JPH1036996A - Ｉｃパッケージ用基板のめっき処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 中空状のスルーホールが形成され、このスル
ーホールの一端がソルダレジスト層で閉塞された状態の
ＢＧＡ型パッケージ用基板（ＩＣパッケージ用基板）に
めっき処理を施す際、スルーホール内部にもめっき被膜
を形成する必要があるが、従来のめっき処理装置を使用
してめっき処理を施すと、スルーホール内部の気泡を排
出し切れず、まためっき処理中に水素等のガスが発生す
る場合があるため、めっき被膜が形成されない部分が生
じてしまう。 【解決手段】 めっき槽１１に超音波発生槽１２が付設
され、めっき槽１１と超音波発生槽１２とが枠体１８に
シール材１９を介して接着された隔壁板１７により仕切
られているめっき処理装置１０を使用し、ＩＣパッケー
ジ用基板１３をめっき液１１ａに浸漬させ、続いて超音
波を発生させながら、又は超音波を発生させた後、ＩＣ
パッケージ用基板１３にめっき処理を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＩＣパッケージ用基
板のめっき処理装置に関し、より詳細にはボールグリッ
ドアレイ型パッケージ（以下、ＢＧＡ型パッケージと記
す）におけるスルーホール部又はフォトビア部等、直径
の小さな凹部が形成されたＩＣパッケージ用基板の前記
凹部にめっき処理を施すためのＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子を保護すると同時に、マザー
ボード上に形成された配線との接続を図るため、半導体
素子は種々のパッケージに実装される。前記パッケージ
としては、例えばＱＦＰ(Quad Flat Package) 、ＰＧＡ
(Pin Grid Array)型パッケージ等が挙げられ、これらパ
ッケージは、現在盛んに使用されている。しかし、最近
の半導体素子の高集積化に伴い、半導体素子に形成され
る接続端子の数は急激に増加してきている。従って、マ
ザーボードとの接続を図るためのパッケージの接続端子
の数も増加させる必要があるが、上記したＱＦＰ、ＰＧ
Ａ型パッケージでは、その構造上接続端子の数を増加さ
せるのには限界がある。

【０００３】そこで、最近注目されているのが、ＢＧＡ
型パッケージである。図３は、プラスチック製のＢＧＡ
型パッケージの一例を模式的に示した部分拡大断面図で
ある。

【０００４】このＢＧＡ型パッケージ４０においては、
半導体素子４２がダイボンディングによりプラスチック
基板４１に接続、固定されている。プラスチック基板４
１の両主面には銅（Ｃｕ）等からなる導体層４４ａ、４
４ｂが形成され、これら導体層４４ａ、４４ｂは中空状
のスルーホール４３壁面に形成された導体層４４ｃによ
り接続されている。また、マザーボード接続面４８に
は、スルーホール４３周囲に形成された導体層４４ｂに
近接して電極パッド４９が接続形成され、電極パッド４
９にボール形状のハンダ端子４６が接続されている。ま
た、半導体素子搭載面４７に搭載された半導体素子４２
の電極パッド（図示せず）と導体層４４ａとは、ワイヤ
４５を用いたワイヤボンディングにより接続されてい
る。

【０００５】マザーボード（図示せず）との接続を行う
場合には、例えばこのＢＧＡ型パッケージ４０の電極パ
ッド４９に接続されたハンダ端子４６がマザーボードに
形成された接続端子（図示せず）の直上にくるように位
置合わせを行い、ハンダ端子４６をリフローさせる。

【０００６】しかし、このＢＧＡ型パッケージ４０で
は、ハンダ端子４６を接続するための電極パッド４９を
スルーホール４３と異なる位置に形成しているため、パ
ッケージの面積を大きくとらざるを得ず、パッケージが
大型化してしまうという問題があった。

【０００７】そこで本出願人らは、先に、パッケージの
小型化を図るための手段として、プラスチック基板に形
成された中空状のスルーホール直下にボール状のハンダ
端子が接続されたＢＧＡ型パッケージを提案した（特願
平８−６４９７７号）。

【０００８】図４（ａ）〜（ｃ）は、上記構造を有する
ＢＧＡ型パッケージの製造工程の一部を模式的に示した
部分拡大断面図である。

【０００９】まず、完成したＢＧＡ型パッケージ５０に
ついて説明する。図４（ｃ）に示したように、このＢＧ
Ａ型パッケージ５０においては、プラスチック基板５１
の両主面に導体層５４ａ、５４ｂが形成され、これら導
体層５４ａ、５４ｂはスルーホール５３壁面に形成され
た導体層５４ｃにより接続されている。また、半導体素
子搭載面５７は、導体層５４ａ、５４ｂを保護するため
にソルダレジスト層５２でほぼ全面が被覆されており、
マザーボード接続面５８も、スルーホール５３が形成さ
れている部分の周囲を除き、同様にソルダレジスト層５
２で被覆されている。従って、半導体素子搭載面５７の
スルーホール５３はソルダレジスト層５２により閉塞さ
れているが、その他の部分（スルーホール５３の大部
分、及びマザーボード接続面５８におけるスルーホール
５３の周囲）は、ソルダレジスト層５２が除去されてい
る。また、ソルダレジスト層５２で被覆されていないス
ルーホール５３壁面の導体層５４ｃ、及びマザーボード
接続面５８の導体層５４ｂ上には、めっき被膜５５（Ｎ
ｉ層、又はＮｉ層とＡｕ層）が形成されている。そし
て、このスルーホール５３の直下にボール状のハンダ端
子５６が接続されている。

【００１０】マザーボードとの接続方法は、図３に示し
たＢＧＡ型パッケージ４０の場合とほぼ同様である。

【００１１】このＢＧＡ型パッケージ５０においては、
スルーホール５３の直下にハンダ端子５６が接続されて
いるため、図３に示したＢＧＡ型パッケージ４０のよう
に電極パッド４９を形成するための領域を必要としなく
なり、パッケージの小型化を図ることができる。

【００１２】図４に示したＢＧＡ型パッケージ５０にお
いて、半導体素子との接続をフリップチップボンディン
グにより行う場合、ハンダ端子用の電極パッド（図示せ
ず）を小さな面積の中に整然と配置する必要があるた
め、プラスチック基板５１の表面に導体層５４ａを形成
するのみでは配線が複雑になりすぎ、電極パッドへの接
続配線を形成することが困難な場合がある。そこで、プ
ラスチック基板５１上に、ソルダレジスト層と導体層と
を交互に形成して配線を引き回す、いわゆるビルトアッ
プ基板を形成することにより、フリップチップボンディ
ング用の電極パッドを形成する方法が採用されている。

【００１３】図５（ａ）、（ｂ）は、プラスチック基板
上にビルトアップ基板を形成する際のめっき処理工程を
模式的に示した部分拡大断面図である。

【００１４】スルーホール６３及び導体層６４（６４
ａ、６４ｂ、６４ｃ）が形成されたプラスチック基板６
１上に、感光性樹脂（例えば感光性ポリイミド等）から
なるソルダレジスト層６２ａを形成した後、その一部を
開口することによりフォトビア６７を形成する。次に、
フォトビア６７内部を含んだ所定パターンの導体層６５
ａをスパッタリング、ＣＶＤ(Chemical vapor depositi
on) 等の気相法により形成して、下層の導体層６４ａと
接続する。続いて、必要により上記したソルダレジスト
層６２形成工程と導体層６５形成工程とを繰り返し、最
上層のソルダレジスト層６２ｃにフォトビア６７を形成
した後（図５（ａ））、めっき処理を施し、フォトビア
６７により露出した導体層６５ｂ上にＮｉ層、又はＮｉ
層とＡｕ層とからなるめっき被膜６６を形成する（図５
（ｂ））。このめっき被膜６６の形成部分が電極パッド
となり、この電極パッドにボール状のハンダ端子（図示
せず）を接続する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】図４（ｃ）に示したＢ
ＧＡ型パッケージ５０を製造する際には、導体層５４
ａ、５４ｂ、５４ｃが形成されたプラスチック基板５１
のスルーホール５３内部を含む両主面にソルダレジスト
層５２を形成した後、マザーボード接続面５８にフォト
マスクを介して紫外線等を照射し、マザーボード接続面
５８のスルーホール５３周囲のソルダレジスト層５２、
及びスルーホール５３内部に充填されたソルダレジスト
層５２の大部分を除去する。上記処理により、スルーホ
ール５３は、半導体素子搭載面５７側の部分ではソルダ
レジスト層５２が充填され、閉塞された状態となってい
るが、その他の部分では導体層５４ｃが露出した状態と
なっている（図４（ａ））。

【００１６】このＢＧＡ型パッケージ基板５０ａにめっ
き処理を施すことにより、露出している導体層５４ｂ、
５４ｃ部分にめっき被膜５５を形成し（図４（ｂ））、
その後スルーホール５３の直下にハンダ端子５６を接続
することによりＢＧＡ型パッケージ５０を製造する（図
４（ｃ））。

【００１７】しかし、従来のめっき法では、その直径が
小さいスルーホール５３内部の気泡を排出し切れず、ま
ためっき処理中にスルーホール５３内部に水素等のガス
が発生する場合があるため、スルーホール５３の壁面に
めっき被膜５５が形成されない部分が生じてしまうとい
う課題があった。

【００１８】また、図５（ａ）に示したＢＧＡ型パッケ
ージ用基板６０ａにおいても、フォトビア６７の形成に
より露出した導体層６５ｂ部分にめっき被膜６６を形成
するが、フォトビア６７内部に残存する気泡、又はめっ
き液との反応により発生する水素ガスを排出し切れず、
導体層６５ｂにめっき被膜６６が形成されない部分が生
じてしまうという課題があった。

【００１９】本発明はこれらの課題に鑑みなされたもの
であり、プラスチックＩＣパッケージ基板等のＩＣパッ
ケージ用基板に形成された直径の小さな凹部（例えばス
ルーホール、フォトビア等）の内部を含む部分にめっき
処理を施す際、前記凹部の内部全体にめっき被膜を形成
することができるＩＣパッケージ用基板のめっき処理装
置を提供することをを目的としている。

【００２０】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るＩＣパッケージ用基板のめ
っき処理装置（１）は、ＩＣパッケージ用基板にめっき
被膜を形成するためのめっき槽に超音波発生槽が付設さ
れていることを特徴としている。

【００２１】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（２）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）において、超音波発生槽がめっき
槽の対向する両側面に付設されていることを特徴として
いる。

【００２２】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（３）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）又は（２）において、めっき槽と
超音波発生槽とが超音波の振動を伝搬し得る隔壁板によ
り仕切られていることを特徴としている。

【００２３】上記ＩＣパッケージ用基板のめっき処理装
置（１）〜（３）のいずれかによっても、ＩＣパッケー
ジに形成された直径の小さな凹部の内部を含む部分にめ
っき処理を施す際、上記めっき処理装置により前記凹部
の内部に存在する気泡を外部に排出することができるの
で、前記凹部の内部全体にめっき被膜を形成することが
できる。

【００２４】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（４）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）〜（３）のいずれかにおいて、め
っき被膜形成部と、前処理部及び／又は後処理部とが一
体的に形成され、前記前処理部及び／又は後処理部の全
部又は一部に超音波発生槽が付設されていることを特徴
としている。

【００２５】上記ＩＣパッケージ用基板のめっき処理装
置（４）によれば、ＩＣパッケージに形成された直径の
小さな凹部の内部を含む部分にめっき処理を施す際、前
記前処理や後処理を含む一連のめっき処理工程におい
て、前記凹部の内部に存在する気泡を排出した状態で上
記処理を施すことができ、効率的かつ低コストで前記凹
部の内部を含む部分にめっき被膜を形成することができ
る。

【００２６】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（５）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）〜（４）のいずれかにおいて、め
っき被膜形成部がＮｉめっき被膜を形成するためのめっ
き槽、Ａｕストライク被膜を形成するためのめっき槽、
及びＡｕめっき被膜を形成するためのめっき槽を含んで
構成されていることを特徴としている。

【００２７】上記ＩＣパッケージ用基板のめっき処理装
置（５）によれば、前記ＩＣパッケージ用基板にＮｉめ
っき被膜及びＡｕめっき被膜を連続して形成することが
できる。

【００２８】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（６）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）〜（５）のいずれかにおいて、隔
壁板が剛体又は弾性体により構成され、前記隔壁板がシ
ール材を介してめっき槽と超音波発生槽との間に配置さ
れた枠体に接着されていることを特徴としている。

【００２９】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（７）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）〜（６）のいずれかにおいて、隔
壁板がガラス材、メッキ液により不動態化する金属材
料、又はプラスチック材料よりなることを特徴ととして
いる。

【００３０】また本発明に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（８）は、上記ＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置（１）〜（７）のいずれかにおいて、シ
ール材がフッ素樹脂、又はブタジエン系合成ゴムよりな
ることを特徴としている。

【００３１】上記ＩＣパッケージ用基板のめっき処理装
置（６）〜（８）によれば、前記隔壁が弾性体を介して
接着されているので、超音波発生槽中で発生させた超音
波をめっき槽中に良好に伝搬させることができ、ＩＣパ
ッケージに形成された直径の小さな凹部の内部に存在す
る気泡を排出させた状態で、めっき処理を施すことがで
きる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＩＣパッケー
ジ用基板のめっき処理装置の実施の形態を図面に基づい
て説明する。

【００３３】実施の形態に係るＩＣパッケージ用基板の
めっき処理装置がめっき処理の対象とするＩＣパッケー
ジの種類は特に限定されず、直径の小さい凹部が形成さ
れ、前記凹部の内部にめっき被膜を形成する必要のある
ＩＣパッケージであれば前記めっき処理装置を使用して
めっき処理を施すことができる。特に中空状のスルーホ
ール５３（図４）やソルダレジスト層にフォトビア６７
（図５）が形成されたプラスチック製のＢＧＡ型パッケ
ージを主たる対象とする。

【００３４】図１は実施の形態に係るＩＣパッケージ用
基板のめっき処理装置（以下、単にめっき処理装置と記
す）を模式的に示した断面図である。

【００３５】このめっき処理装置１０は、ＩＣパッケー
ジ用基板にめっき処理を施すためのめっき槽１１と、め
っき槽１１に付設された超音波発生槽１２とを含んで構
成されており、このめっき槽１１と超音波発生槽１２と
の間は、枠体１８にシール材１９を介して接着された隔
壁板１７により仕切られている。めっき槽１１はめっき
液１１ａで満たされており、その内部には、導電性部材
で構成され、ＩＣパッケージ用基板１３に対する配線の
役割も果たす基板固定用部材１５が配置されており、こ
の基板固定用部材１５にＩＣパッケージ用基板１３が固
定、接続されている。一方、この基板固定用部材１５に
は、ＩＣパッケージ用基板１３の両側に配設されるアノ
ード１４も固定されているが、アノード１４と基板固定
用部材１５とが導通しないように、ＩＣパッケージ用基
板１３と接触している部分を除いて基板固定用部材１５
全体が絶縁性の樹脂で被覆されている。アノード１４及
び基板固定用部材１５はそれぞれ配線１４ａ、１５ａを
介して電源（図示せず）に接続されており、電源をオン
にするとめっき液１１ａに所定の電流が流れ、ＩＣパッ
ケージ用基板１３の所定の箇所にめっき被膜が形成され
るようになっている。

【００３６】超音波発生槽１２は純水（反応活性を有さ
ない液体）１２ａで満たされており、内部には超音波振
動子１６が配置されている。この超音波振動子１２によ
り超音波を発生させると、超音波は隔壁板１７を介して
めっき槽１１中に伝搬し、ＩＣパッケージ用基板１３を
振動させることができるようになっている。

【００３７】隔壁板１７を構成する材料は、超音波を吸
収しない、剛体、又は弾性体が好ましく、具体的にはガ
ラス材、チタンのようにめっき液に浸漬しても溶解せ
ず、不動態化する金属材料、又は塩化ビニルのようにめ
っき液に対して耐久性を有するプラスチック材料が好ま
しい。また、隔壁板１７を直接的に枠体１８に接着、固
定すると、超音波を伝搬しにくくなるので、弾性体から
なるシール材１９を介して枠体１８に接着する。シール
材１９としては、例えばポリ四フッ化エチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、ポリフッ化エチレンプロピレン（ＰＦＥ）等のフ
ッ素樹脂、ブタジエンスチレン共重合体、ニトリルゴ
ム、クロロプレンラバーのようなブタジエン系合成ゴム
等が挙げられる。

【００３８】超音波振動子１６は一般使用されているも
のを用いることができるが、振動周波数は２０〜４０ｋ
Ｈｚが好ましく、３８ｋＨｚのものがより好ましい。ま
た超音波の強さは特別な強さを必要としないが、めっき
槽内の位置により超音波の強弱があるので、超音波によ
る振動を必要とする部分が強の位置（例えば４０ｍｍの
倍数となる位置）になるようにＩＣパッケージ用基板１
３を配置するのが望ましい。めっき処理の条件は特別の
条件を必要とせず、従来の場合と同様の条件でよい。

【００３９】超音波発生槽１２は、めっき槽１１の両側
面に付設されていてもよく、まためっき槽１１の底面側
に付設されていてもよい。

【００４０】次に、このめっき処理装置１０を用いたＩ
Ｃパッケージ用基板１３のめっき処理方法を説明する。
ここでは、ＩＣパッケージ用基板１３として、図４に示
したＢＧＡ型パッケージ基板５０ａを使用し、このＢＧ
Ａ型パッケージ基板５０ａにＮｉめっき処理及びＡｕめ
っき処理を施す場合について説明することにする。

【００４１】まず、ＢＧＡ型パッケージ基板５０ａに、
水洗や酸洗浄等、所定の前処理を施す。この場合、スル
ーホール５３内部も同様に前処理を施す必要があるた
め、所定の前処理については超音波処理を併用し、スル
ーホール５３内部の気泡を排出した後前処理を施す。次
に、前処理が施されたＢＧＡ型パッケージ基板５０ａを
めっき槽１１内の基板固定用部材１５に取り付け、めっ
き槽１１の内部にＮｉめっき用のめっき液を満たす。次
に、超音波発生槽１２内に配置された超音波振動子１６
を作動させて超音波を発生させ、めっき槽１１内のＢＧ
Ａ型パッケージ基板５０ａに超音波処理を施してスルー
ホール５３内部の気泡を排出した後、配線１４ａ、１５
ａに電流を流して電気めっき処理を行い、導体層５４
ｂ、５４ｃ上にめっき被膜５５（Ｎｉ層）を形成する。
Ｎｉめっき処理では、アノード１４として、Ｎｉ板、メ
ッシュタイプの白金めっきＴｉ、メッシュタイプの不溶
解性アノード材等を用いるが、Ｎｉ板は超音波の伝搬を
妨げるので、超音波処理時にはめっき槽１１から引き上
げておくのが望ましい。

【００４２】次に、Ｎｉ層の上にＡｕ層を形成するが、
Ａｕめっき処理を施す場合には、置換めっき現象が生じ
るため、スルーホール５３内部で水素が発生する。従っ
て、Ａｕめっき処理を施す場合には、めっき処理を行っ
ている間も、超音波をかけておくことが望ましい。超音
波処理の条件は上記Ｎｉめっき処理の場合と同様でよ
い。Ａｕめっき処理では、アノード１４として、通常、
メッシュタイプの白金めっきＴｉを使用するので、超音
波をかけながらＡｕ層を形成することが可能である。

【００４３】図５（ａ）に示したＢＧＡ型パッケージ用
基板６０ａのフォトビア６７のめっき処理方法も上記し
ためっき処理方法と同様に行えばよい。

【００４４】ＩＣパッケージ用基板１３のめっき処理を
効率的に行うために、一連の前処理、めっき被膜の形
成、及び後処理を連続めっき処理装置を用いて行うこと
ができる。図２（ａ）は連続めっき処理装置の一例を模
式的に示した斜視図であり、（ｂ）はその断面図であ
る。

【００４５】連続めっき処理装置２０は、横に長い直方
体形状をなしており、その内部は連設された多数の箱形
の槽に分割されている。これらの槽は、前処理、めっき
被膜の形成、及び後処理に用いられる槽で、めっき被膜
形成部分の脱脂を行う前洗浄槽２２、水洗槽２３、酸化
被膜の除去を行うマイクトエッチング槽２４、酸洗浄槽
２５、Ｎｉめっき槽２６、Ａｕストライクめっき槽２
７、Ａｕめっき槽２８、温水洗浄槽２９、乾燥処理槽３
０、及びこれらの槽の一部に付設された超音波発生槽２
１等である。図２には示していないが、Ｎｉめっき槽２
６等には、電気めっきを行うための装置が配置されてい
る。まためっき処理を施す対象となるＩＣパッケージ用
基板１３は、基板釣支具３１の一端に吊設されており、
他端は図示しない自動浸漬装置に取り付けられている。
この自動浸漬装置はレールの上に載置され、左右に自由
に移動できるようになっており、また基板釣支具３１の
端部を上下に移動させることができるようになってい
る。基板釣支具３１の中央部分はリング状になってお
り、ガイド棒３２に回転自在に支持されている。従っ
て、この自動浸漬装置によりＩＣパッケージ用基板１３
の上下の移動や左右への移動を自由に行うことができ、
例えば前洗浄槽２２の処理液に所定の時間ＩＣパッケー
ジ用基板１３を浸漬させた後引き上げ、横に移動して水
洗槽２３の純水中に再びＩＣパッケージ用基板１３を所
定時間浸漬させた後、引き上げるという作業を繰り返す
ことができる。また、基板釣支具３１を介してＩＣパッ
ケージ用基板１３に電流を流すことができるので、例え
ばＮｉめっき槽２６のめっき液にＩＣパッケージ用基板
１３を浸漬し、そのままめっき被膜を形成することもで
きる。

【００４６】この連続めっき処理装置２０を用いて、Ｉ
Ｃパッケージ用基板１３にめっき処理を施す場合には、
この自動浸漬装置により、前洗浄槽２２等の前処理槽、
めっき槽、後処理槽中の処理液に順次ＩＣパッケージ用
基板１３を浸漬させ、一連の処理を施すことができる。

【００４７】上記連続めっき処理装置２０を使用するこ
とにより、効率的かつ低コストでＩＣパッケージ用基板
１３にめっき処理を施すことができる。

【００４８】上記実施の形態に係るめっき処理装置は、
ＩＣパッケージ用基板１３に無電解めっき処理を施す場
合にも、用いることができることは言うまでもない。

【００４９】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るＩＣパッケー
ジ用基板のめっき処理装置の実施例を説明する。また、
比較例として、前記めっき処置装置を用い、超音波を発
生させることなくめっき処理を施した場合についても説
明する。

【００５０】本実施例及び比較例の場合には、縦が３３
０ｍｍ、横が２５０ｍｍ、厚さが０．３ｍｍのＢＴ（ビ
スマレイミド・トリアジン）レジン製プラスチック基板
に図４（ａ）に示したＢＧＡ型パッケージ用基板５０ａ
が多数形成されたものをめっき処理用の基板として用
い、図２に示した連続めっき処理装置を使用してめっき
処理を行った。 ＜実施例及び比較例に共通の条件＞ めっき処理用基板に形成されたＢＧＡ型パッケージ用基
板５０ａ（図４に示したものと同一の構成） 導体層５４ａ、５４ｂ、５４ｃを構成する金属：Ｃｕ 導体層５４ａ、５４ｂの厚さ：３０μｍ スルーホールの直径：３０μｍ以上 スルホール１３内部の導体層５４ｃの厚さ：２０μｍ ＜実施例の場合の条件＞ めっき処理の条件 脱脂処理（前洗浄槽２２） 脱脂処理溶液の組成 アミン化合物：５ｇ／リットル 脱脂処理溶液の温度：５０℃ 処理時間：５分、超音波処理時間：１分 水洗処理（水洗槽２３） 処理時間：１分、超音波処理時間：１分 マイクロエッチング処理（マイクロエッチング槽２
４） エッチング液の組成 Ｎａ₂ Ｓ₂ Ｏ₈ ：２０ｇ／リットル Ｈ₂ ＳＯ₄ ：５ｇ／リットル エッチング液の温度：室温 処理時間：１分、超音波処理時間：１分 水洗処理（水洗槽２３） 処理時間：１分、超音波処理時間：１分 硫酸洗浄（酸洗浄槽２５） 洗浄液：１５ｗｔ％の硫酸水溶液 処理時間：１分、超音波処理時間：１分 水洗処理（水洗槽２３） 処理時間：１分、超音波処理時間：１分 Ｎｉめっき液中での超音波処理（Ｎｉめっき槽２
６） Ｎｉめっき液（ワット浴）の組成 ＮｉＳＯ₄ ・６Ｈ₂ Ｏ：３００ｇ／リットル ＮｉＣｌ₂ ・６Ｈ₂ Ｏ：３０ｇ／リットル Ｈ₃ ＢＯ₃ ：３０ｇ／リットル Ｎｉめっき浴のｐＨ：５．０±０．２ Ｎｉめっき浴の温度：５５℃ 超音波処理時間：３分 Ｎｉめっき処理（Ｎｉめっき槽２６） 電流密度：２Ａ／ｄｍ² Ｎｉめっき処理の時間：２０分 水洗処理（水洗槽２３） 処理時間：１分 Ａｕストライク処理（Ａｕストライクめっき槽２
７） めっき液の組成 ＫＡｕ（ＣＮ）₂ ：１．５ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：３．７５±０．２５ めっき浴の温度：５０℃ 電流密度：０．２Ａ／ｄｍ² Ａｕめっき処理の時間：２０秒 超音波処理時間：２０秒間 水洗処理（水洗槽２３） 処理時間：１分 Ａｕめっき処理（Ａｕめっき槽２８） めっき浴の組成 ＫＡｕ（ＣＮ）₂ ：１１．７ｇ／リットル 硫酸アンモニウム：７０ｇ／リットル ピロリン酸カリウム：２６ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：６．０±０．５ めっき浴の温度：６５℃ 電流密度：０．２Ａ／ｄｍ² めっき処理時間：１０分 超音波処理時間：１０分 水洗処理、及び温水洗浄処理（水洗槽２３、温水洗
浄槽２９） 水洗処理時間：１分、超音波処理時間：１分 温水洗浄処理：１分 乾燥処理（乾燥処理槽３０） 乾燥処理温度：８０℃、乾燥処理時間：１５分 ＜比較例の条件＞各工程において、超音波処理を施さな
かった他は、上記した実施例の条件と同様の条件でめっ
き処理を施した。

【００５１】＜結果及び評価＞上記めっき処理工程を終
了した後、実施例及び比較例に係るＢＧＡ型パッケージ
基板５０ａをスルーホール５３部分で縦に切断し、スル
ーホール５３内部のめっき被膜５５を顕微鏡又は走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。

【００５２】その結果、実施例の場合には、ソルダレジ
スト層５２で被覆されている部分を除いて、いずれのス
ルーホール５３もスルーホール５３全体にめっき被膜５
５が形成されていた。

【００５３】他方、比較例の場合には、スルーホール５
３のうちの約半分に、スルーホール５３内部にめっき被
膜５５が形成されていない部分が観察された。

【００５４】なお、同様の方法で、図５（ａ）に示した
ＢＧＡ型パッケージ基板５０ａにめっき処理を施し、フ
ォトビア６７内部に露出した導体層６５ｂ全体にめっき
被膜６６が形成されていることを確認した。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るＩＣパッケージ用基
板のめっき処理装置を模式的に示した断面図である。

【図２】（ａ）は別の実施の形態に係るＩＣパッケージ
用基板のめっき処理装置（連続めっき処置装置）を模式
的に示した斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。

【図３】プラスチック製ＢＧＡ型パッケージの一例を模
式的に示した部分拡大断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、ＢＧＡ型パッケージの製造
工程の一部を模式的に示した部分拡大断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｂ）は、ＢＧＡ型パッケージにおけ
るフォトビア部のめっき処理工程を模式的に示した部分
拡大断面図である。

【符号の説明】

１０ めっき処理装置 １１ めっき槽 １２、２２ 超音波発生槽 １３ ＩＣパッケージ用基板 １６ 超音波振動子 １７ 隔壁板 １８ 枠体 １９ シール材 ２０ 連続めっき処理装置 ２６ Ｎｉめっき槽 ２７ Ａｕストライクめっき槽 ２８ Ａｕめっき槽

フロントページの続き (72)発明者 松永 繁春 山口県下関市長府港町７番13号 下関鍍金 株式会社内 (72)発明者 平山 洋治 山口県下関市長府港町７番13号 下関鍍金 株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣパッケージ用基板にめっき被膜を形
   成するためのめっき槽に超音波発生槽が付設されている
   ことを特徴とするＩＣパッケージ用基板のめっき処理装
   置。
2. 【請求項２】 超音波発生槽がめっき槽の対向する両側
   面に付設されていることを特徴とする請求項１記載のＩ
   Ｃパッケージ用基板のめっき処理装置。
3. 【請求項３】 めっき槽と超音波発生槽とが隔壁板によ
   り仕切られていることを特徴とする請求項１又は請求項
   ２記載のＩＣパッケージ用基板のめっき処理装置。
4. 【請求項４】 めっき被膜形成部と、前処理部及び／又
   は後処理部とが一体的に形成され、前記前処理部及び／
   又は後処理部の全部又は一部に超音波発生槽が付設され
   ていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に
   記載のＩＣパッケージ用基板のめっき処理装置。
5. 【請求項５】 めっき被膜形成部がＮｉめっき被膜を形
   成するためのめっき槽、Ａｕストライク被膜を形成する
   ためのめっき槽、及びＡｕめっき被膜を形成するための
   めっき槽を含んで構成されていることを特徴とする請求
   項１〜４のいずれかの項に記載のＩＣパッケージ用基板
   のめっき処理装置。
6. 【請求項６】 隔壁板が剛体又は弾性体により構成さ
   れ、前記隔壁板がシール材を介してめっき槽と超音波発
   生槽との間に配置された枠体に接着されていることを特
   徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載のＩＣパッ
   ケージ用基板のめっき処理装置。
7. 【請求項７】 隔壁板がガラス材、メッキ液により不動
   態化する金属材料、又はプラスチック材料よりなること
   を特徴とする請求項１〜６のいずれかの項に記載のＩＣ
   パッケージ用基板のめっき処理装置。
8. 【請求項８】 シール材がフッ素樹脂、又はブタジエン
   系合成ゴムよりなることを特徴とする請求項１〜７のい
   ずれかの項に記載のＩＣパッケージ用基板のめっき処理
   装置。