JP2002097594A - 基板めっき装置及び基板めっき方法 - Google Patents
基板めっき装置及び基板めっき方法Info
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板のめっき膜を形成した部分に限定してめ
っき膜を生成でき、且つ均一な膜厚の金属めっき膜を形
成できる基板めっき装置及び方法を提供する。 【解決手段】 基板１に回路配線を金属めっきにより形
成するための基板めっき装置であって、基板１の被めっ
き面１ａに対向する反被めっき面１ａ側に配置され、基
板１の被めっき面１ａ上の該被めっき面１ａより小さい
面積のめっき所望範囲とほぼ同じ面積を有する陽極電極
部材２−２と該陽極電極部材２−２に接する多孔質体部
材２−３と、基板１の被めっき面１ａと該多孔質体部材
２−３との間に形成された空間２−７にめっき液を導入
するめっき液給排気出穴２−６と、基板１の被めっき面
１ａに給電するための陰極電極部材２−４とを具備する
めっきセル２と、基板を保持する基板保持部を具備す
る。
っき膜を生成でき、且つ均一な膜厚の金属めっき膜を形
成できる基板めっき装置及び方法を提供する。 【解決手段】 基板１に回路配線を金属めっきにより形
成するための基板めっき装置であって、基板１の被めっ
き面１ａに対向する反被めっき面１ａ側に配置され、基
板１の被めっき面１ａ上の該被めっき面１ａより小さい
面積のめっき所望範囲とほぼ同じ面積を有する陽極電極
部材２−２と該陽極電極部材２−２に接する多孔質体部
材２−３と、基板１の被めっき面１ａと該多孔質体部材
２−３との間に形成された空間２−７にめっき液を導入
するめっき液給排気出穴２−６と、基板１の被めっき面
１ａに給電するための陰極電極部材２−４とを具備する
めっきセル２と、基板を保持する基板保持部を具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板等の基板
に回路パターンの配線をＣｕめっき等の金属めっきを用
いて形成するための基板めっき装置及び基板めっき方法
に関するものである。
に回路パターンの配線をＣｕめっき等の金属めっきを用
いて形成するための基板めっき装置及び基板めっき方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の基板めっき方法は、図１に
示すように、めっき液中に半導体基板等の基板１０１と
該基板１０１と略同じ面積の陽極電極１０２を対向して
配置し、陽極電極１０２と陰極電極１０３に電気的に接
続された基板１０１の被めっき面の間にめっき電流を通
電し、電解めっきにより基板１０１の被めっき面に金属
めっき膜層（例えばＣｕ膜層）を形成している。
示すように、めっき液中に半導体基板等の基板１０１と
該基板１０１と略同じ面積の陽極電極１０２を対向して
配置し、陽極電極１０２と陰極電極１０３に電気的に接
続された基板１０１の被めっき面の間にめっき電流を通
電し、電解めっきにより基板１０１の被めっき面に金属
めっき膜層（例えばＣｕ膜層）を形成している。
【０００３】なお、基板１０１の被めっき面には回路パ
ターン用の微細な溝や穴（コンタクトホール）が形成さ
れ、その上に陰極電極１０３と通電するための給電シー
ド層が形成されている。
ターン用の微細な溝や穴（コンタクトホール）が形成さ
れ、その上に陰極電極１０３と通電するための給電シー
ド層が形成されている。
【０００４】上記従来のめっき方法では、基板１０１と
陽極電極１０２とをめっき液中に対向して配置するた
め、基板１０１と陽極電極１０２の間の電界強度が均一
にならず膜厚の均一なめっき膜層を形成できないという
問題や、本来めっき膜を形成する必要のないところにま
でめっき膜が形成され、結局、後に研磨でこの必要のな
いところに形成されためっき膜層を除去する必要があっ
た。
陽極電極１０２とをめっき液中に対向して配置するた
め、基板１０１と陽極電極１０２の間の電界強度が均一
にならず膜厚の均一なめっき膜層を形成できないという
問題や、本来めっき膜を形成する必要のないところにま
でめっき膜が形成され、結局、後に研磨でこの必要のな
いところに形成されためっき膜層を除去する必要があっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、基板のめっき膜を形成したい部分
に限定してめっき膜を生成でき、且つ均一な膜厚の金属
めっき膜を形成できる基板めっき装置及び方法を提供す
ることを目的とする。
みてなされたもので、基板のめっき膜を形成したい部分
に限定してめっき膜を生成でき、且つ均一な膜厚の金属
めっき膜を形成できる基板めっき装置及び方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、基板に回路配線を金属めっき
により形成するための基板めっき装置であって、基板の
被めっき面に対向する反被めっき面側に配置され、基板
の被めっき面上の該被めっき面より小さい面積のめっき
所望範囲とほぼ同じ面積を有する陽極電極とめっき液保
持材と、基板の被めっき面と該めっき液保持材との間に
形成された空間にめっき液を導入するめっき液導入手段
と、基板の被めっき面に給電するための陰極電極とを具
備するめっきセルと、基板を保持する基板保持部を具備
することを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、基板に回路配線を金属めっき
により形成するための基板めっき装置であって、基板の
被めっき面に対向する反被めっき面側に配置され、基板
の被めっき面上の該被めっき面より小さい面積のめっき
所望範囲とほぼ同じ面積を有する陽極電極とめっき液保
持材と、基板の被めっき面と該めっき液保持材との間に
形成された空間にめっき液を導入するめっき液導入手段
と、基板の被めっき面に給電するための陰極電極とを具
備するめっきセルと、基板を保持する基板保持部を具備
することを特徴とする。
【０００７】上記のようにめっき液保持材と、基板の被
めっき面と該めっき液保持材との間に形成された空間に
めっき液を導入して電解めっきを行うので、液保持材の
面積を被めっき面のめっきを必要とする部分の大きさと
することにより、めっきの必要な部分のみめっき液が保
持され、このめっき液が保持された部分のみめっき膜を
形成できる。また、空間にめっき液を導入するので、め
っき液中に陽極電極と基板を対向して配置する場合に比
較し、陽極電極と被めっき面の間の電界強度を均一にす
ることが容易で、基板の必要な部分に均一な膜厚のめっ
き膜を形成することができる。
めっき面と該めっき液保持材との間に形成された空間に
めっき液を導入して電解めっきを行うので、液保持材の
面積を被めっき面のめっきを必要とする部分の大きさと
することにより、めっきの必要な部分のみめっき液が保
持され、このめっき液が保持された部分のみめっき膜を
形成できる。また、空間にめっき液を導入するので、め
っき液中に陽極電極と基板を対向して配置する場合に比
較し、陽極電極と被めっき面の間の電界強度を均一にす
ることが容易で、基板の必要な部分に均一な膜厚のめっ
き膜を形成することができる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板めっき装置において、めっきセルは基板の被めっ
き面に複数配列して配置されていることを特徴とする。
の基板めっき装置において、めっきセルは基板の被めっ
き面に複数配列して配置されていることを特徴とする。
【０００９】上記のように、めっきセルは基板の被めっ
き面に多数配列して配置することにより、基板の被めっ
き面のめっきを必要とする多数の部分に一度にめっき膜
層を形成できる。
き面に多数配列して配置することにより、基板の被めっ
き面のめっきを必要とする多数の部分に一度にめっき膜
層を形成できる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、基板の被めっき
面上に、該被めっき面より小さい面積のめっき所望範囲
に対向する空間を少なくとも１個形成し、該空間にめっ
き液を導入すると共に、該空間に対向する被めっき面と
該被めっき面に対向して配置された陽極電極との間に電
流を通電し、該被めっき面に金属めっきを形成すること
を特徴とする基板めっき方法にある。
面上に、該被めっき面より小さい面積のめっき所望範囲
に対向する空間を少なくとも１個形成し、該空間にめっ
き液を導入すると共に、該空間に対向する被めっき面と
該被めっき面に対向して配置された陽極電極との間に電
流を通電し、該被めっき面に金属めっきを形成すること
を特徴とする基板めっき方法にある。
【００１１】上記のように基板の被めっき面に対向する
小さい空間を形成し、該空間にめっき液を導入してめっ
きを行うので、被めっき面の任意の部分に均一な膜厚の
金属めっき膜層を形成することが可能となる。
小さい空間を形成し、該空間にめっき液を導入してめっ
きを行うので、被めっき面の任意の部分に均一な膜厚の
金属めっき膜層を形成することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図２は本発明に係る基板めっき
装置の概略構成例を示す図である。１は半導体基板等の
基板であり、該基板１の上面には回路パターンの配線溝
や穴（コンタクトホール）が形成され、その上に電解め
っきのための給電シード層（図示せず）が形成されてい
る。２はめっきセルであり、該めっきセルが下端が開口
する筒状のシール部材２−１を有している。
面に基づいて説明する。図２は本発明に係る基板めっき
装置の概略構成例を示す図である。１は半導体基板等の
基板であり、該基板１の上面には回路パターンの配線溝
や穴（コンタクトホール）が形成され、その上に電解め
っきのための給電シード層（図示せず）が形成されてい
る。２はめっきセルであり、該めっきセルが下端が開口
する筒状のシール部材２−１を有している。
【００１３】上記筒状のシール部材２−１の上部には板
状の陽極電極部材２−２がシール部材２−１の内周に密
着した状態で設けられている。陽極電極部材２−２の下
面にはポーラスセラミック材等の板状の多孔質体部材２
−３が配置されている。また、筒状のシール部材２−１
の外側には陰極電極部材２−４が設けられている。ま
た、陽極電極部材２−２及び多孔質体部材２−３を貫通
して、めっき液を給排出するためのめっき液給排出穴２
−５が設けられ、更に、陽極電極部材２−２を貫通して
シール部材２−１内の空気等の気体を排気する排気穴２
−６が設けられている。なお、図示は省略するが基板１
は所定の基板保持部に保持されている。
状の陽極電極部材２−２がシール部材２−１の内周に密
着した状態で設けられている。陽極電極部材２−２の下
面にはポーラスセラミック材等の板状の多孔質体部材２
−３が配置されている。また、筒状のシール部材２−１
の外側には陰極電極部材２−４が設けられている。ま
た、陽極電極部材２−２及び多孔質体部材２−３を貫通
して、めっき液を給排出するためのめっき液給排出穴２
−５が設けられ、更に、陽極電極部材２−２を貫通して
シール部材２−１内の空気等の気体を排気する排気穴２
−６が設けられている。なお、図示は省略するが基板１
は所定の基板保持部に保持されている。
【００１４】上記構成のめっきセル２の筒状のシール部
材２−１の下端開口部を基板１の被めっき面１ａに当接
し所定の圧力で押圧することにより、シール部材２−１
の先端は被めっき面１ａに気密状態で当接し、シール部
材２−１内に密閉空間２−７を形成する。この時、陰極
電極部材２−４の先端は基板１の被めっき面１ａに形成
された給電シード層に（図示せず）電気的に接続され
る。
材２−１の下端開口部を基板１の被めっき面１ａに当接
し所定の圧力で押圧することにより、シール部材２−１
の先端は被めっき面１ａに気密状態で当接し、シール部
材２−１内に密閉空間２−７を形成する。この時、陰極
電極部材２−４の先端は基板１の被めっき面１ａに形成
された給電シード層に（図示せず）電気的に接続され
る。
【００１５】上記構成の基板めっき装置において、めっ
き液給排出穴２−５から金属めっき液（例えばＣｕめっ
き液）を供給すると、密閉空間２−７の空気等の気体は
多孔質体部材２−３を通して排気穴２−６から排出さ
れ、該密閉空間２−７を金属めっき液で満たす。この状
態でめっき電源３から陽極電極部材２−２と陰極電極部
材２−４の間に所定のめっき電圧（直流）を印加すると
陽極電極部材２−２と被めっき面１ａの間にめっき電流
が流れ、密閉空間２−７に対向する被めっき面１ａの部
分に金属めっき膜層（例えばＣｕめっき膜層）を形成す
る。
き液給排出穴２−５から金属めっき液（例えばＣｕめっ
き液）を供給すると、密閉空間２−７の空気等の気体は
多孔質体部材２−３を通して排気穴２−６から排出さ
れ、該密閉空間２−７を金属めっき液で満たす。この状
態でめっき電源３から陽極電極部材２−２と陰極電極部
材２−４の間に所定のめっき電圧（直流）を印加すると
陽極電極部材２−２と被めっき面１ａの間にめっき電流
が流れ、密閉空間２−７に対向する被めっき面１ａの部
分に金属めっき膜層（例えばＣｕめっき膜層）を形成す
る。
【００１６】上記のようにめっきセル２の筒状のシール
部材２−１の一端を基板１の被めっき面１ａに当接して
小さい密閉空間２−７を形成し、この密閉空間２−７に
めっき液を導入して電解めっきを行うことにより、シー
ル部材２−１の一端に囲まれた面積を被めっき面１ａの
めっきを必要とする部分の大きさ形状と同じにすること
により、めっきが必要な部分のみにめっき液が保持さ
れ、該めっき液が保持された部分にのみめっき膜層を形
成できる。
部材２−１の一端を基板１の被めっき面１ａに当接して
小さい密閉空間２−７を形成し、この密閉空間２−７に
めっき液を導入して電解めっきを行うことにより、シー
ル部材２−１の一端に囲まれた面積を被めっき面１ａの
めっきを必要とする部分の大きさ形状と同じにすること
により、めっきが必要な部分のみにめっき液が保持さ
れ、該めっき液が保持された部分にのみめっき膜層を形
成できる。
【００１７】また、密閉空間２−７にめっき液を封入す
るので、めっき液中に陽極電極と基板を対向して配置す
る従来型のめっき装置と異なり、例えば陽極電極端部で
電界強度が弱くなるということはなく、陽極電極部材２
−２と被めっき面１ａとの間の電界強度を均一にするこ
とが容易で、被めっき面１ａの必要な部分に均一な膜厚
のめっき膜層を形成することが容易となる。
るので、めっき液中に陽極電極と基板を対向して配置す
る従来型のめっき装置と異なり、例えば陽極電極端部で
電界強度が弱くなるということはなく、陽極電極部材２
−２と被めっき面１ａとの間の電界強度を均一にするこ
とが容易で、被めっき面１ａの必要な部分に均一な膜厚
のめっき膜層を形成することが容易となる。
【００１８】また、陽極電極部材２−２及び多孔質体部
材２−３を貫通して、めっき液給排出穴２−５を設け、
陽極電極部材２−２を貫通して排気穴２−６を設けてい
るので、シール部材２−１内の密閉空間２−７に金属め
っき液を供給することにより、密閉空間２−７内の空気
等の気体が排気穴２−６を通して逃げ、金属めっき液と
気体の置換がスムーズにでき、金属めっき液中に気体が
混入することを防止できるから、品質のよいめっき膜を
形成することができる。
材２−３を貫通して、めっき液給排出穴２−５を設け、
陽極電極部材２−２を貫通して排気穴２−６を設けてい
るので、シール部材２−１内の密閉空間２−７に金属め
っき液を供給することにより、密閉空間２−７内の空気
等の気体が排気穴２−６を通して逃げ、金属めっき液と
気体の置換がスムーズにでき、金属めっき液中に気体が
混入することを防止できるから、品質のよいめっき膜を
形成することができる。
【００１９】また、陰極電極部材２−４はシール部材２
−１の外周側に設けられ、該シール部材２−１の外側で
被めっき面１ａの給電シード層に電気的に接続されるの
で、陰極電極部材２−４がめっき液に曝されることがな
く、該陰極電極部材２−４の腐食の問題や該陰極電極部
材２−４の表面に金属めっき膜が析出するという問題も
なくなる。
−１の外周側に設けられ、該シール部材２−１の外側で
被めっき面１ａの給電シード層に電気的に接続されるの
で、陰極電極部材２−４がめっき液に曝されることがな
く、該陰極電極部材２−４の腐食の問題や該陰極電極部
材２−４の表面に金属めっき膜が析出するという問題も
なくなる。
【００２０】図３は本発明に係る基板めっき装置の他の
構成例を示す図である。図３（ａ）は平面構成を示す
図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図である。
図示するように、基板（ここでは半導体素子が形成され
た半導体基板）１の被めっき面１ａには多数のめっきセ
ル２が配列して配置されている。各めっきセル２のシー
ル部材２−１の先端部は基板チップ１−１の配線回路パ
ターンの溝や穴の形成された部分（即ち、めっき膜を形
成する必要がある部分）を囲むように当接して配置され
ている。そして各めっきセル２はそれぞれ独立してめっ
き電流を流せるように構成されている。図示は省略する
が基板１は所定の基板保持部に保持されている。
構成例を示す図である。図３（ａ）は平面構成を示す
図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図である。
図示するように、基板（ここでは半導体素子が形成され
た半導体基板）１の被めっき面１ａには多数のめっきセ
ル２が配列して配置されている。各めっきセル２のシー
ル部材２−１の先端部は基板チップ１−１の配線回路パ
ターンの溝や穴の形成された部分（即ち、めっき膜を形
成する必要がある部分）を囲むように当接して配置され
ている。そして各めっきセル２はそれぞれ独立してめっ
き電流を流せるように構成されている。図示は省略する
が基板１は所定の基板保持部に保持されている。
【００２１】上記基板１の被めっき面１ａ上に配列され
た多数のめっきセル２を配列配置することにより、基板
１の被めっき面１ａの多数のめっきが必要な部分に一度
にめっき膜層を形成できる。また、多数のめっきセルは
それぞれ独立してめっき電流を流せるように構成されて
いるので、基板の被めっき面に形成されるめっき膜厚を
その場所により任意に調整できる
た多数のめっきセル２を配列配置することにより、基板
１の被めっき面１ａの多数のめっきが必要な部分に一度
にめっき膜層を形成できる。また、多数のめっきセルは
それぞれ独立してめっき電流を流せるように構成されて
いるので、基板の被めっき面に形成されるめっき膜厚を
その場所により任意に調整できる
【００２２】なお、めっきセル２の面積が大きいと多孔
質体部材２−３と基板１の被めっき面１ａの間に表面張
力でめっき液を保持することができないが、めっきセル
２が面積が小さい場合は、多孔質体部材２−３と基板１
の被めっき面１ａの間に表面張力でめっき液を保持する
ことができるから、図４に示すように、多孔質体部材２
−３の外周部にシール部材を設けることなく、陽極電極
部材２−２とこれに接する多孔質体部材２−３でめっき
セル２を構成してもよい。
質体部材２−３と基板１の被めっき面１ａの間に表面張
力でめっき液を保持することができないが、めっきセル
２が面積が小さい場合は、多孔質体部材２−３と基板１
の被めっき面１ａの間に表面張力でめっき液を保持する
ことができるから、図４に示すように、多孔質体部材２
−３の外周部にシール部材を設けることなく、陽極電極
部材２−２とこれに接する多孔質体部材２−３でめっき
セル２を構成してもよい。
【００２３】この場合、多孔質体部材２−３と基板１の
被めっき面１ａの間の間隔を所定の範囲に維持し、該多
孔質体部材２−３と被めっき面１ａの間の空間５にめっ
き液供給ノズル４でめっき液６を供給することにより、
表面張力により該空間５に表面張力でめっき液６を保持
することができる。このように多孔質体部材２−３と基
板１の被めっき面１ａが対向する所望の空間５にめっき
液６を保持し、陽極電極部材２−２と被めっき面１ａの
間にめっき電源８から所定の電圧を印加し、電流を通電
することにより、被めっき面１ａの所望の範囲にめっき
膜を形成できる。
被めっき面１ａの間の間隔を所定の範囲に維持し、該多
孔質体部材２−３と被めっき面１ａの間の空間５にめっ
き液供給ノズル４でめっき液６を供給することにより、
表面張力により該空間５に表面張力でめっき液６を保持
することができる。このように多孔質体部材２−３と基
板１の被めっき面１ａが対向する所望の空間５にめっき
液６を保持し、陽極電極部材２−２と被めっき面１ａの
間にめっき電源８から所定の電圧を印加し、電流を通電
することにより、被めっき面１ａの所望の範囲にめっき
膜を形成できる。
【００２４】また、図５に示すように、シール部材のな
い複数のめっきセル２をめっきセル保持治具７で保持
し、めっき液供給ノズル４で各めっきセル２と基板１の
被めっき面１ａが対向する空間５にめっき液６を供給し
て保持させるようにしてもよい。そして各めっきセル２
の陽極電極部材２−２と被めっき面１ａの間にめっき電
源８から所定の電圧を印加し、電流を通電することによ
り、各めっきセル２と対向する被めっき面１ａの範囲に
めっき膜を形成できる。また、この場合も図３に示す場
合と同様、各めっきセル２に流れる電流を個々に制御で
きるように構成することにより、各めっきセル２毎にめ
っき膜厚を制御できる。
い複数のめっきセル２をめっきセル保持治具７で保持
し、めっき液供給ノズル４で各めっきセル２と基板１の
被めっき面１ａが対向する空間５にめっき液６を供給し
て保持させるようにしてもよい。そして各めっきセル２
の陽極電極部材２−２と被めっき面１ａの間にめっき電
源８から所定の電圧を印加し、電流を通電することによ
り、各めっきセル２と対向する被めっき面１ａの範囲に
めっき膜を形成できる。また、この場合も図３に示す場
合と同様、各めっきセル２に流れる電流を個々に制御で
きるように構成することにより、各めっきセル２毎にめ
っき膜厚を制御できる。
【００２５】また、多孔質体部材２−３は全体均質な気
孔率である必要はなく、図６に示すように、多孔質体部
材２−３を粗多孔材２−３ａと密多孔材２−３ｂを組合
せて構成してもよい。また、粗密の組合せも２つに限定
されるものではなく、複数の粗密多孔材で複数の配置組
合せが可能である。このように複数の粗密の多孔材を配
置組合せてめっきセル２を構成することにより、基板１
の被めっき面１ａの粗多孔材２−３ａが対向する部分の
めっき膜を厚く、密多孔材２−３ｂが対向する部分のめ
っき膜を薄くできる。
孔率である必要はなく、図６に示すように、多孔質体部
材２−３を粗多孔材２−３ａと密多孔材２−３ｂを組合
せて構成してもよい。また、粗密の組合せも２つに限定
されるものではなく、複数の粗密多孔材で複数の配置組
合せが可能である。このように複数の粗密の多孔材を配
置組合せてめっきセル２を構成することにより、基板１
の被めっき面１ａの粗多孔材２−３ａが対向する部分の
めっき膜を厚く、密多孔材２−３ｂが対向する部分のめ
っき膜を薄くできる。
【００２６】上記のようにめっきセル２を小面積にする
ことにより、チップ内でのめっき膜の膜厚制御が可能と
なる。例えばめっき不良部分の修正、基板１の被めっき
面１ａの限定部分のみのめっき等に利用できる。なお、
図示は省略するが、図４乃至図６のめっき装置において
も、基板１は所定の基板保持部に保持されている。
ことにより、チップ内でのめっき膜の膜厚制御が可能と
なる。例えばめっき不良部分の修正、基板１の被めっき
面１ａの限定部分のみのめっき等に利用できる。なお、
図示は省略するが、図４乃至図６のめっき装置において
も、基板１は所定の基板保持部に保持されている。
【００２７】図７は従来の基板めっき装置により形成し
ためっき膜層と、本発明に係るめっき装置により形成さ
れためっき膜層の比較例を模式的に示す図である。従来
の基板めっき装置では、図７（ａ）に示すように基板
（ここでは半導体基板）１の回路パターンの配線溝１ｂ
が形成された部分と形成されない部分とを含めて全面に
金属めっき膜層（ここではＣｕめっき膜層）１ｃが形成
され、その後その全面を研磨除去して図７（ｃ）に示す
ように配線溝１ｂを金属めっき膜で充填して配線を形成
する。
ためっき膜層と、本発明に係るめっき装置により形成さ
れためっき膜層の比較例を模式的に示す図である。従来
の基板めっき装置では、図７（ａ）に示すように基板
（ここでは半導体基板）１の回路パターンの配線溝１ｂ
が形成された部分と形成されない部分とを含めて全面に
金属めっき膜層（ここではＣｕめっき膜層）１ｃが形成
され、その後その全面を研磨除去して図７（ｃ）に示す
ように配線溝１ｂを金属めっき膜で充填して配線を形成
する。
【００２８】これに対して、本発明の基板めっき装置で
は図７（ｂ）に示すように、配線溝１ｂの形成された部
分のみに限定して金属めっき膜層（ここではＣｕめっき
膜層）１ｃを形成できるから、この部分のみを研磨除去
すればよく研磨速度が速くなる。なお、図７において、
１ｄは電解めっきの給電シード層である。
は図７（ｂ）に示すように、配線溝１ｂの形成された部
分のみに限定して金属めっき膜層（ここではＣｕめっき
膜層）１ｃを形成できるから、この部分のみを研磨除去
すればよく研磨速度が速くなる。なお、図７において、
１ｄは電解めっきの給電シード層である。
【００２９】なお、上記例では半導体基板に回路パター
ン用の配線を形成する例を述べたが、本発明に係る基板
めっき装置は、半導体基板に限らず、基板に回路パター
ンの配線を電解めっきにより形成する場合に利用でき
る。
ン用の配線を形成する例を述べたが、本発明に係る基板
めっき装置は、半導体基板に限らず、基板に回路パター
ンの配線を電解めっきにより形成する場合に利用でき
る。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば下記のような優れた効果が得られる。
明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００３１】請求項１に記載の発明によれば、基板の被
めっき面と該めっき液保持材との間に形成された空間に
めっき液を導入して電解めっきを行うので、液保持材の
面積を被めっき面のめっきを必要とする部分の大きさと
することにより、めっきの必要な部分のみめっき液が保
持され、このめっき液が保持された部分のみめっきを形
成できる。また、空間にめっき液を導入するので、めっ
き液中に陽極電極と基板を対向して配置する場合に比較
し、陽極電極と被めっき面の間の電界強度を均一にする
ことが容易で、基板の必要な部分に均一のめっき膜を形
成することができる。
めっき面と該めっき液保持材との間に形成された空間に
めっき液を導入して電解めっきを行うので、液保持材の
面積を被めっき面のめっきを必要とする部分の大きさと
することにより、めっきの必要な部分のみめっき液が保
持され、このめっき液が保持された部分のみめっきを形
成できる。また、空間にめっき液を導入するので、めっ
き液中に陽極電極と基板を対向して配置する場合に比較
し、陽極電極と被めっき面の間の電界強度を均一にする
ことが容易で、基板の必要な部分に均一のめっき膜を形
成することができる。
【００３２】請求項２に記載の発明によれば、めっきセ
ルは基板の被めっき面に多数配列して配置することによ
り、基板の被めっき面のめっきを必要とする多数の部分
に一度にめっき膜層を形成できる。
ルは基板の被めっき面に多数配列して配置することによ
り、基板の被めっき面のめっきを必要とする多数の部分
に一度にめっき膜層を形成できる。
【００３３】請求項３に記載の発明によれば、基板の被
めっき面に対向する小さい空間を形成し、該空間にめっ
き液を導入してめっきを行うので、被めっき面の任意の
部分に均一な膜厚の金属めっき膜層を形成することが可
能となる。
めっき面に対向する小さい空間を形成し、該空間にめっ
き液を導入してめっきを行うので、被めっき面の任意の
部分に均一な膜厚の金属めっき膜層を形成することが可
能となる。
【図１】従来の基板めっき装置の概略構成を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る基板めっき装置の概略構成例を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明に係る基板めっき装置の構成例を示す図
で、図３（ａ）は平面構成を示す図、図３（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図である。
で、図３（ａ）は平面構成を示す図、図３（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図である。
【図４】本発明に係る基板めっき装置の概略構成例を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明に係る基板めっき装置の概略構成例を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明に係る基板めっき装置の概略構成例を示
す図である。
す図である。
【図７】従来の基板めっき装置により形成しためっき膜
層と本発明に係るめっき装置により形成されためっき膜
層の比較例を示す模式図である。
層と本発明に係るめっき装置により形成されためっき膜
層の比較例を示す模式図である。
１ 基板 １−１ 基板チップ ２ めっきセル ２−１ シール部材 ２−２ 陽極電極部材 ２−３ 多孔質体部材 ２−４ 陰極電極部材 ２−５ めっき液給排出穴 ２−６ 排気穴 ２−７ 密閉空間 ３ めっき電源 ４ めっき液供給ノズル ５ 空間 ６ めっき液 ７ めっきセル保持治具 ８ めっき電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三島 浩二 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 国沢 淳次 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 井上 裕章 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 牧野 夏木 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 松田 哲朗 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 金子 尚史 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 AB08 BA11 BB12 CB01 CB06 CB08 CB15 FA02 GA16 4M104 BB04 HH20
Claims (3)
- 【請求項１】 基板に回路配線を金属めっきにより形成
するための基板めっき装置であって、 前記基板の被めっき面に対向する反被めっき面側に配置
され、前記基板の被めっき面上の該被めっき面より小さ
い面積のめっき所望範囲とほぼ同じ面積を有する陽極電
極と、めっき液保持材と、前記基板の被めっき面と該め
っき液保持材との間に形成された空間にめっき液を導入
するめっき液導入手段と、前記基板の被めっき面に給電
するための陰極電極とを具備するめっきセルと、基板を
保持する基板保持部を具備することを特徴とする基板め
っき装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板めっき装置におい
て、 前記めっきセルは前記基板の被めっき面に複数配列して
配置されていることを特徴とする基板めっき装置。 - 【請求項３】 基板の被めっき面上に、該被めっき面よ
り小さい面積のめっき所望範囲に対向する空間を少なく
とも１個形成し、該空間にめっき液を導入すると共に、
該空間に対向する被めっき面と該被めっき面に対向して
配置された陽極電極との間に電流を通電し、該被めっき
面に金属めっきを形成することを特徴とする基板めっき
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000285522A JP2002097594A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 基板めっき装置及び基板めっき方法 |
| US09/955,112 US20020033339A1 (en) | 2000-09-20 | 2001-09-19 | Plating apparatus and plating method for substrate |
| KR1020010057924A KR20020022600A (ko) | 2000-09-20 | 2001-09-19 | 기판도금장치 및 도금방법 |
| TW090123155A TW511142B (en) | 2000-09-20 | 2001-09-20 | Plating apparatus and plating method for substrate |
| EP01121793A EP1193330A2 (en) | 2000-09-20 | 2001-09-20 | Plating apparatus and plating method for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000285522A JP2002097594A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 基板めっき装置及び基板めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002097594A true JP2002097594A (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18769577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000285522A Pending JP2002097594A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 基板めっき装置及び基板めっき方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020033339A1 (ja) |
| EP (1) | EP1193330A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002097594A (ja) |
| KR (1) | KR20020022600A (ja) |
| TW (1) | TW511142B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007521391A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-08-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェーハの薄膜を堆積および平坦化する装置および方法 |
| JP2009516775A (ja) * | 2005-10-11 | 2009-04-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 液晶ディスプレイ用のガラス基板上に、パターン形成された導電層を作成するための方法および装置 |
| JP2014040633A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Jtekt Corp | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
| JP2022526777A (ja) * | 2019-04-01 | 2022-05-26 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 部品にコーティングするためのコーティング装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US20080032491A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-07 | Sokudo Co., Ltd. | Wafer backside particle removal for track tools |
| DE102006060205B3 (de) * | 2006-12-18 | 2008-04-17 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung von Durchkontaktierungen und Leiterbahnen |
| WO2018135705A1 (ko) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지의 제조 방법 |
| KR101901987B1 (ko) | 2017-01-17 | 2018-09-27 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지의 제조 방법 |
| WO2018135706A1 (ko) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지의 제조 방법 |
| JP6963524B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2021-11-10 | キオクシア株式会社 | 電解メッキ装置 |
-
2000
- 2000-09-20 JP JP2000285522A patent/JP2002097594A/ja active Pending
-
2001
- 2001-09-19 KR KR1020010057924A patent/KR20020022600A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-19 US US09/955,112 patent/US20020033339A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-20 TW TW090123155A patent/TW511142B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-20 EP EP01121793A patent/EP1193330A2/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007521391A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-08-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェーハの薄膜を堆積および平坦化する装置および方法 |
| JP4828417B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2011-11-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 電気メッキ装置 |
| JP2009516775A (ja) * | 2005-10-11 | 2009-04-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 液晶ディスプレイ用のガラス基板上に、パターン形成された導電層を作成するための方法および装置 |
| JP2014040633A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Jtekt Corp | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
| JP2022526777A (ja) * | 2019-04-01 | 2022-05-26 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 部品にコーティングするためのコーティング装置 |
| JP7279191B2 (ja) | 2019-04-01 | 2023-05-22 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 部品にコーティングするためのコーティング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020033339A1 (en) | 2002-03-21 |
| TW511142B (en) | 2002-11-21 |
| EP1193330A2 (en) | 2002-04-03 |
| KR20020022600A (ko) | 2002-03-27 |
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