JP2009242868A - めっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】軸方向の一端に開口10を有するめっき槽2と、めっき槽2の開口10側に設けられ、被処理物Wを保持する保持手段4と、保持手段4と対向してめっき槽2内に設けられたアノード電極3と、めっき槽2内を、めっき液が貯められるとともに保持手段4により被処理物Wが保持される第1の領域12aと、第1の領域12aの周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第2の領域12bと、に分離する分離体12と、第2の領域12bに貯められた液体と、前記分離体12と、を介して第1の領域12a内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段9と、を備えたことを特徴とするめっき装置,該めっき装置を用いるめっき方法及び電子デバイスの製造方法。
【選択図】図1
Description
図2は、比較例に係るめっき装置を例示するための模式断面図である。
まず、図2に例示をする比較例について説明をする。
図2に示すように、めっき装置100には、めっき槽2、アノード電極3、保持手段4が設けられている。
第1の槽2aは、上方に開口部10を有している。また、第1の槽2aの底部にはめっき液の供給口11が設けられている。そして、供給口11にはポンプ105が接続されている。そのため、ポンプ105によりめっき液が第1の槽2a内に供給され、めっき液が第1の槽2a内を底部から上部に向けて噴流(流通)するようになっている。また、上部に向けて噴流しためっき液は、一部が被処理物Wの被処理面に接触した後、第1の槽2aの開口部周縁から第2の槽2bに溢れでるようになっている。
第1の槽2a内の下方には、アノード電極3が設けられている。アノード電極3は、略円板状を呈し、第1の槽2aと略同軸に設けられている。アノード電極3の周縁と第1の槽2aの内壁との間には、隙間が設けられている。そのため、アノード電極3と第1の槽2aとが絶縁されるとともに、この隙間を介してめっき液が第1の槽2a内に流入できるようになっている。
そして、気泡や塵が被処理物Wの表面の微細な凹部内へ入り込んだ場合には、めっき液の噴流・循環による流れや超音波振動程度では容易に離散させることができない。そのため、気泡や塵を残した状態で金属膜が形成されるおそれがある。この場合、気泡が残留している箇所ではめっき液との接触が妨げられるので、ボイドが発生するおそれがある。また、塵が残留している箇所では塵を異物として取り込んだ金属膜が形成されることになる。その結果、膜欠陥が発生するおそれがある。
また、いずれの場合にしても、超音波振動により発生した気泡が被処理物Wの表面に付着することや被処理物Wの表面の微細な凹部内へ入り込むことを抑制することができない。
図1に示すように、めっき装置1には、めっき槽2、アノード電極3、保持手段4が設けられている。
分離体12の底部にはめっき液の供給口11aが設けられている。そして、供給口11aにはポンプ5が接続されている。そのため、ポンプ5によりめっき液が第1の領域12aに供給され、めっき液が第1の領域12a内を底部から上部に向けて噴流(流通)するようになっている。また、上部に向けて噴流しためっき液は、一部が被処理物Wの被処理面に接触した後、分離体12の開口部から回収タンク7に溢れでるようになっている。回収タンク7は、ポンプ5と接続されている。そのため、第1の領域12aから溢れ出ためっき液は、回収タンク7を介して第1の領域12aに再び供給され、循環使用することができるようになっている。なお、前述したように、めっき液の組成や濃度を一定に保つための図示しないめっき液調整手段や、異物を取り除くための図示しないフィルタなどを適宜設けるようにすることもできる。
まず、アノード電極3と保持手段4(カソード電極)との間の電流の流れに影響を与えない材質であることが好ましい。そのため、絶縁物であることが好ましい。
また、第1の領域12a内にめっき液があることを考慮すると、耐薬品性が高い材質であることが好ましい。この場合、めっき液によっては、第1の領域12a内が強酸環境またはアルカリ環境となることを考慮する必要がある。
また、超音波振動が加えられても発塵しない材質であることが好ましい。
図3は、実験装置の概略構成を例示するための模式図である。
実験装置50には、上端が開放された有底の水槽51、水槽51の底部に設けられた超音波振動手段52、超音波振動手段の電源53、めっき槽54、作用極55、対極56、参照極57、電気化学測定装置58、演算手段としてのパーソナルコンピュータ59、水槽51の外周に同軸に設けられた水槽60が設けられている。
また、超音波振動手段52の出力は電源53で制御することにした。
なお、説明の便宜上、被処理物Wの表面に銅の膜を形成させる場合を例に取り説明をする。
まず、ポンプ5を駆動して硫酸銅水溶液を主成分とするめっき液を第1の領域12a内に供給し、回収タンク7を介して循環させる。また、ポンプ15を駆動して水を第2の領域12b内に供給し、第2の槽2b、回収タンク17を介して循環させる。
また、めっき液が攪拌されることで被処理物Wの表面の微細な凹部内へのめっき液の回り込み(局所的なめっき液の供給・除去)が促進される。また、めっき反応にともない発生した水素などの気泡が被処理物Wの表面に付着したとしても、これを除去することができる。
図5に示すように、めっき装置20にも分離体22が設けられている。分離体22は、第1の槽2aと略同軸となるようにして第1の槽2aの内部に設けられている。分離体22は、上方と下方に開口部を有する略パイプ状を呈している。分離体22の内側には第1の領域22aが形成されている。また、第1の槽2aの内壁と分離体22との間には第2の領域22bが形成されている。
また、分離体22の材質を石英、ガラス、セラミックスなどを含むものとした場合には、分離体22の強度、超音波振動の透過性、経済性などを考慮して肉厚を3mm以上、20mm以下とするのが好ましい。また、3mm以上、10mm以下とすることがさらに好ましい。
また、第2の領域22bのめっき液の緩衝作用により、超音波振動やエロージョンの局所的な集中を緩和させることができる。
そのため、本実施の形態のように、第1の槽2aの上方であって超音波振動手段9が設けられている近傍に分離体22を設けるようにすれば、第2の領域22bで発生した気泡や塵が第1の領域22aに侵入することを抑制することができる。このような構成とすれば、めっき装置20の構成を簡略化することができる。この場合、分離体22は、少なくとも超音波振動手段9が設けられる位置と、被処理物が保持される位置と、の間に設けられるようにすればよい。
本実施の形態においては、図1において例示をしためっき装置1にさらに測定手段30を設けるようにしている。また、測定手段30による測定結果に基づいて、超音波振動手段9の出力を調整する図示しない制御手段が設けられている。
図4において例示をしたように、超音波振動エネルギーを大きくすればめっき反応を促進させることができる。しかしながら、超音波振動エネルギーを大きくしすぎると気泡の発生量が増加するおそれがある。
ここで、均一核として成長する気泡は球形でありその直径が、0.3マイクロメートル〜0.5マイクロメートル程度のものがほとんどであるので、気泡の発生量を気泡の数から測定することもできる。
次に、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について例示をする。
なお、説明の便宜上、電子デバイスの製造方法として半導体装置の製造方法を例に取り説明をする。
半導体装置の製造は、成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより基板(ウェーハ)表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などの複数の工程を繰り返すことにより実施される。
図8は、半導体装置の製造工程におけるめっきの様子を例示するための模式工程断面図である。なお、図8に例示をするものは、微細な溝や孔などに銅を埋め込む場合のものである。
図8(a)に示すように、エッチング法により基板(ウェーハ)W1の表面に微細な溝や孔などが形成される。
そして、図8(b)に示すように、基板(ウェーハ)W1の表面にバリア層60が形成され、その上にさらに銅シード層61が形成される。銅シード層61は、例えばPVD(Physical Vapor Deposition)法などにより形成させることができる。そして、めっきの際に銅シード層61に保持手段4の端子4aを接触させることで、基板(ウェーハ)W1をカソードとして機能させることができるようになる。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
Claims (16)
- 軸方向の一端に開口を有するめっき槽と、
前記めっき槽の前記開口側に設けられ、被処理物を保持する保持手段と、
前記保持手段と対向して前記めっき槽内に設けられた電極と、
前記めっき槽内を、めっき液が貯められるとともに前記保持手段により前記被処理物が保持される第1の領域と、前記第1の領域の周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第2の領域と、に分離する分離体と、
第2の領域に貯められた前記液体と、前記分離体と、を介して前記第1の領域内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段と、
を備えたこと、を特徴とするめっき装置。 - 前記分離体は、少なくとも超音波振動手段が設けられる位置と、前記被処理物が保持される位置と、の間に設けられたこと、を特徴とする請求項1記載のめっき装置。
- 前記分離体は、石英、ガラス、およびセラミックスからなる群より選ばれた少なくとも1種を含むこと、を特徴とする請求項1または2に記載のめっき装置。
- 前記分離体の厚みが、3mm以上、20mm以下であること、を特徴とする請求項3記載のめっき装置。
- 前記電極は、前記第1の領域に設けられたこと、を特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のめっき装置。
- 前記めっき槽内にめっき液を供給する第1の供給手段をさらに備え、
前記第1の供給手段により供給されためっき液が前記めっき槽内を前記軸方向に流通すること、を特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のめっき装置。 - 前記第2の領域に液体を供給する第2の供給手段と、を備え、
前記第2の供給手段により供給された液体が前記第2の領域内を前記軸方向に流通すること、を特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のめっき装置。 - 前記液体および前記めっき液の少なくともいずれかに含まれる気泡を測定する測定手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載のめっき装置。
- 前記測定手段による測定に基づいて、超音波振動手段の出力を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項8記載のめっき装置。
- 第1の領域内にあるめっき液に被処理物を接触させ、
分離体により前記第1の領域と分離された第2の領域内にある液体と、前記分離体と、を介して前記めっき液に超音波振動を加えつつ前記被処理物にめっき層を成膜すること、を特徴とするめっき方法。 - 前記第1の領域内を所定の方向にめっき液を流通させること、を特徴とする請求項10記載のめっき方法。
- 前記第2の領域内を所定の方向に液体を流通させること、を特徴とする請求項10または11に記載のめっき方法。
- 前記液体および前記めっき液の少なくともいずれかに含まれる気泡を測定すること、を特徴とする請求項10〜12のいずれか1つに記載のめっき方法。
- 前記気泡の測定に基づいて、超音波振動の制御を行うこと、を特徴とする請求項13記載のめっき方法。
- 請求項1〜9のいずれか1つに記載のめっき装置を用いて成膜を行うこと、を特徴とする電子デバイスの製造方法。
- 請求項10〜14のいずれか1つに記載のめっき方法により成膜を行うこと、を特徴とする電子デバイスの製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2013095925A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 陽極酸化処理装置 |
WO2016157251A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社Jcu | 処理液の脱気判定方法 |
JP2017186639A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 科▲こう▼電子股▲ふん▼有限公司 | 電解液中の少なくとも一つの汚染性カチオン濃度を低下させる方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51138538A (en) * | 1975-05-27 | 1976-11-30 | Fujitsu Ltd | Ultasonic plating apparatus |
JPS5849434A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 超音波処理装置 |
JPH02217429A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Fujitsu Ltd | メッキ方法および装置 |
JPH1036996A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-10 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | Icパッケージ用基板のめっき処理装置 |
JP2000178785A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-27 | Tokyo Electron Ltd | めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51138538A (en) * | 1975-05-27 | 1976-11-30 | Fujitsu Ltd | Ultasonic plating apparatus |
JPS5849434A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 超音波処理装置 |
JPH02217429A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Fujitsu Ltd | メッキ方法および装置 |
JPH1036996A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-10 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | Icパッケージ用基板のめっき処理装置 |
JP2000178785A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-27 | Tokyo Electron Ltd | めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013095925A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 陽極酸化処理装置 |
WO2016157251A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社Jcu | 処理液の脱気判定方法 |
JP2017186639A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 科▲こう▼電子股▲ふん▼有限公司 | 電解液中の少なくとも一つの汚染性カチオン濃度を低下させる方法 |
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