JPH06256998A - メッキ液の攪拌方法 - Google Patents
メッキ液の攪拌方法Info
- Publication number
- JPH06256998A JPH06256998A JP7084793A JP7084793A JPH06256998A JP H06256998 A JPH06256998 A JP H06256998A JP 7084793 A JP7084793 A JP 7084793A JP 7084793 A JP7084793 A JP 7084793A JP H06256998 A JPH06256998 A JP H06256998A
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- Japan
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- plating
- plating solution
- plating liquid
- ultrasonic
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- Mixers With Rotating Receptacles And Mixers With Vibration Mechanisms (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】回転機構の設置や配管などを行う必要性を排除
して、装置全体の小型化ならびに信頼性の向上を図ると
ともに、処理物に対してメッキを均一に施すことがで
き、しかも処理物やメッキの表面を損傷する恐れのない
メッキ液の攪拌方法を提供する。 【構成】メッキ槽１０２内に収容されたメッキ液１０４
を攪拌する際に、メッキ液１０４中にキャビテーション
を発生することなく直進流を発生する周波数の超音波を
放射し、メッキ液１０４中に直進流を発生させてメッキ
液を攪拌する。
して、装置全体の小型化ならびに信頼性の向上を図ると
ともに、処理物に対してメッキを均一に施すことがで
き、しかも処理物やメッキの表面を損傷する恐れのない
メッキ液の攪拌方法を提供する。 【構成】メッキ槽１０２内に収容されたメッキ液１０４
を攪拌する際に、メッキ液１０４中にキャビテーション
を発生することなく直進流を発生する周波数の超音波を
放射し、メッキ液１０４中に直進流を発生させてメッキ
液を攪拌する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メッキ液の攪拌方法に
関し、さらに詳細には、半導体ウエハなどの表面にメッ
キを行うなどの際に用いて好適なメッキ液の攪拌方法に
関する。
関し、さらに詳細には、半導体ウエハなどの表面にメッ
キを行うなどの際に用いて好適なメッキ液の攪拌方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウエハなどの処理物の
表面にメッキを行う際には、処理物の表面上に短時間で
均一にメッキが施されるようにするため、メッキ処理中
にメッキ槽内に収容されたメッキ液の攪拌を行ってい
た。
表面にメッキを行う際には、処理物の表面上に短時間で
均一にメッキが施されるようにするため、メッキ処理中
にメッキ槽内に収容されたメッキ液の攪拌を行ってい
た。
【０００３】こうしたメッキ液の攪拌を行う方法として
は、機械式のポンプ攪拌が一般に知られており、図２
は、機械式のポンプ攪拌によりメッキ液の攪拌を行うた
めの、従来のメッキ装置の構成を示している。
は、機械式のポンプ攪拌が一般に知られており、図２
は、機械式のポンプ攪拌によりメッキ液の攪拌を行うた
めの、従来のメッキ装置の構成を示している。
【０００４】このメッキ装置１００においては、メッキ
槽１０２の中にメッキ液１０４を満たし、メッキ液１０
４中にメッキする処理物たる半導体ウエハ１０６を配置
する。さらにメッキ液１０４中に、半導体ウエハ１０６
と対向するようにしてアノード・メッシュ電極１０８を
配設するとともに、メッキ液１０４を所望の温度に加熱
するためのヒーター１１０を配設する。
槽１０２の中にメッキ液１０４を満たし、メッキ液１０
４中にメッキする処理物たる半導体ウエハ１０６を配置
する。さらにメッキ液１０４中に、半導体ウエハ１０６
と対向するようにしてアノード・メッシュ電極１０８を
配設するとともに、メッキ液１０４を所望の温度に加熱
するためのヒーター１１０を配設する。
【０００５】そして、メッキ槽１０２外部に、プラス側
をアノード・メッシュ電極１０８に接続するとともに、
マイナス側を半導体ウエハ１０６に接続したメッキ電流
源１１２を配設する。
をアノード・メッシュ電極１０８に接続するとともに、
マイナス側を半導体ウエハ１０６に接続したメッキ電流
源１１２を配設する。
【０００６】なお、半導体ウエハ１０６の表面には、メ
ッキするための金属薄膜が添着されている。そして、こ
の金属薄膜にメッキ電流源１１２から電流を供給できる
ように、コンタクト・ピンが取り付けられている。
ッキするための金属薄膜が添着されている。そして、こ
の金属薄膜にメッキ電流源１１２から電流を供給できる
ように、コンタクト・ピンが取り付けられている。
【０００７】さらに、メッキ槽１０２外部には、循環パ
イプ１１４を介してメッキ槽１０２と連結された電動ポ
ンプ１１６が配設されている。この電動ポンプ１１６に
よって、メッキ槽１０２内のメッキ液を循環パイプ１１
４を介して循環できるように構成されている。
イプ１１４を介してメッキ槽１０２と連結された電動ポ
ンプ１１６が配設されている。この電動ポンプ１１６に
よって、メッキ槽１０２内のメッキ液を循環パイプ１１
４を介して循環できるように構成されている。
【０００８】以上の構成において、半導体ウエハ１０６
に対してメッキ処理を行う際には、電動ポンプ１１６を
駆動して、循環パイプ１１４を介してメッキ槽１０２内
のメッキ液１０４の循環を行う。こうしたメッキ液１０
４の循環により、メッキ液１０４の攪拌が行われること
になる。
に対してメッキ処理を行う際には、電動ポンプ１１６を
駆動して、循環パイプ１１４を介してメッキ槽１０２内
のメッキ液１０４の循環を行う。こうしたメッキ液１０
４の循環により、メッキ液１０４の攪拌が行われること
になる。
【０００９】このメッキ液１０４の攪拌により、メッキ
液１０４の組成および温度の均一化が図られるととも、
電離によって発生したガスを半導体ウエハ１０６表面か
ら離脱させて、ピットの発生が防止される。また、メッ
キ処理の処理時間の短縮化が可能になり、作業効率を向
上することができるようになるので、半導体ウエハ１０
６に短時間で均一なメッキを施すことができるようにな
る。
液１０４の組成および温度の均一化が図られるととも、
電離によって発生したガスを半導体ウエハ１０６表面か
ら離脱させて、ピットの発生が防止される。また、メッ
キ処理の処理時間の短縮化が可能になり、作業効率を向
上することができるようになるので、半導体ウエハ１０
６に短時間で均一なメッキを施すことができるようにな
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た機械式のポンプ攪拌によるメッキ装置においては、循
環パイプの配管を行う必要があるため、装置全体が大型
化かつ複雑化し、広い設置スペースを必要とするととも
に、コスト・アップを招来するという問題点があった。
また、電動ポンプはメッキ液による損傷を非常に受けや
すく、寿命が短いという問題点があった。
た機械式のポンプ攪拌によるメッキ装置においては、循
環パイプの配管を行う必要があるため、装置全体が大型
化かつ複雑化し、広い設置スペースを必要とするととも
に、コスト・アップを招来するという問題点があった。
また、電動ポンプはメッキ液による損傷を非常に受けや
すく、寿命が短いという問題点があった。
【００１１】このために、こうした回転機構の設置や配
管などを行う必要のある機械式のポンプ攪拌に代えて、
回転機構や配管を必要としない攪拌方法として、エアー
や窒素（Ｎ2）などをバブリングして行う攪拌、あるい
は超音波を利用した攪拌などが提案され、実施されてき
ている。
管などを行う必要のある機械式のポンプ攪拌に代えて、
回転機構や配管を必要としない攪拌方法として、エアー
や窒素（Ｎ2）などをバブリングして行う攪拌、あるい
は超音波を利用した攪拌などが提案され、実施されてき
ている。
【００１２】ところが、エアーやＮ2などをバブリング
して行う攪拌においては、バブリングの気泡によって、
処理物の表面にメッキを均一に施すことができない恐れ
があるという問題点があった。
して行う攪拌においては、バブリングの気泡によって、
処理物の表面にメッキを均一に施すことができない恐れ
があるという問題点があった。
【００１３】一方、超音波を利用した攪拌は、周波数が
およそ１００ＫＨｚ以下の比較的低い周波数の超音波
を、メッキ液中に放射することによりキャビテーション
を発生させ、このキャビテーションの攪拌作用を利用し
てメッキ液の攪拌を行うものであった。このため、キャ
ビテーションの発生にともなうキャビテーションの破壊
作用によって、処理物やメッキの表面を損傷する恐れが
あるという問題点があった。
およそ１００ＫＨｚ以下の比較的低い周波数の超音波
を、メッキ液中に放射することによりキャビテーション
を発生させ、このキャビテーションの攪拌作用を利用し
てメッキ液の攪拌を行うものであった。このため、キャ
ビテーションの発生にともなうキャビテーションの破壊
作用によって、処理物やメッキの表面を損傷する恐れが
あるという問題点があった。
【００１４】本発明は、従来の技術の有するこのような
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、回転機構の設置や配管などを行う必要性
を排除して、装置全体の小型化ならびに信頼性の向上を
図るとともに、処理物に対してメッキを均一に施すこと
ができ、しかも処理物やメッキの表面を損傷する恐れの
ないメッキ液の攪拌方法を提供しようとするものであ
る。
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、回転機構の設置や配管などを行う必要性
を排除して、装置全体の小型化ならびに信頼性の向上を
図るとともに、処理物に対してメッキを均一に施すこと
ができ、しかも処理物やメッキの表面を損傷する恐れの
ないメッキ液の攪拌方法を提供しようとするものであ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明におけるメッキ液の攪拌方法は、メッキ槽内
に収容されたメッキ液の攪拌方法において、メッキ液中
にキャビテーションを発生することなく直進流を発生す
る周波数の超音波を放射し、メッキ液中に直進流を発生
させてメッキ液を攪拌するようにしたものである。
に、本発明におけるメッキ液の攪拌方法は、メッキ槽内
に収容されたメッキ液の攪拌方法において、メッキ液中
にキャビテーションを発生することなく直進流を発生す
る周波数の超音波を放射し、メッキ液中に直進流を発生
させてメッキ液を攪拌するようにしたものである。
【００１６】
【作用】メッキ液中にキャビテーションを発生すること
なく直進流を発生する周波数の超音波を放射することに
より、メッキ液中にキャビテーションの発生を防止して
直進流を発生できる。従って、キャビテーションによる
破壊作用により処理物やメッキの表面を損傷することな
く、直進流によりメッキ液を均一に攪拌できる。
なく直進流を発生する周波数の超音波を放射することに
より、メッキ液中にキャビテーションの発生を防止して
直進流を発生できる。従って、キャビテーションによる
破壊作用により処理物やメッキの表面を損傷することな
く、直進流によりメッキ液を均一に攪拌できる。
【００１７】
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明によるメッキ
液の攪拌方法の一実施例を詳細に説明するものとする。
液の攪拌方法の一実施例を詳細に説明するものとする。
【００１８】図１には、本発明によるメッキ液の攪拌方
法を実施するためのメッキ装置の構成が示されている。
なお、図２と同一あるいは相当する構成に関しては、同
一の符号を付して示すことにより、構成ならびに作用の
詳細な説明は省略する。
法を実施するためのメッキ装置の構成が示されている。
なお、図２と同一あるいは相当する構成に関しては、同
一の符号を付して示すことにより、構成ならびに作用の
詳細な説明は省略する。
【００１９】メッキ装置１０においては、メッキ液１０
４中にＰＺＴよりなる超音波振動板１２を配置してい
る。そして、メッキ槽１０２外部に配設された超音波発
生用電源１４により、超音波振動板１２に高周波電力が
印加されるように構成されている。
４中にＰＺＴよりなる超音波振動板１２を配置してい
る。そして、メッキ槽１０２外部に配設された超音波発
生用電源１４により、超音波振動板１２に高周波電力が
印加されるように構成されている。
【００２０】なお、本実施例においては、８５０ＫＨｚ
の周波数の超音波を生成する超音波振動板１２が用いら
れており、超音波発生用電源１４は２００Ｗの電力を供
給できる直流電源とされている。
の周波数の超音波を生成する超音波振動板１２が用いら
れており、超音波発生用電源１４は２００Ｗの電力を供
給できる直流電源とされている。
【００２１】また、メッキ液１０４としては、ノン・シ
アン系の金メッキ溶液を使用し、１リットル中に１０グ
ラムのベースを含む溶液とされている。
アン系の金メッキ溶液を使用し、１リットル中に１０グ
ラムのベースを含む溶液とされている。
【００２２】以上の構成において、ヒーター１１０によ
りメッキ液１０４を６０゜Ｃに加熱し、電流密度４ｍＡ
／ｃｍ2により、半導体ウエハ１０６に対してメッキ処
理を行った。
りメッキ液１０４を６０゜Ｃに加熱し、電流密度４ｍＡ
／ｃｍ2により、半導体ウエハ１０６に対してメッキ処
理を行った。
【００２３】この際に、超音波発生用電源１４より高周
波電力を超音波振動板１２に印加し、８５０ＫＨｚの周
波数の超音波をメッキ液１０４中に放射する。このよう
に超音波の波長が、８５０ＫＨｚというキャビテーショ
ンの発生領域以上の周波数に設定されているため、メッ
キ液１０４にキャビテーションを発生させることなく、
メッキ液１０４中に直進流を発生することができる。
波電力を超音波振動板１２に印加し、８５０ＫＨｚの周
波数の超音波をメッキ液１０４中に放射する。このよう
に超音波の波長が、８５０ＫＨｚというキャビテーショ
ンの発生領域以上の周波数に設定されているため、メッ
キ液１０４にキャビテーションを発生させることなく、
メッキ液１０４中に直進流を発生することができる。
【００２４】従って、キャビテーションによる破壊作用
により半導体ウエハ１０６やメッキの表面を損傷するこ
となく、直進流によりメッキ液１０４を均一に攪拌する
ことができる。
により半導体ウエハ１０６やメッキの表面を損傷するこ
となく、直進流によりメッキ液１０４を均一に攪拌する
ことができる。
【００２５】なお、上記実施例においては、超音波の周
波数を８５０ＫＨｚに設定したが、これに限られること
なしに、数十ＫＨｚ乃至１００ＫＨｚ程度のメッキ液中
にキャビテーションを発生させる領域の周波数以上の周
波数で、メッキ液中に直進流を発生することができる周
波数であるならば、メッキ液の成分などに応じて適宜周
波数を選択してよいことは勿論である。
波数を８５０ＫＨｚに設定したが、これに限られること
なしに、数十ＫＨｚ乃至１００ＫＨｚ程度のメッキ液中
にキャビテーションを発生させる領域の周波数以上の周
波数で、メッキ液中に直進流を発生することができる周
波数であるならば、メッキ液の成分などに応じて適宜周
波数を選択してよいことは勿論である。
【００２６】また、超音波振動板はＰＺＴに限られるこ
となしに、他の圧電素子などを適宜用いてもよい。
となしに、他の圧電素子などを適宜用いてもよい。
【００２７】さらにまた、メッキ液の温度やメッキ処理
時の電流密度なども、適宜選択してよいことは勿論であ
る。
時の電流密度なども、適宜選択してよいことは勿論であ
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２９】メッキ槽内に収容されたメッキ液の攪拌方
法において、メッキ液中にキャビテーションを発生する
ことなく直進流を発生する周波数の超音波を放射し、メ
ッキ液中に直進流を発生させてメッキ液を攪拌するよう
にしたため、キャビテーションによる破壊作用により処
理物やメッキの表面を損傷することなしに、直進流によ
りメッキ液を均一に攪拌できるようになる。
法において、メッキ液中にキャビテーションを発生する
ことなく直進流を発生する周波数の超音波を放射し、メ
ッキ液中に直進流を発生させてメッキ液を攪拌するよう
にしたため、キャビテーションによる破壊作用により処
理物やメッキの表面を損傷することなしに、直進流によ
りメッキ液を均一に攪拌できるようになる。
【００３０】従って、回転機構の設置や配管などを行う
必要がなく、装置全体の小型化ならびに信頼性の向上を
図ることができるとともに、処理物に対してメッキを均
一に施すことができ、しかも処理物やメッキの表面を損
傷することを確実に防止することができる。
必要がなく、装置全体の小型化ならびに信頼性の向上を
図ることができるとともに、処理物に対してメッキを均
一に施すことができ、しかも処理物やメッキの表面を損
傷することを確実に防止することができる。
【図１】本発明の一実施例によるメッキ液の攪拌方法を
実施するための、メッキ装置の構成説明図である。
実施するための、メッキ装置の構成説明図である。
【図２】機械式のポンプ攪拌によりメッキ液の攪拌を行
うための、従来のメッキ装置の構成説明図である。
うための、従来のメッキ装置の構成説明図である。
１０ メッキ装置 １２ 超音波振動板 １４ 超音波発生用電源 １０２ メッキ槽 １０４ メッキ液 １０６ 半導体ウエハ １０８ アノード・メッシュ電極 １１０ ヒーター １１２ メッキ電流源
Claims (1)
- 【請求項１】 メッキ槽内に収容されたメッキ液の攪拌
方法において、 前記メッキ液中にキャビテーションを発生することなく
直進流を発生する周波数の超音波を放射し、前記メッキ
液中に直進流を発生させて前記メッキ液を攪拌すること
を特徴とするメッキ液の攪拌方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084793A JPH06256998A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | メッキ液の攪拌方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084793A JPH06256998A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | メッキ液の攪拌方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256998A true JPH06256998A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13443373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7084793A Pending JPH06256998A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | メッキ液の攪拌方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256998A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1061159A1 (en) * | 1998-12-21 | 2000-12-20 | Tokyo Electron Limited | Plating apparatus, plating system, method for plating using the same |
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| KR100390890B1 (ko) * | 1998-11-14 | 2003-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 도전층형성방법 |
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| JPH05295590A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Nkk Corp | 表面処理鋼板の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-05 JP JP7084793A patent/JPH06256998A/ja active Pending
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