KR970018648A - 플라즈마장치 - Google Patents

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KR970018648A
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aluminum
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마사유끼 고바야시
기요시 마에다
마사또 도요따
히로시 오니시
히로시 다나까
도시오 고메루라
다미오 마쯔무라
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가따오까 다까시
미쯔비시덴끼 주식회사
가와즈 사또루
료덴세미컨덕터시스텝엔지니어링 주식회사
도미다 모리오
시꼬꾸게소꾸고교주식회사
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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Abstract

반도체장치 제조공정에 있어서의 플라즈마 에칭공정에 사용되는 플라즈마장치에 관한 것으로써 플라즈마 에칭처리 및 플라즈마 클리닝처리를 여러번 반복하는 경우에도 반응실의 부품에서 이물질의 발생을 감소시킬 수 있고 클리닝처리 없이 플라즈마장치의 처리시간을 연장할 수 있고 이 경우 클리닝처리 주기의 빈도가 길게하며, 플라즈마 클리닝처리를 실행하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있도록 하기 위해, 플라즈마 에칭처리가 실행되는 반응실, 반응실에서 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생수단, 반응실에서 에칭된 반도체웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼스테이지 및 할로겐가스를 반응실로 공급하는 가스공급수단을 마련한다. 이것에 의해, 부품으로부터 이물질이 발생하는 것을 감소시킬수 있고, 플라즈마 클리닝처리의 효율이 향상될 수 있다.

Description

플라즈마장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 실시예1의 플라즈마 장치를 도시한 단면도,
제5도는 마그네슘(Mg)를 함유하고 알루마이트로 도포되지 않은 알루미늄으로 이루어진 접지판과 알루마이트로 도포된 알루미늄으로 이루어진 접지판과 알루마이트로 도포된 알루미늄으로 이루워진 접지판을 사용해서 반도체 웨이퍼 상의 단위 면적당 알루미늄 원자수를 비교하는 설명도

Claims (9)

  1. 프라즈마 에칭처리를 실행하는 플라즈마장치에 있어서, 상기 플라즈마 에칭처리가 실행되는 반응실, 상기 반응실에서 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생수단, 상기 상기 반응실에서 에칭된 반도체웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼스테이지 및 할로겐가스를 상기 반응실로 공급하는 가스공급수단을 포함하고, 상기 반응실에서 상기 플라즈마에 노출된 금속부품은 마그네슘(Mg)를 함유하는 알루미늄(Al)재로 이루어지고, 상기 각각의 부품의 표면은 피막되지 않는 플라즈마장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생수단은 마이프로파를 상기 반응실로 전달하는 도파관 및 상기 반도체웨이퍼를 거쳐서 상기 도파관에 대향하는 위치에 배치된 접지전극을 포함하고, 상기 가스공급수단은 상기 가스를 상기 플라즈마장치의 외부에서 상기 반응실로 도입하는 가스도입관 및 상기 가스가 상기 반응실로 공급되는 여러개의 구멍을 갖는 가스도입링을 포함하고, 상기 가스도입링은 상기 가스도입관에 접속되며, 상기 접지전극 및 상기 가스도입링은 마그네슘(Mg)를 함유하는 상기 알루미늄(Al)재로 이루어지고, 상기 접지전극 및 상기 가스도입링의 표면은 피막되지 않은 플라즈마장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속부품은 2.2~2.8 중량%의 마그네슘(Mg)를 함유하는 알루미늄(Al)으로 이루어지는 플라즈마장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 접지전극 및 상기 가스도입링은 2.2~2.8 중량%의 마그네슘(Mg)를 함유하는 알루미늄(Al)으로 이루어지는 플라즈마장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반응실에서 플라즈마 클리닝 실행시 플라즈마 에칭이 실행되는 플라즈마 활성화부이외의 부분을 가열하는 가열수단을 또 포함하는 플라즈마 장치.
  6. 제1항에 있어서, 플라즈마 방전을 실행하고, 상기 플라즈마 방전에 의해 기를 발생하여, 플라즈마 클리닝 실행시 상기 기를 상기 반응실에 공급하는 플라즈마 공급수단을 또 포함하는 플라즈마 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반응실에서 플라즈마에칭이 실행되는 플라즈마 활성화부 이외의 부분에 배치된 부품은 상기 마그네슘(Mg)를 알루미늄(Al)로 이루어지고, 그의 표면은 NiF막으로 도포되는 플라즈마 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 클리닝 실행시 상기 가스공급수단에 의해 상기 반응실로 강한 반응가스가 공급되는 플라즈마장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 강한 반응가스로서 ClF3가스, Br을 포함하는 ClF3가스, NF3가스 및 NF3+F2가스 중 하나를 공급하는 플라즈마 장치.
KR1019960020237A 1995-09-22 1996-06-07 플라즈마 장치 KR100208769B1 (ko)

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JP7244441A JPH0992641A (ja) 1995-09-22 1995-09-22 プラズマエッチング装置

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KR100208769B1 KR100208769B1 (ko) 1999-07-15

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DE19614524C2 (de) 2001-09-13
DE19614524A1 (de) 1997-03-27
JPH0992641A (ja) 1997-04-04
US5679204A (en) 1997-10-21
KR100208769B1 (ko) 1999-07-15

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