JPH05308075A - 半導体ウエハのメッキ装置 - Google Patents
半導体ウエハのメッキ装置Info
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- JPH05308075A JPH05308075A JP13768292A JP13768292A JPH05308075A JP H05308075 A JPH05308075 A JP H05308075A JP 13768292 A JP13768292 A JP 13768292A JP 13768292 A JP13768292 A JP 13768292A JP H05308075 A JPH05308075 A JP H05308075A
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Abstract
導体ウエハのメッキ装置を提供する。 【構成】 上方を開口した状態で凹部12が形成された
メッキカップ11と、メッキカップ11の凹部12の内
周壁から略直角に突出して形成され且つその上面をウエ
ハ支持面16とした複数個の陰極保護部15と、先端が
先細状に尖って形成されたものであって、その先端側が
陰極保護部15のウエハ支持面16から上方に突出して
配置され、他方の後端側が陰極保護部15の内部側に配
置された陰極19と、陰極保護部15のウエハ支持面1
6に載置される半導体ウエハ24を上から押圧するため
の押え部材23とを具備する。これにより陰極19は、
半導体ウエハ24がセットされると同時に陰極保護部1
5と半導体ウエハ24とによって完全に覆い隠される。
Description
バンプ電極を形成する際に用いられる半導体ウエハのメ
ッキ装置に関するものである。
6−5318号公報にて開示されたものがある。図3は
上記従来の半導体ウエハのメッキ装置を示す縦断面図で
あり、図4は従来例におけるメッキカップの平面図であ
る。
メッキカップであり、このメッキカップ51には、上方
を開口した状態で凹部52が形成されている。また、メ
ッキカップ51の凹部52の下方にはメッキ液供給孔5
3が連通して形成されており、さらにこのメッキ液供給
孔53の上端にはメッシュ状の陽極54が設けられてい
る。
(図例では6個)の突出部55が形成されており、さら
に各突出部55には、半導体ウエハ56を支持するため
の段部57が形成されている。また、突出部55の内周
面には針状の陰極58が設けられており、この陰極58
の先端側の尖った部分は、上述の段部57よりも上方に
突出して配置されている。
方に配置された蓋体であり、この蓋体59の下面円周部
には、弾性材よりなるコンタクトピン60が上述の陰極
58に対応して設けられている。また、この蓋体59の
下面側には、例えば板バネによって構成された押え部材
61が取り付けられている。
て半導体ウエハの表面にメッキ処理を施す場合の手順に
ついて説明する。まず、半導体ウエハ56の表面側を下
向きにして各突出部55の段部57上に半導体ウエハ5
6を載置する。次いで、蓋体59と押え部材61によっ
て半導体ウエハ56を上から押圧する。この押圧力によ
って陰極58の先端部は半導体ウエハ56の表面に食い
込んだ状態となる。
にコンタクトピン60がそれぞれ導通しているかどうか
を確認し、この確認が済んだらメッキ装置50の電源を
入れて装置を稼働させる。これにより図示せぬタンク内
に貯溜されたメッキ液は、図中の配管62を通してメッ
キ液供給孔53に導出され、さらにそのメッキ液供給孔
53から陽極54を通して吹き上げられる。この吹き上
げられたメッキ液は、段部57上に載置された半導体ウ
エハ56の表面に吹き付けられるとともに、メッキカッ
プ51の上面と半導体ウエハ56の表面との間に形成さ
れる隙間から流出して図示せぬ容器内に収容され、再び
図示せぬ配管を通して上述のタンクに戻される。以上の
手順により半導体ウエハ56の表面にメッキ処理が施さ
れる。
のメッキ装置50においては、陰極58が露出した状態
で設けられているため、メッキ液供給孔53から吹き上
げられたメッキ液が陰極58にも付着することになる。
そうすると、陰極58の表面にも徐々にメッキ層が析出
していき、これが半導体ウエハ56側のメッキ成長を阻
害して、ウエハ表面のメッキ厚にバラツキを生じさせる
といった問題があった。
頻繁に陰極58の清掃やメンテナンスを実施したり、定
期的に陰極58の交換を行わなければならず、そのため
に多大な手間と工数を要していた。
れたもので、陰極にメッキ液が付着することを防止した
半導体ウエハのメッキ装置を提供することを目的とす
る。
成するためになされたもので、上方を開口した状態で凹
部が形成されたメッキカップと、このメッキカップの凹
部の内周壁から略直角に突出して形成され且つその上面
をウエハ支持面とした複数個の陰極保護部と、先端が先
細状に尖って形成されたものであって、その先端側が陰
極保護部のウエハ支持面から上方に突出して配置され、
他方の後端側が陰極保護部の内部側に配置された陰極
と、陰極保護部のウエハ支持面に載置される半導体ウエ
ハを上から押圧するための押え部材とを具備した半導体
ウエハのメッキ装置である。また、陰極保護部のウエハ
載置面上に、陰極を内側に配置してなるシール部材を設
けたものである。さらに上記陰極は、陰極保護部の内部
に設けられたバネ部材により上方に付勢された状態で、
その先端側が陰極保護部のウエハ支持面から突出して配
置されたものである。
は、陰極保護部のウエハ支持面上に載置された半導体ウ
エハを押え部材で上から押圧することにより、陰極の先
端部がウエハ表面に食い込むとともに、陰極全体が半導
体ウエハと陰極保護部とによって完全に覆い隠される。
よって、この状態からメッキ液の吹き上げがなされて
も、メッキ液が陰極に付着することはない。また、陰極
保護部と半導体ウエハとで覆い隠された陰極の気密性
は、ウエハ支持面上に設けられたシール部材によって一
層高められる。さらに、押え部材で半導体ウエハを上か
ら押圧した際、ウエハ表面に対する陰極の食い込み力は
バネ部材の弾性力によって適宜調節される。
装置の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明
の一実施例を示す要部縦断面図であり、図2は実施例に
おけるメッキカップの平面図である。
メッキカップであり、このメッキカップ11には、上方
を開口した状態で凹部12が形成されている。また、メ
ッキカップ11の下方にはメッキ液供給孔13が連通し
て形成されており、さらにこのメッキ液供給孔13の上
端にはメッシュ状の陽極14が設けられている。
陰極保護部15は、メッキカップ11の凹部12の内周
壁から略直角に突出して形成され、且つその上面をウエ
ハ支持面16としている。また、メッキカップ11の上
面には、上記陰極保護部15とほぼ同じ位置にガイド部
17が一体形成されており、このガイド部17に案内さ
れて半導体ウエハは陰極保護部15のウエハ支持面16
に載置される。なお本実施例では、メッキカップ11の
凹部12の内周壁に3個の陰極保護部15を形成するよ
うにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。
8が形成されており、この空間18の上方に形成された
貫通孔(図示せず)に陰極19が嵌挿されている。この
陰極19は、先端が先細状に尖って形成されており、そ
の先端側が上述の陰極保護部15のウエハ支持面16か
ら上方に突出して配置され、他方の後端側が陰極保護部
15の内部側に配置されている。
えば圧縮バネを用いてなるバネ部材20が配設されてい
る。このバネ部材20の下端側は、メッキカップ17の
外側から陰極保護部15の空間18へと導出された導電
杆21に圧接されており、同上端側は、陰極19の後端
部に圧接されている。これによって陰極19は、バネ部
材20の弾性力により上方に付勢された状態で、その先
端側が陰極保護部15のウエハ支持面16から突出して
配置される。
6上にはシール部材22が設けられている。このシール
部材22としては、例えば、合成樹脂や合成ゴムでつく
られたOリングが使用される。そしてシール部材22
は、ウエハ支持面16上において陰極19を内側に配置
した状態で設けられている。さらに、メッキカップ11
の上方には図示せぬ蓋体が配置されており、この蓋体の
下面側に、例えば板バネによって構成された押え部材2
3が取り付けられている。
て半導体ウエハの表面にメッキ処理を施す場合の手順に
ついて説明する。まず、半導体ウエハ24の表面側(ホ
トレジスト膜24aと電導被膜24bが形成されている
側)を下向きにして各陰極保護部15のウエハ支持面1
6上に半導体ウエハ24を載置する。次いで、図示せぬ
蓋体と押え部材23によって半導体ウエハ24を上から
押圧する。この押圧力により陰極19の先端部は、半導
体ウエハ24の表面に食い込んだ状態となる。この時、
ウエハ表面に対する陰極19の食い込み力は、バネ部材
20の弾性力によって適宜調節され、これにより陰極1
9の先端部は半導体ウエハ24の導電被膜24bに接続
される。また、こうして半導体ウエハ24がセットされ
た状態では、陰極19の全体が半導体ウエハ24と陰極
保護部15とによって完全に覆い隠されるとともに、陰
極19の気密性がシール部材22によって一層高められ
る。
通しているかどうか確認し、この確認が済んだらメッキ
装置10の電源を入れて装置を稼働させる。これにより
図示せぬタンク内に貯溜されたメッキ液は、所定の配管
を通してメッキ液供給孔13に導出され、さらにそのメ
ッキ液供給孔13から陽極14を通して吹き上げられ
る。この吹き上げられたメッキ液は、陰極保護部15の
ウエハ支持面16上に載置された半導体ウエハ24の表
面に吹き付けられるとともに、メッキカップ11の内周
面と半導体ウエハ24の外周面との間に形成される隙間
から流出して図示せぬ容器内に収容され、再び所定の配
管を通して上述のタンクに戻される。以上の手順により
半導体ウエハ24の表面にメッキ処理が施される。
いたメッキ処理においては、陰極19が半導体ウエハ2
4と陰極保護部15とによって完全に覆い隠された状態
で、メッキ液供給孔13からメッキ液の吹き上げがなさ
れるため、従来のように吹き上げられたメッキ液が陰極
に付着することがない。
メッキ処理の際に、陰極保護部とそのウエハ支持面上に
載置される半導体ウエハとによって陰極全体が完全に覆
い隠されるため、従来のように吹き上げられたメッキ液
が陰極に付着することがない。これにより、陰極の清掃
や交換作業が不要になるのは勿論のこと、半導体ウエハ
のメッキ成長が阻害されることもなくなり、ウエハ表面
におけるメッキ厚のバラツキを低減させることが可能と
なる。また、陰極保護部のウエハ支持面上に設けたシー
ル部材により陰極の気密性を一層高めることができる。
その上、半導体ウエハの反りなどによってウエハ表面と
ウエハ支持面との間に僅かな隙間が生じた場合でも、陰
極へのメッキ液の廻り込みがシール部材によって確実に
阻止されるようになる。さらに、押え部材で半導体ウエ
ハを上から押圧した際、ウエハ表面に対する陰極の食い
込み力がバネ部材の弾性力によって適宜調節されるた
め、ウエハ表面のホトレジスト膜の膜厚に多少のバラツ
キがあっても、陰極の先端部を半導体ウエハの導電被膜
に確実に接続させることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 上方を開口した状態で凹部が形成された
メッキカップと、 前記メッキカップの凹部の内周壁から略直角に突出して
形成され且つその上面をウエハ支持面とした複数個の陰
極保護部と、 先端が先細状に尖って形成されたものであって、その先
端側が前記陰極保護部のウエハ支持面から上方に突出し
て配置され、他方の後端側が前記陰極保護部の内部側に
配置された陰極と、 前記陰極保護部のウエハ支持面に載置される半導体ウエ
ハを上から押圧するための押え部材とを具備したことを
特徴とする半導体ウエハのメッキ装置。 - 【請求項2】 前記陰極保護部のウエハ載置面上に、前
記陰極を内側に配置してなるシール部材を設けたことを
特徴とする請求項1記載の半導体ウエハのメッキ装置。 - 【請求項3】 前記陰極は、前記陰極保護部の内部に設
けられたバネ部材により上方に付勢された状態で、その
先端側が前記陰極保護部のウエハ支持面から突出して配
置されたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ
のメッキ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04137682A JP3112119B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 半導体ウエハのメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04137682A JP3112119B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 半導体ウエハのメッキ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05308075A true JPH05308075A (ja) | 1993-11-19 |
JP3112119B2 JP3112119B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=15204352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04137682A Expired - Fee Related JP3112119B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 半導体ウエハのメッキ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3112119B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007177277A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Alps Electric Co Ltd | 電気メッキ装置 |
JP2008202065A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 電解メッキ用アノード電極取付構造 |
JP2009287093A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Yamamoto Mekki Shikenki:Kk | 電気めっき用陰極カートリッジ |
JP2020531696A (ja) * | 2017-08-30 | 2020-11-05 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | めっき装置 |
EP3835461A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-16 | CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA | Substrate carrier for metallic electroplating of substrates |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP04137682A patent/JP3112119B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007177277A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Alps Electric Co Ltd | 電気メッキ装置 |
JP2008202065A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 電解メッキ用アノード電極取付構造 |
JP2009287093A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Yamamoto Mekki Shikenki:Kk | 電気めっき用陰極カートリッジ |
JP2020531696A (ja) * | 2017-08-30 | 2020-11-05 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | めっき装置 |
EP3835461A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-16 | CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA | Substrate carrier for metallic electroplating of substrates |
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Publication number | Publication date |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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