JPH0437579B2 - - Google Patents
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- JPH0437579B2 JPH0437579B2 JP58006693A JP669383A JPH0437579B2 JP H0437579 B2 JPH0437579 B2 JP H0437579B2 JP 58006693 A JP58006693 A JP 58006693A JP 669383 A JP669383 A JP 669383A JP H0437579 B2 JPH0437579 B2 JP H0437579B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主として化学反応性の強い物質のド
ライエツチング即ちプラズマエツチングや反応性
スパツタエツチングに適したドライエツチング用
電極に関する。
ライエツチング即ちプラズマエツチングや反応性
スパツタエツチングに適したドライエツチング用
電極に関する。
従来、真空室内のRF電極の前面にウエハを設
け、該ウエハをその前面に生成されるプラズマ雰
囲気によりエツチングする式のものが知られる
が、該ウエハ上に形成した膜がポリシリコン、ア
ルミニユウム等の主として化学反応によりエツチ
ングされる物質である場合、ウエハの周辺部では
エツチング速度が速くなり不均一なエツチング分
布となる不都合を生じ勝ちであつた。
け、該ウエハをその前面に生成されるプラズマ雰
囲気によりエツチングする式のものが知られる
が、該ウエハ上に形成した膜がポリシリコン、ア
ルミニユウム等の主として化学反応によりエツチ
ングされる物質である場合、ウエハの周辺部では
エツチング速度が速くなり不均一なエツチング分
布となる不都合を生じ勝ちであつた。
本発明は、こうした不都合を解決することをそ
の目的としたもので、真空室内のRF電極の前面
にウエハを設け、該ウエハをその前方に生成され
るプラズマ雰囲気によりエツチングするようにし
たものに於て、該ウエハの周囲を囲繞する環状体
を該RF電極の前面に絶縁物からなるスペーサを
介して設け、該環状体上の放電インピーダンスを
該ウエハの中心部上の放電インピーダンスより高
くしたことを特徴とする。
の目的としたもので、真空室内のRF電極の前面
にウエハを設け、該ウエハをその前方に生成され
るプラズマ雰囲気によりエツチングするようにし
たものに於て、該ウエハの周囲を囲繞する環状体
を該RF電極の前面に絶縁物からなるスペーサを
介して設け、該環状体上の放電インピーダンスを
該ウエハの中心部上の放電インピーダンスより高
くしたことを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、その
第１図に於て、符号１は真空室２内に設けた
SUS製その他のRF電極、３は該電極１の前面４
にSiO2の層５を介して取付けたポリシリコン、
Al或いはSi3N4等の化学反応性によつてエツチン
グされる物質から成る膜を有するウエハを示し、
該RF電極１に例えば13.56MHzのRF電源６が接
続されると、該電極１の前方にプラズマが発生し
て該室２内のエツチングガスを電離させ、電離し
たエツチングガス組成物が該ウエハ３の組成物と
結合して飛去りその表面をエツチングする。
第１図に於て、符号１は真空室２内に設けた
SUS製その他のRF電極、３は該電極１の前面４
にSiO2の層５を介して取付けたポリシリコン、
Al或いはSi3N4等の化学反応性によつてエツチン
グされる物質から成る膜を有するウエハを示し、
該RF電極１に例えば13.56MHzのRF電源６が接
続されると、該電極１の前方にプラズマが発生し
て該室２内のエツチングガスを電離させ、電離し
たエツチングガス組成物が該ウエハ３の組成物と
結合して飛去りその表面をエツチングする。
この場合、ウエハ３の表面には周知のように部
分的にマスクが施されて非マスク部分の表面がエ
ツチングされ、また該ウエハ３上に形成した膜の
材質に応じて真空室２内にはSF6とCCl4の混合ガ
ス、CCl4ガス或いはCF4ガス等のエツチングガス
が注入される。
分的にマスクが施されて非マスク部分の表面がエ
ツチングされ、また該ウエハ３上に形成した膜の
材質に応じて真空室２内にはSF6とCCl4の混合ガ
ス、CCl4ガス或いはCF4ガス等のエツチングガス
が注入される。
以上の構成は従来のものと特に異ならないが、
本発明のものでは、ウエハ３の周囲にこれを囲繞
し且つ該RF電極１の前面４に絶縁物からなるス
ペーサを介して石英その他の導電性、非導電性材
料からなる円形、角形等の環状体７を設けること
により、該環状体７の前方の放電インピーダンス
を高め、該前方のプラズマ密度を小さくし、ウエ
ハ３の周辺部に於て速くなり勝ちなエツチング速
度を抑え、ウエハ３の表面全般に亘り均一なエツ
チングを施せるようにした。図示の例では、該環
状体７を絶縁物からなるスペーサ８を介在させて
RF電極１から浮上されるようにし、このスペー
サ８の厚さを調節して最適なエツチング分布が得
られる浮上距離ｄが設定されるようにした。
本発明のものでは、ウエハ３の周囲にこれを囲繞
し且つ該RF電極１の前面４に絶縁物からなるス
ペーサを介して石英その他の導電性、非導電性材
料からなる円形、角形等の環状体７を設けること
により、該環状体７の前方の放電インピーダンス
を高め、該前方のプラズマ密度を小さくし、ウエ
ハ３の周辺部に於て速くなり勝ちなエツチング速
度を抑え、ウエハ３の表面全般に亘り均一なエツ
チングを施せるようにした。図示の例では、該環
状体７を絶縁物からなるスペーサ８を介在させて
RF電極１から浮上されるようにし、このスペー
サ８の厚さを調節して最適なエツチング分布が得
られる浮上距離ｄが設定されるようにした。
その作動を説明するに、RF電極１に通電され
るとウエハ３の前方にプラズマが発生し、電離し
た真空室２内のエツチングガスの組成物がウエハ
３の表面に当りこれをエツチングするが、RF電
極１の前面４の該ウエハ３の周囲には絶縁物から
なるスペーサ８を介して環状体７が設けられてい
るので、この環状体７上の放電インピーダンスが
高くなり、その前方のプラズマ密度が弱められ、
そこでのラジカル発生率が低下する。これによつ
て、ウエハ３の周囲からウエハ３の周辺部へと拡
散して来るラジカルの量が減少し、ウエハ３のエ
ツチング速度分布を第２図の曲線Ａで示す如くウ
エハ３の周辺部Ｂと中央部Ｃとが大差のない分布
となし得、曲線Ｄで示したような従来のものの不
均一なエツチング速度分布を改善することが出来
る。
るとウエハ３の前方にプラズマが発生し、電離し
た真空室２内のエツチングガスの組成物がウエハ
３の表面に当りこれをエツチングするが、RF電
極１の前面４の該ウエハ３の周囲には絶縁物から
なるスペーサ８を介して環状体７が設けられてい
るので、この環状体７上の放電インピーダンスが
高くなり、その前方のプラズマ密度が弱められ、
そこでのラジカル発生率が低下する。これによつ
て、ウエハ３の周囲からウエハ３の周辺部へと拡
散して来るラジカルの量が減少し、ウエハ３のエ
ツチング速度分布を第２図の曲線Ａで示す如くウ
エハ３の周辺部Ｂと中央部Ｃとが大差のない分布
となし得、曲線Ｄで示したような従来のものの不
均一なエツチング速度分布を改善することが出来
る。
このように本発明によるときは、ウエハの周囲
を囲繞した環状体を、RF電極の前面に絶縁物か
らなるスペーサを介して設けたので、ウエハの周
辺部の速くなり勝ちなエツチング速度を抑制し得
てその中央部のエツチング速度に近似させること
が出来、一様性のあるエツチングを行なえ、特に
化学反応性が強く周辺部がその中央部よりも大き
なエツチング速度差を生ずる物質のエツチングを
均一化するに有効である等の効果がある。
を囲繞した環状体を、RF電極の前面に絶縁物か
らなるスペーサを介して設けたので、ウエハの周
辺部の速くなり勝ちなエツチング速度を抑制し得
てその中央部のエツチング速度に近似させること
が出来、一様性のあるエツチングを行なえ、特に
化学反応性が強く周辺部がその中央部よりも大き
なエツチング速度差を生ずる物質のエツチングを
均一化するに有効である等の効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す一部截断斜視
図、第２図はウエハのエツチング速度の分布線図
である。 １……RF電極、２……真空室、３……ウエハ、
４……前面、７……環状体、８……絶縁物のスペ
ーサ。
図、第２図はウエハのエツチング速度の分布線図
である。 １……RF電極、２……真空室、３……ウエハ、
４……前面、７……環状体、８……絶縁物のスペ
ーサ。
Claims (1)
- １ 真空室内のRF電極の前面にウエハを設け、
該ウエハをその前方に生成されるプラズマ雰囲気
によりエツチングするようにしたものに於て、該
ウエハの周囲を囲繞する環状体を該RF電極の前
面に絶縁物からなるスペーサを介して設け、該環
状体上の放電インピーダンスを該ウエハの中心部
上の放電インピーダンスより高くしたことを特徴
とするドライエツチング用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP669383A JPS59132623A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | ドライエツチング用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP669383A JPS59132623A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | ドライエツチング用電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132623A JPS59132623A (ja) | 1984-07-30 |
| JPH0437579B2 true JPH0437579B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=11645419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP669383A Granted JPS59132623A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | ドライエツチング用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132623A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131453A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Fujitsu Ltd | ヱツチング方法 |
| DE3678612D1 (de) * | 1985-05-20 | 1991-05-16 | Tegal Corp | Plasmareaktor mit entnehmbarem einsatz. |
| JPS6214430A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-23 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH07107899B2 (ja) * | 1985-11-06 | 1995-11-15 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエツチング装置 |
| JP2548164B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1996-10-30 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US6039836A (en) * | 1997-12-19 | 2000-03-21 | Lam Research Corporation | Focus rings |
| US6013984A (en) * | 1998-06-10 | 2000-01-11 | Lam Research Corporation | Ion energy attenuation method by determining the required number of ion collisions |
| SG10201703432XA (en) | 2007-04-27 | 2017-06-29 | Applied Materials Inc | Annular baffle |
| JP2010278166A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP669383A patent/JPS59132623A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59132623A (ja) | 1984-07-30 |
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