JP2000178785A - めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 - Google Patents
めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
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- C25D5/20—Electroplating using ultrasonics, vibrations
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体上に均一な厚さのめっき膜を形成す
ることができるめっき装置、めっきシステム及びこれら
を用いためっき処理方法を提供する。 【解決手段】 めっき装置４は、めっき液が充填される
めっき槽１５と、めっき槽１５の上部に配設され、ウエ
ハ２の表面に形成された下地電極１８に接続する第１Ｏ
リング１７と、めっき槽１５内のめっき液が第１Ｏリン
グ１７に接しないようにめっき槽１５の上部に配設され
た第２Ｏリング２０と、めっき槽１５内に配設されたア
ノード板２４と、めっき槽１５内に配設された超音波振
動子２６とを具備している。この第１Ｏリング１７及び
第２Ｏリング２０はリング状に形成されている。第１Ｏ
リング１７は導電性ゴムからなり、第２Ｏリング２０は
耐薬品性ゴムからなっている。
ることができるめっき装置、めっきシステム及びこれら
を用いためっき処理方法を提供する。 【解決手段】 めっき装置４は、めっき液が充填される
めっき槽１５と、めっき槽１５の上部に配設され、ウエ
ハ２の表面に形成された下地電極１８に接続する第１Ｏ
リング１７と、めっき槽１５内のめっき液が第１Ｏリン
グ１７に接しないようにめっき槽１５の上部に配設され
た第２Ｏリング２０と、めっき槽１５内に配設されたア
ノード板２４と、めっき槽１５内に配設された超音波振
動子２６とを具備している。この第１Ｏリング１７及び
第２Ｏリング２０はリング状に形成されている。第１Ｏ
リング１７は導電性ゴムからなり、第２Ｏリング２０は
耐薬品性ゴムからなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき装置、めっ
きシステム及びこれを用いためっき処理方法に係り、特
にウエハのような被処理体上に金属を堆積させるめっき
装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法
に関する。
きシステム及びこれを用いためっき処理方法に係り、特
にウエハのような被処理体上に金属を堆積させるめっき
装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを基板上に実装して電子機
器を構成する場合、一定の面積内により多くの半導体チ
ップを実装する、いわゆる高密度実装への要求が高まっ
ている。この高密度実装への要求に伴って、基板上の配
線も高密度化の傾向にあり、種々の方法を用いた配線の
微細化が進んでいる。
器を構成する場合、一定の面積内により多くの半導体チ
ップを実装する、いわゆる高密度実装への要求が高まっ
ている。この高密度実装への要求に伴って、基板上の配
線も高密度化の傾向にあり、種々の方法を用いた配線の
微細化が進んでいる。
【０００３】微細な配線を形成する方法としては、例え
ば化学気相成長法（ＣＶＤ）のような成膜方法で基板上
に微細な下地電極を形成し、この下地電極に金属を堆積
させるめっき処理方法が用いられている。このめっき処
理方法は、金属イオンを含んだ水溶液に電極を浸漬し、
外部から電気を流して陰極（下地電極）部分で還元反応
を、陽極部分で酸化反応を起させ、陰極上での還元反応
により下地電極に金属を堆積させる方法である。
ば化学気相成長法（ＣＶＤ）のような成膜方法で基板上
に微細な下地電極を形成し、この下地電極に金属を堆積
させるめっき処理方法が用いられている。このめっき処
理方法は、金属イオンを含んだ水溶液に電極を浸漬し、
外部から電気を流して陰極（下地電極）部分で還元反応
を、陽極部分で酸化反応を起させ、陰極上での還元反応
により下地電極に金属を堆積させる方法である。
【０００４】図８に、めっき処理に用いられるめっき装
置の概略断面図を示す。
置の概略断面図を示す。
【０００５】図８に示すように、めっき装置５１は、め
っき液が充填されるめっき槽５２と、めっき槽５２の周
囲に設けられた外壁５３と、めっき液が貯蔵されたタン
ク５４と、めっき槽５２の中央下部からタンク５４内の
めっき液をめっき槽５２内に供給するポンプ５５とを備
えている。
っき液が充填されるめっき槽５２と、めっき槽５２の周
囲に設けられた外壁５３と、めっき液が貯蔵されたタン
ク５４と、めっき槽５２の中央下部からタンク５４内の
めっき液をめっき槽５２内に供給するポンプ５５とを備
えている。
【０００６】めっき槽５２の上端には、その内周面側に
突出した突部５６が例えば内周面上を９０度間隔となる
ように４箇所設けられ、突部５６上に銅リング５７が載
置されている。そして、銅リング５７上に被処理体とし
てのウエハ５８が、めっきされる面が下側になるように
設置される。ウエハ５８には、めっきされる面である陰
極としての下地電極５９が形成され、下地電極５９と銅
リング５７とが電気的に接続されている。また、銅リン
グ５７上に設置されたウエハ５８は、押圧手段を用いた
固定治具６０で固定され、めっき槽５２内のめっき液が
ウエハ５８に接した時に裏側（ウエハ５８の上面）へ回
り込まないように構成されている。
突出した突部５６が例えば内周面上を９０度間隔となる
ように４箇所設けられ、突部５６上に銅リング５７が載
置されている。そして、銅リング５７上に被処理体とし
てのウエハ５８が、めっきされる面が下側になるように
設置される。ウエハ５８には、めっきされる面である陰
極としての下地電極５９が形成され、下地電極５９と銅
リング５７とが電気的に接続されている。また、銅リン
グ５７上に設置されたウエハ５８は、押圧手段を用いた
固定治具６０で固定され、めっき槽５２内のめっき液が
ウエハ５８に接した時に裏側（ウエハ５８の上面）へ回
り込まないように構成されている。
【０００７】めっき槽５２の底部には陽極としてのアノ
ード板６１がウエハ５８と平行となるように配置されて
いる。このアノード板６１及び銅リング５７は電流源６
２に電気的に接続されている。
ード板６１がウエハ５８と平行となるように配置されて
いる。このアノード板６１及び銅リング５７は電流源６
２に電気的に接続されている。
【０００８】このめっき装置５１では、めっき槽５２内
に供給されためっき液がウエハ５８の中央部から端部方
向へ均一に流れ、めっき槽５２内がめっき液で満たされ
ると、めっき液はめっき槽５２の上部より端部方向に押
し出される。そして、端部方向に押し出されためっき液
は配管６３を通ってタンク５４に貯蔵される。このよう
に、めっき装置５１は、その内部でめっき液が循環する
循環構造になっている。
に供給されためっき液がウエハ５８の中央部から端部方
向へ均一に流れ、めっき槽５２内がめっき液で満たされ
ると、めっき液はめっき槽５２の上部より端部方向に押
し出される。そして、端部方向に押し出されためっき液
は配管６３を通ってタンク５４に貯蔵される。このよう
に、めっき装置５１は、その内部でめっき液が循環する
循環構造になっている。
【０００９】そして、めっき槽５２内に供給されためっ
き液がウエハ５８に接触された数秒後に通電が開始さ
れ、この通電により下地電極５９上にめっき膜が形成さ
れている。
き液がウエハ５８に接触された数秒後に通電が開始さ
れ、この通電により下地電極５９上にめっき膜が形成さ
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、下地電極５
９は微細な凹凸状に形成されており、凹部にはめっき液
が十分に回り込まない場合がある。また、下地電極５
９、特にその凹部にめっき槽５２内で発生した気泡が付
着する場合がある。これらの場合、下地電極５９の電流
分布にムラが生じてしまい、この下地電極５９での電流
の違いによって、下地電極５９上に形成されるめっき膜
の厚さが異なってしまう。従って、下地電極５９上に均
一なめっき膜が形成できなくなるという問題があった。
９は微細な凹凸状に形成されており、凹部にはめっき液
が十分に回り込まない場合がある。また、下地電極５
９、特にその凹部にめっき槽５２内で発生した気泡が付
着する場合がある。これらの場合、下地電極５９の電流
分布にムラが生じてしまい、この下地電極５９での電流
の違いによって、下地電極５９上に形成されるめっき膜
の厚さが異なってしまう。従って、下地電極５９上に均
一なめっき膜が形成できなくなるという問題があった。
【００１１】また、銅リング５７は、その上面の全面で
ウエハ５８と接触しており、この面内の接触抵抗が均一
になることは困難である。このため、両者の接触面での
接触抵抗の違いによって、下地電極５９の電流分布にム
ラが生じるおそれがある。この電流分布にムラが生じる
と、下地電極５９での電流の違いにより下地電極５９上
に形成されるめっき膜の厚さが異なってしまう。このた
め、下地電極５９上に均一なめっき膜が形成されないと
いう問題があった。
ウエハ５８と接触しており、この面内の接触抵抗が均一
になることは困難である。このため、両者の接触面での
接触抵抗の違いによって、下地電極５９の電流分布にム
ラが生じるおそれがある。この電流分布にムラが生じる
と、下地電極５９での電流の違いにより下地電極５９上
に形成されるめっき膜の厚さが異なってしまう。このた
め、下地電極５９上に均一なめっき膜が形成されないと
いう問題があった。
【００１２】一方、銅リング５７に代えて電極ピンを用
いた場合、銅リング５７を用いた場合に比べて下地電極
５９の電流分布のムラを減少させることは可能である
が、電極ピンに通電できる電流の量が制限されてしま
う。これでは、下地電極５９上に形成できるめっき膜の
厚さが制限され、めっき装置の汎用性に欠けるという問
題があった。
いた場合、銅リング５７を用いた場合に比べて下地電極
５９の電流分布のムラを減少させることは可能である
が、電極ピンに通電できる電流の量が制限されてしま
う。これでは、下地電極５９上に形成できるめっき膜の
厚さが制限され、めっき装置の汎用性に欠けるという問
題があった。
【００１３】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、被処理体上に均一な厚
さのめっき膜を形成することができるめっき装置、めっ
きシステム及びこれを用いためっき処理方法を提供する
ことにある。
れたものであって、その目的は、被処理体上に均一な厚
さのめっき膜を形成することができるめっき装置、めっ
きシステム及びこれを用いためっき処理方法を提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明のめっき装置は、めっき液が充填されるめっ
き槽と、前記めっき槽の上部に配設され、被処理体の表
面に形成された第１電極に接続する接続部材と、前記め
っき槽内に配設された第２電極と、前記めっき槽内に配
設された超音波振動部材とを具備することを特徴とす
る。
め、本発明のめっき装置は、めっき液が充填されるめっ
き槽と、前記めっき槽の上部に配設され、被処理体の表
面に形成された第１電極に接続する接続部材と、前記め
っき槽内に配設された第２電極と、前記めっき槽内に配
設された超音波振動部材とを具備することを特徴とす
る。
【００１５】本発明のめっき装置によれば、第１電極が
接続部材に電気的に接続されるように被処理体が接続部
材上に配置され、めっき槽にめっき液が充填される。め
っき液が充填されると、めっき装置に電流が通電される
とともに、超音波振動部材によりめっき槽内に超音波振
動が連続的に印加される。この通電によりめっき液が化
学反応を起こし、めっき液内に例えば水素の気泡が発生
するが、この気泡は超音波振動により第１電極に付着し
なくなる。また、超音波振動によりめっき槽内のめっき
液の循環が促進され、めっき液が第１電極の全面に供給
される。このため、第１電極の電流分布が均一になり、
第１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。
接続部材に電気的に接続されるように被処理体が接続部
材上に配置され、めっき槽にめっき液が充填される。め
っき液が充填されると、めっき装置に電流が通電される
とともに、超音波振動部材によりめっき槽内に超音波振
動が連続的に印加される。この通電によりめっき液が化
学反応を起こし、めっき液内に例えば水素の気泡が発生
するが、この気泡は超音波振動により第１電極に付着し
なくなる。また、超音波振動によりめっき槽内のめっき
液の循環が促進され、めっき液が第１電極の全面に供給
される。このため、第１電極の電流分布が均一になり、
第１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。
【００１６】また、本発明のめっき装置は、めっき液が
充填されるめっき槽と、前記めっき槽の上部に配設さ
れ、被処理体の表面に形成された第１電極に接続する第
１弾性部材と、前記めっき槽内のめっき液が前記第１弾
性部材に接しないように前記めっき槽の上部に配設され
た第２弾性部材と、前記めっき槽内に配設された第２電
極とを具備することを特徴とする。
充填されるめっき槽と、前記めっき槽の上部に配設さ
れ、被処理体の表面に形成された第１電極に接続する第
１弾性部材と、前記めっき槽内のめっき液が前記第１弾
性部材に接しないように前記めっき槽の上部に配設され
た第２弾性部材と、前記めっき槽内に配設された第２電
極とを具備することを特徴とする。
【００１７】本発明のめっき装置によれば、第１弾性部
材及び第２弾性部材は弾性部材で構成され、第１電極が
第１弾性部材に電気的に接続されるように被処理体が第
１弾性部材及び第２弾性部材上に配置された状態で、第
１弾性部材と第１電極との接触抵抗は均一になる。接触
抵抗は均一なので第１電極の電流分布が均一になり、第
１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。また、
第１電極は第１弾性部材の上面で接触しており、第１弾
性部材に通電できる電流の量が大きく制限されることが
なくなり、第１電極上に所定厚さのめっき膜が形成され
る。さらに、第１電極が第１弾性部材に電気的に接続さ
れるように被処理体が第１弾性部材及び第２弾性部材上
に配置されるので、めっき槽にめっき液が充填された状
態で、めっき液は第１弾性部材に接しなくなる。このた
め、第１弾性部材にめっき金属が析出しなくなる。
材及び第２弾性部材は弾性部材で構成され、第１電極が
第１弾性部材に電気的に接続されるように被処理体が第
１弾性部材及び第２弾性部材上に配置された状態で、第
１弾性部材と第１電極との接触抵抗は均一になる。接触
抵抗は均一なので第１電極の電流分布が均一になり、第
１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。また、
第１電極は第１弾性部材の上面で接触しており、第１弾
性部材に通電できる電流の量が大きく制限されることが
なくなり、第１電極上に所定厚さのめっき膜が形成され
る。さらに、第１電極が第１弾性部材に電気的に接続さ
れるように被処理体が第１弾性部材及び第２弾性部材上
に配置されるので、めっき槽にめっき液が充填された状
態で、めっき液は第１弾性部材に接しなくなる。このた
め、第１弾性部材にめっき金属が析出しなくなる。
【００１８】第１弾性部材及び第２弾性部材をリング状
に形成すると、第１弾性部材及び第２弾性部材の成形及
びめっき装置への配設が容易になる。この弾性部材とし
て、第１弾性部材を導電性ゴム、第２弾性部材を耐薬品
性ゴムにすると、本発明に好適である。また、第１弾性
部材をスパイラル状に形成すると、第１弾性部材にかか
る応力が分散され、第１弾性部材の耐久性が向上する。
さらに、めっき槽内に超音波振動部材を配設すると、気
泡が第１電極に付着しなくなるとともに、めっき槽内の
めっき液の循環が促進される。このため、第１電極の電
流分布が均一になり、第１電極上に均一な厚さのめっき
膜が形成される。
に形成すると、第１弾性部材及び第２弾性部材の成形及
びめっき装置への配設が容易になる。この弾性部材とし
て、第１弾性部材を導電性ゴム、第２弾性部材を耐薬品
性ゴムにすると、本発明に好適である。また、第１弾性
部材をスパイラル状に形成すると、第１弾性部材にかか
る応力が分散され、第１弾性部材の耐久性が向上する。
さらに、めっき槽内に超音波振動部材を配設すると、気
泡が第１電極に付着しなくなるとともに、めっき槽内の
めっき液の循環が促進される。このため、第１電極の電
流分布が均一になり、第１電極上に均一な厚さのめっき
膜が形成される。
【００１９】本発明のめっきシステムは、被処理体を保
持して所定の位置に搬送する搬送装置と、請求項１乃至
５のいずれか１項に記載のめっき装置と、前記めっき装
置でめっき膜が形成された被処理体を洗浄する洗浄装置
と、前記洗浄装置で洗浄された被処理体を乾燥する乾燥
装置とを具備することを特徴とする。
持して所定の位置に搬送する搬送装置と、請求項１乃至
５のいずれか１項に記載のめっき装置と、前記めっき装
置でめっき膜が形成された被処理体を洗浄する洗浄装置
と、前記洗浄装置で洗浄された被処理体を乾燥する乾燥
装置とを具備することを特徴とする。
【００２０】本発明のめっきシステムによれば、被処理
体は搬送装置に保持されてめっき装置に搬送され、被処
理体の第１電極上にめっき膜が形成される。めっき膜が
形成された被処理体は搬送装置に保持されて洗浄装置に
搬送され、被処理体が洗浄される。洗浄された被処理体
は搬送装置に保持されて乾燥装置に搬送され、被処理体
が乾燥される。ここで、搬送装置を被処理体を保持した
状態で被処理体を上下反転可能に構成すると、めっき膜
が形成された面を上方に向けた状態で被処理体を乾燥で
き、乾燥装置の構造が簡単になる。
体は搬送装置に保持されてめっき装置に搬送され、被処
理体の第１電極上にめっき膜が形成される。めっき膜が
形成された被処理体は搬送装置に保持されて洗浄装置に
搬送され、被処理体が洗浄される。洗浄された被処理体
は搬送装置に保持されて乾燥装置に搬送され、被処理体
が乾燥される。ここで、搬送装置を被処理体を保持した
状態で被処理体を上下反転可能に構成すると、めっき膜
が形成された面を上方に向けた状態で被処理体を乾燥で
き、乾燥装置の構造が簡単になる。
【００２１】本発明のめっき処理方法は、被処理体を保
持して所定の位置に搬送する搬送工程と、請求項１乃至
５のいずれか１項に記載のめっき装置で、前記被処理体
の表面にめっき膜を形成させるめっき工程と、前記めっ
き工程でめっき膜が形成された被処理体を洗浄する洗浄
工程と、前記洗浄工程で洗浄された被処理体を乾燥する
乾燥工程とを具備することを特徴とする。ここで、洗浄
工程と乾燥工程との間に、被処理体を保持した状態で被
処理体を上下反転させる反転工程を設けると、めっき膜
が形成された面を上方に向けた状態で乾燥工程が行われ
る。
持して所定の位置に搬送する搬送工程と、請求項１乃至
５のいずれか１項に記載のめっき装置で、前記被処理体
の表面にめっき膜を形成させるめっき工程と、前記めっ
き工程でめっき膜が形成された被処理体を洗浄する洗浄
工程と、前記洗浄工程で洗浄された被処理体を乾燥する
乾燥工程とを具備することを特徴とする。ここで、洗浄
工程と乾燥工程との間に、被処理体を保持した状態で被
処理体を上下反転させる反転工程を設けると、めっき膜
が形成された面を上方に向けた状態で乾燥工程が行われ
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化する一実施
の形態について図面を参照して説明する。
の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】図１は本実施の形態のめっきシステムを模
式図で示したものである。なお、本実施の形態では、一
般的に用いられている硫酸銅めっきの場合について説明
する。
式図で示したものである。なお、本実施の形態では、一
般的に用いられている硫酸銅めっきの場合について説明
する。
【００２４】図１に示すように、めっきシステム１は、
被処理体としてのウエハ２を保持して所定の位置に搬送
する搬送装置３と、ウエハ２の表面にめっき膜を形成す
るめっき装置４と、めっき膜が形成されたウエハ２を洗
浄する洗浄装置５と、洗浄されたウエハ２を乾燥する乾
燥装置としてのスピンドライヤ６とを備えている。ま
た、めっきシステム１には、その搬入口７ａ及び搬出口
７ｂからなるカセットステーション７が設けられ、その
内部には複数枚、例えば２５枚のウエハ２が収納された
カセット８が収容されている。本実施の形態のめっきシ
ステム１では２組のめっき装置４及び洗浄装置５が設け
られ、めっき装置４、洗浄装置５及びスピンドライヤ６
は一列に設置されている。また、これら各装置とカセッ
トステーション７との間にはレール９が敷設され、この
レール９上に搬送装置３が配置されている。
被処理体としてのウエハ２を保持して所定の位置に搬送
する搬送装置３と、ウエハ２の表面にめっき膜を形成す
るめっき装置４と、めっき膜が形成されたウエハ２を洗
浄する洗浄装置５と、洗浄されたウエハ２を乾燥する乾
燥装置としてのスピンドライヤ６とを備えている。ま
た、めっきシステム１には、その搬入口７ａ及び搬出口
７ｂからなるカセットステーション７が設けられ、その
内部には複数枚、例えば２５枚のウエハ２が収納された
カセット８が収容されている。本実施の形態のめっきシ
ステム１では２組のめっき装置４及び洗浄装置５が設け
られ、めっき装置４、洗浄装置５及びスピンドライヤ６
は一列に設置されている。また、これら各装置とカセッ
トステーション７との間にはレール９が敷設され、この
レール９上に搬送装置３が配置されている。
【００２５】図２に搬送装置３の概略図を示す。図２に
示すように、搬送装置３は、レール９上に配置された搬
送装置本体１０と、搬送装置本体１０上に設けられたア
ーム支持台１１と、アーム支持台１１を回転可能に支持
する支持軸１２と、ウエハ２を保持する搬送アーム１３
と、搬送アーム１３を回転可能に支持するアーム支持軸
１４とを備えている。
示すように、搬送装置３は、レール９上に配置された搬
送装置本体１０と、搬送装置本体１０上に設けられたア
ーム支持台１１と、アーム支持台１１を回転可能に支持
する支持軸１２と、ウエハ２を保持する搬送アーム１３
と、搬送アーム１３を回転可能に支持するアーム支持軸
１４とを備えている。
【００２６】搬送装置本体１０は図示しない駆動機構に
より、レール９上を図２の紙面鉛直方向（図１では左右
方向）に移動される。アーム支持台１１は支持軸１２を
介して搬送装置本体１０に連結され、支持軸１２を回転
させると、支持軸１２を中心として旋回される。搬送ア
ーム１３はアーム支持軸１４を介してアーム支持台１１
に連結され、アーム支持軸１４を回転させると、アーム
支持軸１４を中心として回転される。即ち、搬送アーム
１３上にウエハ２を保持した状態で上下反転が可能に構
成されている。また、支持軸１２及びアーム支持軸１４
は、その軸方向に突出可能に構成され、支持軸１２を突
出させるとアーム支持台１１が上昇し、アーム支持軸１
４を突出させると搬送アーム１３が突出する。従って、
搬送アーム１３は、上下、左右、前後、上下反転、旋回
の各方向への移動が可能であり、これらの動きによりウ
エハ２を所定の位置に搬送している。なお、搬送アーム
１３には図示しない吸着機構が設けられており、この吸
着機構でウエハ２を吸着する、いわゆる真空チャック方
式によりウエハ２が保持されている。
より、レール９上を図２の紙面鉛直方向（図１では左右
方向）に移動される。アーム支持台１１は支持軸１２を
介して搬送装置本体１０に連結され、支持軸１２を回転
させると、支持軸１２を中心として旋回される。搬送ア
ーム１３はアーム支持軸１４を介してアーム支持台１１
に連結され、アーム支持軸１４を回転させると、アーム
支持軸１４を中心として回転される。即ち、搬送アーム
１３上にウエハ２を保持した状態で上下反転が可能に構
成されている。また、支持軸１２及びアーム支持軸１４
は、その軸方向に突出可能に構成され、支持軸１２を突
出させるとアーム支持台１１が上昇し、アーム支持軸１
４を突出させると搬送アーム１３が突出する。従って、
搬送アーム１３は、上下、左右、前後、上下反転、旋回
の各方向への移動が可能であり、これらの動きによりウ
エハ２を所定の位置に搬送している。なお、搬送アーム
１３には図示しない吸着機構が設けられており、この吸
着機構でウエハ２を吸着する、いわゆる真空チャック方
式によりウエハ２が保持されている。
【００２７】図３にめっき装置４の概略断面図を示す。
図３に示すように、めっき装置４の硫酸銅めっき液（以
下、めっき液という）が充填されるめっき槽１５は略円
筒状に形成され、その上端の全面に内周面側に突出した
突部１６が設けられている。突部１６の上部には、接続
部材を構成するとともに第１弾性部材としての第１Ｏリ
ング１７が配置されている。第１Ｏリング１７はリング
状の導電性材料で形成されている。本実施の形態では体
積固有抵抗値１×１０2 Ωｃｍの高導電性ゴムが用いら
れている。この第１Ｏリング１７は、その上部にウエハ
２の表面に形成された第１電極としての下地電極１８が
めっき槽１５側となるように配置された状態で、下地電
極１８と当接する位置に配置されている。このため、第
１Ｏリング１７と下地電極１８とは電気的に接続されて
いる。なお、下地電極１８は、例えばＣＶＤにより、予
め微細な形状に形成されている。また、めっき槽１５の
上部にウエハ２が配置された状態で、ウエハ２は固定治
具１９で固定されている。
図３に示すように、めっき装置４の硫酸銅めっき液（以
下、めっき液という）が充填されるめっき槽１５は略円
筒状に形成され、その上端の全面に内周面側に突出した
突部１６が設けられている。突部１６の上部には、接続
部材を構成するとともに第１弾性部材としての第１Ｏリ
ング１７が配置されている。第１Ｏリング１７はリング
状の導電性材料で形成されている。本実施の形態では体
積固有抵抗値１×１０2 Ωｃｍの高導電性ゴムが用いら
れている。この第１Ｏリング１７は、その上部にウエハ
２の表面に形成された第１電極としての下地電極１８が
めっき槽１５側となるように配置された状態で、下地電
極１８と当接する位置に配置されている。このため、第
１Ｏリング１７と下地電極１８とは電気的に接続されて
いる。なお、下地電極１８は、例えばＣＶＤにより、予
め微細な形状に形成されている。また、めっき槽１５の
上部にウエハ２が配置された状態で、ウエハ２は固定治
具１９で固定されている。
【００２８】突部１６の上部であって、第１Ｏリング１
７の内周面側には、接続部材を構成するとともに第２弾
性部材としての第２Ｏリング２０が配置されている。第
２Ｏリング２０はリング状の高耐薬品性材料で形成され
ている。本実施の形態では耐酸用のフッ素ゴムが用いら
れている。そして、第２Ｏリング２０は、ウエハ２が配
置された状態で、めっき槽１５内のめっき液が第２Ｏリ
ング２０の外側に流出しないように、めっき槽１５を密
閉可能な形状に形成されている。このため、めっき槽１
５内のめっき液は、第１Ｏリング１７とは接しなくな
る。
７の内周面側には、接続部材を構成するとともに第２弾
性部材としての第２Ｏリング２０が配置されている。第
２Ｏリング２０はリング状の高耐薬品性材料で形成され
ている。本実施の形態では耐酸用のフッ素ゴムが用いら
れている。そして、第２Ｏリング２０は、ウエハ２が配
置された状態で、めっき槽１５内のめっき液が第２Ｏリ
ング２０の外側に流出しないように、めっき槽１５を密
閉可能な形状に形成されている。このため、めっき槽１
５内のめっき液は、第１Ｏリング１７とは接しなくな
る。
【００２９】めっき槽１５の下方には、めっき液が貯蔵
されたタンク２１と、タンク２１内のめっき液をめっき
槽１５内に供給するポンプ２２とが配設されている。本
実施の形態では、ポンプ２２に耐蝕性に優れたマグネッ
トポンプが用いられ、その回転数を変化できるように、
インバータを用いた制御が行われている。そして、タン
ク２１及びポンプ２２はめっき槽１５の底面を貫通する
配管ライン２３によって連結されている。このため、ポ
ンプ２２の駆動によってタンク２１内のめっき液が配管
ライン２３を介してめっき槽１５内に供給され、めっき
槽１５内がめっき液で満たされると配管ライン２３を介
してめっき槽１５からタンク２１に排出される。このよ
うに、めっき装置４は、めっき液が配管ライン２３を介
してめっき槽１５、タンク２１、ポンプ２２、そしてめ
っき槽１５に循環する構造になっている。
されたタンク２１と、タンク２１内のめっき液をめっき
槽１５内に供給するポンプ２２とが配設されている。本
実施の形態では、ポンプ２２に耐蝕性に優れたマグネッ
トポンプが用いられ、その回転数を変化できるように、
インバータを用いた制御が行われている。そして、タン
ク２１及びポンプ２２はめっき槽１５の底面を貫通する
配管ライン２３によって連結されている。このため、ポ
ンプ２２の駆動によってタンク２１内のめっき液が配管
ライン２３を介してめっき槽１５内に供給され、めっき
槽１５内がめっき液で満たされると配管ライン２３を介
してめっき槽１５からタンク２１に排出される。このよ
うに、めっき装置４は、めっき液が配管ライン２３を介
してめっき槽１５、タンク２１、ポンプ２２、そしてめ
っき槽１５に循環する構造になっている。
【００３０】めっき槽１５の底面には第２電極としての
アノード板２４が配設されている。このアノード板２４
は、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の上部にウ
エハ２が配置された状態で、下地電極１８と対向する位
置に配設されている。アノード板２４はポンプ２２によ
って供給されるめっき液を妨げないような形状、本実施
の形態ではドーナツ状に形成されている。また、アノー
ド板２４の材質は、めっきの種類によって異なるが、本
実施の形態では硫酸銅めっき液が用いられているので、
リン含有量０．０３〜０．０８重量％の銅板が用いられ
ている。そして、アノード板２４及び第１Ｏリング１７
は電流源２５に電気的に接続されている。
アノード板２４が配設されている。このアノード板２４
は、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の上部にウ
エハ２が配置された状態で、下地電極１８と対向する位
置に配設されている。アノード板２４はポンプ２２によ
って供給されるめっき液を妨げないような形状、本実施
の形態ではドーナツ状に形成されている。また、アノー
ド板２４の材質は、めっきの種類によって異なるが、本
実施の形態では硫酸銅めっき液が用いられているので、
リン含有量０．０３〜０．０８重量％の銅板が用いられ
ている。そして、アノード板２４及び第１Ｏリング１７
は電流源２５に電気的に接続されている。
【００３１】また、めっき槽１５の内壁には超音波振動
部材としての超音波振動子２６が配設されている。本実
施の形態では、２つの超音波振動子２６が配設されてい
る。
部材としての超音波振動子２６が配設されている。本実
施の形態では、２つの超音波振動子２６が配設されてい
る。
【００３２】図４に洗浄装置５の概略断面図を示す。図
４に示すように、洗浄装置５は、洗浄液、本実施の形態
では純水が充填される洗浄槽２７と、洗浄槽２７の周囲
に設けられた外壁２８と、洗浄槽２７の下部から洗浄槽
２７内に純水を供給する供給管２９とを備えている。
４に示すように、洗浄装置５は、洗浄液、本実施の形態
では純水が充填される洗浄槽２７と、洗浄槽２７の周囲
に設けられた外壁２８と、洗浄槽２７の下部から洗浄槽
２７内に純水を供給する供給管２９とを備えている。
【００３３】洗浄槽２７の上端には、その内周面側に突
出した突部３０が設けられている。本実施の形態では、
内周面上を９０度間隔となるように４箇所に設けられて
いる。そして、突部３０上にめっきされた面（下地電極
１８側）が下面になるようにウエハ２が載置される。
出した突部３０が設けられている。本実施の形態では、
内周面上を９０度間隔となるように４箇所に設けられて
いる。そして、突部３０上にめっきされた面（下地電極
１８側）が下面になるようにウエハ２が載置される。
【００３４】この洗浄装置５では、洗浄槽２７内が供給
された純水で満たされると、純水は洗浄槽２７の上部よ
り端部方向に押し出される。そして、端部方向に押し出
された純水が洗浄槽２７と外壁２８との間の排出管３１
を通って排出される。
された純水で満たされると、純水は洗浄槽２７の上部よ
り端部方向に押し出される。そして、端部方向に押し出
された純水が洗浄槽２７と外壁２８との間の排出管３１
を通って排出される。
【００３５】図５にスピンドライヤ６の模式図を示す。
図５に示すように、スピンドライヤ６は、ウエハ２を支
持するウエハ支持部３２と、ウエハ支持部３２を回転さ
せる回転軸３３と、ウエハ支持部３２にウエハ２が支持
された状態でウエハ２に気体の吹き付けが可能なエアノ
ズル３４とを備えている。
図５に示すように、スピンドライヤ６は、ウエハ２を支
持するウエハ支持部３２と、ウエハ支持部３２を回転さ
せる回転軸３３と、ウエハ支持部３２にウエハ２が支持
された状態でウエハ２に気体の吹き付けが可能なエアノ
ズル３４とを備えている。
【００３６】ウエハ支持部３２にはウエハ２の形状に対
応した凹部３５が設けられ、凹部３５に下地電極１８側
が上面になるようにウエハ２が収容される。回転軸３３
にはモータ３６が接続され、モータ３６の駆動により回
転軸３３が回転して、この回転軸３３を中心としてウエ
ハ支持部３２が回転される。このエアノズル３４は、ウ
エハ２の中央部付近に気体が吹き付けられるように配置
されている。
応した凹部３５が設けられ、凹部３５に下地電極１８側
が上面になるようにウエハ２が収容される。回転軸３３
にはモータ３６が接続され、モータ３６の駆動により回
転軸３３が回転して、この回転軸３３を中心としてウエ
ハ支持部３２が回転される。このエアノズル３４は、ウ
エハ２の中央部付近に気体が吹き付けられるように配置
されている。
【００３７】エアノズル３４は気体配管ライン３７に接
続され、電磁バルブ３８によって気体の供給が行われて
いる。また、電磁バルブ３８とモータ３６とはコントロ
ーラ３９に接続され、コントローラ３９によってウエハ
２の回転、及びウエハ２への気体の吹き付けが制御され
ている。このように、スピンドライヤ６では、めっき膜
が形成された面を上方に向けた状態でウエハ２が乾燥さ
れている。
続され、電磁バルブ３８によって気体の供給が行われて
いる。また、電磁バルブ３８とモータ３６とはコントロ
ーラ３９に接続され、コントローラ３９によってウエハ
２の回転、及びウエハ２への気体の吹き付けが制御され
ている。このように、スピンドライヤ６では、めっき膜
が形成された面を上方に向けた状態でウエハ２が乾燥さ
れている。
【００３８】次に、以上のように構成されためっきシス
テム１を用いためっき処理方法について説明する。図６
にめっき処理方法をフローチャートに示す。
テム１を用いためっき処理方法について説明する。図６
にめっき処理方法をフローチャートに示す。
【００３９】まず、搬送装置３をカセットステーション
７の搬入口７ａに収容されたカセット８の前まで移動さ
せ、搬送アーム１３の吸着機構でカセット８内に収納さ
れている下地電極１８が形成されたウエハ２を吸着し
て、保持する。そして、ウエハ２を保持した状態で搬送
装置３をめっき装置４の前まで移動させ、ウエハ２の下
地電極１８がめっき槽１５側となるように、めっき槽１
５上部の第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウ
エハ２を配置する（ＳＴＥＰ１）。
７の搬入口７ａに収容されたカセット８の前まで移動さ
せ、搬送アーム１３の吸着機構でカセット８内に収納さ
れている下地電極１８が形成されたウエハ２を吸着し
て、保持する。そして、ウエハ２を保持した状態で搬送
装置３をめっき装置４の前まで移動させ、ウエハ２の下
地電極１８がめっき槽１５側となるように、めっき槽１
５上部の第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウ
エハ２を配置する（ＳＴＥＰ１）。
【００４０】次に、ウエハ２を固定治具１９で固定し、
ポンプ２２を駆動させてタンク２１内のめっき液をめっ
き槽１５内に供給する。本実施の形態では、めっき液と
して水中に硫酸銅２００ｇ／１リットル、硫酸５０ｇ／
１リットルを加えた硫酸銅めっき液が用いられ、このめ
っき液の温度は３０度に調整されている。そして、めっ
き槽１５内にめっき液が充填されて、ウエハ２に接触さ
れた数秒後に、めっき装置に電流が通電されるととも
に、超音波振動子２６によりめっき槽内に超音波振動が
連続的に印加される。本実施の形態では、下地電極１８
の電流密度は１０Ａ／ｃｍ2 、アノード板２４の電流密
度は５Ａ／ｃｍ2 であり、電圧は４Ｖである。また、超
音波振動子２６の周波数は５０ｋＨｚである。この通電
により、めっき液では化学反応が起こり、めっき液中の
銅イオンが銅となって下地電極１８上に吸着され、銅の
めっき膜が形成される（ＳＴＥＰ２）。
ポンプ２２を駆動させてタンク２１内のめっき液をめっ
き槽１５内に供給する。本実施の形態では、めっき液と
して水中に硫酸銅２００ｇ／１リットル、硫酸５０ｇ／
１リットルを加えた硫酸銅めっき液が用いられ、このめ
っき液の温度は３０度に調整されている。そして、めっ
き槽１５内にめっき液が充填されて、ウエハ２に接触さ
れた数秒後に、めっき装置に電流が通電されるととも
に、超音波振動子２６によりめっき槽内に超音波振動が
連続的に印加される。本実施の形態では、下地電極１８
の電流密度は１０Ａ／ｃｍ2 、アノード板２４の電流密
度は５Ａ／ｃｍ2 であり、電圧は４Ｖである。また、超
音波振動子２６の周波数は５０ｋＨｚである。この通電
により、めっき液では化学反応が起こり、めっき液中の
銅イオンが銅となって下地電極１８上に吸着され、銅の
めっき膜が形成される（ＳＴＥＰ２）。
【００４１】ここで、この通電によるめっき液の化学反
応によって、めっき液内に水素の気泡が発生するが、こ
の気泡は超音波振動子２６からの超音波振動により、下
地電極１８に付着しなくなる。また、この超音波振動に
より、めっき槽１５内のめっき液の循環が促進され、め
っき液が下地電極１８の全面に供給されやすくなる。さ
らに、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０にゴムが
用いられており、ウエハ２が固定治具１９で固定された
状態で、第１Ｏリング１７と下地電極１８との接触抵抗
は均一になる。このため、電流源２５から通電された際
の下地電極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８
上に均一な厚さのめっき膜が形成される。
応によって、めっき液内に水素の気泡が発生するが、こ
の気泡は超音波振動子２６からの超音波振動により、下
地電極１８に付着しなくなる。また、この超音波振動に
より、めっき槽１５内のめっき液の循環が促進され、め
っき液が下地電極１８の全面に供給されやすくなる。さ
らに、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０にゴムが
用いられており、ウエハ２が固定治具１９で固定された
状態で、第１Ｏリング１７と下地電極１８との接触抵抗
は均一になる。このため、電流源２５から通電された際
の下地電極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８
上に均一な厚さのめっき膜が形成される。
【００４２】また、下地電極１８は第１Ｏリング１７の
上面で接触しており、従来の電極ピンのように通電でき
る電流の量に大きな制限を受けることはなく、下地電極
１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができ
る。
上面で接触しており、従来の電極ピンのように通電でき
る電流の量に大きな制限を受けることはなく、下地電極
１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができ
る。
【００４３】さらに、ウエハ２を固定治具１９で固定す
ると、めっき槽１５内はウエハ２及び第２Ｏリング２０
で密閉され、めっき槽１５内にめっき液が充填された状
態で、めっき液が第２Ｏリング２０の外側に配設された
第１Ｏリング１７に接しなくなる。このため、第１Ｏリ
ング１７に銅が析出することがなくなる。
ると、めっき槽１５内はウエハ２及び第２Ｏリング２０
で密閉され、めっき槽１５内にめっき液が充填された状
態で、めっき液が第２Ｏリング２０の外側に配設された
第１Ｏリング１７に接しなくなる。このため、第１Ｏリ
ング１７に銅が析出することがなくなる。
【００４４】ウエハ２の下地電極１８上にめっき膜が形
成されると、搬送アーム１３の吸着機構によりウエハ２
を保持した状態で搬送装置３を洗浄装置５の前まで移動
させ、ウエハ２の下地電極１８が洗浄槽２７側となるよ
うに、洗浄槽２７の突部３０上にウエハ２を配置する。
そして、洗浄槽２７内に純水が供給され、突部３０上に
配置されたウエハ２に付着しためっき液が洗浄される
（ＳＴＥＰ３）。
成されると、搬送アーム１３の吸着機構によりウエハ２
を保持した状態で搬送装置３を洗浄装置５の前まで移動
させ、ウエハ２の下地電極１８が洗浄槽２７側となるよ
うに、洗浄槽２７の突部３０上にウエハ２を配置する。
そして、洗浄槽２７内に純水が供給され、突部３０上に
配置されたウエハ２に付着しためっき液が洗浄される
（ＳＴＥＰ３）。
【００４５】ウエハ２が洗浄されると、搬送アーム１３
の吸着機構によりウエハ２を保持した状態でアーム支持
軸１４が回転され、ウエハ２が上下反転される。これに
より、ウエハ２の下地電極１８側がウエハ２の上面にな
る（ＳＴＥＰ４）。
の吸着機構によりウエハ２を保持した状態でアーム支持
軸１４が回転され、ウエハ２が上下反転される。これに
より、ウエハ２の下地電極１８側がウエハ２の上面にな
る（ＳＴＥＰ４）。
【００４６】下地電極１８側がウエハ２の上面になる
と、搬送装置３をスピンドライヤ６の前まで移動させ、
ウエハ２をウエハ支持部３２の凹部３５内に収容する。
そして、コントローラ３９により、モータ３６が駆動さ
れてウエハ２が回転するとともに、電磁バルブ３８が開
放され、気体配管ライン３７を介してエアノズル３４か
らウエハ２の中央部付近に気体が吹き付けられる。この
ウエハ２が回転されると、その遠心力によりウエハ２に
付着した純水が飛散する。また、遠心力のみでは飛散さ
れにくいウエハ２の中央部付近ではエアノズル３４から
気体が吹き付けられ、ウエハ２の中央部付近に付着した
純水はウエハ２の端部又は外方に飛散する。これによ
り、ウエハ２に付着した純水が除去され、ウエハ２が乾
燥される（ＳＴＥＰ５）。
と、搬送装置３をスピンドライヤ６の前まで移動させ、
ウエハ２をウエハ支持部３２の凹部３５内に収容する。
そして、コントローラ３９により、モータ３６が駆動さ
れてウエハ２が回転するとともに、電磁バルブ３８が開
放され、気体配管ライン３７を介してエアノズル３４か
らウエハ２の中央部付近に気体が吹き付けられる。この
ウエハ２が回転されると、その遠心力によりウエハ２に
付着した純水が飛散する。また、遠心力のみでは飛散さ
れにくいウエハ２の中央部付近ではエアノズル３４から
気体が吹き付けられ、ウエハ２の中央部付近に付着した
純水はウエハ２の端部又は外方に飛散する。これによ
り、ウエハ２に付着した純水が除去され、ウエハ２が乾
燥される（ＳＴＥＰ５）。
【００４７】最後に、搬送アーム１３の吸着機構により
ウエハ２を保持した状態で搬送装置３をカセットステー
ション７の搬出口７ｂに収容されたカセット８の前まで
移動させ、ウエハ２をカセット８内に収納する（ＳＴＥ
Ｐ６）。
ウエハ２を保持した状態で搬送装置３をカセットステー
ション７の搬出口７ｂに収容されたカセット８の前まで
移動させ、ウエハ２をカセット８内に収納する（ＳＴＥ
Ｐ６）。
【００４８】本実施の形態の効果を確認するため、ウエ
ハ２の下地電極１８上に形成されためっき膜の膜厚を、
ウエハ２の中心を通る直線上の等間隔な９点の位置で測
定した。その結果を図７に示す。また、参考のため、従
来のめっき装置５１で形成されためっき膜の膜厚につい
ても同様に測定し、その結果を図７に破線で示す。図７
に示すように、本実施の形態で形成されためっき膜の膜
厚は約２．１μｍとほぼ均一であり、従来のめっき膜の
膜厚１．５μｍ〜２．２μｍの場合に比べ大きく改善さ
れていることが分かる。このように、本発明によりウエ
ハ２の下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜を形成で
きることが確認できた。
ハ２の下地電極１８上に形成されためっき膜の膜厚を、
ウエハ２の中心を通る直線上の等間隔な９点の位置で測
定した。その結果を図７に示す。また、参考のため、従
来のめっき装置５１で形成されためっき膜の膜厚につい
ても同様に測定し、その結果を図７に破線で示す。図７
に示すように、本実施の形態で形成されためっき膜の膜
厚は約２．１μｍとほぼ均一であり、従来のめっき膜の
膜厚１．５μｍ〜２．２μｍの場合に比べ大きく改善さ
れていることが分かる。このように、本発明によりウエ
ハ２の下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜を形成で
きることが確認できた。
【００４９】本実施の形態によれば、通電によるめっき
液での化学反応によって発生した水素の気泡は、超音波
振動子２６からの超音波振動により、下地電極１８に付
着しなくなる。また、この超音波振動により、めっき槽
１５内のめっき液の循環が促進され、めっき液が下地電
極１８の全面に供給されやすくなる。このため、下地電
極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８上に均一
な厚さのめっき膜が形成できる。
液での化学反応によって発生した水素の気泡は、超音波
振動子２６からの超音波振動により、下地電極１８に付
着しなくなる。また、この超音波振動により、めっき槽
１５内のめっき液の循環が促進され、めっき液が下地電
極１８の全面に供給されやすくなる。このため、下地電
極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８上に均一
な厚さのめっき膜が形成できる。
【００５０】本実施の形態によれば、第１Ｏリング１７
及び第２Ｏリング２０にゴムが用いられているので、第
１Ｏリング１７と下地電極１８との接触抵抗は均一にな
る。このため、下地電極１８の電流分布は均一になり、
下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜が形成できる。
及び第２Ｏリング２０にゴムが用いられているので、第
１Ｏリング１７と下地電極１８との接触抵抗は均一にな
る。このため、下地電極１８の電流分布は均一になり、
下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜が形成できる。
【００５１】また、下地電極１８は第１Ｏリング１７の
上面で接触しており、従来の電極ピンのように通電でき
る電流の量に大きな制限を受けることはなく、下地電極
１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができ
る。
上面で接触しており、従来の電極ピンのように通電でき
る電流の量に大きな制限を受けることはなく、下地電極
１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができ
る。
【００５２】さらに、第２Ｏリング２０はめっき槽１５
内のめっき液が第２Ｏリング２０の外側に流出しないよ
うに、めっき槽１５を密閉可能な形状に形成されている
ので、めっき液が第１Ｏリング１７に接しなくなる。こ
のため、第１Ｏリング１７に銅が析出することがなくな
る。
内のめっき液が第２Ｏリング２０の外側に流出しないよ
うに、めっき槽１５を密閉可能な形状に形成されている
ので、めっき液が第１Ｏリング１７に接しなくなる。こ
のため、第１Ｏリング１７に銅が析出することがなくな
る。
【００５３】本実施の形態によれば、めっき装置４は、
第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウエハ２を
配置した状態で、めっき槽１５が密閉された構造に形成
されているので、めっき槽１５のめっき液がウエハ２の
上面に付着することがなくなる。
第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウエハ２を
配置した状態で、めっき槽１５が密閉された構造に形成
されているので、めっき槽１５のめっき液がウエハ２の
上面に付着することがなくなる。
【００５４】本実施の形態によれば、ウエハ２がめっき
膜が形成された面を上方に向けた状態でウエハ支持部３
２の凹部に収容されているので、ウエハ２の支持が容易
になり、スピンドライヤ６の構造を簡単にすることがで
きる。
膜が形成された面を上方に向けた状態でウエハ支持部３
２の凹部に収容されているので、ウエハ２の支持が容易
になり、スピンドライヤ６の構造を簡単にすることがで
きる。
【００５５】本実施の形態によれば、第１Ｏリング１７
及び第２Ｏリング２０はリング状に形成されているの
で、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の成形及び
めっき装置４への配設が容易になる。また、第１Ｏリン
グ１７に高導電性ゴムが用いられ、第２Ｏリング２０に
フッ素ゴムが用いられているので、第１Ｏリング１７及
び第２Ｏリング２０の耐久性が向上する。
及び第２Ｏリング２０はリング状に形成されているの
で、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の成形及び
めっき装置４への配設が容易になる。また、第１Ｏリン
グ１７に高導電性ゴムが用いられ、第２Ｏリング２０に
フッ素ゴムが用いられているので、第１Ｏリング１７及
び第２Ｏリング２０の耐久性が向上する。
【００５６】なお、実施の形態は上記に限らず、例えば
以下の場合であってもよい。
以下の場合であってもよい。
【００５７】本実施の形態では、接続部材を第１Ｏリン
グ１７と第２Ｏリング２０とで構成した場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例
えばめっき槽１５の突部１６に導電性材料が嵌合された
ものであってもよい。また、第１Ｏリング１７と第２Ｏ
リング２０とが一体に形成されたものであってもよい。
これらの場合、めっき装置４への配設が容易になる。
グ１７と第２Ｏリング２０とで構成した場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例
えばめっき槽１５の突部１６に導電性材料が嵌合された
ものであってもよい。また、第１Ｏリング１７と第２Ｏ
リング２０とが一体に形成されたものであってもよい。
これらの場合、めっき装置４への配設が容易になる。
【００５８】第１弾性部材は下地電極１８に電気的に接
続されていればよく、その形状はリング状に限らず、例
えば円弧状であってもよい。また、第１Ｏリング１７の
形状をスパイラル状に形成し、その側面を下地電極１８
に接続してもよい。この場合、第１Ｏリング１７にかか
る応力が分散され、第１Ｏリング１７の耐久性が向上す
る。
続されていればよく、その形状はリング状に限らず、例
えば円弧状であってもよい。また、第１Ｏリング１７の
形状をスパイラル状に形成し、その側面を下地電極１８
に接続してもよい。この場合、第１Ｏリング１７にかか
る応力が分散され、第１Ｏリング１７の耐久性が向上す
る。
【００５９】同様に第２弾性部材は、めっき槽１５内の
めっき液が第１弾性部材に接しないものであればよく、
その形状はリング状に限らない。
めっき液が第１弾性部材に接しないものであればよく、
その形状はリング状に限らない。
【００６０】めっき槽１５内にめっき液の濃度を測定す
る濃度センサを設け、測定された濃度に基づいてタンク
２１内のめっき液の濃度を調整する濃度制御部材を設け
てもよい。この場合、めっき槽１５内にめっき液の濃度
を一定の濃度に制御することができ、めっき装置４を連
続的に用いても、下地電極１８上に所定の厚さのめっき
膜を形成することができる。
る濃度センサを設け、測定された濃度に基づいてタンク
２１内のめっき液の濃度を調整する濃度制御部材を設け
てもよい。この場合、めっき槽１５内にめっき液の濃度
を一定の濃度に制御することができ、めっき装置４を連
続的に用いても、下地電極１８上に所定の厚さのめっき
膜を形成することができる。
【００６１】めっきシステム１に洗浄装置５を設けず
に、めっき装置４で洗浄工程を行ってもよい。この場
合、下地電極１８上にめっき膜を形成した後、めっき槽
１５に例えば窒素ガスを供給してめっき液を除去し、新
たにめっき槽１５内に純水が供給される。
に、めっき装置４で洗浄工程を行ってもよい。この場
合、下地電極１８上にめっき膜を形成した後、めっき槽
１５に例えば窒素ガスを供給してめっき液を除去し、新
たにめっき槽１５内に純水が供給される。
【００６２】めっき装置４は、第１Ｏリング１７及び第
２Ｏリング２０上にウエハ２を配置した状態で、めっき
槽１５が密閉された構造に限らず、従来のめっき装置の
ように、めっき槽１５の周囲に外壁を設けて、ウエハ２
の端部方向に押し出されためっき液が、めっき槽１５と
外壁との間を通ってタンク２１に貯蔵される循環構造に
してもよい。この場合にも本実施の形態と同様の効果を
得ることができる。
２Ｏリング２０上にウエハ２を配置した状態で、めっき
槽１５が密閉された構造に限らず、従来のめっき装置の
ように、めっき槽１５の周囲に外壁を設けて、ウエハ２
の端部方向に押し出されためっき液が、めっき槽１５と
外壁との間を通ってタンク２１に貯蔵される循環構造に
してもよい。この場合にも本実施の形態と同様の効果を
得ることができる。
【００６３】本実施の形態では、硫酸銅めっきの場合に
ついて説明したが、本発明は硫酸銅めっきに限られるも
のではなく、例えば有機酸ハンダめっきであってもよ
い。この場合、アノード板２４にめっき液中の錫成分と
鉛成分の比率に合わせた高純度ハンダ板が用いられる。
また、銅めっきの他、例えば銀めっきであってもよい。
また、本実施の形態では、下地電極１８上に約２．１μ
ｍの厚さのめっき膜を形成する場合について説明したも
のであり、めっき液の組成、通電条件、めっき液の温度
のような各種の条件は、形成するめっき膜によって異な
る。例えば、めっき液に微量の塩素を加えることによ
り、めっき膜の物性、外観を向上させることができる。
また、添加剤として、微量の硫黄系有機化合物を加える
ことにより、めっき膜の光沢性が向上させることができ
る。
ついて説明したが、本発明は硫酸銅めっきに限られるも
のではなく、例えば有機酸ハンダめっきであってもよ
い。この場合、アノード板２４にめっき液中の錫成分と
鉛成分の比率に合わせた高純度ハンダ板が用いられる。
また、銅めっきの他、例えば銀めっきであってもよい。
また、本実施の形態では、下地電極１８上に約２．１μ
ｍの厚さのめっき膜を形成する場合について説明したも
のであり、めっき液の組成、通電条件、めっき液の温度
のような各種の条件は、形成するめっき膜によって異な
る。例えば、めっき液に微量の塩素を加えることによ
り、めっき膜の物性、外観を向上させることができる。
また、添加剤として、微量の硫黄系有機化合物を加える
ことにより、めっき膜の光沢性が向上させることができ
る。
【００６４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
被処理体に均一な厚さめっき膜を形成することができ
る。
被処理体に均一な厚さめっき膜を形成することができ
る。
【図１】実施の形態のめっきシステムの模式図。
【図２】実施の形態の搬送装置の概略図。
【図３】実施の形態のめっき装置の概略断面図。
【図４】実施の形態の洗浄装置の概略断面図。
【図５】実施の形態のスピンドライヤの模式図。
【図６】めっき処理方法を示すフローチャート。
【図７】形成されためっき膜の膜厚を示すグラフ。
【図８】従来のめっき装置の概略断面図。
１……めっきシステム、２……被処理体としてのウエ
ハ、３……搬送装置、４……めっき装置、５……洗浄装
置、６……乾燥装置としてのスピンドライヤ、１５……
めっき槽、１７……接続部材を構成するとともに第１弾
性部材としての第１Ｏリング、１８……第１電極として
の下地電極、２０……接続部材を構成するとともに第２
弾性部材としての第２Ｏリング、２４……第２電極とし
てのアノード板、２６……超音波振動部材としての超音
波振動子。
ハ、３……搬送装置、４……めっき装置、５……洗浄装
置、６……乾燥装置としてのスピンドライヤ、１５……
めっき槽、１７……接続部材を構成するとともに第１弾
性部材としての第１Ｏリング、１８……第１電極として
の下地電極、２０……接続部材を構成するとともに第２
弾性部材としての第２Ｏリング、２４……第２電極とし
てのアノード板、２６……超音波振動部材としての超音
波振動子。
Claims (9)
- 【請求項１】 めっき液が充填されるめっき槽と、 前記めっき槽の上部に配設され、被処理体の表面に形成
された第１電極に接続する接続部材と、 前記めっき槽内に配設された第２電極と、 前記めっき槽内に配設された超音波振動部材とを具備す
ることを特徴とするめっき装置。 - 【請求項２】 めっき液が充填されるめっき槽と、 前記めっき槽の上部に配設され、被処理体の表面に形成
された第１電極に接続する第１弾性部材と、 前記めっき槽内のめっき液が前記第１弾性部材に接しな
いように前記めっき槽の上部に配設された第２弾性部材
と、 前記めっき槽内に配設された第２電極とを具備すること
を特徴とするめっき装置。 - 【請求項３】 前記第１弾性部材及び前記第２弾性部材
はリング状に形成されるとともに、前記第１弾性部材は
導電性ゴムからなり、前記第２弾性部材は耐薬品性ゴム
からなることを特徴とする請求項２に記載のめっき装
置。 - 【請求項４】 前記第１弾性部材はスパイラル状に形成
され、その側面が前記第１電極に接続されることを特徴
とする請求項２又は３に記載のめっき装置。 - 【請求項５】 前記めっき槽内には超音波振動部材が配
設されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１
項に記載のめっき装置。 - 【請求項６】 被処理体を保持して所定の位置に搬送す
る搬送装置と、 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のめっき装置と、 前記めっき装置でめっき膜が形成された被処理体を洗浄
する洗浄装置と、 前記洗浄装置で洗浄された被処理体を乾燥する乾燥装置
とを具備することを特徴とするめっきシステム。 - 【請求項７】 前記搬送装置は前記被処理体を保持した
状態で該被処理体を上下反転可能に構成し、 前記乾燥装置は、めっき膜が形成された面を上方に向け
た状態で前記被処理体が乾燥されることを特徴とする請
求項６に記載のめっきシステム。 - 【請求項８】 被処理体を保持して所定の位置に搬送す
る搬送工程と、 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のめっき装置で、
前記被処理体の表面にめっき膜を形成させるめっき工程
と、 前記めっき工程でめっき膜が形成された被処理体を洗浄
する洗浄工程と、 前記洗浄工程で洗浄された被処理体を乾燥する乾燥工程
とを具備することを特徴とするめっき処理方法。 - 【請求項９】 前記洗浄工程と前記乾燥工程との間に、
前記被処理体を保持した状態で該被処理体を上下反転さ
せる反転工程が設けられていることを特徴とする請求項
８に記載のめっき処理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36310498A JP4245713B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 |
| PCT/JP1999/006955 WO2000037716A1 (en) | 1998-12-21 | 1999-12-10 | Plating apparatus, plating system, method for plating using the same |
| KR10-2000-7009112A KR100401376B1 (ko) | 1998-12-21 | 1999-12-10 | 도금 장치, 도금 설비 및 이것을 이용한 도금 처리 방법 |
| EP99959760A EP1061159A4 (en) | 1998-12-21 | 1999-12-10 | PLATING METHOD, APPARATUS AND SYSTEM THEREFOR |
| TW088122360A TW508377B (en) | 1998-12-21 | 1999-12-18 | Electroplating apparatus, electroplating system and electroplating processing method using said electroplating apparatus and electrolating system |
| US09/642,158 US6428661B1 (en) | 1998-12-21 | 2000-08-21 | Plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36310498A JP4245713B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000178785A true JP2000178785A (ja) | 2000-06-27 |
| JP2000178785A5 JP2000178785A5 (ja) | 2006-01-26 |
| JP4245713B2 JP4245713B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=18478517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36310498A Expired - Fee Related JP4245713B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6428661B1 (ja) |
| EP (1) | EP1061159A4 (ja) |
| JP (1) | JP4245713B2 (ja) |
| KR (1) | KR100401376B1 (ja) |
| TW (1) | TW508377B (ja) |
| WO (1) | WO2000037716A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100423721B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-03-22 | 한국전자통신연구원 | 전극링을 가진 도금장치 |
| JP2009242868A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toshiba Corp | めっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444101B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Conductive biasing member for metal layering |
| US6573183B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-03 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for controlling contamination during the electroplating deposition of metals onto a semiconductor wafer surface |
| KR100967256B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-07-01 | 주식회사 동부하이텍 | 구리 전기도금 장치 및 구리 도금방법 |
| US7727863B1 (en) | 2008-09-29 | 2010-06-01 | Novellus Systems, Inc. | Sonic irradiation during wafer immersion |
| JP6400512B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2018-10-03 | 株式会社東芝 | 電気めっき方法及び電気めっき装置 |
| CN106119921B (zh) * | 2016-08-22 | 2018-01-23 | 竞陆电子(昆山)有限公司 | Pcb电镀线 |
| CN106086977B (zh) * | 2016-08-23 | 2018-02-06 | 竞陆电子(昆山)有限公司 | Pcb电镀线的供药循环系统 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2019178A1 (de) * | 1970-04-21 | 1971-11-11 | Siemens Ag | Verfahren zum Auftragen von galvanischen Schichten auf einen Traegerkoerper und galvanisches Bad zur Durchfuehrung des Verfahrens |
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