JPH0992641A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JPH0992641A JPH0992641A JP7244441A JP24444195A JPH0992641A JP H0992641 A JPH0992641 A JP H0992641A JP 7244441 A JP7244441 A JP 7244441A JP 24444195 A JP24444195 A JP 24444195A JP H0992641 A JPH0992641 A JP H0992641A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング工程およびプラズマクリーニング
工程が繰り返し実行されても、反応室内の部材からの異
物の発生を低下させうるプラズマエッチング装置を得
る。 【構成】 反応室２０内のプラズマの活性領域内にある
部材、例えばアース板５やガス導入リング６の材質とし
て、マグネシウムを２．２〜２．８％含有したアルミニ
ウムであって表面にアルマイト等による被覆のない材質
が用いられている。
工程が繰り返し実行されても、反応室内の部材からの異
物の発生を低下させうるプラズマエッチング装置を得
る。 【構成】 反応室２０内のプラズマの活性領域内にある
部材、例えばアース板５やガス導入リング６の材質とし
て、マグネシウムを２．２〜２．８％含有したアルミニ
ウムであって表面にアルマイト等による被覆のない材質
が用いられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造における
エッチングに用いられる装置であって、ガスのプラズマ
化によって生ずるイオンやラジカルによってエッチング
を行うプラズマエッチング装置に関するものである。
エッチングに用いられる装置であって、ガスのプラズマ
化によって生ずるイオンやラジカルによってエッチング
を行うプラズマエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来のプラズマエッチング装置
を示す断面図である。図において、１はその内部が反応
室２０の一部を構成し反応室２０内にマイクロ波を導入
するための石英ベルジャー、２はマイクロ波を伝達する
ための導波管、３は石英ベルジャー１の周囲に設けられ
磁場を発生するソレノイド、４はその上に半導体ウェー
ハ８が載置されるウェーハステージ、５１は半導体ウェ
ーハ８に印加される高周波電界の一方の電極となるアル
ミニウム製のアース板、６１はガス導入管７からのガス
を反応室２０に供給するためのアルミニウム製のガス導
入リング、９は半導体ウェーハ８をウェーハステージ４
上に押さえつけるウェーハ押さえ（ウェイト）、１０は
エッチングの終点を検出するのに用いられる光増倍管、
１１は石英ベルジャー１を固定して反応室２０の真空度
を保つためのＯリングである。
を示す断面図である。図において、１はその内部が反応
室２０の一部を構成し反応室２０内にマイクロ波を導入
するための石英ベルジャー、２はマイクロ波を伝達する
ための導波管、３は石英ベルジャー１の周囲に設けられ
磁場を発生するソレノイド、４はその上に半導体ウェー
ハ８が載置されるウェーハステージ、５１は半導体ウェ
ーハ８に印加される高周波電界の一方の電極となるアル
ミニウム製のアース板、６１はガス導入管７からのガス
を反応室２０に供給するためのアルミニウム製のガス導
入リング、９は半導体ウェーハ８をウェーハステージ４
上に押さえつけるウェーハ押さえ（ウェイト）、１０は
エッチングの終点を検出するのに用いられる光増倍管、
１１は石英ベルジャー１を固定して反応室２０の真空度
を保つためのＯリングである。
【０００３】次に動作について説明する。まず、反応室
２０内の圧力が、例えば１０-4Torr程度に設定される。
そして、ガス導入管７からガス導入リング６１内にガス
が導入される。導入されたガスは、ガス導入リング６１
の内部から、ガス導入リング６１の随所に開けられた穴
を介して反応室２０内に導入される。また、導波管２お
よび石英ベルジャー１を介して反応室２０にマイクロ波
が導入される。マイクロ波の電力は、ソレノイド３から
の磁界による電子サイクロトロン共鳴によって、高い効
率で電子に吸収される。従って、導入されたガスは、高
効率でプラズマ化される。半導体ウェーハ８とアース板
５１との間には高周波電界がかけられている。半導体ウ
ェーハ８の表面の物質は、プラズマ中のイオンによるイ
オン衝撃反応やラディカルによって気化される、そし
て、気化によるガスは反応室２０内に揮発し、反応室２
０から排出される。以上のようにして、エッチングが行
われる。
２０内の圧力が、例えば１０-4Torr程度に設定される。
そして、ガス導入管７からガス導入リング６１内にガス
が導入される。導入されたガスは、ガス導入リング６１
の内部から、ガス導入リング６１の随所に開けられた穴
を介して反応室２０内に導入される。また、導波管２お
よび石英ベルジャー１を介して反応室２０にマイクロ波
が導入される。マイクロ波の電力は、ソレノイド３から
の磁界による電子サイクロトロン共鳴によって、高い効
率で電子に吸収される。従って、導入されたガスは、高
効率でプラズマ化される。半導体ウェーハ８とアース板
５１との間には高周波電界がかけられている。半導体ウ
ェーハ８の表面の物質は、プラズマ中のイオンによるイ
オン衝撃反応やラディカルによって気化される、そし
て、気化によるガスは反応室２０内に揮発し、反応室２
０から排出される。以上のようにして、エッチングが行
われる。
【０００４】ＣＦ4 ガス、Ｃｌ2 、Ｂｒ2 等のハロゲン
系ガスを用いたエッチングが行われるときに、プラズマ
に曝されるガス導入リング６１は、ハロゲンガスによる
腐食やスパッタリングによって損傷される。また、プラ
ズマに曝され、かつ、電界がかけられてイオン衝撃の強
いアース板５１も、ハロゲンガスによる腐食やスパッタ
リングによって損傷される。そこで、ハロゲンガスおよ
びそれらの励起された活性種による損傷からガス導入リ
ング６１やアース板５１等を保護するために、例えば、
特開平２−２１３４８０号公報に開示されているよう
に、アルミニウム部品に陽極酸化皮膜を施す処理（アル
マイト）が行われている。アルマイトが施された様子を
図１２（ａ）に示す。
系ガスを用いたエッチングが行われるときに、プラズマ
に曝されるガス導入リング６１は、ハロゲンガスによる
腐食やスパッタリングによって損傷される。また、プラ
ズマに曝され、かつ、電界がかけられてイオン衝撃の強
いアース板５１も、ハロゲンガスによる腐食やスパッタ
リングによって損傷される。そこで、ハロゲンガスおよ
びそれらの励起された活性種による損傷からガス導入リ
ング６１やアース板５１等を保護するために、例えば、
特開平２−２１３４８０号公報に開示されているよう
に、アルミニウム部品に陽極酸化皮膜を施す処理（アル
マイト）が行われている。アルマイトが施された様子を
図１２（ａ）に示す。
【０００５】しかし、アルマイトされた部品を長時間使
用していると、図１２（ｂ）に示すように、酸化皮膜が
はがれてくるという現象が生ずる。はがれた皮膜は異物
となって半導体ウェーハ８の表面に付着し、半導体チッ
プの歩留まり低下を引き起こす。そこで、皮膜がはがれ
だすと、再びアルマイトを施さなければならない。
用していると、図１２（ｂ）に示すように、酸化皮膜が
はがれてくるという現象が生ずる。はがれた皮膜は異物
となって半導体ウェーハ８の表面に付着し、半導体チッ
プの歩留まり低下を引き起こす。そこで、皮膜がはがれ
だすと、再びアルマイトを施さなければならない。
【０００６】ところで、エッチングが何回も実施される
と反応室２０内に反応生成物が付着する。例えば、石英
ベルジャー１の内壁のマイクロ波導入部に反応生成物が
付着する。すると、実質的なマイクロ波投入電力が低下
するので、エッチングの効率が低下する。また、反応室
２０の内壁に付着した生成物が活性種と反応してしまっ
てエッチング効率が低下する。そこで、特開平５−２４
３１６３号公報や特開平２−１２８１８号公報に記載さ
れているように、反応室２０内にＳＦ6 ガス等を導入し
てプラズマを発生させ、発生したプラズマによって付着
物を除去するプラズマクリーニングが行われている。プ
ラズマクリーニングは、例えば、１ロット（半導体ウェ
ーハ２５枚）のエッチングが行われる毎に実施されてい
る。しかし、プラズマクリーニング工程においても、エ
ッチング工程におけるのと同様に、反応室２０内の各部
材から異物が生ずることもある。
と反応室２０内に反応生成物が付着する。例えば、石英
ベルジャー１の内壁のマイクロ波導入部に反応生成物が
付着する。すると、実質的なマイクロ波投入電力が低下
するので、エッチングの効率が低下する。また、反応室
２０の内壁に付着した生成物が活性種と反応してしまっ
てエッチング効率が低下する。そこで、特開平５−２４
３１６３号公報や特開平２−１２８１８号公報に記載さ
れているように、反応室２０内にＳＦ6 ガス等を導入し
てプラズマを発生させ、発生したプラズマによって付着
物を除去するプラズマクリーニングが行われている。プ
ラズマクリーニングは、例えば、１ロット（半導体ウェ
ーハ２５枚）のエッチングが行われる毎に実施されてい
る。しかし、プラズマクリーニング工程においても、エ
ッチング工程におけるのと同様に、反応室２０内の各部
材から異物が生ずることもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマエッチ
ング装置は以上のように構成されているので、次のよう
な問題点があった。 （１） アルマイトされた部品からはがれた皮膜が異物
となって半導体ウェーハ８の表面に付着する。そこで、
皮膜がはがれだすと、再びアルマイトを施さなければな
らない。そのために、エッチング作業の効率が低下す
る。 （２） プラズマクリーニングを行っても、数１０ロッ
トのエッチングが行われると、やはり、反応室２０内に
反応生成物が付着する。すると、例えば、エッチング終
点の検出が困難になるなどの不具合が生ずる。そこで、
数１０ロットのエッチングが行われると、装置の運転を
停止して反応室２０内の洗浄作業（定期メンテナンス）
を行わなければならない。定期メンテナンスは装置を完
全に停止させて行われるので、エッチング作業効率を低
下させる。
ング装置は以上のように構成されているので、次のよう
な問題点があった。 （１） アルマイトされた部品からはがれた皮膜が異物
となって半導体ウェーハ８の表面に付着する。そこで、
皮膜がはがれだすと、再びアルマイトを施さなければな
らない。そのために、エッチング作業の効率が低下す
る。 （２） プラズマクリーニングを行っても、数１０ロッ
トのエッチングが行われると、やはり、反応室２０内に
反応生成物が付着する。すると、例えば、エッチング終
点の検出が困難になるなどの不具合が生ずる。そこで、
数１０ロットのエッチングが行われると、装置の運転を
停止して反応室２０内の洗浄作業（定期メンテナンス）
を行わなければならない。定期メンテナンスは装置を完
全に停止させて行われるので、エッチング作業効率を低
下させる。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、エッチング工程およびプラズマ
クリーニング工程が繰り返し実行されても、反応室内の
部材からの異物の発生を低下させうるプラズマエッチン
グ装置を得ることを目的とする。また、定期メンテナン
スの周期を長くして、装置の稼働期間を長くできるプラ
ズマエッチング装置を得ることを目的とする。さらに、
プラズマクリーニング工程に要する時間を短縮しうるプ
ラズマエッチング装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、エッチング工程およびプラズマ
クリーニング工程が繰り返し実行されても、反応室内の
部材からの異物の発生を低下させうるプラズマエッチン
グ装置を得ることを目的とする。また、定期メンテナン
スの周期を長くして、装置の稼働期間を長くできるプラ
ズマエッチング装置を得ることを目的とする。さらに、
プラズマクリーニング工程に要する時間を短縮しうるプ
ラズマエッチング装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るプ
ラズマエッチング装置は、反応室内のプラズマの活性領
域内にある部材の材質として、マグネシウムを含有した
アルミニウムであって表面に被覆のない材質が用いられ
ているものである。
ラズマエッチング装置は、反応室内のプラズマの活性領
域内にある部材の材質として、マグネシウムを含有した
アルミニウムであって表面に被覆のない材質が用いられ
ているものである。
【００１０】請求項２の発明に係るプラズマエッチング
装置は、反応室内のプラズマの活性領域内にある部材の
材質として、マグネシウムを２．２〜２．８％含有した
アルミニウムであって表面に被覆のない材質が用いられ
ているものである。
装置は、反応室内のプラズマの活性領域内にある部材の
材質として、マグネシウムを２．２〜２．８％含有した
アルミニウムであって表面に被覆のない材質が用いられ
ているものである。
【００１１】請求項３の発明に係るプラズマエッチング
装置は、プラズマクリーニング時に反応室を加熱する加
熱手段をさらに備えたものである。
装置は、プラズマクリーニング時に反応室を加熱する加
熱手段をさらに備えたものである。
【００１２】請求項４の発明に係るプラズマエッチング
装置は、プラズマクリーニング時にプラズマ放電による
活性種を反応室に供給するプラズマ供給手段をさらに備
えたものである。
装置は、プラズマクリーニング時にプラズマ放電による
活性種を反応室に供給するプラズマ供給手段をさらに備
えたものである。
【００１３】請求項５の発明に係るプラズマエッチング
装置は、反応室内のプラズマ活性領域外にある部材がＮ
ｉＦ膜で覆われているものである。
装置は、反応室内のプラズマ活性領域外にある部材がＮ
ｉＦ膜で覆われているものである。
【００１４】請求項６の発明に係るプラズマエッチング
装置は、プラズマクリーニング時に反応性の強いガスを
反応室内に導入するものである。
装置は、プラズマクリーニング時に反応性の強いガスを
反応室内に導入するものである。
【００１５】
【作用】請求項１の発明におけるアース板やガス導入リ
ングなどのプラズマに曝される部材は、アルマイト等に
よる被覆のないマグネシウムを含有したアルミニウムで
形成され、ＣｌやＢｒを含むガスによるプラズマを用い
てエッチングやクリーニングが行われるときに、発塵量
を低減させる。
ングなどのプラズマに曝される部材は、アルマイト等に
よる被覆のないマグネシウムを含有したアルミニウムで
形成され、ＣｌやＢｒを含むガスによるプラズマを用い
てエッチングやクリーニングが行われるときに、発塵量
を低減させる。
【００１６】請求項２の発明におけるアース板やガス導
入リングなどのプラズマに曝される部材は、アルマイト
等による被覆のないマグネシウムを２．２〜２．８％含
有したアルミニウムで形成され、ＣｌやＢｒを含むガス
によるプラズマを用いてエッチングやクリーニングが行
われるときに、発塵量をより低減させる。
入リングなどのプラズマに曝される部材は、アルマイト
等による被覆のないマグネシウムを２．２〜２．８％含
有したアルミニウムで形成され、ＣｌやＢｒを含むガス
によるプラズマを用いてエッチングやクリーニングが行
われるときに、発塵量をより低減させる。
【００１７】請求項３の発明における加熱手段は、プラ
ズマクリーニング時に、反応室内のプラズマ活性領域か
ら遠い領域を加熱して、その領域におけるクリーニング
速度を向上させる。
ズマクリーニング時に、反応室内のプラズマ活性領域か
ら遠い領域を加熱して、その領域におけるクリーニング
速度を向上させる。
【００１８】請求項４の発明におけるプラズマ供給手段
は、プラズマクリーニング時に、反応室内のプラズマ活
性領域から遠い領域にプラズマ放電による活性種を供給
し、プラズマ活性領域から遠い領域におけるクリーニン
グ効率を向上させる。
は、プラズマクリーニング時に、反応室内のプラズマ活
性領域から遠い領域にプラズマ放電による活性種を供給
し、プラズマ活性領域から遠い領域におけるクリーニン
グ効率を向上させる。
【００１９】請求項５の発明における反応室内のプラズ
マ活性領域外にある部材は、耐腐食性の強いＮｉＦ膜で
覆われ、プラズマ活性領域外からの発塵量を低減させ
る。
マ活性領域外にある部材は、耐腐食性の強いＮｉＦ膜で
覆われ、プラズマ活性領域外からの発塵量を低減させ
る。
【００２０】請求項６の発明における反応室のプラズマ
に曝される部材は、ハロゲン系のガスに対する耐腐食性
の強い材質で形成されているので、プラズマクリーニン
グ時に、ＣｌＦ3 、ＮＦ3 ＋Ｆ2 などのような反応性の
強いガスが導入されても、発塵量を増加させない。
に曝される部材は、ハロゲン系のガスに対する耐腐食性
の強い材質で形成されているので、プラズマクリーニン
グ時に、ＣｌＦ3 、ＮＦ3 ＋Ｆ2 などのような反応性の
強いガスが導入されても、発塵量を増加させない。
【００２１】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１によるプラズマエッチ
ング装置を示す断面図である。図において、１はその内
部が反応室２０の一部を構成し反応室２０内にマイクロ
波を導入するための石英ベルジャー、２はマイクロ波を
伝達するための導波管、３は石英ベルジャー１の周囲に
設けられ磁場を発生するソレノイド、４はその上に半導
体ウェーハ８が載置されるウェーハステージ、５は半導
体ウェーハ８に印加される高周波電界の一方の電極とな
るアルミニウム製のアース板、６はガス導入管７からの
ガスを反応室２０に供給するためのアルミニウム製のガ
ス導入リング、９は半導体ウェーハ８をウェーハステー
ジ４上に押さえつけるウェーハ押さえ（ウェイト）、１
０はエッチングの終点を検出するのに用いられる光増倍
管、１１は石英ベルジャー１を固定して反応室２０の真
空度を保つためのＯリングである。なお、エッチングの
動作は、図１１に示された装置の動作と同様である。
する。図１はこの発明の実施例１によるプラズマエッチ
ング装置を示す断面図である。図において、１はその内
部が反応室２０の一部を構成し反応室２０内にマイクロ
波を導入するための石英ベルジャー、２はマイクロ波を
伝達するための導波管、３は石英ベルジャー１の周囲に
設けられ磁場を発生するソレノイド、４はその上に半導
体ウェーハ８が載置されるウェーハステージ、５は半導
体ウェーハ８に印加される高周波電界の一方の電極とな
るアルミニウム製のアース板、６はガス導入管７からの
ガスを反応室２０に供給するためのアルミニウム製のガ
ス導入リング、９は半導体ウェーハ８をウェーハステー
ジ４上に押さえつけるウェーハ押さえ（ウェイト）、１
０はエッチングの終点を検出するのに用いられる光増倍
管、１１は石英ベルジャー１を固定して反応室２０の真
空度を保つためのＯリングである。なお、エッチングの
動作は、図１１に示された装置の動作と同様である。
【００２２】既に説明したように、半導体製造を円滑に
進行させるためには、エッチング工程およびプラズマク
リーニング工程で発生する異物をできるだけ低減する必
要がある。特に、定期メンテナンスの周期をできるだけ
長くするために、プラズマクリーニング工程では、クリ
ーニングガスによるプラズマと装置を構成する部材との
反応による異物を低減する必要がある。
進行させるためには、エッチング工程およびプラズマク
リーニング工程で発生する異物をできるだけ低減する必
要がある。特に、定期メンテナンスの周期をできるだけ
長くするために、プラズマクリーニング工程では、クリ
ーニングガスによるプラズマと装置を構成する部材との
反応による異物を低減する必要がある。
【００２３】そこで、種々の材料について、プラズマに
曝したときの腐食の程度を検討した。その結果、図２に
示すようなＭｇを含有したアルミニウム材、特にＭｇを
２．２〜２．８％含むアルミニウム材、例えばＪＩＳ規
格の５０５２合金は、アルマイトされたアルミニウム材
に比べて腐食の程度が低いことがわかった。図３は、幾
種類かのアルマイトされたアルミニウム材をＣｌＦ3 に
よるプラズマに曝したときの重量変化を示したものであ
る。図４は、幾種類かのアルマイトされていないＭｇを
含有したアルミニウム材をＣｌＦ3 によるプラズマに曝
したときの重量変化を示したものである。
曝したときの腐食の程度を検討した。その結果、図２に
示すようなＭｇを含有したアルミニウム材、特にＭｇを
２．２〜２．８％含むアルミニウム材、例えばＪＩＳ規
格の５０５２合金は、アルマイトされたアルミニウム材
に比べて腐食の程度が低いことがわかった。図３は、幾
種類かのアルマイトされたアルミニウム材をＣｌＦ3 に
よるプラズマに曝したときの重量変化を示したものであ
る。図４は、幾種類かのアルマイトされていないＭｇを
含有したアルミニウム材をＣｌＦ3 によるプラズマに曝
したときの重量変化を示したものである。
【００２４】図３および図４からわかるように、アルマ
イトされていないＭｇを含有したアルミニウム材の重量
変化に比べて、アルマイトされたアルミニウム材の重量
変化は激しい。すなわち、腐食が進行していることがわ
かる。なお、図３および図４において、□は、アルミニ
ウム材として、Ｍｇを２．２〜２．８％含むＪＩＳ規格
の５０５２合金を用いた場合を示す。◆は、アルミニウ
ム材として、Ｍｇを１．２〜１．８％含むＪＩＳ規格の
２０２４合金を用いた場合を示す。中黒□は、アルミニ
ウム材として、Ｍｇを０．０５％以下含むＪＩＳ規格の
１０５０合金を用いた場合を示す。また、図４におい
て、３本の折線はほぼ重なっている。
イトされていないＭｇを含有したアルミニウム材の重量
変化に比べて、アルマイトされたアルミニウム材の重量
変化は激しい。すなわち、腐食が進行していることがわ
かる。なお、図３および図４において、□は、アルミニ
ウム材として、Ｍｇを２．２〜２．８％含むＪＩＳ規格
の５０５２合金を用いた場合を示す。◆は、アルミニウ
ム材として、Ｍｇを１．２〜１．８％含むＪＩＳ規格の
２０２４合金を用いた場合を示す。中黒□は、アルミニ
ウム材として、Ｍｇを０．０５％以下含むＪＩＳ規格の
１０５０合金を用いた場合を示す。また、図４におい
て、３本の折線はほぼ重なっている。
【００２５】図１に示された装置は、以上のような知見
にもとづいて構成された装置である。すなわち、エッチ
ング工程およびプラズマクリーニング工程においてプラ
ズマに曝されるアース板５やガス導入リング６等の金属
部材は、アルマイトされていないＭｇを含有したアルミ
ニウム材で構成されている。そのような装置では、エッ
チング工程およびプラズマクリーニング工程で発生する
異物は、従来の装置の場合に比べて低減される。
にもとづいて構成された装置である。すなわち、エッチ
ング工程およびプラズマクリーニング工程においてプラ
ズマに曝されるアース板５やガス導入リング６等の金属
部材は、アルマイトされていないＭｇを含有したアルミ
ニウム材で構成されている。そのような装置では、エッ
チング工程およびプラズマクリーニング工程で発生する
異物は、従来の装置の場合に比べて低減される。
【００２６】図１に示された装置では、金属部材が皮膜
に覆われていないので、エッチングの際のアルミニウム
汚染が懸念される。そこで、アルミニウム汚染の程度を
調べた。すなわち、実際にエッチングが行われるのと同
一の条件で、半導体ウェーハ８における単位面積当たり
のＡｌ原子数を計測した。図５は、アルマイトされてい
ないＭｇを含有したアルミニウム材によるアース板５を
用いた場合の単位面積当たりのＡｌ原子数と、アルマイ
トされたアルミニウム材によるアース板を用いた場合の
単位面積当たりのＡｌ原子数とを比較して示す図であ
る。図５からわかるように、アルマイトされていないＭ
ｇを含有したアルミニウム材によるアース板５を用いた
場合でも、アルマイトされたアルミニウム材によるアー
ス板を用いた場合に比べて、アルミニウム汚染の程度は
大きくなっていない。
に覆われていないので、エッチングの際のアルミニウム
汚染が懸念される。そこで、アルミニウム汚染の程度を
調べた。すなわち、実際にエッチングが行われるのと同
一の条件で、半導体ウェーハ８における単位面積当たり
のＡｌ原子数を計測した。図５は、アルマイトされてい
ないＭｇを含有したアルミニウム材によるアース板５を
用いた場合の単位面積当たりのＡｌ原子数と、アルマイ
トされたアルミニウム材によるアース板を用いた場合の
単位面積当たりのＡｌ原子数とを比較して示す図であ
る。図５からわかるように、アルマイトされていないＭ
ｇを含有したアルミニウム材によるアース板５を用いた
場合でも、アルマイトされたアルミニウム材によるアー
ス板を用いた場合に比べて、アルミニウム汚染の程度は
大きくなっていない。
【００２７】従って、図１に示された装置では、エッチ
ング工程におけるアルミニウム汚染の程度を増大させる
ことなく、エッチング工程およびプラズマクリーニング
工程におけるアース板５の腐食が抑えられる。実際に、
半導体ウェーハ８に半導体デバイスが形成された後に、
異物チェックを行った。すなわち、半導体ウェーハ８を
ウェーハステージ４に載置し、クリーニングガスを所定
の時間反応室２０に流入させ、半導体ウェーハ８上の異
物数を測定した。アルマイトされたアルミニウム材によ
るアース板を用いた場合には、半導体ウェーハ８上のア
ルミニウム系異物数は、全異物数の約４０％であった。
しかし、アルマイトされていないＭｇを含有したアルミ
ニウム材によるアース板５を用いた場合には、半導体ウ
ェーハ８上のアルミニウム系異物数は、全異物数の０〜
約１０％であった。
ング工程におけるアルミニウム汚染の程度を増大させる
ことなく、エッチング工程およびプラズマクリーニング
工程におけるアース板５の腐食が抑えられる。実際に、
半導体ウェーハ８に半導体デバイスが形成された後に、
異物チェックを行った。すなわち、半導体ウェーハ８を
ウェーハステージ４に載置し、クリーニングガスを所定
の時間反応室２０に流入させ、半導体ウェーハ８上の異
物数を測定した。アルマイトされたアルミニウム材によ
るアース板を用いた場合には、半導体ウェーハ８上のア
ルミニウム系異物数は、全異物数の約４０％であった。
しかし、アルマイトされていないＭｇを含有したアルミ
ニウム材によるアース板５を用いた場合には、半導体ウ
ェーハ８上のアルミニウム系異物数は、全異物数の０〜
約１０％であった。
【００２８】図６は数台のプラズマエッチング装置を１
カ月稼働させた場合の装置停止回数実績を示す説明図で
ある。１カ月のうちの所定期間において、アルマイトさ
れていないＭｇを含有したアルミニウム材でアース板５
やガス導入リング６等の金属部材が形成されている装置
が用いられ、他の所定期間において、アルマイトされた
アルミニウム材でアース板やガス導入リング等の金属部
材が形成されている装置が用いられている。「ＥＮ６
２」の装置は最も厳しい条件下で稼働された。図６に示
されているように、アルマイトされたアルミニウム材で
アース板やガス導入リング等の金属部材が形成されてい
る場合には、エッチングの終点の検出が不安定になり装
置が停止する回数が多い。
カ月稼働させた場合の装置停止回数実績を示す説明図で
ある。１カ月のうちの所定期間において、アルマイトさ
れていないＭｇを含有したアルミニウム材でアース板５
やガス導入リング６等の金属部材が形成されている装置
が用いられ、他の所定期間において、アルマイトされた
アルミニウム材でアース板やガス導入リング等の金属部
材が形成されている装置が用いられている。「ＥＮ６
２」の装置は最も厳しい条件下で稼働された。図６に示
されているように、アルマイトされたアルミニウム材で
アース板やガス導入リング等の金属部材が形成されてい
る場合には、エッチングの終点の検出が不安定になり装
置が停止する回数が多い。
【００２９】また、１ロットの処理が終了するとクリー
ニングガスとしてＣｌＦ3 を用いてプラズマクリーニン
グをしつつ処理を進めた場合と、１ロットの処理が終了
するとクリーニングガスとしてＳＦ6 を用いてプラズマ
クリーニングをしつつ処理を進めた場合について装置の
停止を観測した。ＳＦ6 を用いた場合には、４０ロット
の処理を越えると装置が度々停止したのに対して、Ｃｌ
Ｆ3 を用いた場合には、１４０ロットの処理を越えても
装置は停止せず連続処理できた。
ニングガスとしてＣｌＦ3 を用いてプラズマクリーニン
グをしつつ処理を進めた場合と、１ロットの処理が終了
するとクリーニングガスとしてＳＦ6 を用いてプラズマ
クリーニングをしつつ処理を進めた場合について装置の
停止を観測した。ＳＦ6 を用いた場合には、４０ロット
の処理を越えると装置が度々停止したのに対して、Ｃｌ
Ｆ3 を用いた場合には、１４０ロットの処理を越えても
装置は停止せず連続処理できた。
【００３０】以上のように、プラズマに曝されるアース
板５やガス導入リング６等の金属部材を、アルマイトさ
れていないＭｇを含有したアルミニウム材で構成すれ
ば、Ｃｌ2 等のハロゲンガスに対する耐腐食性が向上す
るので、プラズマクリーニング時にも反応性の強いＣｌ
Ｆ3 を用いることができる。その結果、エッチングの終
点の検出が不安定になって装置が停止するまでの処理ロ
ット数を増加させることができる。すなわち、装置を止
めて定期クリーニングを行う周期を延長することができ
る。なお、ここではクリーニングガスとしてＣｌＦ3 を
用いた場合について説明したが、Ｂｒを含むガス、ＮＦ
3 やＮＦ3 ＋Ｆ2 等の他の反応性の強いガスを用いるこ
ともできる。
板５やガス導入リング６等の金属部材を、アルマイトさ
れていないＭｇを含有したアルミニウム材で構成すれ
ば、Ｃｌ2 等のハロゲンガスに対する耐腐食性が向上す
るので、プラズマクリーニング時にも反応性の強いＣｌ
Ｆ3 を用いることができる。その結果、エッチングの終
点の検出が不安定になって装置が停止するまでの処理ロ
ット数を増加させることができる。すなわち、装置を止
めて定期クリーニングを行う周期を延長することができ
る。なお、ここではクリーニングガスとしてＣｌＦ3 を
用いた場合について説明したが、Ｂｒを含むガス、ＮＦ
3 やＮＦ3 ＋Ｆ2 等の他の反応性の強いガスを用いるこ
ともできる。
【００３１】実施例２．図７はこの発明の実施例２によ
るプラズマエッチング装置を示す断面図である。図にお
いて、１２は反応室２０の下部側を加熱するためのヒー
タである。その他のものは、図１に示されたものと同一
のものである。エッチングの動作は、図１に示された装
置の動作と同様であるが、この装置において、プラズマ
クリーニングが行われるときに、ヒータ（加熱手段）１
２によって、反応室２０の下部側が加熱される。
るプラズマエッチング装置を示す断面図である。図にお
いて、１２は反応室２０の下部側を加熱するためのヒー
タである。その他のものは、図１に示されたものと同一
のものである。エッチングの動作は、図１に示された装
置の動作と同様であるが、この装置において、プラズマ
クリーニングが行われるときに、ヒータ（加熱手段）１
２によって、反応室２０の下部側が加熱される。
【００３２】エッチングが行われるときには、プラズマ
の活性領域から遠い反応室２０内の下部側にも反応生成
物が付着する。プラズマクリーニングでは、そのような
領域にある生成物も除去しなければならない。しかし、
プラズマクリーニングにおけるプラズマ放電による加熱
の効果は、そのような領域には及びにくい。従って、そ
のような領域では、クリーニング速度は遅くなる。
の活性領域から遠い反応室２０内の下部側にも反応生成
物が付着する。プラズマクリーニングでは、そのような
領域にある生成物も除去しなければならない。しかし、
プラズマクリーニングにおけるプラズマ放電による加熱
の効果は、そのような領域には及びにくい。従って、そ
のような領域では、クリーニング速度は遅くなる。
【００３３】そこで、ヒータ１２によって反応室２０の
下部側が加熱される。ヒータ１２による加熱によって反
応室２０の下部側に付着した生成物も効果的に除去され
た。
下部側が加熱される。ヒータ１２による加熱によって反
応室２０の下部側に付着した生成物も効果的に除去され
た。
【００３４】実施例３．図８はこの発明の実施例３によ
るプラズマエッチング装置を示す断面図である。図にお
いて、１３は反応室２０の外部に設けられた高周波電
源、１４は高周波電源１３に接続された電極、１５は電
極間に設置されプラズマ放電を行う放電室（プラズマ供
給手段）、１６は放電室１５内のプラズマを反応室２０
内に導入する貫通穴である。その他のものは、図１に示
されたものと同一のものである。この装置において、プ
ラズマクリーニングが行われるときに、放電室１５内で
生じたプラズマが反応室２０内の下部側に導入される。
るプラズマエッチング装置を示す断面図である。図にお
いて、１３は反応室２０の外部に設けられた高周波電
源、１４は高周波電源１３に接続された電極、１５は電
極間に設置されプラズマ放電を行う放電室（プラズマ供
給手段）、１６は放電室１５内のプラズマを反応室２０
内に導入する貫通穴である。その他のものは、図１に示
されたものと同一のものである。この装置において、プ
ラズマクリーニングが行われるときに、放電室１５内で
生じたプラズマが反応室２０内の下部側に導入される。
【００３５】プラズマクリーニングにおけるプラズマ放
電による加熱の効果が反応室２０内の下部側には及びに
くく、反応室２０内の下部側ではクリーニング速度が遅
くなることは既に述べた。さらに、クリーニング作用を
果たす活性種が反応室２０内の上部側で消費されてしま
って下部側に供給されないことも考えられる。実施例２
のように、加熱のみによってクリーニング速度を上げよ
うとすると、反応室２０内を３００℃以上に加熱しなけ
ればならない。すると、反応室２０内の部材の耐腐食性
が劣化してしまうことも考えられる。
電による加熱の効果が反応室２０内の下部側には及びに
くく、反応室２０内の下部側ではクリーニング速度が遅
くなることは既に述べた。さらに、クリーニング作用を
果たす活性種が反応室２０内の上部側で消費されてしま
って下部側に供給されないことも考えられる。実施例２
のように、加熱のみによってクリーニング速度を上げよ
うとすると、反応室２０内を３００℃以上に加熱しなけ
ればならない。すると、反応室２０内の部材の耐腐食性
が劣化してしまうことも考えられる。
【００３６】そこで、この実施例による装置では、プラ
ズマクリーニング時に、放電室１５においてプラズマの
発生が行われる。そして、発生したプラズマは、貫通穴
１６を介して反応室２０内の下部に供給される。従っ
て、反応室２０内の下部においても、クリーニング作用
を果たす活性種が十分に供給され、効率よくクリーニン
グが行われる。
ズマクリーニング時に、放電室１５においてプラズマの
発生が行われる。そして、発生したプラズマは、貫通穴
１６を介して反応室２０内の下部に供給される。従っ
て、反応室２０内の下部においても、クリーニング作用
を果たす活性種が十分に供給され、効率よくクリーニン
グが行われる。
【００３７】実施例４．図９はこの発明の実施例４によ
るプラズマエッチング装置を示す断面図である。図にお
いて、１２は反応室２０の下部側を加熱するためのヒー
タ、１３は反応室２０の外部に設けられた高周波電源、
１４は高周波電源１３に接続された電極、１５は電極間
に設置されプラズマ放電を行う放電室、１６は放電室１
５内のプラズマを反応室２０内に導入する貫通穴であ
る。その他のものは、図１に示されたものと同一のもの
である。この装置において、プラズマクリーニングが行
われるときに、放電室１５内で生じたプラズマが反応室
２０内の下部側に導入されるとともに、ヒータ１２によ
って反応室２０の下部側が加熱される。
るプラズマエッチング装置を示す断面図である。図にお
いて、１２は反応室２０の下部側を加熱するためのヒー
タ、１３は反応室２０の外部に設けられた高周波電源、
１４は高周波電源１３に接続された電極、１５は電極間
に設置されプラズマ放電を行う放電室、１６は放電室１
５内のプラズマを反応室２０内に導入する貫通穴であ
る。その他のものは、図１に示されたものと同一のもの
である。この装置において、プラズマクリーニングが行
われるときに、放電室１５内で生じたプラズマが反応室
２０内の下部側に導入されるとともに、ヒータ１２によ
って反応室２０の下部側が加熱される。
【００３８】反応室２０内の下部の温度は、直接プラズ
マ放電に曝される上部に比べて低い。従って、外部の放
電室１５からプラズマが供給されても、反応室２０内の
下部では、上部に比べてクリーニング速度が遅くなるこ
とも考えられる。そこで、この実施例による装置では、
プラズマクリーニング時に、放電室１５において発生し
たプラズマが貫通穴１６を介して反応室２０内の下部に
供給されるとともに、ヒータ１２によって反応室２０内
の下部が加熱される。この場合には、反応室２０内の部
材の耐腐食性を劣化させにくい３００℃よりも低い温度
で、反応室２０内の下部が加熱される。
マ放電に曝される上部に比べて低い。従って、外部の放
電室１５からプラズマが供給されても、反応室２０内の
下部では、上部に比べてクリーニング速度が遅くなるこ
とも考えられる。そこで、この実施例による装置では、
プラズマクリーニング時に、放電室１５において発生し
たプラズマが貫通穴１６を介して反応室２０内の下部に
供給されるとともに、ヒータ１２によって反応室２０内
の下部が加熱される。この場合には、反応室２０内の部
材の耐腐食性を劣化させにくい３００℃よりも低い温度
で、反応室２０内の下部が加熱される。
【００３９】このように、反応室２０内の下部に外部か
らプラズマを供給して３００℃よりも低い温度で反応室
２０内の下部を加熱することにより、プラズマクリーニ
ングの効率はより向上する。また、反応室２０内の部材
の耐腐食性は劣化しないので、そこからの異物の発生が
防止される。
らプラズマを供給して３００℃よりも低い温度で反応室
２０内の下部を加熱することにより、プラズマクリーニ
ングの効率はより向上する。また、反応室２０内の部材
の耐腐食性は劣化しないので、そこからの異物の発生が
防止される。
【００４０】実施例５．反応室内２０には、プラズマに
よる反応生成物が生成されるが、プラズマ活性領域外に
ある部材からも異物が発生することが考えられる。それ
らの異物の発生を抑えることも、半導体製造プロセスに
おいて重要である。しかも、上述したように、プラズマ
活性領域外の領域を含む反応室２０の下部は、プラズマ
クリーニング時に、クリーニング効率を上げるために高
温に加熱されることが望ましい。しかし、既に述べたよ
うに、温度を上げると高温にさらされる部材の耐腐食性
が劣化しやすくなる。
よる反応生成物が生成されるが、プラズマ活性領域外に
ある部材からも異物が発生することが考えられる。それ
らの異物の発生を抑えることも、半導体製造プロセスに
おいて重要である。しかも、上述したように、プラズマ
活性領域外の領域を含む反応室２０の下部は、プラズマ
クリーニング時に、クリーニング効率を上げるために高
温に加熱されることが望ましい。しかし、既に述べたよ
うに、温度を上げると高温にさらされる部材の耐腐食性
が劣化しやすくなる。
【００４１】そこで、図１０に示すように、温度を上げ
ても耐腐食性が劣化しにくいＮｉＦ膜でＭｇを含むアル
ミニウム材が被覆されたもので、プラズマ活性領域外に
ある部材の表面を覆う。特に、Ｍｇを２．２〜２．８％
含むアルミニウム材がＮｉＦ膜で被覆されたもので、プ
ラズマ活性領域外にある部材の表面を覆う。すると、プ
ラズマクリーニング時に、反応室２０内の下部側を３０
０℃以上の温度で加熱しても、プラズマ活性領域外にあ
る部材の耐腐食性の劣化が抑えられる。すなわち、反応
室２０内の下部側を３００℃以上の温度で加熱しつつプ
ラズマクリーニングを行っても、問題は生じない。実際
に、プラズマ活性領域外にある部材にＮｉＦ膜を施す
と、Ａｌ系異物がほとんど発生しないことが確認され
た。
ても耐腐食性が劣化しにくいＮｉＦ膜でＭｇを含むアル
ミニウム材が被覆されたもので、プラズマ活性領域外に
ある部材の表面を覆う。特に、Ｍｇを２．２〜２．８％
含むアルミニウム材がＮｉＦ膜で被覆されたもので、プ
ラズマ活性領域外にある部材の表面を覆う。すると、プ
ラズマクリーニング時に、反応室２０内の下部側を３０
０℃以上の温度で加熱しても、プラズマ活性領域外にあ
る部材の耐腐食性の劣化が抑えられる。すなわち、反応
室２０内の下部側を３００℃以上の温度で加熱しつつプ
ラズマクリーニングを行っても、問題は生じない。実際
に、プラズマ活性領域外にある部材にＮｉＦ膜を施す
と、Ａｌ系異物がほとんど発生しないことが確認され
た。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、プラズマエッチング装置を、プラズマに曝される部
材は表面に被覆のないマグネシウムを含有したアルミニ
ウムで形成されるように構成したので、ＣｌやＢｒを含
むガスによるプラズマを用いてエッチングやクリーニン
グが行われるときにプラズマに曝される部材からの異物
の発生を低減させ、半導体製造プロセスにおける製品の
歩留まりを向上させることができるとともに、装置を停
止して行う定期クリーニングの周期を長くして稼働率を
向上させることができるものが得られる効果がある。
ば、プラズマエッチング装置を、プラズマに曝される部
材は表面に被覆のないマグネシウムを含有したアルミニ
ウムで形成されるように構成したので、ＣｌやＢｒを含
むガスによるプラズマを用いてエッチングやクリーニン
グが行われるときにプラズマに曝される部材からの異物
の発生を低減させ、半導体製造プロセスにおける製品の
歩留まりを向上させることができるとともに、装置を停
止して行う定期クリーニングの周期を長くして稼働率を
向上させることができるものが得られる効果がある。
【００４３】請求項２の発明によれば、プラズマエッチ
ング装置を、プラズマに曝される部材は表面に被覆のな
いマグネシウムを２．２〜２．８％含有したアルミニウ
ムで形成されるように構成したので、ＣｌやＢｒを含む
ガスによるプラズマを用いてエッチングやクリーニング
が行われるときにプラズマに曝される部材からの異物の
発生をより低減させ、半導体製造プロセスにおける製品
の歩留まりを向上させることができるとともに、装置を
停止して行う定期クリーニングの周期をより長くして稼
働率を向上させることができるものが得られる効果があ
る。
ング装置を、プラズマに曝される部材は表面に被覆のな
いマグネシウムを２．２〜２．８％含有したアルミニウ
ムで形成されるように構成したので、ＣｌやＢｒを含む
ガスによるプラズマを用いてエッチングやクリーニング
が行われるときにプラズマに曝される部材からの異物の
発生をより低減させ、半導体製造プロセスにおける製品
の歩留まりを向上させることができるとともに、装置を
停止して行う定期クリーニングの周期をより長くして稼
働率を向上させることができるものが得られる効果があ
る。
【００４４】請求項３の発明によれば、プラズマエッチ
ング装置を、プラズマクリーニング時に反応室を加熱す
る加熱手段をさらに備えるように構成したので、プラズ
マによる加熱の効果が及びにくい反応室下部においても
クリーニング速度が向上し、プラズマクリーニング時間
を短縮できるものが得られる効果がある。
ング装置を、プラズマクリーニング時に反応室を加熱す
る加熱手段をさらに備えるように構成したので、プラズ
マによる加熱の効果が及びにくい反応室下部においても
クリーニング速度が向上し、プラズマクリーニング時間
を短縮できるものが得られる効果がある。
【００４５】請求項４の発明によれば、プラズマエッチ
ング装置を、プラズマクリーニング時にプラズマ放電に
よる活性種を反応室に供給するプラズマ供給手段をさら
に備えるように構成したので、プラズマクリーニング時
に、反応室内のプラズマ活性領域から遠い領域にプラズ
マ放電による活性種が供給され、プラズマ活性領域から
遠い領域におけるクリーニング効率を向上させ、プラズ
マクリーニング時間を短縮できるものが得られる効果が
ある。
ング装置を、プラズマクリーニング時にプラズマ放電に
よる活性種を反応室に供給するプラズマ供給手段をさら
に備えるように構成したので、プラズマクリーニング時
に、反応室内のプラズマ活性領域から遠い領域にプラズ
マ放電による活性種が供給され、プラズマ活性領域から
遠い領域におけるクリーニング効率を向上させ、プラズ
マクリーニング時間を短縮できるものが得られる効果が
ある。
【００４６】請求項５の発明によれば、プラズマエッチ
ング装置を、反応室内のプラズマ活性領域外にある部材
が耐腐食性の強いＮｉＦ膜で覆われるように構成したの
で、反応室内のプラズマ活性領域外にある部材からの異
物の発生を低減できるものが得られる効果がある。特
に、加熱手段を併用した場合には、クリーニング効率を
向上させるために加熱手段による反応室の温度を３００
°Ｃ以上にしても、プラズマ活性領域外にある部材から
の異物の発生は低減される。
ング装置を、反応室内のプラズマ活性領域外にある部材
が耐腐食性の強いＮｉＦ膜で覆われるように構成したの
で、反応室内のプラズマ活性領域外にある部材からの異
物の発生を低減できるものが得られる効果がある。特
に、加熱手段を併用した場合には、クリーニング効率を
向上させるために加熱手段による反応室の温度を３００
°Ｃ以上にしても、プラズマ活性領域外にある部材から
の異物の発生は低減される。
【００４７】請求項６の発明によれば、プラズマエッチ
ング装置を、プラズマに曝される部材は表面に被覆のな
いマグネシウムを含有したアルミニウムで形成されるよ
うに構成するとともに、プラズマクリーニング時に反応
性の強いガスを導入するように構成したので、プラズマ
に曝される部材からの異物の発生を抑えつつ、クリーニ
ング効率を向上させるものが得られる効果がある。
ング装置を、プラズマに曝される部材は表面に被覆のな
いマグネシウムを含有したアルミニウムで形成されるよ
うに構成するとともに、プラズマクリーニング時に反応
性の強いガスを導入するように構成したので、プラズマ
に曝される部材からの異物の発生を抑えつつ、クリーニ
ング効率を向上させるものが得られる効果がある。
【図１】 この発明の実施例１によるプラズマエッチン
グ装置を示す断面図である。
グ装置を示す断面図である。
【図２】 Ｍｇを含有したアルミニウム材を示す説明図
である。
である。
【図３】 アルマイトされたアルミニウム材をＣｌＦ3
によるプラズマに曝したときの重量変化を示す説明図で
ある。
によるプラズマに曝したときの重量変化を示す説明図で
ある。
【図４】 アルマイトされていないＭｇを含有したアル
ミニウム材をＣｌＦ3 によるプラズマに曝したときの重
量変化を示す説明図である。
ミニウム材をＣｌＦ3 によるプラズマに曝したときの重
量変化を示す説明図である。
【図５】 アルマイトされていないＭｇを含有したアル
ミニウム材によるアース板を用いた場合の単位面積当た
りのＡｌ原子数と、アルマイトされたアルミニウム材に
よるアース板を用いた場合の単位面積当たりのＡｌ原子
数とを比較して示す説明図である。
ミニウム材によるアース板を用いた場合の単位面積当た
りのＡｌ原子数と、アルマイトされたアルミニウム材に
よるアース板を用いた場合の単位面積当たりのＡｌ原子
数とを比較して示す説明図である。
【図６】 プラズマエッチング装置を１カ月稼働させた
場合の装置停止回数実績を示す説明図である。
場合の装置停止回数実績を示す説明図である。
【図７】 この発明の実施例２によるプラズマエッチン
グ装置を示す断面図である。
グ装置を示す断面図である。
【図８】 この発明の実施例３によるプラズマエッチン
グ装置を示す断面図である。
グ装置を示す断面図である。
【図９】 この発明の実施例４によるプラズマエッチン
グ装置を示す断面図である。
グ装置を示す断面図である。
【図１０】 Ｍｇを含むアルミニウム材がＮｉＦ膜で被
覆された様子を示す説明図である。
覆された様子を示す説明図である。
【図１１】 従来のプラズマエッチング装置を示す断面
図である。
図である。
【図１２】 アルマイトが施されたアルミニウム材を示
す説明図である。
す説明図である。
８ 半導体ウェーハ、１２ ヒータ（加熱手段）、１５
放電室（プラズマ供給手段）、２０ 反応室。
放電室（プラズマ供給手段）、２０ 反応室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 清司 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 豊田 正人 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大西 寛 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 田中 博司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 米村 俊雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 松村 民雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 小林 正幸 高知県香美郡香我美町徳王子2220−25 四 国計測工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 反応室内でＣｌやＢｒを含むガスによる
プラズマを用いて半導体ウェーハをエッチングするとと
もにプラズマクリーニングを行うプラズマエッチング装
置において、プラズマの活性領域内にある部材の材質
が、マグネシウムを含有したアルミニウムであって表面
に被覆のない材質であることを特徴とするプラズマエッ
チング装置。 - 【請求項２】 プラズマの活性領域内にある部材の材質
は、マグネシウムを２．２〜２．８％含有したアルミニ
ウムである請求項１記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項３】 プラズマクリーニング時に反応室を加熱
する加熱手段を備えた請求項１または請求項２記載のプ
ラズマエッチング装置。 - 【請求項４】 プラズマ放電しプラズマクリーニング時
にプラズマ放電による活性種を反応室に供給するプラズ
マ供給手段を備えた請求項１から請求項３のうちのいず
れか１項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項５】 反応室内のプラズマ活性領域外にある部
材がＮｉＦ膜で覆われている請求項１から請求項４のう
ちのいずれか１項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項６】 プラズマクリーニング時に反応性の強い
ガスを反応室内に導入する請求項１から請求項５のうち
のいずれか１項記載のプラズマエッチング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7244441A JPH0992641A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | プラズマエッチング装置 |
| US08/621,527 US5679204A (en) | 1995-09-22 | 1996-03-25 | Plasma apparatus |
| DE19614524A DE19614524C2 (de) | 1995-09-22 | 1996-04-12 | Plasmaätzvorrichtung |
| KR1019960020237A KR100208769B1 (ko) | 1995-09-22 | 1996-06-07 | 플라즈마 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7244441A JPH0992641A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992641A true JPH0992641A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17118707
Family Applications (1)
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