JP2002121699A - めっき浴の振動流動とパルス状めっき電流との組み合わせを用いた電気めっき方法 - Google Patents
めっき浴の振動流動とパルス状めっき電流との組み合わせを用いた電気めっき方法Info
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- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F31/00—Mixers with shaking, oscillating, or vibrating mechanisms
- B01F31/44—Mixers with shaking, oscillating, or vibrating mechanisms with stirrers performing an oscillatory, vibratory or shaking movement
- B01F31/441—Mixers with shaking, oscillating, or vibrating mechanisms with stirrers performing an oscillatory, vibratory or shaking movement performing a rectilinear reciprocating movement
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
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- C25D5/20—Electroplating using ultrasonics, vibrations
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- C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細構造の導電パターンのめっき膜を欠陥や
膜厚不均一性などがなく良好な品質で効率よく高速に形
成できるめっき方法を提供する。 【解決手段】 振動発生手段１６ｄに連係した振動羽根
１６ｆをめっき浴１４内で振幅０．１〜１０．０ｍｍ及
び振動数２００〜８００回／分で振動させることにより
めっき浴１４に３次元流速１５０ｍｍ／秒以上の振動流
動を発生させながら、めっき浴１４中に配置された微細
構造を持つ被めっき物品Ｘを陰極とし且つ金属部材５６
を陽極とし、陰極と陽極との間に電圧を印加し、この際
に陽極からめっき浴１４を介して陰極へと流れるめっき
電流がパルス状で第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続す
る第１状態及び第１の値と同一極性の第２の値Ｉ２で第
２の時間Ｔ２持続する第２状態を交互にとり、第１の値
Ｉ１は第２の値Ｉ２の５倍以上であり、第１の時間Ｔ１
は第２の時間Ｔ２の３倍以上である。
膜厚不均一性などがなく良好な品質で効率よく高速に形
成できるめっき方法を提供する。 【解決手段】 振動発生手段１６ｄに連係した振動羽根
１６ｆをめっき浴１４内で振幅０．１〜１０．０ｍｍ及
び振動数２００〜８００回／分で振動させることにより
めっき浴１４に３次元流速１５０ｍｍ／秒以上の振動流
動を発生させながら、めっき浴１４中に配置された微細
構造を持つ被めっき物品Ｘを陰極とし且つ金属部材５６
を陽極とし、陰極と陽極との間に電圧を印加し、この際
に陽極からめっき浴１４を介して陰極へと流れるめっき
電流がパルス状で第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続す
る第１状態及び第１の値と同一極性の第２の値Ｉ２で第
２の時間Ｔ２持続する第２状態を交互にとり、第１の値
Ｉ１は第２の値Ｉ２の５倍以上であり、第１の時間Ｔ１
は第２の時間Ｔ２の３倍以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき方法に関す
るものであり、特にめっき浴の物理的条件とめっき電流
の電気的条件との特定の組み合わせに特徴を有するめっ
き方法に関するものである。
るものであり、特にめっき浴の物理的条件とめっき電流
の電気的条件との特定の組み合わせに特徴を有するめっ
き方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
電子部品などの物品の製造の分野において、物品の表面
に導電材料の膜を形成する電気めっきが広く利用されて
いる。
電子部品などの物品の製造の分野において、物品の表面
に導電材料の膜を形成する電気めっきが広く利用されて
いる。
【０００３】特に、最近では電子部品の小型化及び高機
能化の要求を満たすために、物品の表面（スルーホール
の内面やブラインドビアホールの内面を含む）に形成さ
れる導電パターンとして微細なものが要求されている。
能化の要求を満たすために、物品の表面（スルーホール
の内面やブラインドビアホールの内面を含む）に形成さ
れる導電パターンとして微細なものが要求されている。
【０００４】例えば、半導体装置の高集積化に伴う入出
力端子の狭ピッチ化に対応して配線パターンの微細化が
進められており、これに伴いスルーホールやブラインド
ビアホールの内径として１００μｍ以下更には５０μｍ
以下更には３０μｍ以下と小さなものが要求されてい
る。また、スルーホールやブラインドビアホールのアス
ペクト比も５以上更には８以上と大きなものが要求され
ている。
力端子の狭ピッチ化に対応して配線パターンの微細化が
進められており、これに伴いスルーホールやブラインド
ビアホールの内径として１００μｍ以下更には５０μｍ
以下更には３０μｍ以下と小さなものが要求されてい
る。また、スルーホールやブラインドビアホールのアス
ペクト比も５以上更には８以上と大きなものが要求され
ている。
【０００５】また、例えば、半導体装置における多層配
線では、高集積化に伴う配線微細化に起因して発生する
配線間容量の低減を目的として、従来のアルミニウム配
線に代わって銅配線が利用されており、そのような多層
配線の形成のために電気めっきを用いたダマシン法が利
用されている。この方法では、内径１μｍ以下と極小さ
なブラインドビアホール内への銅の堆積が要求されてい
る。
線では、高集積化に伴う配線微細化に起因して発生する
配線間容量の低減を目的として、従来のアルミニウム配
線に代わって銅配線が利用されており、そのような多層
配線の形成のために電気めっきを用いたダマシン法が利
用されている。この方法では、内径１μｍ以下と極小さ
なブラインドビアホール内への銅の堆積が要求されてい
る。
【０００６】また、例えば、０．３ｍｍ程度の寸法のチ
ップ部品の表面に１対の電極膜を形成することが要求さ
れている。
ップ部品の表面に１対の電極膜を形成することが要求さ
れている。
【０００７】ところで、本出願人は、特に微細孔などの
微細構造部分を有する物品に適用して有効なめっき方法
を提案している（特開平１１−１８９８８０号公報参
照）。この方法では、めっき浴に振動流動を発生させ、
これと散気管によるバブリングとを併用している。この
方法は電気めっき以外に無電気めっきに適用しても有効
なものである。
微細構造部分を有する物品に適用して有効なめっき方法
を提案している（特開平１１−１８９８８０号公報参
照）。この方法では、めっき浴に振動流動を発生させ、
これと散気管によるバブリングとを併用している。この
方法は電気めっき以外に無電気めっきに適用しても有効
なものである。
【０００８】しかしながら、この方法では、めっき浴を
収容するめっき槽内に散気管を配置し、該散気管へのエ
アー配管することが必要であるので、めっき浴の量及び
めっき槽の寸法を比較的大きくしなければならないな
ど、めっき装置が大型化するという難点があった。
収容するめっき槽内に散気管を配置し、該散気管へのエ
アー配管することが必要であるので、めっき浴の量及び
めっき槽の寸法を比較的大きくしなければならないな
ど、めっき装置が大型化するという難点があった。
【０００９】一方、以上のよう電気めっきのための電源
としては、一般的には直流電源が用いられている。とこ
ろで、近年、めっき膜の品質を向上させるために、めっ
き電流を周期的に変化させながらめっきを行うことが提
案されている。この方法では、正極性の電流と負極性の
電流とを交互に流す。即ち、正極性通電で一旦形成した
めっき膜の表面の微小凹凸のうちの凸部を、負極性通電
により集中して部分的に溶解させ、これを繰り返すこと
により表面が平坦で微小空洞などの欠陥のない高品質の
めっき膜を得ることを目指している。しかし、この方法
では一旦形成しためっき膜の表面部を除去するので成膜
速度の向上（即ち、めっき処理速度の向上）の点では不
利である。
としては、一般的には直流電源が用いられている。とこ
ろで、近年、めっき膜の品質を向上させるために、めっ
き電流を周期的に変化させながらめっきを行うことが提
案されている。この方法では、正極性の電流と負極性の
電流とを交互に流す。即ち、正極性通電で一旦形成した
めっき膜の表面の微小凹凸のうちの凸部を、負極性通電
により集中して部分的に溶解させ、これを繰り返すこと
により表面が平坦で微小空洞などの欠陥のない高品質の
めっき膜を得ることを目指している。しかし、この方法
では一旦形成しためっき膜の表面部を除去するので成膜
速度の向上（即ち、めっき処理速度の向上）の点では不
利である。
【００１０】最近では、導電パターンはますます微細化
する傾向にあり、そのような導電パターンのめっき膜を
形成する際には、欠陥や膜厚不均一性が発生しやすくな
り、めっき膜の良好な品質の維持が次第に困難になって
くる。
する傾向にあり、そのような導電パターンのめっき膜を
形成する際には、欠陥や膜厚不均一性が発生しやすくな
り、めっき膜の良好な品質の維持が次第に困難になって
くる。
【００１１】また、本出願人は、めっき浴を振動攪拌し
ながらクロムめっきを行うめっき方法及び多数の被めっ
き物品をバレルに収容してめっき浴を振動攪拌しながら
クロムめっきを行う方法を提案している（特開平７−５
４１９２号公報及び特開平６−３３０３９５号公報参
照）。
ながらクロムめっきを行うめっき方法及び多数の被めっ
き物品をバレルに収容してめっき浴を振動攪拌しながら
クロムめっきを行う方法を提案している（特開平７−５
４１９２号公報及び特開平６−３３０３９５号公報参
照）。
【００１２】しかしながら、これらの方法ではめっき電
流として直流が用いられており、また長手方向を横切る
方向の寸法即ち幅が５ｍｍ以下例えば０．３〜１．０ｍ
ｍといった微小寸法の被めっき物品への適用については
具体的には示されていない。このような微小寸法の被め
っき物品のバレルめっきにおいては、バレル内で被めっ
き物品どうしが重なり合って所要のめっき膜形成部分へ
のめっき液の流通性が極端に低下する。このため、比較
的大きな幅の被めっき物品の場合とは比較にならないよ
うな技術的困難性があり、成膜速度及びめっき膜厚均一
性の点で更なる改良の余地がある。
流として直流が用いられており、また長手方向を横切る
方向の寸法即ち幅が５ｍｍ以下例えば０．３〜１．０ｍ
ｍといった微小寸法の被めっき物品への適用については
具体的には示されていない。このような微小寸法の被め
っき物品のバレルめっきにおいては、バレル内で被めっ
き物品どうしが重なり合って所要のめっき膜形成部分へ
のめっき液の流通性が極端に低下する。このため、比較
的大きな幅の被めっき物品の場合とは比較にならないよ
うな技術的困難性があり、成膜速度及びめっき膜厚均一
性の点で更なる改良の余地がある。
【００１３】そこで、本発明の目的の１つは、微細構造
の導電パターンのめっき膜を欠陥や膜厚不均一性などが
なく良好な品質で形成することが可能なめっき方法を提
供することにある。
の導電パターンのめっき膜を欠陥や膜厚不均一性などが
なく良好な品質で形成することが可能なめっき方法を提
供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、微細構造の導電パタ
ーンの良好な品質のめっき膜を高速に得ることが可能な
めっき方法を提供することにある。
ーンの良好な品質のめっき膜を高速に得ることが可能な
めっき方法を提供することにある。
【００１５】本発明の更に別の目的は、微細構造の導電
パターンの良好な品質のめっき膜を比較的小さな装置構
成で効率よく得ることが可能なめっき方法を提供するこ
とにある。
パターンの良好な品質のめっき膜を比較的小さな装置構
成で効率よく得ることが可能なめっき方法を提供するこ
とにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するものとして、振動発生手段に連係してめっ
き浴内で振動する振動棒に一段または多段に固定された
振動羽根を振動させることにより前記めっき浴に振動流
動を発生させながら、前記めっき浴と接触するように配
置された被めっき物品を陰極とし且つ前記めっき浴と接
触するように配置された金属部材を陽極とし、前記陰極
と前記陽極との間に電圧を印加し、この際に前記陽極か
ら前記めっき浴を介して前記陰極へと流れるめっき電流
がパルス状であり第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続す
る第１状態及び前記第１の値と同一極性の第２の値Ｉ２
で第２の時間Ｔ２持続する第２状態を交互にとり、前記
第１の値Ｉ１は前記第２の値Ｉ２の５倍以上であり、前
記第１の時間Ｔ１は前記第２の時間Ｔ２の３倍以上であ
ることを特徴とする電気めっき方法、が提供される。
的を達成するものとして、振動発生手段に連係してめっ
き浴内で振動する振動棒に一段または多段に固定された
振動羽根を振動させることにより前記めっき浴に振動流
動を発生させながら、前記めっき浴と接触するように配
置された被めっき物品を陰極とし且つ前記めっき浴と接
触するように配置された金属部材を陽極とし、前記陰極
と前記陽極との間に電圧を印加し、この際に前記陽極か
ら前記めっき浴を介して前記陰極へと流れるめっき電流
がパルス状であり第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続す
る第１状態及び前記第１の値と同一極性の第２の値Ｉ２
で第２の時間Ｔ２持続する第２状態を交互にとり、前記
第１の値Ｉ１は前記第２の値Ｉ２の５倍以上であり、前
記第１の時間Ｔ１は前記第２の時間Ｔ２の３倍以上であ
ることを特徴とする電気めっき方法、が提供される。
【００１７】本発明の一態様においては、前記第１の値
Ｉ１は前記第２の値Ｉ２の６〜２５倍であり、前記第１
の時間Ｔ１は前記第２の時間Ｔ２の４〜２５倍である。
本発明の一態様においては、前記第１の時間Ｔ１は０．
０１秒〜３００秒である。本発明の一態様においては、
前記振動羽根は振幅０．０５〜１０．０ｍｍ及び振動数
２００〜１５００回／分で振動せしめられる。本発明の
一態様においては、前記めっき浴の振動流動は３次元流
速が１５０ｍｍ／秒以上である。本発明の一態様におい
ては、前記振動発生手段は１０〜５００Ｈｚで振動す
る。
Ｉ１は前記第２の値Ｉ２の６〜２５倍であり、前記第１
の時間Ｔ１は前記第２の時間Ｔ２の４〜２５倍である。
本発明の一態様においては、前記第１の時間Ｔ１は０．
０１秒〜３００秒である。本発明の一態様においては、
前記振動羽根は振幅０．０５〜１０．０ｍｍ及び振動数
２００〜１５００回／分で振動せしめられる。本発明の
一態様においては、前記めっき浴の振動流動は３次元流
速が１５０ｍｍ／秒以上である。本発明の一態様におい
ては、前記振動発生手段は１０〜５００Ｈｚで振動す
る。
【００１８】本発明の一態様においては、前記被めっき
物品を振幅０．０５〜５．０ｍｍ及び振動数１００〜３
００回／分で振動させる。本発明の一態様においては、
前記被めっき物品を揺動幅１０〜１００ｍｍ及び揺動数
１０〜３０回／分で揺動させる。
物品を振幅０．０５〜５．０ｍｍ及び振動数１００〜３
００回／分で振動させる。本発明の一態様においては、
前記被めっき物品を揺動幅１０〜１００ｍｍ及び揺動数
１０〜３０回／分で揺動させる。
【００１９】本発明の一態様においては、前記被めっき
物品は寸法５０μｍ以下の微細構造をもつ被めっき面を
有する。
物品は寸法５０μｍ以下の微細構造をもつ被めっき面を
有する。
【００２０】本発明の一態様においては、複数の前記被
めっき物品を、めっき浴の液体が通過し得る小開孔を有
し且つ前記被めっき物品と接触することで該被めっき物
品にめっき電流を流すための導電部材を有する保持容器
中に保持し、該保持容器を前記めっき浴中で非鉛直方向
の回転中心の周りで回転させることで前記複数の被めっ
き物品を前記保持容器内で転動させ、前記被めっき物品
のそれぞれと前記導電部材との接触及び離隔を繰り返
す。
めっき物品を、めっき浴の液体が通過し得る小開孔を有
し且つ前記被めっき物品と接触することで該被めっき物
品にめっき電流を流すための導電部材を有する保持容器
中に保持し、該保持容器を前記めっき浴中で非鉛直方向
の回転中心の周りで回転させることで前記複数の被めっ
き物品を前記保持容器内で転動させ、前記被めっき物品
のそれぞれと前記導電部材との接触及び離隔を繰り返
す。
【００２１】本発明の一態様においては、前記被めっき
物品の幅は５ｍｍ以下である。
物品の幅は５ｍｍ以下である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の具体的な実施の形態を説明する。尚、図面において、
同様な機能を有する部材又は部分には同一の符号が付さ
れている。
の具体的な実施の形態を説明する。尚、図面において、
同様な機能を有する部材又は部分には同一の符号が付さ
れている。
【００２３】図１及び図２は本発明によるめっき方法の
第１の実施形態の実施されるめっき装置の構成を示す断
面図であり、図３はその平面図である。
第１の実施形態の実施されるめっき装置の構成を示す断
面図であり、図３はその平面図である。
【００２４】これらの図において、１２はめっき槽であ
り、該めっき槽にはめっき浴１４が収容されている。１
６は振動流動発生部である。該振動流動発生部１６は、
めっき槽１２に防振ゴムを介して取り付けられた基台１
６ａ、該基台に下端を固定された振動吸収部材としての
コイルバネ１６ｂ、該コイルバネの上端に固定された振
動部材１６ｃ、該振動部材に取り付けられた振動発生手
段としての振動モータ１６ｄ、振動部材１６ｃに上端を
取り付けられた振動伝達ロッド１６ｅ、該振動伝達ロッ
ドの下半部においてめっき浴１４に浸漬する位置に取り
付けられた振動羽根１６ｆを有する。コイルバネ１６ｂ
内には、後述の図１２に示されているように、棒状のガ
イド部材を配置することができる。
り、該めっき槽にはめっき浴１４が収容されている。１
６は振動流動発生部である。該振動流動発生部１６は、
めっき槽１２に防振ゴムを介して取り付けられた基台１
６ａ、該基台に下端を固定された振動吸収部材としての
コイルバネ１６ｂ、該コイルバネの上端に固定された振
動部材１６ｃ、該振動部材に取り付けられた振動発生手
段としての振動モータ１６ｄ、振動部材１６ｃに上端を
取り付けられた振動伝達ロッド１６ｅ、該振動伝達ロッ
ドの下半部においてめっき浴１４に浸漬する位置に取り
付けられた振動羽根１６ｆを有する。コイルバネ１６ｂ
内には、後述の図１２に示されているように、棒状のガ
イド部材を配置することができる。
【００２５】振動モータ１６ｄは例えばインバータを用
いた制御により１０〜５００Ｈｚ、好ましくは２０〜６
０Ｈｚ、更に好ましくは３０〜５０Ｈｚで振動する。振
動モータ１６ｄで発生した振動は、振動部材１６ｃ及び
振動伝達ロッド１６ｅを介して振動羽根１６ｆに伝達さ
れる。振動羽根１６ｆは、めっき浴１４中で所要の振動
数で先端縁が振動する。この振動は、振動羽根１６ｆが
振動伝達ロッド１６ｅへの取り付け部分から先端縁へと
「しなる」ように発生する。この振動の振幅及び振動数
は、振動モータ１６ｄのものとは異なるが、振動伝達経
路の力学的特性及びめっき浴１４との相互作用の特性な
どに応じて決まり、本発明では振幅０．０５〜１０．０
ｍｍ（例えば０．１〜１０．０ｍｍ）で振動数２００〜
１５００回／分（例えば２００〜８００回／分）とする
のが好ましい。
いた制御により１０〜５００Ｈｚ、好ましくは２０〜６
０Ｈｚ、更に好ましくは３０〜５０Ｈｚで振動する。振
動モータ１６ｄで発生した振動は、振動部材１６ｃ及び
振動伝達ロッド１６ｅを介して振動羽根１６ｆに伝達さ
れる。振動羽根１６ｆは、めっき浴１４中で所要の振動
数で先端縁が振動する。この振動は、振動羽根１６ｆが
振動伝達ロッド１６ｅへの取り付け部分から先端縁へと
「しなる」ように発生する。この振動の振幅及び振動数
は、振動モータ１６ｄのものとは異なるが、振動伝達経
路の力学的特性及びめっき浴１４との相互作用の特性な
どに応じて決まり、本発明では振幅０．０５〜１０．０
ｍｍ（例えば０．１〜１０．０ｍｍ）で振動数２００〜
１５００回／分（例えば２００〜８００回／分）とする
のが好ましい。
【００２６】図４は振動部材１６ｃへの振動伝達ロッド
１６ｅの取り付け部の拡大断面図である。振動伝達ロッ
ド１６ｅの上端に形成されたオネジ部に、振動部材１６
ｃの上下両側から振動応力分散部材１６ｇ１，１６ｇ２
及びワッシャ１６ｈ１，１６ｈ２を介してナット１６ｉ
１，１６ｉ２；１６ｉ３，１６ｉ４を適合させている。
振動応力分散部材１６ｇ１，１６ｇ２は、例えばゴムか
らなる。
１６ｅの取り付け部の拡大断面図である。振動伝達ロッ
ド１６ｅの上端に形成されたオネジ部に、振動部材１６
ｃの上下両側から振動応力分散部材１６ｇ１，１６ｇ２
及びワッシャ１６ｈ１，１６ｈ２を介してナット１６ｉ
１，１６ｉ２；１６ｉ３，１６ｉ４を適合させている。
振動応力分散部材１６ｇ１，１６ｇ２は、例えばゴムか
らなる。
【００２７】図５は振動伝達ロッド１６ｅへの振動羽根
１６ｆの取り付け部の拡大断面図である。７つの振動羽
根１６ｆの各々の上下両側には、振動羽根固定部材１６
ｊが配置されている。隣接する振動羽根１６ｆどうしの
間には固定部材１６ｊを介して振動羽根１６ｆの間隔設
定のためのスペーサリング１６ｋが配置されている。最
上部の振動羽根１６ｆの上側及び最下部の振動羽根１６
ｆの下側には、振動伝達ロッド１６ｅに形成されたオネ
ジに適合するナット１６ｍが配置されている。
１６ｆの取り付け部の拡大断面図である。７つの振動羽
根１６ｆの各々の上下両側には、振動羽根固定部材１６
ｊが配置されている。隣接する振動羽根１６ｆどうしの
間には固定部材１６ｊを介して振動羽根１６ｆの間隔設
定のためのスペーサリング１６ｋが配置されている。最
上部の振動羽根１６ｆの上側及び最下部の振動羽根１６
ｆの下側には、振動伝達ロッド１６ｅに形成されたオネ
ジに適合するナット１６ｍが配置されている。
【００２８】図６は振動伝達ロッド１６ｅへの振動羽根
１６ｆの取り付け部の変形例を示す図である。この変形
例では、各振動羽根１６ｆを上側及び下側のナット１６
ｎにより個別に振動伝達ロッド１６ｅへ取り付けてい
る。尚、振動羽根１６ｆと固定部材１６ｊとの間にフッ
素系樹脂やフッ素系ゴムなどからなる弾性部材シート１
６ｐを介在させることで、振動羽根１６ｆの破損を防止
することができる。図示されているように、上側の固定
部材１６ｊの下面（押圧面）は凸円筒円とされており、
下側の固定部材１６ｊの上面（押圧面）は対応する凹円
筒円とされている。これにより、固定部材１６ｊにより
上下方向から押圧される振動羽根１６ｆの部分は湾曲せ
しめられ、振動羽根１６ｆの先端部は水平面に対して角
度αをなしている。この角度αは、例えば−３０°以上
３０°以下好ましくは−２０°以上２０°以下とするこ
とができる。特に、角度αは、−３０°以上−５°以下
または５°以上３０°以下、好ましくは−２０°以上−
１０°以下または１０°以上２０°以下とするのが好ま
しい。固定部材１６ｊの押圧面を平面とした場合には、
角度αは０°である。角度αは、全ての振動羽根１６ｆ
について同一である必要はなく、例えば図１に示されて
いるように、下方の１〜２枚の振動羽根１６ｆについて
は−の値（即ち下向き：図６に示されるものと逆向き）
とし、それ以外の振動羽根１６ｆについては＋の値（即
ち上向き：図６に示される向き）とすることができる。
１６ｆの取り付け部の変形例を示す図である。この変形
例では、各振動羽根１６ｆを上側及び下側のナット１６
ｎにより個別に振動伝達ロッド１６ｅへ取り付けてい
る。尚、振動羽根１６ｆと固定部材１６ｊとの間にフッ
素系樹脂やフッ素系ゴムなどからなる弾性部材シート１
６ｐを介在させることで、振動羽根１６ｆの破損を防止
することができる。図示されているように、上側の固定
部材１６ｊの下面（押圧面）は凸円筒円とされており、
下側の固定部材１６ｊの上面（押圧面）は対応する凹円
筒円とされている。これにより、固定部材１６ｊにより
上下方向から押圧される振動羽根１６ｆの部分は湾曲せ
しめられ、振動羽根１６ｆの先端部は水平面に対して角
度αをなしている。この角度αは、例えば−３０°以上
３０°以下好ましくは−２０°以上２０°以下とするこ
とができる。特に、角度αは、−３０°以上−５°以下
または５°以上３０°以下、好ましくは−２０°以上−
１０°以下または１０°以上２０°以下とするのが好ま
しい。固定部材１６ｊの押圧面を平面とした場合には、
角度αは０°である。角度αは、全ての振動羽根１６ｆ
について同一である必要はなく、例えば図１に示されて
いるように、下方の１〜２枚の振動羽根１６ｆについて
は−の値（即ち下向き：図６に示されるものと逆向き）
とし、それ以外の振動羽根１６ｆについては＋の値（即
ち上向き：図６に示される向き）とすることができる。
【００２９】振動羽根１６ｆとしては、弾力性のある金
属板、合成樹脂板またはゴム板などを用いることができ
る。振動羽根１６ｆの厚みは、振動流動発生部１６の作
動時に、振動羽根１６ｆの先端縁部分がフラッター現象
（波打つような状態）を呈するように設定される。振動
羽根１６ｆがステンレス鋼板などの金属板からなる場合
には、その厚みは０．２〜２ｍｍとすることができる。
また、振動羽根１６ｆが合成樹脂板やゴム板からなる場
合には、その厚みは０．５〜１０ｍｍとすることができ
る。
属板、合成樹脂板またはゴム板などを用いることができ
る。振動羽根１６ｆの厚みは、振動流動発生部１６の作
動時に、振動羽根１６ｆの先端縁部分がフラッター現象
（波打つような状態）を呈するように設定される。振動
羽根１６ｆがステンレス鋼板などの金属板からなる場合
には、その厚みは０．２〜２ｍｍとすることができる。
また、振動羽根１６ｆが合成樹脂板やゴム板からなる場
合には、その厚みは０．５〜１０ｍｍとすることができ
る。
【００３０】図１〜３において、揺動モータ２０は連結
ロッド２２を介して揺動フレーム２４と接続されてい
る。該揺動フレーム２４は、レール２６上にて水平方向
（図１における左右方向）に往復移動可能なように配置
されている。揺動フレーム２４には振動モータ２８が取
り付けられている。揺動フレーム２４には、また、陰極
ブスバー３０及び陽極ブスバー３２が揺動フレーム２４
との絶縁状態を維持して取り付けられており、これらは
それぞれ電源回路３４の負極端子及び正極端子に接続さ
れている。電源回路３４は交流電圧から矩形波状電圧を
作成することができるものであり、このような電源回路
は例えばトランジスタを用いた整流回路を有するもので
あり、パルス電源装置として知られている。
ロッド２２を介して揺動フレーム２４と接続されてい
る。該揺動フレーム２４は、レール２６上にて水平方向
（図１における左右方向）に往復移動可能なように配置
されている。揺動フレーム２４には振動モータ２８が取
り付けられている。揺動フレーム２４には、また、陰極
ブスバー３０及び陽極ブスバー３２が揺動フレーム２４
との絶縁状態を維持して取り付けられており、これらは
それぞれ電源回路３４の負極端子及び正極端子に接続さ
れている。電源回路３４は交流電圧から矩形波状電圧を
作成することができるものであり、このような電源回路
は例えばトランジスタを用いた整流回路を有するもので
あり、パルス電源装置として知られている。
【００３１】本発明でめっき電流を発生させるのに使用
される電源回路（電源装置）としては、交流を整流（直
流成分の付加を含む）して出力するものが用いられる。
このような電源装置または整流器としては、トランジス
タ調整式電源、ドロッパー方式の電源、スイッチング電
源、シリコン整流器、ＳＣＲ型整流器、高周波型整流
器、インバータデジタル制御方式の整流器（例えば
（株）中央製作所製のＰｏｗｅｒ Ｍａｓｔｅｒ）、
（株）三社電機製作所製のＫＴＳシリーズ、四国電機株
式会社製のＲＣＶ電源、スイッチングレギュレータ式電
源とトランジスタスイッチとからなりトランジスタスイ
ッチがＯＮ−ＯＦＦすることで矩形波状のパルス電流を
供給するもの、高周波スイッチング電源（交流をダイオ
ードにて直流に変換した後にパワートランドスタで２０
〜３０ＫＨｚの高周波をトランスに加えて再度整流、平
滑化し出力を取り出す）、ＰＲ式整流器、高周波制御方
式の高速パルスＰＲ電源（例えばＨｉＰＲシリーズ
（（株）千代田）などが利用可能である。
される電源回路（電源装置）としては、交流を整流（直
流成分の付加を含む）して出力するものが用いられる。
このような電源装置または整流器としては、トランジス
タ調整式電源、ドロッパー方式の電源、スイッチング電
源、シリコン整流器、ＳＣＲ型整流器、高周波型整流
器、インバータデジタル制御方式の整流器（例えば
（株）中央製作所製のＰｏｗｅｒ Ｍａｓｔｅｒ）、
（株）三社電機製作所製のＫＴＳシリーズ、四国電機株
式会社製のＲＣＶ電源、スイッチングレギュレータ式電
源とトランジスタスイッチとからなりトランジスタスイ
ッチがＯＮ−ＯＦＦすることで矩形波状のパルス電流を
供給するもの、高周波スイッチング電源（交流をダイオ
ードにて直流に変換した後にパワートランドスタで２０
〜３０ＫＨｚの高周波をトランスに加えて再度整流、平
滑化し出力を取り出す）、ＰＲ式整流器、高周波制御方
式の高速パルスＰＲ電源（例えばＨｉＰＲシリーズ
（（株）千代田）などが利用可能である。
【００３２】ここで、電流波形について説明する。めっ
きの高速化とめっき被膜の特性改良とを実現するために
は、めっき電流波形の選択が重要である。電気めっきに
必要な電圧・電流の条件は、めっきの種類や浴の組成や
めっき槽の寸法などによって異なり一概に規定すること
はできないが、現状では、めっき電圧は直流の２〜１５
Ｖあれば全体を十分にカバーすることができる。そこ
で、めっき用直流電源の定格出力電圧は、６Ｖ、８Ｖ、
１２Ｖ、１５Ｖの４種類が業界の標準になっている。こ
の定格電圧以下の電圧は調整可能となっているので、め
っきに必要な所望の電圧値に対して若干の余裕を見た定
格電圧の電源を選定するのが好ましい。業界において、
電源の定格出力電流は、５００Ａ、１０００Ａ、２００
０Ａ〜１００００Ａ程度まで標準化されており、その他
は注文生産の形態をとっている。被めっき物品の種類及
び表面積に応じて、被めっき物品の所要電流密度×被め
っき物品の表面積として電源の所要電流容量を決定し、
これに見合う適切な標準電源を選定することが得策であ
る。
きの高速化とめっき被膜の特性改良とを実現するために
は、めっき電流波形の選択が重要である。電気めっきに
必要な電圧・電流の条件は、めっきの種類や浴の組成や
めっき槽の寸法などによって異なり一概に規定すること
はできないが、現状では、めっき電圧は直流の２〜１５
Ｖあれば全体を十分にカバーすることができる。そこ
で、めっき用直流電源の定格出力電圧は、６Ｖ、８Ｖ、
１２Ｖ、１５Ｖの４種類が業界の標準になっている。こ
の定格電圧以下の電圧は調整可能となっているので、め
っきに必要な所望の電圧値に対して若干の余裕を見た定
格電圧の電源を選定するのが好ましい。業界において、
電源の定格出力電流は、５００Ａ、１０００Ａ、２００
０Ａ〜１００００Ａ程度まで標準化されており、その他
は注文生産の形態をとっている。被めっき物品の種類及
び表面積に応じて、被めっき物品の所要電流密度×被め
っき物品の表面積として電源の所要電流容量を決定し、
これに見合う適切な標準電源を選定することが得策であ
る。
【００３３】パルス波は、本来は幅ｗが周期Ｔに比べて
十分に短いものを言うが、この定義は厳密なものではな
い。また、パルス波には方形波以外のものも含む。パル
ス回路に用いる素子の動作速度が高くなり、パルス幅も
ｎｓ（１０-9ｓ）以下を扱えるようになった。パルスの
幅が狭くなるにつれて前縁及び後縁の鋭い波形を維持す
るのが困難となる。これは、高い周波数成分を含んでい
るからである。
十分に短いものを言うが、この定義は厳密なものではな
い。また、パルス波には方形波以外のものも含む。パル
ス回路に用いる素子の動作速度が高くなり、パルス幅も
ｎｓ（１０-9ｓ）以下を扱えるようになった。パルスの
幅が狭くなるにつれて前縁及び後縁の鋭い波形を維持す
るのが困難となる。これは、高い周波数成分を含んでい
るからである。
【００３４】パルス波の種類としては、のこぎり波、ラ
ンプ波、三角波、複合波、矩形波（方形波）などがある
が、本発明では特に電気の効率及び平滑性などから矩形
波が好ましい。
ンプ波、三角波、複合波、矩形波（方形波）などがある
が、本発明では特に電気の効率及び平滑性などから矩形
波が好ましい。
【００３５】パルスめっき用電源の一例を示せば、図２
３に示すように、スイッチングレギュレータ式直流電源
とトランジスタスイッチとを含み、トランジスタスイッ
チが高速でＯＮ−ＯＦＦすることによって、矩形波状の
パルス電流を負荷に供給する。
３に示すように、スイッチングレギュレータ式直流電源
とトランジスタスイッチとを含み、トランジスタスイッ
チが高速でＯＮ−ＯＦＦすることによって、矩形波状の
パルス電流を負荷に供給する。
【００３６】陰極ブスバー３０には被めっき物品Ｘの保
持のための導電性の保持部材４０の上部が機械的及び電
気的に接続されている。被めっき物品保持部材４０の下
部はめっき浴１４中に浸漬されており、この部分に被め
っき物品Ｘが電気的に接続されてクランプ等により保持
されている。なお、図には示されていないが、陽極ブス
バー３２にはめっきされる金属からなる陽極金属部材
（例えばプラスチック製の籠に収容された形態）が機械
的及び電気的に接続されており、その下部はめっき浴１
４中に浸漬されている。尚、陰極ブスバーへの被めっき
物品の取り付け及び陽極ブスバーへの陽極金属部材の取
り付け方法や、陰極ブスバー及び陽極ブスバーの形状及
び構造としては、従来知られている種々のものを使用す
ることができる。
持のための導電性の保持部材４０の上部が機械的及び電
気的に接続されている。被めっき物品保持部材４０の下
部はめっき浴１４中に浸漬されており、この部分に被め
っき物品Ｘが電気的に接続されてクランプ等により保持
されている。なお、図には示されていないが、陽極ブス
バー３２にはめっきされる金属からなる陽極金属部材
（例えばプラスチック製の籠に収容された形態）が機械
的及び電気的に接続されており、その下部はめっき浴１
４中に浸漬されている。尚、陰極ブスバーへの被めっき
物品の取り付け及び陽極ブスバーへの陽極金属部材の取
り付け方法や、陰極ブスバー及び陽極ブスバーの形状及
び構造としては、従来知られている種々のものを使用す
ることができる。
【００３７】図７は被めっき物品の陰極ブスバーへの取
り付けの変形例を示す断面図である。この例では、導電
性の保持部材４０として、陰極ブスバー３０へ取り付け
られる上部のフック部４０ａと、被めっき物品Ｘを挟持
する下部のクランプ部４０ｂと、該クランプ部のクラン
プ力を発生する圧縮バネ４０ｃとを有する。
り付けの変形例を示す断面図である。この例では、導電
性の保持部材４０として、陰極ブスバー３０へ取り付け
られる上部のフック部４０ａと、被めっき物品Ｘを挟持
する下部のクランプ部４０ｂと、該クランプ部のクラン
プ力を発生する圧縮バネ４０ｃとを有する。
【００３８】図１〜３において、揺動モーター２０を作
動させることにより、揺動フレーム２４及び保持部材４
０ひいてはこれに取り付けられた被めっき物品Ｘは例え
ば揺動幅１０〜１００ｍｍ及び揺動数１０〜３０回／分
で揺動せしめられる。また、振動モータ２８は例えばイ
ンバータを用いた制御により１０〜６０Ｈｚ、好ましく
は２０〜３５Ｈｚで振動する。振動モータ２８で発生し
た振動は、揺動フレーム２４及び保持部材４０を介して
被めっき物品Ｘに伝達され、これにより被めっき物品Ｘ
は振幅０．０５〜５．０ｍｍ（例えば０．１〜５．０ｍ
ｍ）で振動数１００〜３００回／分で振動せしめられ
る。
動させることにより、揺動フレーム２４及び保持部材４
０ひいてはこれに取り付けられた被めっき物品Ｘは例え
ば揺動幅１０〜１００ｍｍ及び揺動数１０〜３０回／分
で揺動せしめられる。また、振動モータ２８は例えばイ
ンバータを用いた制御により１０〜６０Ｈｚ、好ましく
は２０〜３５Ｈｚで振動する。振動モータ２８で発生し
た振動は、揺動フレーム２４及び保持部材４０を介して
被めっき物品Ｘに伝達され、これにより被めっき物品Ｘ
は振幅０．０５〜５．０ｍｍ（例えば０．１〜５．０ｍ
ｍ）で振動数１００〜３００回／分で振動せしめられ
る。
【００３９】図８は電源回路３４により陰極ブスバー３
０と陽極ブスバー３２との間に印加される電圧に基づき
被めっき物品Ｘを介して流れるめっき電流（電流密度）
の変化を示すグラフである。図示されているように、め
っき電流は、第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続する第
１状態と第２の値Ｉ２（＜Ｉ１）で第２の時間Ｔ２持続
する第２状態とが交互にあらわれるような矩形のパルス
状のものである。ここで、第１の値Ｉ１と第２の値Ｉ２
とは同一極性である。Ｉ１はＩ２の５倍以上（例えば６
倍以上：例として６〜２５倍）であり好ましくは８〜２
０倍である。また、Ｔ１はＴ２の３倍以上（例えば４倍
以上：例として４〜２５倍）であり好ましくは６〜２０
倍である。このようなめっき電流と上記振動流動発生部
１６によるめっき浴１４の振動流動を組み合わせること
により、微細な導電構造パターンのめっきにおいても良
好な品質及び高い成膜速度を得ることができる。
０と陽極ブスバー３２との間に印加される電圧に基づき
被めっき物品Ｘを介して流れるめっき電流（電流密度）
の変化を示すグラフである。図示されているように、め
っき電流は、第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続する第
１状態と第２の値Ｉ２（＜Ｉ１）で第２の時間Ｔ２持続
する第２状態とが交互にあらわれるような矩形のパルス
状のものである。ここで、第１の値Ｉ１と第２の値Ｉ２
とは同一極性である。Ｉ１はＩ２の５倍以上（例えば６
倍以上：例として６〜２５倍）であり好ましくは８〜２
０倍である。また、Ｔ１はＴ２の３倍以上（例えば４倍
以上：例として４〜２５倍）であり好ましくは６〜２０
倍である。このようなめっき電流と上記振動流動発生部
１６によるめっき浴１４の振動流動を組み合わせること
により、微細な導電構造パターンのめっきにおいても良
好な品質及び高い成膜速度を得ることができる。
【００４０】第１の値Ｉ１及び第１の時間Ｔ１は、めっ
きの種類（例えば、硫酸銅めっき、シアン化銅めっき、
ピロ燐酸銅めっき、ニッケルめっき、黒色ニッケルめっ
き、スルファミン酸ニッケルめっき、クロムめっき、シ
アン化亜鉛めっき、ノーシアン亜鉛めっき、アルカリ性
スズめっき、酸性スズめっき、銀めっき、シアン化金め
っき、酸性金めっき、銅−亜鉛合金めっき、ニッケル−
鉄合金めっき、スズ−鉛合金めっき、パラジウムめっ
き、はんだめっき等）あるいはめっき浴の組成などに応
じて適宜設定されるが、例えば、Ｉ１は０．０１〜１０
０［Ａ／ｄｍ2 ］の範囲内とすることができ、Ｔ１は
０．０１〜３００［秒］（例えば３〜３００［秒］）の
範囲内とすることができる。但し、これに限定されるも
のではなく、最適なＩ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２は、上記め
っきの種類やめっき浴の組成などに応じて広い範囲で変
化することもあり、例えばめっきの進行に伴いめっき浴
の組成が変化することで変化したりする。
きの種類（例えば、硫酸銅めっき、シアン化銅めっき、
ピロ燐酸銅めっき、ニッケルめっき、黒色ニッケルめっ
き、スルファミン酸ニッケルめっき、クロムめっき、シ
アン化亜鉛めっき、ノーシアン亜鉛めっき、アルカリ性
スズめっき、酸性スズめっき、銀めっき、シアン化金め
っき、酸性金めっき、銅−亜鉛合金めっき、ニッケル−
鉄合金めっき、スズ−鉛合金めっき、パラジウムめっ
き、はんだめっき等）あるいはめっき浴の組成などに応
じて適宜設定されるが、例えば、Ｉ１は０．０１〜１０
０［Ａ／ｄｍ2 ］の範囲内とすることができ、Ｔ１は
０．０１〜３００［秒］（例えば３〜３００［秒］）の
範囲内とすることができる。但し、これに限定されるも
のではなく、最適なＩ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２は、上記め
っきの種類やめっき浴の組成などに応じて広い範囲で変
化することもあり、例えばめっきの進行に伴いめっき浴
の組成が変化することで変化したりする。
【００４１】めっき浴１４は、形成すべきめっき膜に応
じて、公知の電気めっき法と同様にして、選択される。
例えば、硫酸銅めっきを行う場合には、スルーホール浴
として、 硫酸銅： ６０〜１００ｇ／Ｌ（リットル） 硫酸： １７０〜２１０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ３０〜８０ｍＬ／Ｌ からなるものを用いることができ、普通浴として、 硫酸銅： １８０〜２５０ｇ／Ｌ 硫酸： ４５〜６０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ２０〜８０ｍＬ／Ｌ からなるものを用いることができる。
じて、公知の電気めっき法と同様にして、選択される。
例えば、硫酸銅めっきを行う場合には、スルーホール浴
として、 硫酸銅： ６０〜１００ｇ／Ｌ（リットル） 硫酸： １７０〜２１０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ３０〜８０ｍＬ／Ｌ からなるものを用いることができ、普通浴として、 硫酸銅： １８０〜２５０ｇ／Ｌ 硫酸： ４５〜６０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ２０〜８０ｍＬ／Ｌ からなるものを用いることができる。
【００４２】また、例えば、ニッケルめっきを行う場合
には、バレル浴として、 硫酸ニッケル： ２７０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル： ６８ｇ／Ｌ ほう酸： ４０ｇ／Ｌ 硫酸マグネシウム： ２２５ｇ／Ｌ からなるものを用いることができ、普通浴として、 硫酸ニッケル： １５０ｇ／Ｌ 塩化アンモニウム： １５ｇ／Ｌ ほう酸： １５ｇ／Ｌ からなるものを用いることができ、ワット浴として、 硫酸ニッケル： ２４０ｇ／Ｌ 塩化アンモニウム： ４５ｇ／Ｌ ｐＨ：４〜５ 浴温度：４５〜５５℃ からなるものを用いることができる。
には、バレル浴として、 硫酸ニッケル： ２７０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル： ６８ｇ／Ｌ ほう酸： ４０ｇ／Ｌ 硫酸マグネシウム： ２２５ｇ／Ｌ からなるものを用いることができ、普通浴として、 硫酸ニッケル： １５０ｇ／Ｌ 塩化アンモニウム： １５ｇ／Ｌ ほう酸： １５ｇ／Ｌ からなるものを用いることができ、ワット浴として、 硫酸ニッケル： ２４０ｇ／Ｌ 塩化アンモニウム： ４５ｇ／Ｌ ｐＨ：４〜５ 浴温度：４５〜５５℃ からなるものを用いることができる。
【００４３】また、例えば、酸性スズめっきを行う場合
には、硫酸塩浴として、 硫酸第一スズ： ５０ｇ／Ｌ 硫酸： １００ｇ／Ｌ クレゾールスルホン酸：１００ｇ／Ｌ ゼラチン： ２ｇ／Ｌ β−ナフトール： １ｇ／Ｌ からなるものを用いることができる。
には、硫酸塩浴として、 硫酸第一スズ： ５０ｇ／Ｌ 硫酸： １００ｇ／Ｌ クレゾールスルホン酸：１００ｇ／Ｌ ゼラチン： ２ｇ／Ｌ β−ナフトール： １ｇ／Ｌ からなるものを用いることができる。
【００４４】被めっき物品Ｘとしては、電子部品、機械
部品その他が挙げられ、特に限定されないが、本発明の
特長が顕著に発揮されるのは、微細構造を有するめっき
膜を形成する場合であり、この様な被めっき物品のめっ
きの例としては、多層配線基板の内径１００μｍ以下
（例えば２０〜１００μｍ：あるいは、特に５０μｍ以
下、更には３０μｍ以下、例えば１０μｍ、５μｍ、３
μｍなど）の微小なブラインドビアホールやスルーホー
ル（例えば深さが１０〜１００μｍのもの）の内面上へ
のめっき導電膜の形成；配線基板のピッチ５０μｍ以下
（例えば２０〜５０μｍ：あるいは、特に３０μｍ以
下、更には２０μｍ以下、例えば１０μｍ、５μｍな
ど）の高密度配線パターンのための幅３０μｍ以下（特
に２０μｍ以下、更には１０μｍ以下、例えば５μｍ、
３μｍなど）の微小幅の溝（例えば深さが７〜７０μｍ
のもの）内での導電膜の形成；半導体装置の多層配線形
成の際の銅ダマシン法での内径０．３μｍ程度或はそれ
以下の極微小なブラインドビアホールや極小溝（例えば
幅が０．１μｍで深さが１．５μｍのもの）への埋め込
み導電膜の形成；半導体装置の高密度配置の微小電極バ
ンプの形成；などが例示される。特に、本発明は、高ア
スペクト比（例えば３倍以上、特に５倍以上）の構造に
適用した場合の改善効果が大きい。
部品その他が挙げられ、特に限定されないが、本発明の
特長が顕著に発揮されるのは、微細構造を有するめっき
膜を形成する場合であり、この様な被めっき物品のめっ
きの例としては、多層配線基板の内径１００μｍ以下
（例えば２０〜１００μｍ：あるいは、特に５０μｍ以
下、更には３０μｍ以下、例えば１０μｍ、５μｍ、３
μｍなど）の微小なブラインドビアホールやスルーホー
ル（例えば深さが１０〜１００μｍのもの）の内面上へ
のめっき導電膜の形成；配線基板のピッチ５０μｍ以下
（例えば２０〜５０μｍ：あるいは、特に３０μｍ以
下、更には２０μｍ以下、例えば１０μｍ、５μｍな
ど）の高密度配線パターンのための幅３０μｍ以下（特
に２０μｍ以下、更には１０μｍ以下、例えば５μｍ、
３μｍなど）の微小幅の溝（例えば深さが７〜７０μｍ
のもの）内での導電膜の形成；半導体装置の多層配線形
成の際の銅ダマシン法での内径０．３μｍ程度或はそれ
以下の極微小なブラインドビアホールや極小溝（例えば
幅が０．１μｍで深さが１．５μｍのもの）への埋め込
み導電膜の形成；半導体装置の高密度配置の微小電極バ
ンプの形成；などが例示される。特に、本発明は、高ア
スペクト比（例えば３倍以上、特に５倍以上）の構造に
適用した場合の改善効果が大きい。
【００４５】また、被めっき物品Ｘとして、平均径が５
〜５００μｍの極小のものを用いることができる。ここ
で、平均径とは、互いに直交する３方向の代表的寸法の
平均値をいうものとする。このような被めっき物品Ｘと
しては、銅粉末や前処理されたアルミニウム粉末や鉄粉
末などの金属粉末、導体化処理されたＡＢＳ樹脂粉末な
どの合成樹脂粉末や、導体化処理されたセラミックチッ
プなどを例示することができる。また、その他の電子部
品、機械部品、金属粉末合金、微粒子無機・有機顔料、
金属ボールなどが挙げられる。
〜５００μｍの極小のものを用いることができる。ここ
で、平均径とは、互いに直交する３方向の代表的寸法の
平均値をいうものとする。このような被めっき物品Ｘと
しては、銅粉末や前処理されたアルミニウム粉末や鉄粉
末などの金属粉末、導体化処理されたＡＢＳ樹脂粉末な
どの合成樹脂粉末や、導体化処理されたセラミックチッ
プなどを例示することができる。また、その他の電子部
品、機械部品、金属粉末合金、微粒子無機・有機顔料、
金属ボールなどが挙げられる。
【００４６】例えば、３００μｍ程度の径の金属粒子例
えばＣｕ粒子にＮｉめっき膜を形成したり、Ｎｉめっき
膜上にＡｕめっき膜やＡｇめっき膜を形成することによ
り複合めっき膜を形成することができる。
えばＣｕ粒子にＮｉめっき膜を形成したり、Ｎｉめっき
膜上にＡｕめっき膜やＡｇめっき膜を形成することによ
り複合めっき膜を形成することができる。
【００４７】また、被めっき物品がプラスチックなどの
電気絶縁性のものである場合には、電気めっきの前処理
として導電性下地付与の処理を行うのであるが、微細構
造で高アスペクト比のめっき面の場合には、通常の無電
解めっきにより導電性下地付与処理を行っても、均一で
良好な導電性下地が形成されにくく、このため電気めっ
きにより得られるめっき膜の厚さが不均一になりやすか
った。このような問題を解消するために、スパッタリン
グや真空蒸着により導電性下地付与を行うことも考えら
れるが、この場合には減圧装置内で処理を行うので、処
理装置のコストが上昇するとともに、大量処理や連続処
理ができないという難点がある。これに対して、本発明
において使用される振動流動のための手段と同様な手段
を用いて処理液を振動流動させながら無電解めっきなど
の導電性下地付与処理を行うことにより、微細構造で高
アスペクト比のめっき面の場合であっても均一性の高い
導電性下地を付与することができる。従って、このよう
な導電性下地処理と本発明の電気めっき方法とを組み合
わせることにより、前処理から電気めっき処理までを連
続して行うことができ、生産性が飛躍的に向上する。
電気絶縁性のものである場合には、電気めっきの前処理
として導電性下地付与の処理を行うのであるが、微細構
造で高アスペクト比のめっき面の場合には、通常の無電
解めっきにより導電性下地付与処理を行っても、均一で
良好な導電性下地が形成されにくく、このため電気めっ
きにより得られるめっき膜の厚さが不均一になりやすか
った。このような問題を解消するために、スパッタリン
グや真空蒸着により導電性下地付与を行うことも考えら
れるが、この場合には減圧装置内で処理を行うので、処
理装置のコストが上昇するとともに、大量処理や連続処
理ができないという難点がある。これに対して、本発明
において使用される振動流動のための手段と同様な手段
を用いて処理液を振動流動させながら無電解めっきなど
の導電性下地付与処理を行うことにより、微細構造で高
アスペクト比のめっき面の場合であっても均一性の高い
導電性下地を付与することができる。従って、このよう
な導電性下地処理と本発明の電気めっき方法とを組み合
わせることにより、前処理から電気めっき処理までを連
続して行うことができ、生産性が飛躍的に向上する。
【００４８】本発明のめっき方法では、振動流動発生部
１６によりめっき浴１４に生ぜしめられる振動流動によ
り微細構造の凹部内へのめっき浴の流通性が改善される
と共に、めっき電流密度を第１状態と該第１状態より十
分に低いけれども同一極性の値で且つ第１状態より十分
に短い時間の第２状態との繰り返しからなるパルス状の
ものとしたことで、膜厚均一性を高めることができ、直
流めっきの場合のような凸部やエッジ部での集中的なめ
っき膜の形成による膜厚不均一やスルーホールやビアホ
ールでのガスピット等の欠陥発生を低減することがで
き、高い表面光沢を得ることが可能となり、また、極性
が反転するパルス状めっき電流の場合のような一旦形成
されためっき膜の一部溶解を伴わないので高い成膜速度
を得ることができ、製造装置構成を簡単化することがで
きる。従って、広範な被めっき物品について、高い良品
率で効率よく高速で所望のめっき膜を形成することがで
きる。
１６によりめっき浴１４に生ぜしめられる振動流動によ
り微細構造の凹部内へのめっき浴の流通性が改善される
と共に、めっき電流密度を第１状態と該第１状態より十
分に低いけれども同一極性の値で且つ第１状態より十分
に短い時間の第２状態との繰り返しからなるパルス状の
ものとしたことで、膜厚均一性を高めることができ、直
流めっきの場合のような凸部やエッジ部での集中的なめ
っき膜の形成による膜厚不均一やスルーホールやビアホ
ールでのガスピット等の欠陥発生を低減することがで
き、高い表面光沢を得ることが可能となり、また、極性
が反転するパルス状めっき電流の場合のような一旦形成
されためっき膜の一部溶解を伴わないので高い成膜速度
を得ることができ、製造装置構成を簡単化することがで
きる。従って、広範な被めっき物品について、高い良品
率で効率よく高速で所望のめっき膜を形成することがで
きる。
【００４９】また、本発明においては、めっき浴１４に
生ぜしめられる振動流動の作用により、被めっき物品Ｘ
と陽極金属部材との距離を近づけて電流密度を高めても
ショートが発生しにくい。このことも、ヤケやコゲなど
の不具合を生ずることなく良好な歩留で且つ高速でめっ
き膜を形成することができる要因であると考えられる。
生ぜしめられる振動流動の作用により、被めっき物品Ｘ
と陽極金属部材との距離を近づけて電流密度を高めても
ショートが発生しにくい。このことも、ヤケやコゲなど
の不具合を生ずることなく良好な歩留で且つ高速でめっ
き膜を形成することができる要因であると考えられる。
【００５０】この様な作用を良好に得るためには、めっ
き浴１４の振動流動の３次元流速が１５０ｍｍ／秒以上
であるのが極めて好ましい。このような高い３次元流速
は、めっき浴を振動流動させることによって効果的に実
現されるものであり、通常の攪拌によっては実現困難で
あり実現するにしても極めて大規模な装置構成が必要と
なる不利がある。
き浴１４の振動流動の３次元流速が１５０ｍｍ／秒以上
であるのが極めて好ましい。このような高い３次元流速
は、めっき浴を振動流動させることによって効果的に実
現されるものであり、通常の攪拌によっては実現困難で
あり実現するにしても極めて大規模な装置構成が必要と
なる不利がある。
【００５１】本実施形態では、揺動フレーム２４の揺動
及び／または振動による被めっき物品Ｘの揺動及び／ま
たは振動を行うことにより上記効果の一層の向上がなさ
れるが、これら被めっき物品Ｘの揺動及び振動を行わな
くとも良好な効果は得られる。揺動フレーム２４、揺動
モータ２０及び振動モータ２８等を使用することなく陰
極ブスバー３０、陽極ブスバー３２、被めっき物品Ｘ及
び陽極金属部材等を支持することで、装置構成が一層簡
単化される。揺動は、被めっき物品Ｘが多層配線基板な
どの比較的全体寸法が大きく或は長尺の平板状のもので
ある場合に、その面内方向に沿って移動させるようにす
ることで、効果が高められる。
及び／または振動による被めっき物品Ｘの揺動及び／ま
たは振動を行うことにより上記効果の一層の向上がなさ
れるが、これら被めっき物品Ｘの揺動及び振動を行わな
くとも良好な効果は得られる。揺動フレーム２４、揺動
モータ２０及び振動モータ２８等を使用することなく陰
極ブスバー３０、陽極ブスバー３２、被めっき物品Ｘ及
び陽極金属部材等を支持することで、装置構成が一層簡
単化される。揺動は、被めっき物品Ｘが多層配線基板な
どの比較的全体寸法が大きく或は長尺の平板状のもので
ある場合に、その面内方向に沿って移動させるようにす
ることで、効果が高められる。
【００５２】図９及び図１０は本発明によるめっき方法
の第２の実施形態の実施されるめっき装置の構成を示す
断面図であり、図１１はその平面図である。
の第２の実施形態の実施されるめっき装置の構成を示す
断面図であり、図１１はその平面図である。
【００５３】この実施形態は、被めっき物品Ｘの保持及
び該被めっき物品への給電の様式が上記図１〜８に関し
説明した第１の実施形態のものと異なり、所謂バレルめ
っき方式を採用したものである。
び該被めっき物品への給電の様式が上記図１〜８に関し
説明した第１の実施形態のものと異なり、所謂バレルめ
っき方式を採用したものである。
【００５４】図９〜１１において、振動フレーム４４が
振動吸収部材としてのコイルバネ４６を介してめっき槽
１２に取り付けられている。振動フレーム４４には、振
動モータ４８及びこれとの重量バランスをとるためのバ
ランスウェイト４９とが取り付けられている。振動フレ
ーム４４には、支持部材５０を介してバレル５２が取り
付けられている。該バレルは、支持部材５０に対して回
転可能に取り付けられており、不図示の駆動手段により
図９において矢印で示される向きに回転せしめられる。
バレル５２内には微小な被めっき物品Ｘが多数収容され
ている。バレル５２の外周面には、被めっき物品Ｘの通
過を阻止し且つめっき浴１４の液体の通過を許容する多
数の小開孔が形成されている。バレル５２内にはその下
部にまで延びた陰極導電部材５４が配置されている。該
陰極導電部材５４は、絶縁被覆配線５４’を介してバレ
ル５２の回転中心にて該バレルに取り付けられたパイプ
部材５２ａ内を通って電源回路３４の負極端子に接続さ
れている。陰極導電部材５４は、バレル回転の際にも回
転することはなく、従ってバレル回転に伴い転動する被
めっき物品Ｘは陰極導電部材５４との接触及び陰極導電
部材５４からの離隔を繰り返す。５６はメッキ浴１４中
に下部が浸漬された陽極金属部材である。該陽極金属部
材５６は、例えばプラスチック製の籠に収容されてお
り、絶縁被覆配線５６’を介して電源回路３４の正極端
子に接続されている。図９に示されているように、陽極
金属部材５６はバレル５２の両側に配置されている。し
かし、陽極金属部材５６は片側にのみ配置してもよい。
振動吸収部材としてのコイルバネ４６を介してめっき槽
１２に取り付けられている。振動フレーム４４には、振
動モータ４８及びこれとの重量バランスをとるためのバ
ランスウェイト４９とが取り付けられている。振動フレ
ーム４４には、支持部材５０を介してバレル５２が取り
付けられている。該バレルは、支持部材５０に対して回
転可能に取り付けられており、不図示の駆動手段により
図９において矢印で示される向きに回転せしめられる。
バレル５２内には微小な被めっき物品Ｘが多数収容され
ている。バレル５２の外周面には、被めっき物品Ｘの通
過を阻止し且つめっき浴１４の液体の通過を許容する多
数の小開孔が形成されている。バレル５２内にはその下
部にまで延びた陰極導電部材５４が配置されている。該
陰極導電部材５４は、絶縁被覆配線５４’を介してバレ
ル５２の回転中心にて該バレルに取り付けられたパイプ
部材５２ａ内を通って電源回路３４の負極端子に接続さ
れている。陰極導電部材５４は、バレル回転の際にも回
転することはなく、従ってバレル回転に伴い転動する被
めっき物品Ｘは陰極導電部材５４との接触及び陰極導電
部材５４からの離隔を繰り返す。５６はメッキ浴１４中
に下部が浸漬された陽極金属部材である。該陽極金属部
材５６は、例えばプラスチック製の籠に収容されてお
り、絶縁被覆配線５６’を介して電源回路３４の正極端
子に接続されている。図９に示されているように、陽極
金属部材５６はバレル５２の両側に配置されている。し
かし、陽極金属部材５６は片側にのみ配置してもよい。
【００５５】振動モータ４８は、例えば上記の振動モー
タ２８と同程度の振幅及び振動数で振動し、被めっき物
品Ｘは振幅０．０５〜５．０ｍｍ（例えば０．１〜５．
０ｍｍ）で振動数１００〜３００回／分で振動せしめら
れる。本実施形態でも、振動フレーム４４の振動による
被めっき物品Ｘの振動を行うことにより効果の一層の向
上がなされるが、この被めっき物品Ｘの振動を行わなく
とも良好な効果は得られる。振動フレーム４４及び振動
モータ４８等を使用することなく支持部材５０及びバレ
ル５２を支持することで、装置構成が一層簡単化され
る。
タ２８と同程度の振幅及び振動数で振動し、被めっき物
品Ｘは振幅０．０５〜５．０ｍｍ（例えば０．１〜５．
０ｍｍ）で振動数１００〜３００回／分で振動せしめら
れる。本実施形態でも、振動フレーム４４の振動による
被めっき物品Ｘの振動を行うことにより効果の一層の向
上がなされるが、この被めっき物品Ｘの振動を行わなく
とも良好な効果は得られる。振動フレーム４４及び振動
モータ４８等を使用することなく支持部材５０及びバレ
ル５２を支持することで、装置構成が一層簡単化され
る。
【００５６】本実施形態において、めっき電流密度は上
記図８に関し説明したと同様に設定される。本実施形態
では、被めっき物品Ｘの各々には、陰極導電部材５４と
の各接触時には、第１状態または第２状態或は第１状態
と第２状態との間で変化する過程のめっき電流が流され
るが、接触時の電流密度のみを連続して表示すれば、平
均的には、図８に示されている様になり、やはり上記第
１の実施形態と同様な効果が得られる。
記図８に関し説明したと同様に設定される。本実施形態
では、被めっき物品Ｘの各々には、陰極導電部材５４と
の各接触時には、第１状態または第２状態或は第１状態
と第２状態との間で変化する過程のめっき電流が流され
るが、接触時の電流密度のみを連続して表示すれば、平
均的には、図８に示されている様になり、やはり上記第
１の実施形態と同様な効果が得られる。
【００５７】本実施形態は、特に微小寸法の被めっき物
品Ｘたとえば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．２ｍｍ程度
の寸法のセラミックチップコンデンサ等のチップ部品に
おける電極膜の形成や直径０．５ｍｍ×長さ２０ｍｍ程
度のピンにおけるめっき膜の形成などを多数の被めっき
物品Ｘについて同時に行う場合に好適である。このよう
に、被めっき物品として長手方向を横切る方向の寸法即
ち幅が５ｍｍ以下、なかでも２ｍｍ以下、そのなかでも
１ｍｍ以下といった微小なものを用いる場合には、めっ
き膜厚の均一性及び成膜速度の点での改善効果が大き
い。その他、被めっき物品Ｘとしては、金属粉末合金、
微粒子無機・有機顔料、金属ボールなどが挙げられる。
品Ｘたとえば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．２ｍｍ程度
の寸法のセラミックチップコンデンサ等のチップ部品に
おける電極膜の形成や直径０．５ｍｍ×長さ２０ｍｍ程
度のピンにおけるめっき膜の形成などを多数の被めっき
物品Ｘについて同時に行う場合に好適である。このよう
に、被めっき物品として長手方向を横切る方向の寸法即
ち幅が５ｍｍ以下、なかでも２ｍｍ以下、そのなかでも
１ｍｍ以下といった微小なものを用いる場合には、めっ
き膜厚の均一性及び成膜速度の点での改善効果が大き
い。その他、被めっき物品Ｘとしては、金属粉末合金、
微粒子無機・有機顔料、金属ボールなどが挙げられる。
【００５８】本発明による電気めっき方法の実施に先立
ち、所要の前処理工程を行うことはもちろんである。こ
れら前処理については、従来公知の電気めっき方法の場
合と同様にして行えばよい。
ち、所要の前処理工程を行うことはもちろんである。こ
れら前処理については、従来公知の電気めっき方法の場
合と同様にして行えばよい。
【００５９】また、本発明方法においてめっき浴中に所
要の振動流動を発生させるのに使用される振動羽根を備
えた振動流動発生部としては、上記特開平１１−１８９
８８０号公報に記載のもの（例えば該公報中の図７〜８
を参照して説明されているように振動羽根をめっき槽の
底部に配置し、振動モータから振動伝達枠を介して振動
を振動羽根に伝達し、振動羽根を水平方向に振動させる
ようにしたもの）や該公報中にて引用されている公報に
記載されているもの等を適宜使用することができる。
要の振動流動を発生させるのに使用される振動羽根を備
えた振動流動発生部としては、上記特開平１１−１８９
８８０号公報に記載のもの（例えば該公報中の図７〜８
を参照して説明されているように振動羽根をめっき槽の
底部に配置し、振動モータから振動伝達枠を介して振動
を振動羽根に伝達し、振動羽根を水平方向に振動させる
ようにしたもの）や該公報中にて引用されている公報に
記載されているもの等を適宜使用することができる。
【００６０】例えば、振動流動発生部としては、図２１
及び図２２に示されているものを使用することができ
る。これらの図において、めっき槽１２の設置されてい
る支持台１３に固定された支持枠１５により、２つの振
動流動発生部１６が支持されている。振動流動発生部１
６において、振動モータ１６ｄから振動伝達を受ける振
動部材１６ｃ’に、上下方向の振動伝達ロッド１６ｅ”
の上端部が取り付けられている。振動伝達ロッド１６
ｅ”は、めっき槽１２内へと延びており、その下端部に
水平方向の振動伝達ロッド１６ｅ’の端部が取り付けら
れている。この振動伝達ロッド１６ｅ’は、２つの振動
流動発生部１６について共用されており、上下方向の振
動羽根１６ｆが取り付けられている。振動モータ１６ｄ
から振動部材１６ｃ’、振動伝達ロッド１６ｅ”，１６
ｅ’を介して振動羽根１６ｆへと振動を伝達し、該振動
羽根１６ｆを水平方向に振動させる。
及び図２２に示されているものを使用することができ
る。これらの図において、めっき槽１２の設置されてい
る支持台１３に固定された支持枠１５により、２つの振
動流動発生部１６が支持されている。振動流動発生部１
６において、振動モータ１６ｄから振動伝達を受ける振
動部材１６ｃ’に、上下方向の振動伝達ロッド１６ｅ”
の上端部が取り付けられている。振動伝達ロッド１６
ｅ”は、めっき槽１２内へと延びており、その下端部に
水平方向の振動伝達ロッド１６ｅ’の端部が取り付けら
れている。この振動伝達ロッド１６ｅ’は、２つの振動
流動発生部１６について共用されており、上下方向の振
動羽根１６ｆが取り付けられている。振動モータ１６ｄ
から振動部材１６ｃ’、振動伝達ロッド１６ｅ”，１６
ｅ’を介して振動羽根１６ｆへと振動を伝達し、該振動
羽根１６ｆを水平方向に振動させる。
【００６１】図１２は本発明によるめっき方法の実施に
使用されるめっき装置の他の形態を示す断面図であり、
図１３はその一部切欠平面図である。この形態は、振動
流動発生部１６の構成が上記実施形態と異なる。即ち、
めっき槽１２の上端縁部に固定された取り付け部材１１
８に対してコイルバネ１６ｂの下端が固定されており、
該コイルバネ１６ｂの上端が固定された振動部材１６ｃ
の下側に振動モータ１６ｄが取り付けられている。尚、
コイルバネ１６ｂ内には、取り付け部材１１８に下端を
固定された下側ガイド部材１２４及び振動部材１６ｃに
上端を固定された上側ガイド部材１２３が互いに適度の
間隔をおいて配置されている。
使用されるめっき装置の他の形態を示す断面図であり、
図１３はその一部切欠平面図である。この形態は、振動
流動発生部１６の構成が上記実施形態と異なる。即ち、
めっき槽１２の上端縁部に固定された取り付け部材１１
８に対してコイルバネ１６ｂの下端が固定されており、
該コイルバネ１６ｂの上端が固定された振動部材１６ｃ
の下側に振動モータ１６ｄが取り付けられている。尚、
コイルバネ１６ｂ内には、取り付け部材１１８に下端を
固定された下側ガイド部材１２４及び振動部材１６ｃに
上端を固定された上側ガイド部材１２３が互いに適度の
間隔をおいて配置されている。
【００６２】図１４及び図１５は本発明によるめっき方
法の実施に使用されるめっき装置を構成する振動流動発
生部のめっき槽への取り付けの他の形態を示す断面図で
あり、図１６はその平面図である。図１４及び図１５は
それぞれ図１６のＸ−Ｘ’断面及びＹ−Ｙ’断面に相当
する。尚、これらの図では、めっき処理のための陰極、
陽極及び電源回路等は図示を省略されている。
法の実施に使用されるめっき装置を構成する振動流動発
生部のめっき槽への取り付けの他の形態を示す断面図で
あり、図１６はその平面図である。図１４及び図１５は
それぞれ図１６のＸ−Ｘ’断面及びＹ−Ｙ’断面に相当
する。尚、これらの図では、めっき処理のための陰極、
陽極及び電源回路等は図示を省略されている。
【００６３】この形態では、振動吸収部材として上記コ
イルバネ１６ｂに代えてゴム板２と金属板１，１’との
積層体３が用いられている。即ち、積層体３は、めっき
槽１２の上端縁部に固定された取り付け部材１１８に防
振ゴム１１２を介して取り付けられた金属板１’をボル
ト１３１により固定し、該金属板１’上にゴム板２を配
置し、該ゴム板２上に金属板１を配置し、これらをボル
ト１１６及びナット１１７により一体化することで形成
されている。
イルバネ１６ｂに代えてゴム板２と金属板１，１’との
積層体３が用いられている。即ち、積層体３は、めっき
槽１２の上端縁部に固定された取り付け部材１１８に防
振ゴム１１２を介して取り付けられた金属板１’をボル
ト１３１により固定し、該金属板１’上にゴム板２を配
置し、該ゴム板２上に金属板１を配置し、これらをボル
ト１１６及びナット１１７により一体化することで形成
されている。
【００６４】振動モータ１６ｄは支持部材１１５を介し
てボルト１３２により金属板１に固定されている。ま
た、振動伝達ロッド１６ｅの上端部はゴムリング１１９
を介して積層体３特に金属板１とゴム板２とに取り付け
られている。即ち、上側金属板１は図１その他に記載さ
れている実施形態の振動部材１６ｃの機能をも発揮する
ものであり、下側金属板１’は図１その他に記載されて
いる実施形態の基台１６ａの機能をも発揮するものであ
る。そして、これら金属板１，１’を含む積層体３（主
としてゴム板２）が図１その他に記載されているコイル
バネ１６ｂと同様な振動吸収機能を発揮する。
てボルト１３２により金属板１に固定されている。ま
た、振動伝達ロッド１６ｅの上端部はゴムリング１１９
を介して積層体３特に金属板１とゴム板２とに取り付け
られている。即ち、上側金属板１は図１その他に記載さ
れている実施形態の振動部材１６ｃの機能をも発揮する
ものであり、下側金属板１’は図１その他に記載されて
いる実施形態の基台１６ａの機能をも発揮するものであ
る。そして、これら金属板１，１’を含む積層体３（主
としてゴム板２）が図１その他に記載されているコイル
バネ１６ｂと同様な振動吸収機能を発揮する。
【００６５】図１７は積層体３の平面図を示す。図１１
〜１６の形態に対応する図１７（ａ）の例では、積層体
３には振動伝達ロッド１６ｅを通すための貫通孔５が形
成されている。また、図１７（ｂ）の例では、積層体３
は貫通孔５を通る分割線により２分割された２つの部分
３ａ，３ｂからなり、これによれば装置組立の際に振動
伝達ロッド１６ｅを容易に通すことができる。また、図
１７（ｃ）の例では、積層体３は、めっき槽１２の上端
縁部に対応する環形状をなしており、中央部に開口６が
形成されている。
〜１６の形態に対応する図１７（ａ）の例では、積層体
３には振動伝達ロッド１６ｅを通すための貫通孔５が形
成されている。また、図１７（ｂ）の例では、積層体３
は貫通孔５を通る分割線により２分割された２つの部分
３ａ，３ｂからなり、これによれば装置組立の際に振動
伝達ロッド１６ｅを容易に通すことができる。また、図
１７（ｃ）の例では、積層体３は、めっき槽１２の上端
縁部に対応する環形状をなしており、中央部に開口６が
形成されている。
【００６６】図１７（ａ），（ｂ）の例では、めっき槽
１２の上部が積層体３により塞がれ、これによりめっき
処理の際にめっき浴１４から揮散するガスや飛散するめ
っき液が周囲へと漏れるのを防止することができる。
１２の上部が積層体３により塞がれ、これによりめっき
処理の際にめっき浴１４から揮散するガスや飛散するめ
っき液が周囲へと漏れるのを防止することができる。
【００６７】図１８は、このような積層体３によるめっ
き槽上部の閉塞（シール）の様子を示す断面図である。
図１８（ａ）の形態では、ゴム板２が貫通孔５において
振動伝達ロッド１６ｅに当接してシールがなされる。ま
た、図１８（ｂ）の形態では、積層体３の開口部６にお
いて該積層体３と振動伝達ロッド１６ｅとに取り付けら
れこれらの間の空隙を塞ぐフレキシブルシール部材１３
６が設けられている。
き槽上部の閉塞（シール）の様子を示す断面図である。
図１８（ａ）の形態では、ゴム板２が貫通孔５において
振動伝達ロッド１６ｅに当接してシールがなされる。ま
た、図１８（ｂ）の形態では、積層体３の開口部６にお
いて該積層体３と振動伝達ロッド１６ｅとに取り付けら
れこれらの間の空隙を塞ぐフレキシブルシール部材１３
６が設けられている。
【００６８】図１９に振動吸収部材としての積層体３の
例を示す。図１９（ｂ）の例は上記図１４〜１６の実施
形態のものである。図１９（ａ）の例では、積層体３は
金属板１とゴム板２とからなる。図１９（ｃ）の例で
は、積層体３は上側金属板１と上側ゴム板２と下側金属
板１’と下側ゴム板２’とからなる。図１９（ｄ）の例
では、積層体３は上側金属板１と上側ゴム板２と中間金
属板１”と下側ゴム板２’と下側金属板１’とからな
る。積層体３における金属板やゴム板の数は、例えば１
〜５とすることができる。尚、本発明においては、ゴム
板のみから振動吸収部材を構成することも可能である。
例を示す。図１９（ｂ）の例は上記図１４〜１６の実施
形態のものである。図１９（ａ）の例では、積層体３は
金属板１とゴム板２とからなる。図１９（ｃ）の例で
は、積層体３は上側金属板１と上側ゴム板２と下側金属
板１’と下側ゴム板２’とからなる。図１９（ｄ）の例
では、積層体３は上側金属板１と上側ゴム板２と中間金
属板１”と下側ゴム板２’と下側金属板１’とからな
る。積層体３における金属板やゴム板の数は、例えば１
〜５とすることができる。尚、本発明においては、ゴム
板のみから振動吸収部材を構成することも可能である。
【００６９】金属板１，１’，１”の材質としては、ス
テンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、その他適宜の合金
を使用することができる。金属板の厚さは、例えば１０
〜４０ｍｍである。但し、積層体以外の部材に対して直
接固定されない金属板（例えば上記中間金属板１”）は
０．３〜１０ｍｍと薄くすることができる。
テンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、その他適宜の合金
を使用することができる。金属板の厚さは、例えば１０
〜４０ｍｍである。但し、積層体以外の部材に対して直
接固定されない金属板（例えば上記中間金属板１”）は
０．３〜１０ｍｍと薄くすることができる。
【００７０】ゴム板２，２’の材質としては、合成ゴム
又は天然ゴムの加硫物を使用することができ、ＪＩＳＫ
６３８６で規定される防振ゴムが好ましく、更に特に静
的剪断弾性率４〜２２ｋｇｆ／ｃｍ2 好ましくは５〜１
０ｋｇｆ／ｃｍ2 、伸び２５０％以上のものが好まし
い。合成ゴムとしては、クロロプレンゴム、ニトリルゴ
ム、ニトリル−クロロプレンゴム、スチレン−クロロプ
レンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、イソプ
レンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴ
ム、エピクロルヒドリン系ゴム、アルキレンオキシド系
ゴム、フッ素系ゴム、シリコーン系ゴム、ウレタン系ゴ
ム、多硫化ゴム、フォスファビンゴムを例示することが
できる。ゴム板の厚さは、例えば５〜６０ｍｍである。
又は天然ゴムの加硫物を使用することができ、ＪＩＳＫ
６３８６で規定される防振ゴムが好ましく、更に特に静
的剪断弾性率４〜２２ｋｇｆ／ｃｍ2 好ましくは５〜１
０ｋｇｆ／ｃｍ2 、伸び２５０％以上のものが好まし
い。合成ゴムとしては、クロロプレンゴム、ニトリルゴ
ム、ニトリル−クロロプレンゴム、スチレン−クロロプ
レンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、イソプ
レンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴ
ム、エピクロルヒドリン系ゴム、アルキレンオキシド系
ゴム、フッ素系ゴム、シリコーン系ゴム、ウレタン系ゴ
ム、多硫化ゴム、フォスファビンゴムを例示することが
できる。ゴム板の厚さは、例えば５〜６０ｍｍである。
【００７１】図１９（ｄ）の例では、積層体３は上側金
属板１とゴム板２と下側金属板１’ととからなり、ゴム
板２が上側ソリッドゴム層２ａとスポンジゴム層２ｂと
下側ソリッドゴム層２ｃとからなる。下側ソリッドゴム
層２ａ，２ｃのうちの一方を除去してもよいし、更に複
数のソリッドゴム層と複数のスポンジゴム層とを積層し
たものであってもよい。
属板１とゴム板２と下側金属板１’ととからなり、ゴム
板２が上側ソリッドゴム層２ａとスポンジゴム層２ｂと
下側ソリッドゴム層２ｃとからなる。下側ソリッドゴム
層２ａ，２ｃのうちの一方を除去してもよいし、更に複
数のソリッドゴム層と複数のスポンジゴム層とを積層し
たものであってもよい。
【００７２】図２０は、上記の実施形態において、電源
回路３４により陰極ブスバー３０と陽極ブスバー３２と
の間に印加される電圧に基づき被めっき物品Ｘを介して
流れるめっき電流（電流密度）の変化の変形例を示すグ
ラフである。この変形例では、第１状態及び第２状態の
電流密度波形が、上記図８に示すような矩形状ではな
く、若干の脈動を生じているものである。このような脈
動は電源回路３４の構成に基づくものであり、本発明で
はめっき電流はこのような脈動電流であってもよい。第
１状態及び第２状態の電流値Ｉ１，Ｉ２としては、それ
ぞれの状態でのピーク値を用いることができる。
回路３４により陰極ブスバー３０と陽極ブスバー３２と
の間に印加される電圧に基づき被めっき物品Ｘを介して
流れるめっき電流（電流密度）の変化の変形例を示すグ
ラフである。この変形例では、第１状態及び第２状態の
電流密度波形が、上記図８に示すような矩形状ではな
く、若干の脈動を生じているものである。このような脈
動は電源回路３４の構成に基づくものであり、本発明で
はめっき電流はこのような脈動電流であってもよい。第
１状態及び第２状態の電流値Ｉ１，Ｉ２としては、それ
ぞれの状態でのピーク値を用いることができる。
【００７３】尚、本発明では、電源回路３４として、第
１状態のための電圧供給系統と第２状態のための電圧供
給系統とを備えたものを用い、これら２つの系統から交
互に出力させるもの（即ち、２つの電源装置を切り替え
て用いるものと等価）を用いてもよい。
１状態のための電圧供給系統と第２状態のための電圧供
給系統とを備えたものを用い、これら２つの系統から交
互に出力させるもの（即ち、２つの電源装置を切り替え
て用いるものと等価）を用いてもよい。
【００７４】以上のようなめっき浴の振動流動とパルス
状めっき電流との組み合わせの技術は、同様に処理浴内
での通電を利用して被処理物の表面処理を行う陽極酸化
法や電解研磨法や電解脱脂法などにも適用することがで
きる。もちろん、処理内容に応じて被処理物は陽極側ま
たは陰極側に配置される。これにより、微細構造をもつ
被処理物品の表面処理を良好に行うことが可能となる。
状めっき電流との組み合わせの技術は、同様に処理浴内
での通電を利用して被処理物の表面処理を行う陽極酸化
法や電解研磨法や電解脱脂法などにも適用することがで
きる。もちろん、処理内容に応じて被処理物は陽極側ま
たは陰極側に配置される。これにより、微細構造をもつ
被処理物品の表面処理を良好に行うことが可能となる。
【００７５】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。
【００７６】実施例１：図１〜３に関して説明した装置
を使用した。ここで、振動モータ１６ｄとして１５０Ｗ
×２００Ｖ×３φのものを用い、めっき槽１２として容
量３００リットルのものを用い、電源回路３４として
（株）中央製作所製のＰｏｗｅｒ Ｍａｓｔｅｒを用い
た。
を使用した。ここで、振動モータ１６ｄとして１５０Ｗ
×２００Ｖ×３φのものを用い、めっき槽１２として容
量３００リットルのものを用い、電源回路３４として
（株）中央製作所製のＰｏｗｅｒ Ｍａｓｔｅｒを用い
た。
【００７７】被めっき物品Ｘとして常法により所定の前
処理を施した８インチ（直径２００ｍｍ）のシリコンウ
エハを用い、多層配線形成のための銅ダマシン法のうち
の銅シード層の施されたブラインドビアホールへの銅埋
め込み導電膜の形成を行った。多数のブラインドビアホ
ールは厚さ０．３５μｍの窒化チタン絶縁層に内径０．
２４μｍで形成されていた。
処理を施した８インチ（直径２００ｍｍ）のシリコンウ
エハを用い、多層配線形成のための銅ダマシン法のうち
の銅シード層の施されたブラインドビアホールへの銅埋
め込み導電膜の形成を行った。多数のブラインドビアホ
ールは厚さ０．３５μｍの窒化チタン絶縁層に内径０．
２４μｍで形成されていた。
【００７８】めっき浴１４としては、硫酸銅めっきのス
ルーホール浴、 硫酸銅： ７５ｇ／Ｌ 硫酸： １９０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ４０ｍＬ／Ｌ を用いた。
ルーホール浴、 硫酸銅： ７５ｇ／Ｌ 硫酸： １９０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ４０ｍＬ／Ｌ を用いた。
【００７９】振動流動発生部１６の振動モータ１６ｄを
４５Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数６５０回／分で振動させ
た。また、振動モータ２８を２５Ｈｚで振動させて、被
めっき物品Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び
振動数２００回／分で振動させた。この時のめっき浴中
の３次元流速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａ（ア
レック電子株式会社製）で測定したところ２００ｍｍ／
秒であった。
４５Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数６５０回／分で振動させ
た。また、振動モータ２８を２５Ｈｚで振動させて、被
めっき物品Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び
振動数２００回／分で振動させた。この時のめっき浴中
の３次元流速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａ（ア
レック電子株式会社製）で測定したところ２００ｍｍ／
秒であった。
【００８０】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝６［Ａ／ウエ
ハ］＝３［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．６［Ａ／ウエ
ハ］，Ｔ１＝１０［秒］，Ｔ２＝１［秒］となる様に、
矩形波状のめっき電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝６［Ａ／ウエ
ハ］＝３［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．６［Ａ／ウエ
ハ］，Ｔ１＝１０［秒］，Ｔ２＝１［秒］となる様に、
矩形波状のめっき電流を流した。
【００８１】１０分間処理を行ったところ、約１０μｍ
厚の銅めっき膜が形成され、多数のブラインドビアホー
ルの全てについて良好な埋め込みがなされていること
が、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
厚の銅めっき膜が形成され、多数のブラインドビアホー
ルの全てについて良好な埋め込みがなされていること
が、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
【００８２】比較例１−１：Ｔ２＝０［秒］とすること
を除いて実施例１と同様な処理を行ったところ、多数の
ブラインドビアホールの一部（５８％）には良好な銅め
っき膜の埋め込みがなされているが残りには良好な銅め
っき膜の埋め込みがなされていないことが、通電、顕微
鏡その他の検査の結果判明した。
を除いて実施例１と同様な処理を行ったところ、多数の
ブラインドビアホールの一部（５８％）には良好な銅め
っき膜の埋め込みがなされているが残りには良好な銅め
っき膜の埋め込みがなされていないことが、通電、顕微
鏡その他の検査の結果判明した。
【００８３】比較例１−２：振動流動発生部１６を作動
させないことを除いて実施例１と同様な処理を行ったと
ころ、多数のブラインドビアホールの一部（１０％）に
は良好な銅めっき膜の埋め込みがなされているが残りに
は良好な銅めっき膜の埋め込みがなされていない（ヤケ
やコゲ等に基づく不良発生あり）ことが、通電、顕微鏡
その他の検査の結果判明した。
させないことを除いて実施例１と同様な処理を行ったと
ころ、多数のブラインドビアホールの一部（１０％）に
は良好な銅めっき膜の埋め込みがなされているが残りに
は良好な銅めっき膜の埋め込みがなされていない（ヤケ
やコゲ等に基づく不良発生あり）ことが、通電、顕微鏡
その他の検査の結果判明した。
【００８４】実施例２：図１〜３に関して説明した装置
（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３４
は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして常
法により所定の前処理を施したＡ４版寸法の多層配線基
板を用い、スルーホール内面へのめっき導電膜の形成を
行った。多数のスルーホールは内径３０μｍφでアスペ
クト比１０であった。
（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３４
は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして常
法により所定の前処理を施したＡ４版寸法の多層配線基
板を用い、スルーホール内面へのめっき導電膜の形成を
行った。多数のスルーホールは内径３０μｍφでアスペ
クト比１０であった。
【００８５】めっき浴１４としては、硫酸銅めっきの普
通浴、 硫酸銅： ２００ｇ／Ｌ 硫酸： ５０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ６０ｍＬ／Ｌ を用いた。
通浴、 硫酸銅： ２００ｇ／Ｌ 硫酸： ５０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ６０ｍＬ／Ｌ を用いた。
【００８６】振動流動発生部１６の振動モータ１６ｄを
５０Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数７００回／分で振動させ
た。また、振動モータ２８を２５Ｈｚで振動させて、被
めっき物品Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び
振動数２００回／分で振動させた。更に、揺動モータ２
０を駆動させて、被めっき物品Ｘをめっき浴１４中で揺
動幅３０ｍｍ及び揺動数２０回／分で揺動させた。この
時のめっき浴中の３次元流速を３次元電磁流速計ＡＣＭ
３００−Ａで測定したところ２００ｍｍ／秒であった。
５０Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数７００回／分で振動させ
た。また、振動モータ２８を２５Ｈｚで振動させて、被
めっき物品Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び
振動数２００回／分で振動させた。更に、揺動モータ２
０を駆動させて、被めっき物品Ｘをめっき浴１４中で揺
動幅３０ｍｍ及び揺動数２０回／分で揺動させた。この
時のめっき浴中の３次元流速を３次元電磁流速計ＡＣＭ
３００−Ａで測定したところ２００ｍｍ／秒であった。
【００８７】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝４［Ａ／ｄｍ
2 ］，Ｉ２＝０．４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝１８０
［秒］，Ｔ２＝２０［秒］となる様に、矩形波状のめっ
き電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝４［Ａ／ｄｍ
2 ］，Ｉ２＝０．４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝１８０
［秒］，Ｔ２＝２０［秒］となる様に、矩形波状のめっ
き電流を流した。
【００８８】１０分間処理を行ったところ、多数のスル
ーホールの９９．９％について良好な銅めっき膜が形成
されていることが、通電、顕微鏡その他の検査の結果判
明した。
ーホールの９９．９％について良好な銅めっき膜が形成
されていることが、通電、顕微鏡その他の検査の結果判
明した。
【００８９】比較例２−１：Ｔ２＝０［秒］とすること
を除いて実施例２と同様な処理を行ったところ、多数の
スルーホールの一部（５０％）には全長にわたって良好
な銅めっき膜の形成がなされているが残りには良好な銅
めっき膜の形成がなされていないことが、通電、顕微鏡
その他の検査の結果判明した。
を除いて実施例２と同様な処理を行ったところ、多数の
スルーホールの一部（５０％）には全長にわたって良好
な銅めっき膜の形成がなされているが残りには良好な銅
めっき膜の形成がなされていないことが、通電、顕微鏡
その他の検査の結果判明した。
【００９０】比較例２−２：振動流動発生部１６を作動
させないことを除いて実施例２と同様な処理を行ったと
ころ、多数のスルーホールの一部（１０％）には良好な
銅めっき膜の形成がなされているが残りには良好な銅め
っき膜の形成がなされていない（ヤケやコゲ等に基づく
不良発生あり）ことが、通電、顕微鏡その他の検査の結
果判明した。
させないことを除いて実施例２と同様な処理を行ったと
ころ、多数のスルーホールの一部（１０％）には良好な
銅めっき膜の形成がなされているが残りには良好な銅め
っき膜の形成がなされていない（ヤケやコゲ等に基づく
不良発生あり）ことが、通電、顕微鏡その他の検査の結
果判明した。
【００９１】実施例３：図９〜１１に関して説明した装
置（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３
４は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして
常法により所定の前処理を施した寸法０．６ｍｍ×０．
３ｍｍ×０．２ｍｍのセラミックチップを８００個用
い、その長手方向に関する両端の面及びこれに続く０．
６ｍｍ×０．３ｍｍの面の一部（両端面から０．１ｍｍ
までの領域）に電極膜形成のためのニッケルめっき膜の
形成を行った。
置（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３
４は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして
常法により所定の前処理を施した寸法０．６ｍｍ×０．
３ｍｍ×０．２ｍｍのセラミックチップを８００個用
い、その長手方向に関する両端の面及びこれに続く０．
６ｍｍ×０．３ｍｍの面の一部（両端面から０．１ｍｍ
までの領域）に電極膜形成のためのニッケルめっき膜の
形成を行った。
【００９２】ニッケルめっきの際のめっき浴１４として
は、バレル浴 硫酸ニッケル： ２７０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル： ６８ｇ／Ｌ ほう酸： ４０ｇ／Ｌ 硫酸マグネシウム： ２２５ｇ／Ｌ を用いた。
は、バレル浴 硫酸ニッケル： ２７０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル： ６８ｇ／Ｌ ほう酸： ４０ｇ／Ｌ 硫酸マグネシウム： ２２５ｇ／Ｌ を用いた。
【００９３】振動流動発生部１６の振動モータ１６ｄを
５５Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数７５０回／分で振動させ
た。また、振動モータ４８を振動させて、被めっき物品
Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２５
０回／分で振動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２１０ｍｍ／秒であった。バレル５２としてメッシュ
開口率２０％のものを使用し、バレル回転数を１０ｒｐ
ｍとした。
５５Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数７５０回／分で振動させ
た。また、振動モータ４８を振動させて、被めっき物品
Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２５
０回／分で振動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２１０ｍｍ／秒であった。バレル５２としてメッシュ
開口率２０％のものを使用し、バレル回転数を１０ｒｐ
ｍとした。
【００９４】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝０．４［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．０４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝２０
［秒］，Ｔ２＝２［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝０．４［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．０４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝２０
［秒］，Ｔ２＝２［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
【００９５】５０℃で３０分間の処理を行ったところ、
チップの全てについて約２μｍ厚の良好なニッケルめっ
き膜が形成されていることが、通電、顕微鏡その他の検
査の結果判明した。
チップの全てについて約２μｍ厚の良好なニッケルめっ
き膜が形成されていることが、通電、顕微鏡その他の検
査の結果判明した。
【００９６】比較例３−１：Ｔ２＝０［秒］とすること
を除いて実施例３と同様な処理を行ったところ、チップ
の一部（１２％）には良好なニッケルめっき膜の形成が
なされているが残りには良好なニッケルめっき膜の形成
がなされていないことが、通電、顕微鏡その他の検査の
結果判明した。
を除いて実施例３と同様な処理を行ったところ、チップ
の一部（１２％）には良好なニッケルめっき膜の形成が
なされているが残りには良好なニッケルめっき膜の形成
がなされていないことが、通電、顕微鏡その他の検査の
結果判明した。
【００９７】比較例３−２：振動流動発生部１６を作動
させないことを除いて実施例３と同様な処理を行ったと
ころ、多数のスルーホールの一部（６０％）には良好な
ニッケルめっき膜の形成がなされているが残りには良好
なニッケルめっき膜の形成がなされていないことが、通
電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
させないことを除いて実施例３と同様な処理を行ったと
ころ、多数のスルーホールの一部（６０％）には良好な
ニッケルめっき膜の形成がなされているが残りには良好
なニッケルめっき膜の形成がなされていないことが、通
電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
【００９８】実施例４：実施例３と同様にして、ニッケ
ルめっきの代わりにスズめっきを行った。めっき浴１４
としては、酸性スズめっきの硫酸塩浴、 硫酸第一スズ： ５０ｇ／Ｌ 硫酸： １００ｇ／Ｌ クレゾールスルホン酸： １００ｇ／Ｌ ゼラチン： ２ｇ／Ｌ β−ナフトール： １ｇ／Ｌ を用いた。
ルめっきの代わりにスズめっきを行った。めっき浴１４
としては、酸性スズめっきの硫酸塩浴、 硫酸第一スズ： ５０ｇ／Ｌ 硫酸： １００ｇ／Ｌ クレゾールスルホン酸： １００ｇ／Ｌ ゼラチン： ２ｇ／Ｌ β−ナフトール： １ｇ／Ｌ を用いた。
【００９９】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝０．４［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．０４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝２０
［秒］，Ｔ２＝２［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝０．４［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．０４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝２０
［秒］，Ｔ２＝２［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
【０１００】５０℃で６０分間の処理を行ったところ、
チップの全てについて良好なスズめっき膜が形成されて
いることが、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明し
た。
チップの全てについて良好なスズめっき膜が形成されて
いることが、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明し
た。
【０１０１】比較例４−１：Ｔ２＝０［秒］とすること
を除いて実施例４と同様な処理を行ったところ、チップ
の一部（１０％）には良好なニッケルめっき膜の形成が
なされているが残りには良好なニッケルめっき膜の形成
がなされていないことが、通電、顕微鏡その他の検査の
結果判明した。
を除いて実施例４と同様な処理を行ったところ、チップ
の一部（１０％）には良好なニッケルめっき膜の形成が
なされているが残りには良好なニッケルめっき膜の形成
がなされていないことが、通電、顕微鏡その他の検査の
結果判明した。
【０１０２】比較例４−２：振動流動発生部１６を作動
させないことを除いて実施例３と同様な処理を行ったと
ころ、多数のスルーホールの一部（５７％）には良好な
ニッケルめっき膜の形成がなされているが残りには良好
なニッケルめっき膜の形成がなされていないことが、通
電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
させないことを除いて実施例３と同様な処理を行ったと
ころ、多数のスルーホールの一部（５７％）には良好な
ニッケルめっき膜の形成がなされているが残りには良好
なニッケルめっき膜の形成がなされていないことが、通
電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
【０１０３】実施例５：図９〜１１に関して説明した装
置（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３
４は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして
常法により所定の前処理を施した外形０．５ｍｍφで長
さ２０ｍｍのしんちゅうピンを３０個用い、その外面に
ニッケルめっき膜の形成を行った。
置（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３
４は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして
常法により所定の前処理を施した外形０．５ｍｍφで長
さ２０ｍｍのしんちゅうピンを３０個用い、その外面に
ニッケルめっき膜の形成を行った。
【０１０４】ニッケルめっきの際のめっき浴１４として
は、バレル浴 硫酸ニッケル： ２７０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル： ６８ｇ／Ｌ ほう酸： ４０ｇ／Ｌ 硫酸マグネシウム： ２２５ｇ／Ｌ を用いた。
は、バレル浴 硫酸ニッケル： ２７０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル： ６８ｇ／Ｌ ほう酸： ４０ｇ／Ｌ 硫酸マグネシウム： ２２５ｇ／Ｌ を用いた。
【０１０５】振動流動発生部１６の振動モータ１６ｄを
４５Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数５００回／分で振動させ
た。また、振動モータ４８を振動させて、被めっき物品
Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２０
０回／分で振動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２００ｍｍ／秒であった。バレル５２としてメッシュ
開口率２０％のものを使用し、バレル回転数を１０ｒｐ
ｍとした。
４５Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数５００回／分で振動させ
た。また、振動モータ４８を振動させて、被めっき物品
Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２０
０回／分で振動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２００ｍｍ／秒であった。バレル５２としてメッシュ
開口率２０％のものを使用し、バレル回転数を１０ｒｐ
ｍとした。
【０１０６】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝３［Ａ／ｄｍ
2 ］，Ｉ２＝０．３［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝３０
［秒］，Ｔ２＝３［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝３［Ａ／ｄｍ
2 ］，Ｉ２＝０．３［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝３０
［秒］，Ｔ２＝３［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
【０１０７】５０℃で２０分間処理を行ったところ、ピ
ンの全てについて膜厚均一性良好なニッケルめっき膜が
形成されていることが、膜厚測定、通電、顕微鏡その他
の検査の結果判明した。
ンの全てについて膜厚均一性良好なニッケルめっき膜が
形成されていることが、膜厚測定、通電、顕微鏡その他
の検査の結果判明した。
【０１０８】比較例５−１：Ｔ２＝０［秒］とすること
を除いて実施例５と同様な処理を行ったところ、ピンの
一部（１７％）には良好なニッケルめっき膜の形成がな
されているが残りには膜厚均一性良好なニッケルめっき
膜の形成がなされていないことが、膜厚測定、通電、顕
微鏡その他の検査の結果判明した。
を除いて実施例５と同様な処理を行ったところ、ピンの
一部（１７％）には良好なニッケルめっき膜の形成がな
されているが残りには膜厚均一性良好なニッケルめっき
膜の形成がなされていないことが、膜厚測定、通電、顕
微鏡その他の検査の結果判明した。
【０１０９】比較例５−２：振動流動発生部１６を作動
させないことを除いて実施例５と同様な処理を行ったと
ころ、ピンの一部（６０％）には良好なニッケルめっき
膜の形成がなされているが残りには膜厚均一性良好なニ
ッケルめっき膜の形成がなされていない（ヤケやコゲ等
に基づく不良発生あり）ことが、膜厚測定、通電、顕微
鏡その他の検査の結果判明した。
させないことを除いて実施例５と同様な処理を行ったと
ころ、ピンの一部（６０％）には良好なニッケルめっき
膜の形成がなされているが残りには膜厚均一性良好なニ
ッケルめっき膜の形成がなされていない（ヤケやコゲ等
に基づく不良発生あり）ことが、膜厚測定、通電、顕微
鏡その他の検査の結果判明した。
【０１１０】実施例６：図９〜１１に関して説明した装
置（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３
４は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして
常法により所定の前処理（脱脂処理や帯電処理を含む）
を施した直径３ｍｍφのアクリロニトリル・ブタジエン
・スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）の球体を約３０００
０個用い、その外面に銅めっき膜の形成を行った。
置（振動モータ１６ｄ及びめっき槽１２及び電源回路３
４は実施例１と同様）を使用し、被めっき物品Ｘとして
常法により所定の前処理（脱脂処理や帯電処理を含む）
を施した直径３ｍｍφのアクリロニトリル・ブタジエン
・スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）の球体を約３０００
０個用い、その外面に銅めっき膜の形成を行った。
【０１１１】銅めっきの際のめっき浴１４としては、 硫酸銅： ２００ｇ／Ｌ 硫酸： ５０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ４０ｍＬ／Ｌ のものを用いた。
【０１１２】振動流動発生部１６の振動モータ１６ｄを
４０Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数７００回／分で振動させ
た。また、振動モータ４８を振動させて、被めっき物品
Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２５
０回／分で振動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２１０ｍｍ／秒であった。バレル５２としてメッシュ
開口率２０％のものを使用し、バレル回転数を１０ｒｐ
ｍとした。
４０Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．２ｍｍ及び振動数７００回／分で振動させ
た。また、振動モータ４８を振動させて、被めっき物品
Ｘをめっき浴１４中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２５
０回／分で振動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２１０ｍｍ／秒であった。バレル５２としてメッシュ
開口率２０％のものを使用し、バレル回転数を１０ｒｐ
ｍとした。
【０１１３】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝０．５［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．０４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝３０
［秒］，Ｔ２＝３［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２をそれぞれＩ１＝０．５［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．０４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝３０
［秒］，Ｔ２＝３［秒］となる様に、矩形波状のめっき
電流を流した。
【０１１４】５０℃で３０分間処理を行ったところ、球
体の９９．５％について膜厚均一性良好な銅めっき膜が
形成されていることが、膜厚測定、通電、顕微鏡その他
の検査の結果判明した。
体の９９．５％について膜厚均一性良好な銅めっき膜が
形成されていることが、膜厚測定、通電、顕微鏡その他
の検査の結果判明した。
【０１１５】比較例６−１：Ｔ２＝０［秒］とすること
を除いて実施例６と同様な処理を行ったところ、球体の
一部（４０％）には良好なニッケルめっき膜の形成がな
されているが残りには膜厚均一性良好な銅めっき膜の形
成がなされていないことが、膜厚測定、通電、顕微鏡そ
の他の検査の結果判明した。
を除いて実施例６と同様な処理を行ったところ、球体の
一部（４０％）には良好なニッケルめっき膜の形成がな
されているが残りには膜厚均一性良好な銅めっき膜の形
成がなされていないことが、膜厚測定、通電、顕微鏡そ
の他の検査の結果判明した。
【０１１６】比較例６−２：振動流動発生部１６を作動
させないことを除いて実施例６と同様な処理を行ったと
ころ、球体の一部（５０％）には良好なニッケルめっき
膜の形成がなされているが残りには膜厚均一性良好なニ
ッケルめっき膜の形成がなされていないことが、膜厚測
定、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
させないことを除いて実施例６と同様な処理を行ったと
ころ、球体の一部（５０％）には良好なニッケルめっき
膜の形成がなされているが残りには膜厚均一性良好なニ
ッケルめっき膜の形成がなされていないことが、膜厚測
定、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
【０１１７】実施例７：図１〜３に関して説明した装置
を使用した。ここで、振動モータ１６ｄとして１５０Ｗ
×２００Ｖ×３φのものを用い、めっき槽１２として容
量３００リットルのものを用いた。また、電源回路３４
として、（株）中央製作所製のＰｏｗｅｒ Ｍａｓｔｅ
ｒ ＰＭＤ１型を使用した。
を使用した。ここで、振動モータ１６ｄとして１５０Ｗ
×２００Ｖ×３φのものを用い、めっき槽１２として容
量３００リットルのものを用いた。また、電源回路３４
として、（株）中央製作所製のＰｏｗｅｒ Ｍａｓｔｅ
ｒ ＰＭＤ１型を使用した。
【０１１８】被めっき物品Ｘとして常法により所定の前
処理を施した４０ｍｍ角で厚さ１ｍｍのシリコンウエハ
を用いた。このシリコンウエハの表面には、内径２０μ
ｍで深さ７０μｍのブラインドビアホールが多数形成さ
れていた。
処理を施した４０ｍｍ角で厚さ１ｍｍのシリコンウエハ
を用いた。このシリコンウエハの表面には、内径２０μ
ｍで深さ７０μｍのブラインドビアホールが多数形成さ
れていた。
【０１１９】めっき浴１４としては、硫酸銅めっきのス
ルーホール浴、 硫酸銅： ７５ｇ／Ｌ 硫酸： １９０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ４０ｍＬ／Ｌ を用いた。
ルーホール浴、 硫酸銅： ７５ｇ／Ｌ 硫酸： １９０ｇ／Ｌ 光沢剤： 適量 塩素イオン： ４０ｍＬ／Ｌ を用いた。
【０１２０】尚、めっき槽１２内にはセラミック製散気
管（外径７５ｍｍφ；内径５０ｍｍφ；長さ５００ｍ
ｍ；気孔径５０〜６０μｍ；気孔率３３〜３８％）を配
置し、めっき浴１４内に気泡を発生させた。
管（外径７５ｍｍφ；内径５０ｍｍφ；長さ５００ｍ
ｍ；気孔径５０〜６０μｍ；気孔率３３〜３８％）を配
置し、めっき浴１４内に気泡を発生させた。
【０１２１】振動流動発生部１６の振動モータ１６ｄを
４０Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．１ｍｍ及び振動数６５０回／分で振動させ
た。また、７５Ｗ×２００Ｖ×３φの振動モータ２８を
２５Ｈｚで振動させて、被めっき物品Ｘをめっき浴１４
中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２００回／分で振動さ
せた。この時のめっき浴中の３次元流速を３次元電磁流
速計ＡＣＭ３００−Ａ（アレック電子株式会社製）で測
定したところ２００ｍｍ／秒であった。
４０Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４
中で振幅０．１ｍｍ及び振動数６５０回／分で振動させ
た。また、７５Ｗ×２００Ｖ×３φの振動モータ２８を
２５Ｈｚで振動させて、被めっき物品Ｘをめっき浴１４
中で振幅０．１５ｍｍ及び振動数２００回／分で振動さ
せた。この時のめっき浴中の３次元流速を３次元電磁流
速計ＡＣＭ３００−Ａ（アレック電子株式会社製）で測
定したところ２００ｍｍ／秒であった。
【０１２２】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝１．５［Ａ／
ウエハ］，Ｉ２＝０．１［Ａ／ウエハ］，Ｔ１＝０．０
８［秒］，Ｔ２＝０．０２［秒］となる様に、矩形波状
のめっき電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝１．５［Ａ／
ウエハ］，Ｉ２＝０．１［Ａ／ウエハ］，Ｔ１＝０．０
８［秒］，Ｔ２＝０．０２［秒］となる様に、矩形波状
のめっき電流を流した。
【０１２３】２．５時間処理を行ったところ、多数のブ
ラインドビアホールの全てについて内面に約７μｍの均
一な厚みの銅めっき膜が形成されていることが、通電、
顕微鏡その他の検査の結果判明した。
ラインドビアホールの全てについて内面に約７μｍの均
一な厚みの銅めっき膜が形成されていることが、通電、
顕微鏡その他の検査の結果判明した。
【０１２４】比較例７：Ｔ２＝０［秒］とすることを除
いて実施例７と同様な処理を行ったところ、ブラインド
ビアホールの開口部がめっき膜で閉塞されていること
が、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
いて実施例７と同様な処理を行ったところ、ブラインド
ビアホールの開口部がめっき膜で閉塞されていること
が、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明した。
【０１２５】実施例８：振動流動発生部１６の振動モー
タ１６ｄとして高周波振動モータを用い、これを１５０
Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４中で
振幅０．２ｍｍ及び振動数１２００回／分で振動させ、
処理時間を約１．５時間とすることを除いて、実施例７
と同様な処理を行った。その結果、多数のブラインドビ
アホールの全てについて内面に約７μｍの均一な厚みの
銅めっき膜が形成されていることが、通電、顕微鏡その
他の検査の結果判明した。
タ１６ｄとして高周波振動モータを用い、これを１５０
Ｈｚで振動させて、振動羽根１６ｆをめっき浴１４中で
振幅０．２ｍｍ及び振動数１２００回／分で振動させ、
処理時間を約１．５時間とすることを除いて、実施例７
と同様な処理を行った。その結果、多数のブラインドビ
アホールの全てについて内面に約７μｍの均一な厚みの
銅めっき膜が形成されていることが、通電、顕微鏡その
他の検査の結果判明した。
【０１２６】実施例９：被めっき物品Ｘとして配線基板
用エポキシ樹脂板を用いた。エポキシ樹脂板の表面に
は、内径１５μｍで深さ４０μｍのブラインドビアホー
ルが多数形成されていた。
用エポキシ樹脂板を用いた。エポキシ樹脂板の表面に
は、内径１５μｍで深さ４０μｍのブラインドビアホー
ルが多数形成されていた。
【０１２７】電気めっきの前処理として、脱脂−水洗−
エッチング−水洗−中和−水洗−キャタリスト−水洗−
アクセラレーター−水洗−無電解銅めっきを行って導電
性を付与し、更に、水洗−活性化−水洗−ストライクめ
っきを行った。無電解銅めっき及びストライクめっきに
おいて、図１〜３に関して説明したものと同様な振動流
動発生部によりめっき処理液に同様な振動流動を発生さ
せた。
エッチング−水洗−中和−水洗−キャタリスト−水洗−
アクセラレーター−水洗−無電解銅めっきを行って導電
性を付与し、更に、水洗−活性化−水洗−ストライクめ
っきを行った。無電解銅めっき及びストライクめっきに
おいて、図１〜３に関して説明したものと同様な振動流
動発生部によりめっき処理液に同様な振動流動を発生さ
せた。
【０１２８】電気めっきは、実施例７と同様にして行っ
た。但し、更に揺動モータ２０を駆動させて、被めっき
物品Ｘをめっき浴１４中で揺動幅３０ｍｍ及び揺動数２
０回／分で揺動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２００ｍｍ／秒であった。
た。但し、更に揺動モータ２０を駆動させて、被めっき
物品Ｘをめっき浴１４中で揺動幅３０ｍｍ及び揺動数２
０回／分で揺動させた。この時のめっき浴中の３次元流
速を３次元電磁流速計ＡＣＭ３００−Ａで測定したとこ
ろ２００ｍｍ／秒であった。
【０１２９】電源回路３４により、図８に示されている
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝４．５［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝０．０
８［秒］，Ｔ２＝０．０１５［秒］となる様に、矩形波
状のめっき電流を流した。
Ｉ１，Ｉ２，Ｔ１，Ｔ２がそれぞれＩ１＝４．５［Ａ／
ｄｍ2 ］，Ｉ２＝０．４［Ａ／ｄｍ2 ］，Ｔ１＝０．０
８［秒］，Ｔ２＝０．０１５［秒］となる様に、矩形波
状のめっき電流を流した。
【０１３０】１時間処理を行ったところ、多数のブライ
ンドビアホールの全てについて良好な埋め込みがなされ
ていることが、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明し
た。
ンドビアホールの全てについて良好な埋め込みがなされ
ていることが、通電、顕微鏡その他の検査の結果判明し
た。
【０１３１】比較例８：Ｔ２＝０［秒］とすることを除
いて実施例９と同様な処理を行ったところ、ブラインド
ビアホールの開口部はめっき膜で閉塞されたが奥部に空
隙が残留していることが、通電、顕微鏡その他の検査の
結果判明した。
いて実施例９と同様な処理を行ったところ、ブラインド
ビアホールの開口部はめっき膜で閉塞されたが奥部に空
隙が残留していることが、通電、顕微鏡その他の検査の
結果判明した。
【０１３２】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の電気めっき
方法によれば、めっき膜導電パターンが微細であって
も、欠陥や膜厚不均一性などがなく良好な品質でめっき
膜を形成することが可能である。また、本発明によれ
ば、微細構造の導電パターンの良好な品質のめっき膜を
高速に得ることが可能である。更に、本発明によれば、
微細構造の導電パターンの良好な品質のめっき膜を比較
的小さな装置構成で効率よく得ることが可能である。
方法によれば、めっき膜導電パターンが微細であって
も、欠陥や膜厚不均一性などがなく良好な品質でめっき
膜を形成することが可能である。また、本発明によれ
ば、微細構造の導電パターンの良好な品質のめっき膜を
高速に得ることが可能である。更に、本発明によれば、
微細構造の導電パターンの良好な品質のめっき膜を比較
的小さな装置構成で効率よく得ることが可能である。
【図１】本発明によるめっき方法の第１の実施形態の実
施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明によるめっき方法の第１の実施形態の実
施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明によるめっき方法の第１の実施形態の実
施されるめっき装置の構成を示す平面図である。
施されるめっき装置の構成を示す平面図である。
【図４】振動部材への振動伝達ロッドの取り付け部の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図５】振動伝達ロッドへの振動羽根の取り付け部の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図６】振動伝達ロッドへの振動羽根の取り付け部の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図７】被めっき物品の陰極ブスバーへの取り付けの変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図８】被めっき物品を介して流れるめっき電流の変化
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図９】本発明によるめっき方法の第２の実施形態の実
施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明によるめっき方法の第２の実施形態の
実施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
実施されるめっき装置の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明によるめっき方法の第２の実施形態の
実施されるめっき装置の構成を示す平面図である。
実施されるめっき装置の構成を示す平面図である。
【図１２】本発明によるめっき方法の実施に使用される
めっき装置を示す断面図である。
めっき装置を示す断面図である。
【図１３】図１２のめっき装置の一部切欠平面図であ
る。
る。
【図１４】本発明によるめっき方法の実施に使用される
めっき装置を構成する振動流動発生部のめっき槽への取
り付けを示す断面図である。
めっき装置を構成する振動流動発生部のめっき槽への取
り付けを示す断面図である。
【図１５】本発明によるめっき方法の実施に使用される
めっき装置を構成する振動流動発生部のめっき槽への取
り付けを示す断面図である。
めっき装置を構成する振動流動発生部のめっき槽への取
り付けを示す断面図である。
【図１６】本発明によるめっき方法の実施に使用される
めっき装置を構成する振動流動発生部のめっき槽への取
り付けを示す平面図である。
めっき装置を構成する振動流動発生部のめっき槽への取
り付けを示す平面図である。
【図１７】積層体の平面図である。
【図１８】積層体によるめっき槽上部の閉塞の様子を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１９】積層体を示す図である。
【図２０】被めっき物品を介して流れるめっき電流の変
化を示すグラフである。
化を示すグラフである。
【図２１】振動流動発生部の変形例を示す断面図であ
る。
る。
【図２２】図２１の振動流動発生部を示す平面図であ
る。
る。
【図２３】パルスめっき用電源の一例を示す図である。
１，１’，１” 金属板 ２，２’ ゴム板 ２ａ，２ｃ ソリッドゴム層 ２ｂ スポンジゴム層 ３ 積層体 ５ 貫通孔 ６ 開口 １２ めっき槽 １３ 支持台 １４ めっき浴 １５ 支持枠 １６ 振動流動発生部 １６ａ 基台 １６ｂ コイルバネ １６ｃ 振動部材 １６ｄ 振動モータ １６ｅ 振動伝達ロッド １６ｆ 振動羽根 １６ｇ１，１６ｇ２ 振動応力分散部材 １６ｈ１，１６ｈ２ ワッシャ １６ｉ１，１６ｉ２；１６ｉ３，１６ｉ４ ナット １６ｊ 振動羽根固定部材 １６ｋ スペーサリング １６ｍ，１６ｎ ナット １６ｐ 弾性部材シート ２０ 揺動モータ ２２ 連結ロッド ２４ 揺動フレーム ２６ レール ２８ 振動モータ ３０ 陰極ブスバー ３２ 陽極ブスバー ３４ 電源回路 ４０ 被めっき物品保持部材 ４０ａ 上部フック部 ４０ｂ 下部クランプ部 ４０ｃ 圧縮バネ ４４ 振動フレーム ４６ コイルバネ ４８ 振動モータ ４９ バランスウェイト ５０ バレル支持部材 ５２ バレル ５２ａ パイプ部材 ５４ 陰極導電部材 ５４’，５６’ 絶縁被覆配線 ５６ 陽極金属部材 １１２ 防振ゴム １１６ ボルト １１７ ナット １１８ 取り付け部材 １１９ ゴムリング １２３ 上側ガイド部材 １２４ 下側ガイド部材 １３１，１３２ ボルト １３６ フレキシブルシール部材 Ｘ 被めっき物品
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 7/12 Ｃ２５Ｄ 7/12 17/16 17/16 Ａ 21/12 21/12 Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ
Claims (11)
- 【請求項１】 振動発生手段に連係してめっき浴内で振
動する振動棒に一段または多段に固定された振動羽根を
振動させることにより前記めっき浴に振動流動を発生さ
せながら、前記めっき浴と接触するように配置された被
めっき物品を陰極とし且つ前記めっき浴と接触するよう
に配置された金属部材を陽極とし、前記陰極と前記陽極
との間に電圧を印加し、この際に前記陽極から前記めっ
き浴を介して前記陰極へと流れるめっき電流がパルス状
であり第１の値Ｉ１で第１の時間Ｔ１持続する第１状態
及び前記第１の値と同一極性の第２の値Ｉ２で第２の時
間Ｔ２持続する第２状態を交互にとり、前記第１の値Ｉ
１は前記第２の値Ｉ２の５倍以上であり、前記第１の時
間Ｔ１は前記第２の時間Ｔ２の３倍以上であることを特
徴とする電気めっき方法。 - 【請求項２】 前記第１の値Ｉ１は前記第２の値Ｉ２の
６〜２５倍であり、前記第１の時間Ｔ１は前記第２の時
間Ｔ２の４〜２５倍であることを特徴とする、請求項１
に記載の電気めっき方法。 - 【請求項３】 前記第１の時間Ｔ１は０．０１秒〜３０
０秒であることを特徴とする、請求項１〜２のいずれか
に記載の電気めっき方法。 - 【請求項４】 前記振動羽根は振幅０．０５〜１０．０
ｍｍ及び振動数２００〜１５００回／分で振動せしめら
れることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載
の電気めっき方法。 - 【請求項５】 前記めっき浴の振動流動は３次元流速が
１５０ｍｍ／秒以上であることを特徴とする、請求項１
〜４のいずれかに記載の電気めっき方法。 - 【請求項６】 前記振動発生手段は１０〜５００Ｈｚで
振動することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに
記載の電気めっき方法。 - 【請求項７】 前記被めっき物品を振幅０．０５〜５．
０ｍｍ及び振動数１００〜３００回／分で振動させるこ
とを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の電気
めっき方法。 - 【請求項８】 前記被めっき物品を揺動幅１０〜１００
ｍｍ及び揺動数１０〜３０回／分で揺動させることを特
徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の電気めっき
方法。 - 【請求項９】 前記被めっき物品は寸法５０μｍ以下の
微細構造をもつ被めっき面を有することを特徴とする、
請求項１〜８のいずれかに記載の電気めっき方法。 - 【請求項１０】 複数の前記被めっき物品を、めっき浴
の液体が通過し得る小開孔を有し且つ前記被めっき物品
と接触することで該被めっき物品にめっき電流を流すた
めの導電部材を有する保持容器中に保持し、該保持容器
を前記めっき浴中で非鉛直方向の回転中心の周りで回転
させることで前記複数の被めっき物品を前記保持容器内
で転動させ、前記被めっき物品のそれぞれと前記導電部
材との接触及び離隔を繰り返すことを特徴とする、請求
項１〜９のいずれかに記載の電気めっき方法。 - 【請求項１１】 前記被めっき物品の幅は５ｍｍ以下で
あることを特徴とする、請求項１０に記載の電気めっき
方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129994A JP2002121699A (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-26 | めっき浴の振動流動とパルス状めっき電流との組み合わせを用いた電気めっき方法 |
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