JP2016169399A - 金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法 - Google Patents

金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法 Download PDF

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Abstract

【課題】欠陥の少ない均一な膜厚の金属皮膜Fを安定して成膜することができる金属皮膜Fの成膜装置1Aを提供する。
【解決手段】成膜装置1Aは、陽極11と、陽極11と基材Bとの間に配置される固体電解質膜13と、陽極11と基材Bとの間に電圧を印加する電源部14と、を備える。成膜装置1Aには、陽極11と固体電解質膜13との間に、金属イオンを含む電解液Lが陽極11と固体電解質膜13とに接触するように電解液Lを収容する液収容部15aが形成されている。成膜装置1Aは、固体電解質膜13を基材Bに接触させた状態で、陽極11を振動させる振動部31を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、陽極と基材との間に電圧を印加して、固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を基材の表面に析出させることにより、好適に金属皮膜を成膜することができる金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法に関する。
従来から、電子回路基材などを製造する際には、ニッケル回路パターンを形成すべく、基材の表面にニッケル皮膜が成膜される。たとえば、このような金属皮膜の成膜技術として、Siなどの半導体の表面に、無電解めっき処理などのめっき処理により金属皮膜を成膜したり、スパッタリングなどのPVD法により金属皮膜を成膜したりする成膜技術が提案されている。
しかしながら、無電解めっき処理などのめっき処理を行なった場合には、めっき処理後の水洗が必要であり、水洗された廃液を処理する必要があった。また、スパッタリングなどのPVD法により基材表面に成膜を行った場合には、被覆された金属皮膜に内部応力が生じるため、膜厚を厚膜化するには制限があり、特に、スパッタリングの場合には、高真空下でしか、成膜できない場合があった。
このような点を鑑みて、例えば、特許文献1には、陽極と、陰極である基材と、陽極と陰極との間に配置された固体電解質膜と、陽極と陰極との間に電圧を印加する電源部と、を少なくとも備えた金属皮膜の成膜装置が提案されている。この成膜装置では、陽極と固体電解質膜との間に、陽極および固体電解質膜の双方に接触するように、金属イオンを含む電解液(すなわち金属塩が溶解した水溶液)を収容する収容部が設けられている。
基材の表面に金属皮膜を成膜する際には、陽極と陰極との間に電圧を印加して、固体電解質膜の内部に含有された金属イオンを陰極側に析出させることにより、金属イオンの金属からなる金属皮膜を基材の表面に成膜する(例えば特許文献1参照)。
特開2014−51701号公報
しかしながら、特許文献1に示す如き成膜装置を用いた場合、成膜時に、電解液中の水分が電気分解して、陽極の表面に酸素ガスが発生することがある。成膜時間が経過するに従って、発生する酸素ガスの量も増加し、増加した酸素ガスが凝集して陽極の表面の所定の箇所に滞留してしまうことがある。このような現象は、電解液が、金属イオンを含む水溶液である場合に生じるのはもちろんのこと、例えば、アルコールなど水以外のその他の溶媒に金属イオンが含まれるような電解液を用いた場合であっても、成膜時に電解液にわずかな水分が混入すれば生じ得る。
これにより、陽極と陰極である基材との間に電圧を印加したとしても、酸素ガスが滞留した箇所(陽極の表面)から陰極へ向かう電流の流れが阻害される。この結果、成膜される金属皮膜にピンホールなどの欠陥が発生したり、金属皮膜の厚さにムラが発生したりすることがある。
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、欠陥の少ない均一な膜厚の金属皮膜を安定して成膜することができる金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法を提供することにある。
前記課題を鑑みて、本発明に係る金属皮膜の成膜装置は、陽極と、前記陽極と陰極となる基材との間に配置される固体電解質膜と、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加する電源部と、を少なくとも備え、前記固体電解質膜を上方から前記基材に接触させた状態で前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記固体電解質膜の内部に含有された金属イオンを還元することで金属皮膜を前記基材の表面に成膜する金属皮膜の成膜装置であって、前記成膜装置には、前記陽極と前記固体電解質膜との間に、前記金属イオンを含む電解液が前記陽極と前記固体電解質膜とに接触するように前記電解液を収容する液収容部が形成されており、前記成膜装置は、前記固体電解質膜を前記基材に接触させた状態で、少なくとも前記陽極を振動させる振動部を備えることを特徴とする。
本発明によれば、固体電解質膜を上方から基材に接触した状態で、陽極と陰極(基材)との間に電圧を印加すると、固体電解質膜に含有した金属イオンは、固体電解質膜に接触した基材の表面に移動し、基材の表面で還元される。これにより、基材の表面には金属イオン由来の金属が析出し、金属皮膜が成膜される。
一方、成膜時に、電解液中の水分が電気分解して、陽極の表面に酸素ガスが発生したとしても、振動部で陽極を振動させることができるので、陽極の表面の所定の箇所に酸素ガスが滞留することを抑制することができる。このような結果、酸素ガスが滞留することによる陽極と基材との間の局所的な電気抵抗の増加を抑え、金属皮膜へのピンホールの発生および金属皮膜の厚さにムラの発生を抑制することができる。
さらに好ましい態様としては、前記液収容部には、前記液収容部の内部に前記電解液を供給する液供給口と、前記液収容部の内部から前記電解液を排出する液排出口と、が形成されており、前記液供給口と前記液排出口とは、前記陽極と前記固体電解質膜との間に前記電解液が流れるように、形成されている。
この態様によれば、液供給口から電解液を供給し、液排出口から電解液を排出することにより、陽極と固体電解質膜との間に電解液を流しながら、金属皮膜を成膜することができるので、陽極で発生した酸素ガスを電解液とともに、液排出口から排出することができる。
より好ましい態様としては、前記液排出口は、前記液供給口よりも高い位置に形成されている。陽極で発生した酸素ガスは、電解液よりも比重が軽いので、電解液中を上方に移動しやすいところ、この態様によれば、液排出口を液供給口よりも高い位置に形成することにより、液供給口から液排出口に向かって上方に傾斜した電解液の流れを形成することができる。これにより、陽極で発生した酸素ガスを、電解液とともに液排出口から排出し易くなる。
さらに好ましい態様としては、前記陽極の表面のうち前記固体電解質膜に対向する表面は、前記液供給口から前記液排出口に向かって、水平面に対して上方に傾斜している。この態様によれば、振動している陽極の表面で発生した酸素ガスは、液供給口から液排出口に向かって、陽極の傾斜した表面に沿って上方に移動し易い。これにより、陽極で発生した酸素ガスを電解液とともに液排出口から排出し易い。
さらに好ましい態様としては、前記成膜装置には、前記液供給口と前記液排出口との間の前記液排出口の近傍において、前記液排出口よりも高い位置に、前記液収容部内のガスを排出するためのガス排出口が形成されている。
この態様によれば、ガス排出口が液排出口よりも高い位置に形成されているため、陽極で発生した酸素ガスを、液排出口から排出される前にガス排出口から排出することができる。これにより、液排出口から排出される電解液に含まれる酸素ガスの量を低減することができるので、装置に電解液を循環するなど、電解液を好適に再利用することができる。
さらに好ましい態様としては、前記陽極には、前記固体電解質膜に対向する表面を一方の表面とし、前記一方の表面と反対側の表面を他方の表面としたとき、前記一方の表面から前記他方の表面に亘って、複数の貫通孔が形成されている。
この態様によれば、陽極の表面にうち、固体電解質膜に対向する表面で発生した酸素ガスを、振動部による陽極の振動により、複数の貫通孔に通過させて、陽極の他方の表面に排出することができる。
陽極に貫通孔を設けたより好ましい態様としては、前記液収容部には、前記液収容部の内部に前記電解液を供給する液供給口と、供給された前記電解液を排出する液排出口と、が形成されており、前記陽極の前記他方の表面側に、前記液排出口が形成されている。この態様によれば、陽極の一方の表面から他方の表面に向かって、発生した酸素ガスを電解液とともに陽極の貫通孔に通過させ、液排出口から排出することができる。
さらに好ましい態様としては、前記成膜装置は、前記基材を載置する載置台と、前記金属皮膜を成膜する際に、前記載置台に載置された前記基材の表面に前記固体電解質膜が密着するように前記基材側から前記固体電解質膜を吸引する吸引部と、を備える。
この態様によれば、金属皮膜を成膜する際に、吸引部で、基材の表面に固体電解質膜が密着するように基材側から固体電解質膜を吸引することができるので、固体電解質膜を基材の表面に均一に加圧することができる。また、基材が凹凸を有した表面形状、曲面形状などの形状であっても、固体電解質膜を基材表面に倣わせて加圧することができる。
吸引部を設けた好ましい態様としては、前記振動部は、前記載置台が振動するように、前記載置台に取付けられている。この態様によれば、振動部で載置台を振動させることにより、成膜時に基材と固体電解質膜との間で発生する水素ガスをこれらの間から吸引部から排出することができる。
さらに好ましい態様としては、前記陽極は、前記金属皮膜の金属と同じ金属からなる。この態様によれば、陽極の金属の電気分解は、水の電気分解よりも低い電圧で起こるため、陽極の表面に酸素ガスが発生することを抑えることができる。
本願では、金属皮膜を好適に成膜することができる成膜方法をさらに開示する。本発明に係る金属皮膜の成膜方法は、陽極と、陰極となる基材との間に固体電解質膜を配置し、前記固体電解質膜を上方から前記基材に接触させると共に、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記固体電解質膜の内部に含有された金属イオンを還元することで金属皮膜を前記基材の表面に成膜する金属皮膜の成膜方法であって、前記陽極と前記固体電解質膜との間において、前記金属イオンを含む電解液を前記陽極と前記固体電解質膜とに接触するように前記電解液を収容し、前記固体電解質膜を前記基材に接触させた状態で、少なくとも前記陽極を振動させながら、前記金属皮膜の成膜を行うことを特徴とする。
本発明によれば、固体電解質膜を上方から基材に接触した状態で、陽極と陰極(基材)との間に電圧を印加すると、固体電解質膜に含有した金属イオンは、固体電解質膜に接触した基材の表面に移動し、基材の表面で還元される。これにより、基材の表面には金属イオン由来の金属が析出し、金属皮膜が成膜される。
一方、成膜時に、電解液中の成分が電気分解して、陽極の表面に酸素ガスが発生したとしても、陽極を振動させているので、陽極の表面の一定の箇所にガスが滞留することを抑制することができる。この結果、金属皮膜へのピンホールの発生および金属皮膜の厚さにムラの発生を抑制することができる。
より好ましい態様としては、前記電解液を前記陽極と前記固体電解質膜との間に流しながら、前記金属皮膜の成膜を行う。この態様によれば、陽極と固体電解質膜との間に電解液を流しながら、金属皮膜を成膜することができるので、陽極で発生した酸素ガスを電解液とともに排出することができる。
より好ましくは、前記陽極と前記固体電解質膜との間を流れる前記電解液の流れの上流側から下流側に向かって、前記陽極の表面のうち前記固体電解質膜に対向する表面が水平面に対して上方に傾斜するように、前記陽極を配置した状態で、前記金属皮膜の成膜を行う。
この態様によれば、振動している陽極の表面で発生された酸素ガスは、陽極の傾斜した表面に沿って上方に移動し易いので、陽極で発生した酸素ガスを電解液とともに、陽極と固体電解質膜との間から排出し易い。
さらに好ましい態様としては、前記陽極として、前記固体電解質膜に対向する表面を一方の表面とし、前記一方の表面と反対側の表面を他方の表面としたとき、前記一方の表面から前記他方の表面に亘って、複数の貫通孔が形成されている陽極を用いる。
この態様によれば、陽極の表面にうち、固体電解質膜に対向する表面で発生した酸素ガスを、振動部による陽極の振動により、複数の貫通孔に通過させて、陽極の他方の表面に排出することができる。
貫通孔が形成された陽極を用いたより好ましい態様としては、前記陽極の前記一方の表面から前記他方の表面に向かって、前記陽極と前記固体電解質膜との間の前記電解液を前記陽極の貫通孔に通過させながら、前記金属皮膜の成膜を行う。前記陽極と前記固体電解質膜との間に存在する電解液とともに発生した酸素ガスを、陽極の一方の表面から他方の表面に向かって陽極の貫通孔に通過させ、陽極の他方の表面側に排出することができる。
より好ましい態様としては、前記基材の表面に前記固体電解質膜が密着するように前記基材側から前記固体電解質膜を吸引しながら、前記金属皮膜を成膜する。この態様によれば、金属皮膜を成膜する際に、基材の表面に固体電解質膜が密着するように基材側から固体電解質膜を吸引することができるので、固体電解質膜を基材の表面に均一に加圧することができる。また、基材が凹凸を有した表面形状、曲面形状などの形状であっても、固体電解質膜を基材表面に倣わせて加圧することができる。
固体電解質膜を吸引するより好ましい態様としては、前記基材を振動させながら、前記金属皮膜を成膜する。この態様によれば、基材を振動させながら、前記金属皮膜を成膜することにより、成膜時に基材と固体電解質膜との間で発生する水素ガスをこれらの間から排出することができる。
さらに好ましい態様としては、前記陽極に、前記金属皮膜の金属と同じ金属からなる陽極を用いる。この態様によれば、陽極の金属の電気分解は、水の電気分解よりも低い電圧で起こるため、陽極の表面に酸素ガスが発生することを抑えることができる。
本発明によれば、欠陥の少ない均一な膜厚の金属皮膜を安定して成膜することができる。
本発明の第1実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的概念図であり、(a)は、成膜装置の成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。 本発明の第2実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的概念図であり、(a)は、成膜装置の成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。 本発明の第3実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的概念図であり、(a)は、成膜装置の成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。 本発明の第4実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的概念図であり、(a)は、成膜装置の成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。 (a)は、図4に示す成膜装置の固体電解質膜、吸引部の膜吸引口、および基材の位置関係を示した平面図であり、(b)は、成膜時において、(a)に示す成膜装置の膜吸引口周りの状態を説明するための模式的斜視断面図である。 本発明の第5実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的概念図であり、(a)は、成膜装置の成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。 本発明の第6実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的概念図であり、(a)は、成膜装置の成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
以下に本発明の実施形態に係る金属皮膜の成膜方法を好適に実施することができる成膜装置について説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る金属皮膜Fの成膜装置1Aの模式的概念図であり、図1(a)は、成膜装置1Aの成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、図1(b)は、成膜装置1Aの成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
図1(a),(b)に示すように、本発明に係る成膜装置1Aは、金属イオンから金属を析出させて、析出した金属からなる金属皮膜を基材Bの表面に成膜する装置である。ここで、基材Bは、アルミニウムなどの金属材料からなる基材、または樹脂またはシリコン基材の処理表面に金属下地層が形成されている基材を用いる。
成膜装置1Aは、金属製の陽極11と、陽極11と陰極となる基材Bとの間に配置された固体電解質膜13と、陽極11と基材Bとの間に電圧を印加する電源部14と、を少なくとも備えている。図1に詳細に示してないが、陽極11は、ケーシング15を介して電源部14の正極に電気的に接続されており、陰極となる基材Bは、載置台21を介して電源部14の負極に電気的に接続されている。ケーシング15は、後述する電解液Lに対して不溶性の材料からなる。
固体電解質膜13と陽極11とは離間してケーシング15に配置されており、固体電解質膜13と陽極11とは非接触状態にある。固体電解質膜13と陽極11との間には、金属イオンを含む溶液L(以下、電解液という)を収容する液収容部15aが形成されている。ここで、液収容部15aは、収容された電解液Lが陽極11および固体電解質膜13に直接的に接触するような構造となっている。
陽極11は、基材Bの成膜領域に応じた形状となっている。本実施形態および後述する第2〜4実施形態に係る陽極11は、多孔質体でもよいが、無孔質体であることがより好ましい。無孔質体の陽極11を用いることにより、基材Bに成膜される金属皮膜Fは、陽極11の表面の状態を受け難くなる。
陽極11の材料としては、電解液Lに対して不溶性を有した酸化ルテニウム、白金、酸化イリジウムなどを挙げることができ、これらの金属が銅板などに被覆された陽極であってもよい。本実施形態では、陽極11は、金属皮膜Fの金属と同じ金属(電解液Lの金属イオンの金属)からなる可溶性の陽極がより好ましい。陽極11の金属の電気分解は、水の電気分解よりも低い電圧で起こるため、陽極11の表面11aに後述する酸素ガスが発生することを抑えることができる。
電解液Lは、たとえば、銅、ニッケル、銀などのイオンを含む電解液などを挙げることができる。たとえば、ニッケルイオンの場合には、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケルなどを含む水溶液を挙げることができる。そして、固体電解質膜13は、固体電解質からなる膜、フィルム等を挙げることができる。
固体電解質膜13は、上述した電解液Lに接触させることにより、金属イオンを内部に含浸することができ、電圧を印加したときに基材Bの表面において金属イオン由来の金属が析出することができるのであれば、特に限定されるものではない。固体電解質膜の材質としては、たとえばデュポン社製のナフィオン(登録商標)などのフッ素系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリアミック酸樹脂、旭硝子社製のセレミオン(CMV、CMD,CMFシリーズ)などのイオン交換機能を有した樹脂を挙げることができる。
ここで、成膜時に金属イオンから金属をより析出させる際に、陽極11では、電解液Lに含有する水分の電気分解反応(2HO→O+2H++2e)により、酸素ガスが生じる。電解液Lが水溶液である場合は、このような反応が生じ酸素ガスが生じるのはもちろんのこと、電解液Lに水分が混入した場合も同様に酸素ガスが生じる。成膜時間が経過するに従って、発生する酸素ガスの量も増加し、増加した酸素ガスが凝集して陽極11の表面11a(固体電解質膜13に対向する表面)の所定の箇所に滞留してしまうことがある。これにより、電源部14により電圧を印加したとしても、酸素ガスが滞留した箇所(陽極11の表面)から基材Bへ向かう電流の流れが局所的に阻害される。この結果、成膜される金属皮膜Fにピンホールなどの欠陥が発生したり、金属皮膜の厚さにムラが発生したりすることがある。そこで、本実施形態では、成膜装置1Aは、振動部31を備えている。
振動部31は、固体電解質膜13を基材Bに接触させた状態で、少なくとも陽極11を振動させるものであり、本実施形態では、振動部31は、ケーシング15に取付けられている。なお、本実施形態では、ケーシング15に振動部31を取り付けたが、固体電解質膜13を基材Bに接触させた状態で、陽極11を振動させることができるのであれば、例えば、振動部31を載置台21に取付けてもよく、陽極11に直接取り付けてもよい。
振動部31は、後述する陽極11の表面11aの所定の箇所に酸素ガスが滞留しないように、成膜時に陽極11を振動させ、酸素ガスを所定の箇所から移動させることができるものであれば、特にその振動する方向、振幅、周波数等は限定されるものではない。
しかしながら、振動部31は、陽極11の表面11aに対して少なくとも平行方向に、陽極11を振動させるものが好ましく、例えば、振幅は、1〜15mm、周波数は、5〜7000Hzであることが好ましい。このように、振動部31で、陽極11の表面11aに対して平行方向に振動することにより、陽極11の表面11aで発生した酸素ガスが移動しやすい。さらに、振動部31で、陽極11の表面11aに対して垂直方向の振動も加味すれば、陽極11の表面11aに付着した酸素ガスを一時的に脱離できるので、陽極11の表面11aで発生した酸素ガスを移動させ易い。
以下に本実施形態にかかる成膜方法について説明する。まず、載置台21に基材Bを載置し、ケーシング15の液収容部15aに電解液Lを収容する。次に陽極11に対して基材Bのアライメントを調整し、基材Bの温度調整を行う。ケーシング15を基材Bの上方に配置し、固体電解質膜13を上方から基材Bに接触させ、固体電解質膜13を基材Bに一定の圧力で押圧する。ここで、本実施形態では、成膜装置1Aに油圧または空圧で押圧する押圧部(装置)を設けていないが、押圧部を用いて、ケーシング15の上方から固体電解質膜13を基材Bに一定の圧力で押圧してもよい。このような状態で、陽極11と陰極である基材Bとを、電源部14に電気的に接続する。
本実施形態では、固体電解質膜13を基材Bに接触させた状態で、振動部31で陽極11を振動させながら、電源部14を用いて、陽極11と陰極となる基材Bとの間に電圧を印加する。これにより、固体電解質膜13に含有した金属イオンは、固体電解質膜13に接触した基材Bの表面に移動し、基材Bの表面で還元される。これにより基材Bの表面に金属を析出させ、基材Bの表面に金属皮膜Fを成膜する。この際、液収容部15aには、電解液Lが収容されているので、金属イオンを固体電解質膜13に常時供給することができる。
さらに、成膜時に、電解液L中の水分が電気分解して、陽極の表面に酸素ガス(図1(b)の複数の○印)が発生したとしても、振動部31で陽極11を振動させることができるので、陽極11の表面11aの所定の箇所に酸素ガスが滞留することを抑制することができる。これにより、所定の箇所において酸素ガスが滞留することにより、陽極11と基材Bとの間の電子の移動が妨げられる(局所的に電気抵抗が増加する)ことを抑えることができる。この結果、金属皮膜Fの成膜速度が局所的に低下することが低減できるので、金属皮膜Fへのピンホールの発生および金属皮膜Fの厚さにムラの発生を抑制することができる。
〔第2実施形態〕
図2は、本発明の第2実施形態に係る金属皮膜Fの成膜装置1Bの模式的概念図であり、図2(a)は、成膜装置1Bの成膜前状態を説明するための模式的断面図であり、図2(b)は、成膜装置1Bの成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。本実施形態が、第1実施形態と相違する点は、液収容部15aに、液供給口15bと液排出口15cとを設けた点である。したがって、その他の共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態では、図2(a)に示すように、液収容部15aには、液収容部15aの内部に電解液Lを供給する液供給口15bと、液収容部15aの内部から電解液Lを排出する液排出口15cとが形成されている。液供給口15bと液排出口15cとは、陽極11と固体電解質膜13との間に電解液Lが流れるように、形成されている。
このようにして、図2(b)に示すように、液供給口15bから電解液Lを供給し、液排出口15cから電解液Lを排出することにより、陽極11と固体電解質膜13との間に電解液Lを流しながら、金属皮膜Fを成膜することができる。これにより、陽極11で発生した酸素ガスを電解液Lとともに、液排出口15cから排出することができる。これにより、欠陥の少ない均一な膜厚の金属皮膜を安定して成膜することができる。
本実施形態では、成膜装置1Bは、液収容部15a内に電解液Lを循環させるための循環機構(図示せず)をさらに備えてもよい。このような循環機構により、金属イオンの濃度が所定の濃度に調整された電解液Lを、液供給口15bから液収容部15aに供給するとともに、液収容部15aで成膜時に使用された電解液Lを液排出口15cから排出することができる。
〔第3実施形態〕
図3は、本発明の第3実施形態に係る金属皮膜Fの成膜装置1Cの模式的概念図であり、図3(a)は、成膜装置1Cの成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、図3(b)は、成膜装置1Cの成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。本実施形態が、第2実施形態と相違する点は、液収容部15aの液供給口15bと液排出口15cの位置と、陽極11の表面11aの位置、およびガス排出口18を新たに設けた点と、である。したがって、その他の共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
図3(a)に示すように、本実施形態では、液排出口15cは、液供給口15bよりも高い位置に形成されている。陽極11の固体電解質膜13に対向する表面11aは、液供給口15b(電解液13の流れの上流側)から液排出口15c(電解液13の流れの下流側)に向かって、水平面に対して上方に傾斜している。より具体的には、陽極11と固体電解質膜13との間を流れる電解液Lが、陽極11の表面11aに沿って流れるように、液供給口15bおよび液排出口15cは、陽極11の表面11aの近傍に形成されている。
さらに、本実施形態では、成膜装置1Cには、液供給口15bと液排出口15cとの間の液排出口15cの近傍において、液排出口15cよりも高い位置に、液収容部15a内のガス(酸素ガス)を排出するためのガス排出口18が形成されている。より具体的には、ガス排出口18は、陽極11の表面11aに沿って流れる電解液Lの最下流となる位置に形成されている。
本実施形態では、陽極11とケーシング15との間にガス排出口18を形成したが、これを陽極11またはケーシング15に形成してもよい。また、ガス排出口18から酸素ガスとともに電解液Lの一部が流出してもよいが、ガス排出口18から電解液Lが流出しないように、例えば、酸素ガスなどのガスを透過し、電解液Lなど液体が透過しない多孔質膜等をガス排出口18に設けてもよい。
本実施形態に係る成膜装置1Cによれば、液排出口15cを液供給口15bよりも高い位置に形成することにより、液供給口15bから液排出口15cに向かって上方に傾斜した電解液Lの流れを形成することができる。
特に、本実施形態では、振動している陽極11の表面11aで発生した酸素ガスを、陽極11の傾斜した表面11aに沿って流れる電解液Lとともに移動させることができる。これにより、陽極11の表面から酸素ガスを移動させ、大半の酸素ガスをガス排出口18から簡単に排出させることができる。
特に、液収容部15aに形成された液排出口15cの近傍に酸素ガスが溜り易いところ、本実施形態では、上述した位置にガス排出口18を形成したため、陽極11で発生した大半の酸素ガスを、液排出口15cから排出される前にガス排出口18から排出することができる。これにより、液排出口15cから排出される電解液Lに含まれる酸素ガスの量を低減することができるので、電解液Lを成膜装置1Cに循環させるなど、排出された電解液Lを好適に再利用することができる。
〔第4実施形態〕
図4は、本発明の第4実施形態に係る金属皮膜Fの成膜装置1Dの模式的概念図であり、図4(a)は、成膜装置1Dの成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、図4(b)は、成膜装置1Dの成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
図5(a)は、図4に示す成膜装置1Dの固体電解質膜13、吸引部22の膜吸引口23a、および基材Bの位置関係を示した平面図であり、図5(b)は、成膜時において、図4(a)に示す成膜装置1Dの膜吸引口23a周りの状態を説明するための模式的斜視断面図である。本実施形態が、第3実施形態と相違する点は、載置台21の構造と、振動部31の位置と、吸引部22およびOリング19を新たに設けた点と、である。したがって、その他の共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態では、成膜装置1Dは、金属皮膜Fを成膜する際に、載置台21に載置された基材Bの表面に固体電解質膜13が密着するように基材B(載置台21)側から固体電解質膜13を吸引する吸引部22を備えている。
吸引部22は、膜吸引通路23と、膜吸引通路23の一端に接続された吸引ポンプ24とを有している。載置台21には、基材Bを収容するための収容凹部26が形成されており、収容凹部26の底面(載置台21の表面)には複数の膜吸引口23a,23a…が形成されている。複数の膜吸引口23a,23a…は、固体電解質膜13を吸引するための吸引口であり、膜吸引通路23の他端に形成され、その一部を構成している。
ここで、収容凹部26の深さは、基材Bの厚さに一致している、もしくはそれよりも浅い。これにより、基材Bを収容凹部26に収容した際に、基材Bの表面と載置台21の表面とが同一平面上に配置される、もしくは、基材Bの表面の方が載置台の表面よりも上方に配置されることになる。このようにして、固体電解質膜13が収容凹部26の開口を塞いだ状態で、吸引部22により固体電解質膜13を吸引することができるため、固体電解質膜13により基材Bをより強い吸引力で押圧することができる。
さらに、本実施形態では、図5(a)、(b)に示すように、複数の膜吸引口23a,23a,…が、載置台21に載置された基材Bの周縁部b1に沿って等間隔に形成されている。各膜吸引口23aは、載置台21の収容凹部26に基材Bを配置(載置)した状態で、基材Bの周縁部が各膜吸引口23aの一部を覆うように、形成されている。さらに、基材Bを収容凹部26に収容することにより、収容凹部26と基材Bとの間には、基材Bを周回するように環状の溝部Rが形成される。
さらに、本実施形態では、振動部31は、載置台21が振動するように(具体的には基材Bが振動するように)、載置台21に取付けられている。振動部31は、第1〜第3実施形態の振動部と同様に、固体電解質膜13を基材Bに接触させた状態で陽極11をも振動させる。ここで、振動部31は、載置台21に取付けられているが、載置台21とケーシング15の双方に取付けられていてもよい。これにより、陽極11および基材Bを個別の振動パターンで振動させることができる。なお、振動部31は、金属皮膜Fの成膜が阻害されないものであれば、基材Bの表面と平行な方向または垂直な方向いずれの方向に振動してもよく、これらの双方の方向に振動してもよい。
ここで、成膜する際には、収容凹部26に基材Bを収容した状態で、図5(b)に示すように、収容凹部26と基材Bとの間に、基材Bを周回するように環状の溝部Rが形成され、環状の溝部Rの空間のエアは、各膜吸引口23aからの吸引により負圧となる。これにより、より効率的に基材Bの周縁部b1に接触する固体電解質膜13を吸引し、これを基材Bの表面に均一に加圧することができる。特に、基材Bの周縁部b1が、各膜吸引口23aの一部を覆いながら固体電解質膜13を吸引するので、基材Bの周縁部b1に接触する固体電解質膜13により強い吸引力を作用させることができる。
さらに、本実施形態では、ケーシング15には、固体電解質膜13を囲うようにOリング19が配置されている。これにより、成膜時にOリング19が固体電解質膜13と基材Bを載置した載置台21との間に密閉空間を形成するための封止部材として作用する。このような結果、密閉空間内のエアを吸引部22が吸引するので、効率的に固体電解質膜13を基材Bの表面に加圧(密着)させることができる。
上述したように、基材Bの周縁部b1に沿って複数の膜吸引口23aが配置され、さらには周縁部b1により覆われなかった各膜吸引口23aの一部が基材Bの周縁部b1に隣接することになるので、基材Bの周縁部近傍に接触する固体電解質膜13に、より強い吸引力を作用させることができる。これにより、基材Bの成膜領域全体をより均一に加圧することができる。これにより、固体電解質膜13を基材Bの表面(成膜領域)に均一に倣わせることができる。
さらに、振動部31により基材Bを振動させながら、金属皮膜Fを成膜することにより、成膜時に陰極である基材Bで発生するガス(水素ガス)を膜吸引口23aから排気しながら(図5(b)の実線矢印参照)、基材Bの表面に金属皮膜を成膜することができる。
〔第5実施形態〕
図6は、本発明の第5実施形態に係る金属皮膜Fの成膜装置1Eの模式的概念図であり、図6(a)は、成膜装置1Eの成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、図6(b)は、成膜装置1Eの成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。本実施形態が、第4実施形態と相違する点は、陽極11およびケーシング15の構造である。したがって、その他の共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態では、陽極11には、固体電解質膜13に対向する表面を一方の表面11aとし、一方の表面11aと反対側の表面を他方の表面11bとしたとき、一方の表面11aから他方の表面11bに亘って、複数の貫通孔11cが形成されている。ここで、貫通孔11cの孔径は、成膜時に金属皮膜にピンホール、成膜ムラができない程度の大きさに設定された大きさである。
ケーシング15は、陽極11の他方の表面11b側(すなわち上側)が開放しており、本実施形態では、図6(b)に示すように、陽極11の他方の表面11b側のケーシング15内に、電解液Lが収容されていてもよい。
このような陽極11を用いることにより、成膜時に、陽極11の一方の表面11aで発生した酸素ガスを、振動部31による陽極11の振動により、複数の貫通孔11cに通過させて、陽極11の他方の表面11bに排出することができる。
〔第6実施形態〕
図7は、本発明の第6実施形態に係る金属皮膜Fの成膜装置1Fの模式的概念図であり、図7(a)は、成膜装置1Fの成膜前の状態を説明するための模式的断面図であり、図7(b)は、成膜装置1Fの成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。本実施形態が、第5実施形態と相違する点は、ケーシング15の構造と、液収容部15aに液供給口15bと液排出口15cを設けた点と、である。したがって、その他の共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態では、ケーシング15は、第5実施形態とは異なり、上側が開放しておらず、ケーシング15内には、電解液を収容する液収容空間Sが形成されている。陽極11と固体電解質膜13との間には、第5実施形態と同じように、液収容部15aが形成されている。液収容部15aには、液収容部15aの内部に電解液Lを供給する液供給口15bが形成されている。本実施形態では、電解液Lを排出する液排出口15cは、陽極11の他方の表面11b側に形成されている。
このように構成することにより、陽極11の一方の表面11aから他方の表面11bに向かって、陽極11と固体電解質膜13との間の電解液Lを陽極11の貫通孔11cに通過させながら、金属皮膜Fの成膜を行うことできる。
これにより、陽極11と固体電解質膜13との間に存在する電解液Lとともに、陽極11で発生した酸素ガスを、陽極11の一方の表面11aから他方の表面11bに向かって陽極11の貫通孔11cに通過させ、陽極11の他方の表面11b側から液排出口15cに排出することができる。
なお、本実施形態では、陽極11と固体電解質膜13との間の液収容部15aに、電解液Lが供給されるように、液供給口15bを設けた。しかしながら、振動部31により、発生したガスを、陽極11の一方の表面11aから他方の表面11bに向かって陽極11の貫通孔11cに通過させることができるのであれば、液供給口15bは、陽極11の他方の表面11b側に形成されていてもよい。
本発明を以下の実施例により説明する。
[実施例1]
表面に成膜する基材して、純アルミニウム基材(50mm×50mm×厚さ1mm)を準備し、この表面にニッケルめっき皮膜を形成し、さらにニッケルめっき皮膜の表面に、金めっき皮膜を形成し、これを純水で流水洗浄した。
次に、図4(a)に示す第4実施形態に係る成膜装置1Dを用いて銅皮膜を成膜した。電解液に、1.0mol/Lの硫酸銅水溶液を用い、陽極にはPt板((株)ニラコ社製)、固体電解質膜には、膜厚50μmのナフィオンN212(デュポン(株)社製)を使用した。振動部に加振機(Big Wave:(有)旭製作所製)を用いた。試験条件としては、吸引ポンプを駆動させて吸引部で固体電解質膜を基材側に吸引し、固体電解質膜を基材に密着させた状態で、加振機で陽極を周波数300Hzで振動させながら、電流密度5mA/cm、電解液の流量を15ml/分、成膜時間10分間で、銅皮膜を成膜した。
[実施例2]
実施例1と同じように銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、図7(a)に示す第6実施形態に係る成膜装置1Eを用いた点である。なお、陽極の貫通孔の孔面積3.14mmのものを用いた。
[実施例3]
実施例1と同じように銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、陽極に、銅陽極(可溶性陽極((株)ニラコ社製))を用いた点である。
[比較例1]
実施例1と同じように銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、図2(a)に示す第2実施形態に係る成膜装置1Bを用いたが、振動部による振動を行わず成膜をした点である。
<成膜状態の確認>
実施例1〜3および比較例1に係る銅皮膜の被覆率およびピンホールの有無を評価した。この結果を表1に示す。
Figure 2016169399
(結果および考察)
表1から、比較例1の場合には、陽極の表面に酸素ガスが滞留したことにより、局所的に陽極と陰極(基材)との間の抵抗が上昇し、銅皮膜の被覆率が低下し、ピンホールが発生したものと考えられる。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲および明細書に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。
たとえば、第6実施形態では、陽極と固体電解質膜との間に、電解液を収容する液収容部を設けたが、陽極に、電解液が透過しかつ発生する酸素ガスを排出することができる多孔質陽極を、固体電解質膜に直接接触させて、陽極を振動させながら成膜してもよい。
1A〜1F:成膜装置、11:陽極、11c:貫通孔、13:固体電解質膜、14:電源部、15:ケーシング、15a:液収容部、15b:液供給口、15c:液排出口、18:ガス排出口、19:Oリング、21:載置台、22:吸引部、23:膜吸引通路、23a:膜吸引口、24:吸引ポンプ、26:収容凹部、B:基材(陰極)、b1:周縁部、F:金属皮膜、L:電解液、R:溝部

Claims (12)

  1. 陽極と、前記陽極と陰極となる基材との間に配置される固体電解質膜と、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加する電源部と、を少なくとも備え、前記固体電解質膜を上方から前記基材に接触させた状態で前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記固体電解質膜の内部に含有された金属イオンを還元することで金属皮膜を前記基材の表面に成膜する金属皮膜の成膜装置であって、
    前記成膜装置には、前記陽極と前記固体電解質膜との間に、前記金属イオンを含む電解液が前記陽極と前記固体電解質膜とに接触するように前記電解液を収容する液収容部が形成されており、
    前記成膜装置は、前記固体電解質膜を前記基材に接触させた状態で、少なくとも前記陽極を振動させる振動部を備えることを特徴とする金属皮膜の成膜装置。
  2. 前記液収容部には、前記液収容部の内部に前記電解液を供給する液供給口と、前記液収容部の内部から前記電解液を排出する液排出口と、が形成されており、
    前記液供給口と前記液排出口とは、前記陽極と前記固体電解質膜との間に前記電解液が流れるように、形成されていることを特徴とする請求項1に記載の金属皮膜の成膜装置。
  3. 前記液排出口は、前記液供給口よりも高い位置に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の金属皮膜の成膜装置。
  4. 前記陽極の表面のうち前記固体電解質膜に対向する表面は、前記液供給口から前記液排出口に向かって、水平面に対して上方に傾斜していることを特徴とする請求項3に記載の金属皮膜の成膜装置。
  5. 前記成膜装置には、前記液供給口と前記液排出口との間の前記液排出口の近傍において、前記液排出口よりも高い位置に、前記液収容部内のガスを排出するためのガス排出口が形成されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の金属皮膜の成膜装置。
  6. 前記陽極には、前記固体電解質膜に対向する表面を一方の表面とし、前記一方の表面と反対側の表面を他方の表面としたとき、前記一方の表面から前記他方の表面に亘って、複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の金属皮膜の成膜装置。
  7. 前記液収容部には、前記液収容部の内部に前記電解液を供給する液供給口と、供給された前記電解液を排出する液排出口と、が形成されており、
    前記陽極の前記他方の表面側に、前記液排出口が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の金属皮膜の成膜装置。
  8. 陽極と、陰極となる基材との間に固体電解質膜を配置し、前記固体電解質膜を上方から前記基材に接触させると共に、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記固体電解質膜の内部に含有された金属イオンを還元することで金属皮膜を前記基材の表面に成膜する金属皮膜の成膜方法であって、
    前記陽極と前記固体電解質膜との間において、前記金属イオンを含む電解液を前記陽極と前記固体電解質膜とに接触するように前記電解液を収容し、
    前記固体電解質膜を前記基材に接触させた状態で、少なくとも前記陽極を振動させながら、前記金属皮膜の成膜を行うことを特徴とする金属皮膜の成膜方法。
  9. 前記電解液を前記陽極と前記固体電解質膜との間に流しながら、前記金属皮膜の成膜を行うことを特徴とする請求項8に記載の金属皮膜の成膜方法。
  10. 前記陽極と前記固体電解質膜との間を流れる前記電解液の流れの上流側から下流側に向かって、前記陽極の表面のうち前記固体電解質膜に対向する表面が水平面に対して上方に傾斜するように、前記陽極を配置した状態で、前記金属皮膜の成膜を行うことを特徴とする請求項9に記載の金属皮膜の成膜方法。
  11. 前記陽極として、前記固体電解質膜に対向する表面を一方の表面とし、前記一方の表面と反対側の表面を他方の表面としたとき、前記一方の表面から前記他方の表面に亘って、複数の貫通孔が形成されている陽極を用いることを特徴とする請求項8に記載の金属皮膜の成膜方法。
  12. 前記陽極の前記一方の表面から前記他方の表面に向かって、前記陽極と前記固体電解質膜との間の前記電解液を前記陽極の貫通孔に通過させながら、前記金属皮膜の成膜を行うことを特徴とする請求項11に記載の金属皮膜の成膜方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020104383A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 トヨタ紡織株式会社 成形型の製造方法、成形型、乗物用内装材の製造方法
US11230781B1 (en) 2020-07-29 2022-01-25 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method for forming silver film
US12006584B2 (en) 2021-10-15 2024-06-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Film formation apparatus and film formation method for forming metal film

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6760166B2 (ja) * 2017-03-23 2020-09-23 トヨタ自動車株式会社 ニッケル皮膜の形成方法及び当該方法に使用するためのニッケル溶液
US11142840B2 (en) * 2018-10-31 2021-10-12 Unison Industries, Llc Electroforming system and method
CA3141101C (en) 2021-08-23 2023-10-17 Unison Industries, Llc Electroforming system and method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03226600A (ja) * 1990-01-31 1991-10-07 Kawasaki Steel Corp 金属材表面の電解処理方法及び装置
JP2003328190A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Matsushita Electric Works Ltd 陽極酸化方法、電気化学酸化方法、電界放射型電子源およびその製造方法
JP2004250747A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2004360028A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Ebara Corp めっき装置
JP2014051701A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Toyota Motor Corp 金属被膜の成膜装置および成膜方法
JP2014185371A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toyota Motor Corp 金属被膜の成膜装置および成膜方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1739657A (en) * 1928-01-16 1929-12-17 Reuben B Shemitz Electroplating device
GB1257541A (ja) * 1968-04-03 1971-12-22
US5644341A (en) * 1993-07-14 1997-07-01 Seiko Epson Corporation Ink jet head drive apparatus and drive method, and a printer using these
JP3462970B2 (ja) * 1997-04-28 2003-11-05 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
GB9812586D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Glacier Vandervell Ltd Method and apparatus for electroplating
JP2002121699A (ja) * 2000-05-25 2002-04-26 Nippon Techno Kk めっき浴の振動流動とパルス状めっき電流との組み合わせを用いた電気めっき方法
US20040016648A1 (en) * 2002-07-24 2004-01-29 Applied Materials, Inc. Tilted electrochemical plating cell with constant wafer immersion angle
JP4212905B2 (ja) * 2003-01-23 2009-01-21 株式会社荏原製作所 めっき方法およびこれに使用するめっき装置
JP2004353061A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Ebara Corp 電解処理方法及び装置
US7998323B1 (en) * 2006-06-07 2011-08-16 Actus Potentia, Inc. Apparatus for focused electric-field imprinting for micron and sub-micron patterns on wavy or planar surfaces
JP5949696B2 (ja) 2013-08-07 2016-07-13 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置および成膜方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03226600A (ja) * 1990-01-31 1991-10-07 Kawasaki Steel Corp 金属材表面の電解処理方法及び装置
JP2003328190A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Matsushita Electric Works Ltd 陽極酸化方法、電気化学酸化方法、電界放射型電子源およびその製造方法
JP2004250747A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2004360028A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Ebara Corp めっき装置
JP2014051701A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Toyota Motor Corp 金属被膜の成膜装置および成膜方法
JP2014185371A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toyota Motor Corp 金属被膜の成膜装置および成膜方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200075735A (ko) 2018-12-18 2020-06-26 도요타지도샤가부시키가이샤 성막 장치 및 그것을 사용한 금속막의 형성 방법
EP3680367A2 (en) 2018-12-18 2020-07-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Film forming device and method for forming metal film using the same
JP2020104383A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 トヨタ紡織株式会社 成形型の製造方法、成形型、乗物用内装材の製造方法
JP7081480B2 (ja) 2018-12-27 2022-06-07 トヨタ紡織株式会社 成形型の製造方法、成形型、乗物用内装材の製造方法
US11230781B1 (en) 2020-07-29 2022-01-25 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method for forming silver film
DE102021114445A1 (de) 2020-07-29 2022-02-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Verfahren zur bildung eines silberfilms
US12006584B2 (en) 2021-10-15 2024-06-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Film formation apparatus and film formation method for forming metal film

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