JP3230477B2 - メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 - Google Patents
メッキ装置及びウェーハのメッキ方法Info
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Description
ハにバンプメッキ等選択的に電解メッキを行なうに改良
された方法及びその装置に関する。
置の断面図を用いて説明する。特開昭６３−２３２３５
４号公報や特開平３−２１４７３６号公報に記載のよう
に基板ウェーハ１ａ上に給電の電極を兼ねる下地金属層
２を形成し、その上にレジスト膜３を選択メッキする部
分を開口して形成したウェーハ１を準備する。
しいカップ状で内部底面にメッキ液噴出口４を備えたメ
ッキ槽５の上縁の数箇所にウェーハ１を受ける先端鋭利
なカソードピン６を備える。そしてメッキ槽５の底の方
にアノード電極７を備える。
面）を下側にしてカソードピン６上に配置し、裏面（上
面）から図示しない押圧手段で押さえるとカソードピン
６の先端がレジスト膜３を突き破り下地金属層２に接触
する。その状態でメッキ液噴出口４からメッキ液を吹き
上げウェーハ１のメッキ面に当てアノード電極７とカソ
ードピン６との間に通電してメッキを行なう。尚、オー
バーフローしたメッキ液は液路８で受けられ循環使用さ
れる。
ジスト層をカソードピンが突き破って下地金属層と電気
的接触をとる方法であるからレジスト層が厚くなると接
触が不十分となりがちである。そこでカソードピンに接
触する部分のレジストを除去したり、薄くしたりする提
案がある。しかしながらこれらの方法は選択メッキを行
なう正規のパターンとは別にパターニングする必要が有
るので手間がかかると言う問題があり、除去する方法は
その部分にもメッキが成長し、電流や例えば金の様な高
価なメッキ材料が無駄になり、場合によってはダイシン
グ等後工程の邪魔になる場合もある。そこでこの発明は
レジスト膜を残したままでもより確実に接触がとれ、安
定してメッキが行なえる方法を提供する。
装置は内底にメッキ液の噴出口を有するメッキ槽の上縁
に設けたカソードピンにウェーハをメッキする面を下に
して配置し、上面から押圧してカソーソピンとウェーハ
との電気的接触を確保して電解メッキを行なうメッキ装
置に於いて、メッキ槽の上縁に表面でウェーハを受ける
柔軟な絶縁材が配置され、前記カソードピンが、先端鋭
利で、前記柔軟な絶縁材中でこの絶縁材によりウェーハ
に対して一定角度に傾斜支持され、かつ前記柔軟な絶縁
材より先端が一定量突き抜けるように固定配置され、ウ
ェーハへの押圧によりたわむと共に接触点にすべりが起
こり、さらにたわんで前記柔軟な絶縁材にめりこむよう
に押しつけられメッキ液からシールされることを特徴と
する。上記の構成によればウェーハがカソードピンに押
圧される際にピン先の接触点がすべるのでピン先に付着
した異物等による接触不要がなくなる。さらにウェーハ
がレジスト膜を被っている場合でもピン先端のすべりに
よりレジストを削るように突きささるので確実に接触が
とれる。さらに、この発明のメッキ方法は表面に下地金
属層、その上にメッキする部分を開口したレジスト膜を
形成したウェーハを準備し、上記のメッキ装置のカソー
ドピン上にレジスト膜が接するように配置し、前記すべ
りによりカソードピン先端がレジスト膜を削るように突
きさし下地金属層と接触をとることを特徴とする。この
方法によれば、ウェーハがレジスト膜を被っていても確
実に接触をとることができる。
性のある金属材料でしかも酸化等変質しにくい物が良
く、白金が好適する。ピアノ線のような鉄系の材料に金
のような安定な金属をメッキしても良い。太さはこしの
強さにより選定する必要があり、ウェーハが割れない程
度の押圧でたわむような細いものでなければならない
が、細すぎるとたわみが生じてもピンの先端がすべらな
いのでレジスト膜を削りながらのすべりが生ずるような
太さが必要である。ウエーハに対するピンの角度は直角
に近いとすべりが起きにくくウエーハとの角度が小さい
ほどすべりが起こり易いが角度が小さすぎるとレジスト
膜を削りながらのすべりでなくレジシト膜の表面をすべ
るので適当な角度をピンのこしの強さに応じて選定すれ
ば良い。
明する。図１はその要部断面図であり、（Ａ）はウェー
ハを置いた状態を示し、（Ｂ）はウエーハを裏面より押
圧しセットが完了した状態を示す。このメッキ装置も内
径が略ウェーハ１に等しいカップ状で内部底面にメッキ
液噴出口（図示せず）を備えたメッキ槽５を具備する。
そしてメッキ槽５の底の方にアノード電極（図示せず）
を備える点も従来同様である。尚、オーバーフローした
メッキ液は複数のメッキ槽５全体を受ける大きな受け皿
容器（図示せず）で受けて循環使用する。
に３箇所）にカソードピン取りつけ具１１を備える。カ
ソードピン取りつけ具１１のウェーハ１を受ける頂面に
は柔軟な絶縁材この場合はシリコンゴム１２が配置さ
れ、それを突き抜けるように先端鋭利なカソードピン１
６が配置されている。カソードピン１６はウエーハ１に
対して略４５度に傾斜してシリコンゴム１２より先端を
突出している。そして他端はカソードピン取りつけ具１
１の外まで伸びて電極板１７に溶接されている。そして
電極板１７がネジ１８でカソードピン取りつけ具１１に
固定されている。カソードピン１６は１ｍｍφの白金線
の先端を斜め切り状に尖らしたもので切り取られた面が
下側を向いている。そして各カソードピン１６の先端が
ウェーハ１の外周辺を受けるように配置している。
ハ１の外周辺を受ける位置に対応してウェーハ１の裏面
を押圧する押さえ治具１９が配置されている。
明する。ウェーハ１が基板ウェーハ上に給電の電極を兼
ねる下地金属層を形成し、その上にレジスト膜を選択メ
ッキする部分を開口して形成したものである点は従来と
同様である。そして図１（Ａ）のようにウェーハ１のメ
ッキをする面（表面）を下側にしてカソードピン１６上
に配置し、裏面（上面）から押圧治具１９で押さえると
図１（Ｂ）に示すようにカソードピン１６はたわむよう
に曲がり先端がレジスト膜（図示せず）を突き破り、レ
ジスト膜を削るようにすべり下地金属層（図示せず）に
接触する。その際図２に示す様にカソードピン１６の先
端は斜め切り状に鋭利に尖っていてしかも切り取り面１
６ａが下側なのでレジスト膜３を削りながらすべるとき
なかへ（上方に）食込んで行き表面をすべることが防止
される。そして最初シリコンゴム１２より突出していた
カソードピン１６の先端部はウェーハ１によりシリコン
ゴム１２にめりこむように押しつけられる。従ってカソ
ードピン１６はシリコンゴム１２にシールされてメッキ
液にほとんど接触せず、メッキされて太くなるのを防止
して長時間の使用を可能としている。その状態でメッキ
液噴出口（図示せず）からメッキ液（図示せず）を吹き
上げウェーハ１のメッキ面に当てアノード電極（図示せ
ず）と電極板１７との間に通電してメッキを行なう。
フォトレジスト膜を確実に破って接触をうることができ
る。さらに、カソードピンとの接触部分のレジスト膜を
あらかじめ除去しておく方法においてもカソードピンの
先端がすべるので先端に異物が付着したり先端が酸化等
変質して接触不良となるようなことはなくなる。
ウェーハが選択メッキのためのレジスト膜を被っていて
も確実にカソードピンと接触がとれる。レジスト膜を被
っていない場合にカソードピンの先端に異物が付着して
接触不良となるトラブルがなくなる。
ーハを置いた断面図 （Ｂ）その後ウェーハを押圧してセットが完了した状態
を示す断面図
面図
Claims (3)
- 【請求項１】内底にメッキ液の噴出口を有するメッキ槽
の上縁に設けたカソードピンにウェーハをメッキする面
を下にして配置し、上面から押圧してカソーソピンとウ
ェーハとの電気的接触を確保して電解メッキを行なうメ
ッキ装置に於いて、前記メッキ槽の上縁に表面でウェーハを受ける柔軟な絶
縁材が配置され、 前記カソードピンが、先端鋭利で、前記柔軟な絶縁材中
でこの絶縁材によりウェーハに対して一定角度に傾斜支
持され、かつ前記柔軟な絶縁材より先端が一定量突き抜
けるように固定配置され、ウェーハへの押圧によりたわ
むと共に接触点にすべりが起こり、さらにたわんで前記
柔軟な絶縁材にめりこむように押しつけられメッキ液か
らシールされることを特徴とするメッキ装置。 - 【請求項２】前記カソードピンの先端は斜め切り状に尖
りその切り取り面が下側に向け配置されている請求項１
に記載のメッキ装置。 - 【請求項３】表面に下地金属層、その上にメッキする部
分を開口したレジスト膜を形成したウェーハを準備し、
上記請求項１又は２のメッキ装置のカソードピン上にレ
ジスト膜が接するように配置し、前記すべりによりカソ
ードピン先端がレジスト膜を削るように突き破り下地金
属層と接触をとることを特徴とするウェーハのメッキ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35074097A JP3230477B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35074097A JP3230477B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11181594A JPH11181594A (ja) | 1999-07-06 |
| JP3230477B2 true JP3230477B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=18412543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35074097A Expired - Fee Related JP3230477B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230477B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7334693B2 (ja) | 2020-08-07 | 2023-08-29 | 株式会社豊田自動織機 | 蓄電装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361675B1 (en) * | 1999-12-01 | 2002-03-26 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component and plating tool therefor |
| JP4546632B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2010-09-15 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | カップ式ウェーハめっき装置 |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35074097A patent/JP3230477B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP7334693B2 (ja) | 2020-08-07 | 2023-08-29 | 株式会社豊田自動織機 | 蓄電装置 |
Also Published As
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| JPH11181594A (ja) | 1999-07-06 |
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