理の不均一を生じさせ、時
には局部的に強い放電を生じさせてしまったりしていた
。これに比し、本発明に係わる多孔質体のガス導入部２
を用いることにより、ガスを拡散させるＢ様で、被加工
物５のいずれの場所に対しても均一に吹き付け、均一な
プラズマを発生させることができると共に、これが多孔
質板であるために従来のように孔をあけた場合に生じて
いたエツジ部分がなく局部的な強放電が生じない。
また、電極４と電極６との間の電極間距離を小さくした
場合、一般に電極６上の被加工物５のインピーダンスが
放電中のプラズマのインピーダンスに比して高いため、
処理槽８内の絶縁されていない金属面にプラズマが接触
すると、そこに短絡電流が生じ易くなる。そして、この
短絡電流によって被加工物５が破壊（ダメージ）される
と共に、エツチングの場合にはエツチング速度が低下し
たり、あるいはエツチングが場所によって不均一となる
。特に従来のように、ガス導入部２の表面にアルマイト
処理を施したアルミニウム製のガス導入部を用いた場合
には、局所的な強放電により、ガス導入部の穿孔した部
分の被膜がエツチング処理と共に侵食されて金属面が露
出される。このため短絡電流が流れ、被加工物５にダメ
ージを与えると共に、エンチング処理速度が低下し、耐
久性。
場合、一般に電極６上の被加工物５のインピーダンスが
放電中のプラズマのインピーダンスに比して高いため、
処理槽８内の絶縁されていない金属面にプラズマが接触
すると、そこに短絡電流が生じ易くなる。そして、この
短絡電流によって被加工物５が破壊（ダメージ）される
と共に、エツチングの場合にはエツチング速度が低下し
たり、あるいはエツチングが場所によって不均一となる
。特に従来のように、ガス導入部２の表面にアルマイト
処理を施したアルミニウム製のガス導入部を用いた場合
には、局所的な強放電により、ガス導入部の穿孔した部
分の被膜がエツチング処理と共に侵食されて金属面が露
出される。このため短絡電流が流れ、被加工物５にダメ
ージを与えると共に、エンチング処理速度が低下し、耐
久性。
信頬性に問題が生じてしまっていた。これに比し、本発
明に係わる金属酸化物を主成分とする多孔質体を用いた
ガス導入部２は、多孔質体であるために強放電が生じず
、ひいてはプラズマに侵食されない。また、電極４の一
部を覆って金属の露出を防ぐことができるので、金属が
露出したことによる短絡電流の発生を防止し、前記障害
を取り除くことができる。
明に係わる金属酸化物を主成分とする多孔質体を用いた
ガス導入部２は、多孔質体であるために強放電が生じず
、ひいてはプラズマに侵食されない。また、電極４の一
部を覆って金属の露出を防ぐことができるので、金属が
露出したことによる短絡電流の発生を防止し、前記障害
を取り除くことができる。
本発明の多孔質体に使用する金属酸化物としては、アル
ミナが特にすぐれている、アルミナの多孔質体には例え
ば次の製法がある。即ち、泥臭アルミナを所定の気孔径
に調整した発砲樹脂体に流し込み、それを焼成してアル
ミナの多孔質体とするものである。発砲樹脂の気孔径を
調整することで、多孔質体の気孔径をかなり大径の０．
５ないし数１０ミクロンの範囲で制御でき、均一性を良
くすることも、部分的に気孔径を変化させることもでき
る。また、かなりの緻密質体を作ることも、同一工程、
同一成分で、しかも連続体として製造することが可能で
ある。焼結石英と比較して、強度的にもすぐれ、２ｆｉ
厚さの多孔質体でも充分な実用強度をもっている。
ミナが特にすぐれている、アルミナの多孔質体には例え
ば次の製法がある。即ち、泥臭アルミナを所定の気孔径
に調整した発砲樹脂体に流し込み、それを焼成してアル
ミナの多孔質体とするものである。発砲樹脂の気孔径を
調整することで、多孔質体の気孔径をかなり大径の０．
５ないし数１０ミクロンの範囲で制御でき、均一性を良
くすることも、部分的に気孔径を変化させることもでき
る。また、かなりの緻密質体を作ることも、同一工程、
同一成分で、しかも連続体として製造することが可能で
ある。焼結石英と比較して、強度的にもすぐれ、２ｆｉ
厚さの多孔質体でも充分な実用強度をもっている。
尚、上記のような大きい気孔径では、反応生成物によっ
て孔のふさがれる心配はなくなる。また、アルミナは石
英と比較するとき、耐蝕性にすぐれ、例えばＳｉｎ、を
エツチングするときに用いられるＣＦ、 、ＣＩＩＦ、
等の弗素系ガスのプラズマにも良く耐え、均一なエツチ
ングが可能である。
て孔のふさがれる心配はなくなる。また、アルミナは石
英と比較するとき、耐蝕性にすぐれ、例えばＳｉｎ、を
エツチングするときに用いられるＣＦ、 、ＣＩＩＦ、
等の弗素系ガスのプラズマにも良く耐え、均一なエツチ
ングが可能である。
更に本発明は、金属酸化物を主成分とする多孔質体から
なるガス導入部２の内面に直接に導電性物質３を付着さ
せているため、この部分を電橋と電気的に接触させるこ
とで、これを新たに電極とすることができる。誘電体の
挿入による印加電力の減衰を小にし、表面をアルマイト
処理したアルミニウム電橋（シャワーヘッド式）の場合
と比較しても、エツチング速度の低下を例えば５％以下
に抑制することができる。従来の方１式では、電力の減
衰のために、４０ないし４５％のエツチング速度の低下
があった。
なるガス導入部２の内面に直接に導電性物質３を付着さ
せているため、この部分を電橋と電気的に接触させるこ
とで、これを新たに電極とすることができる。誘電体の
挿入による印加電力の減衰を小にし、表面をアルマイト
処理したアルミニウム電橋（シャワーヘッド式）の場合
と比較しても、エツチング速度の低下を例えば５％以下
に抑制することができる。従来の方１式では、電力の減
衰のために、４０ないし４５％のエツチング速度の低下
があった。
尚、多孔質体に付加される誘電性膜は、必要な付着強度
を得るために、スパッタリング等の方法で例えば１ミク
ロン以上の厚さに施されるものである。この導電性膜が
付着されるときは、例えば高速エツチングを行うために
電極４と電極６との間の電極間距離を小さくしても導電
性物質を付着させない場合に比し、プラズマを格段に安
定に発生させることができると共に、電極間距離を一層
小さくしてプラズマ密度を高くし、エツチング速度を高
めることができる。
を得るために、スパッタリング等の方法で例えば１ミク
ロン以上の厚さに施されるものである。この導電性膜が
付着されるときは、例えば高速エツチングを行うために
電極４と電極６との間の電極間距離を小さくしても導電
性物質を付着させない場合に比し、プラズマを格段に安
定に発生させることができると共に、電極間距離を一層
小さくしてプラズマ密度を高くし、エツチング速度を高
めることができる。
第３図は本発明に係わるガス導入部２の各種実施態様の
要部平面図および側面断面図を示す０図中１０は比較的
に通気率の高い多孔質体、１）は比較的に通気率の低い
多孔質体、１２は普通の多孔質体、１３は緻密な多孔質
体、１４．１５は多孔質体、１６．１７は緻密質体を表
す。
要部平面図および側面断面図を示す０図中１０は比較的
に通気率の高い多孔質体、１）は比較的に通気率の低い
多孔質体、１２は普通の多孔質体、１３は緻密な多孔質
体、１４．１５は多孔質体、１６．１７は緻密質体を表
す。
第３図（ａｌに示すようにガス導入部２を構成する中央
部分の多孔質体１）として通気率の低いものを用いるこ
とにより、被加工物５に対して均一なガスを吹きつける
ことができる。即ち、第２図に示す処理槽８の内部は、
大気圧よりも低くしであるため、ガスバイブ１を介して
電極４とガス導入部２との間に流入したガスの圧力は、
ガス導入部２の中央付近で大きく、縁付近で小さくなる
傾向がある。従って、ガス導入部２の中央付近から縁付
近まで全て通気率を同一にしたのでは、被加工物５に吹
き付けられるガスの量が中央付近では多（、縁付近に近
づ（に従ってガスの量が少なくなってしまう、このため
、ガス導入部２の中央付近のガスの通気率を小さくする
ように、第３図（ａｌでは通気率の低い多孔質体１）を
中央付近に用い、第３図ｆｂ）では緻密な多孔質体１３
を中央付近に用い、第３図（Ｃ１では緻密質体１６を用
いて中央付近の裏面を覆い、および第３図［ｄｌでは緻
密質体１７で中央付近を置き換えている。以上説明した
通気率の低い多孔質体１）、緻密な多孔質体１３、緻密
質体１６および緻密質体１７は夫々プラズマ処理に対し
て悪影響を与えない材質のものである必要があるが、一
般に製作の便宜上から、他の多孔質体と同一成分のもの
が都合がよい、尚、ガス導入部２の中央付近から縁付近
に近づくに従って生ずる被加工物５に吹き付けられるガ
スの量の変化は、処理槽８を排気する排気特性、電極４
と電極６との間の距離、ガスパイプ１の口径等によって
決定されるものであり、本発明の実施態様は、それに対
応して選定されるものである。
部分の多孔質体１）として通気率の低いものを用いるこ
とにより、被加工物５に対して均一なガスを吹きつける
ことができる。即ち、第２図に示す処理槽８の内部は、
大気圧よりも低くしであるため、ガスバイブ１を介して
電極４とガス導入部２との間に流入したガスの圧力は、
ガス導入部２の中央付近で大きく、縁付近で小さくなる
傾向がある。従って、ガス導入部２の中央付近から縁付
近まで全て通気率を同一にしたのでは、被加工物５に吹
き付けられるガスの量が中央付近では多（、縁付近に近
づ（に従ってガスの量が少なくなってしまう、このため
、ガス導入部２の中央付近のガスの通気率を小さくする
ように、第３図（ａｌでは通気率の低い多孔質体１）を
中央付近に用い、第３図ｆｂ）では緻密な多孔質体１３
を中央付近に用い、第３図（Ｃ１では緻密質体１６を用
いて中央付近の裏面を覆い、および第３図［ｄｌでは緻
密質体１７で中央付近を置き換えている。以上説明した
通気率の低い多孔質体１）、緻密な多孔質体１３、緻密
質体１６および緻密質体１７は夫々プラズマ処理に対し
て悪影響を与えない材質のものである必要があるが、一
般に製作の便宜上から、他の多孔質体と同一成分のもの
が都合がよい、尚、ガス導入部２の中央付近から縁付近
に近づくに従って生ずる被加工物５に吹き付けられるガ
スの量の変化は、処理槽８を排気する排気特性、電極４
と電極６との間の距離、ガスパイプ１の口径等によって
決定されるものであり、本発明の実施態様は、それに対
応して選定されるものである。
以上説明した如く、本発明によれば、相対向する電極間
にガスを導入するガス導入部２として、金属酸化物を主
成分とする多孔質体を電極に取り付けた構成を採用して
いるため、被加工物５に対してガスを均一に吹き付ける
ことができると共に、プラズマによってガス導入部２が
エツチングされることが少ないために被加工物５を汚染
することがない、更に、金属酸化物を主成分とする多孔
質体によって構成されるガス導入部２の内面に導電性物
質３を付着させることにより、安定かつ高密度のプラズ
マを発生させることができる。
にガスを導入するガス導入部２として、金属酸化物を主
成分とする多孔質体を電極に取り付けた構成を採用して
いるため、被加工物５に対してガスを均一に吹き付ける
ことができると共に、プラズマによってガス導入部２が
エツチングされることが少ないために被加工物５を汚染
することがない、更に、金属酸化物を主成分とする多孔
質体によって構成されるガス導入部２の内面に導電性物
質３を付着させることにより、安定かつ高密度のプラズ
マを発生させることができる。
第１図は本発明の原理的構成の側面図、第２図は本発明
の１実施例構成の側面図、第３図は本発明の要部構成の
平面図および側面断面図、第４図は従来のプラズマ処理
装置の構成の平面図を示す。 図中、ｌはガスパイプ、２はガス導入部、３は導電性物
質、４．６は電極、５は被加工物、７は高周波電源を表
す。
の１実施例構成の側面図、第３図は本発明の要部構成の
平面図および側面断面図、第４図は従来のプラズマ処理
装置の構成の平面図を示す。 図中、ｌはガスパイプ、２はガス導入部、３は導電性物
質、４．６は電極、５は被加工物、７は高周波電源を表
す。
Claims (5)
- （１）相対向する電極間に当該電極面から噴射されたガ
スを導入し、電極間に高周波電力を供給してプラズマを
発生させることにより、電極上に配置した被加工物を処
理するプラズマ処理装置において、相対向する電極間に
ガスを導入するために当該相対向する電極のいずれかの
対向面に金属酸化物を主成分とする多孔質体を配置し、
該多孔質体を通して噴射されたガスをプラズマ化させて
被加工物を処理するよう構成したことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - （２）前記多孔質体がアルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）を主
成分とするものであることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のプラズマ処理装置。 - （３）前記多孔質体の一部分のガス通気率を他の部分と
変えることにより、前記電極間に均一なプラズマを発生
させるよう構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のプラズマ処理装置。 - （４）前記多孔質体の一部分を緻密質体に置き換えるか
、あるいは一部分を緻密質体を用いて覆うことにより、
前記電極間に均一なプラズマを発生させるよう構成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のプラ
ズマ処理装置。 - （５）相対向する電極間に当該電極面から噴射されたガ
スを導入し、電極間に高周波電力を供給してプラズマを
発生させることにより、電極上に配置した被加工物を処
理するプラズマ処理装置において、相対向する電極間に
ガスを導入するために当該相対向する電極のいずれかの
対向面に金属酸化物を主成分とする多孔質体を配置し、
該多孔質体を通して噴射されたガスをプラズマ化させて
被加工物を処理するよう構成するとともに、前記多孔質
体が相対向する他の電極に面していない内側を導電性に
して当該多孔質体が配置された側の電極に電気的に接続
するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11768485A JPS61278144A (ja) | 1985-06-01 | 1985-06-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11768485A JPS61278144A (ja) | 1985-06-01 | 1985-06-01 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278144A true JPS61278144A (ja) | 1986-12-09 |
| JPH0562814B2 JPH0562814B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=14717731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11768485A Granted JPS61278144A (ja) | 1985-06-01 | 1985-06-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61278144A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11149995A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
| US7074720B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma treating apparatus, plasma treating method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7138034B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode member used in a plasma treating apparatus |
| JP2009195711A (ja) * | 2009-03-30 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | ダイオキシン含有被処理物質の浄化方法及びダイオキシン含有被処理物質の浄化装置 |
| US20150144266A1 (en) * | 2010-06-14 | 2015-05-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185982A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-16 | Perkin Elmer Corp | Plasma etching device |
| JPS6039832A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1985
- 1985-06-01 JP JP11768485A patent/JPS61278144A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185982A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-16 | Perkin Elmer Corp | Plasma etching device |
| JPS6039832A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH11149995A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
| US7074720B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma treating apparatus, plasma treating method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7138034B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode member used in a plasma treating apparatus |
| JP2009195711A (ja) * | 2009-03-30 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | ダイオキシン含有被処理物質の浄化方法及びダイオキシン含有被処理物質の浄化装置 |
| US20150144266A1 (en) * | 2010-06-14 | 2015-05-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562814B2 (ja) | 1993-09-09 |
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