JPH10216660A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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JPH10216660A
JPH10216660A JP1837797A JP1837797A JPH10216660A JP H10216660 A JPH10216660 A JP H10216660A JP 1837797 A JP1837797 A JP 1837797A JP 1837797 A JP1837797 A JP 1837797A JP H10216660 A JPH10216660 A JP H10216660A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
washing liquid
cleaning
cleaning liquid
section
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JP1837797A
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English (en)
Inventor
Takao Inaba
高男 稲葉
Kenji Sakai
謙児 酒井
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】 【課題】被洗浄材を傷めず、よりきれいに洗浄すること
ができる洗浄装置を提供する。 【解決手段】被洗浄材としての半導体ウェーハ1に洗浄
液Lを拡散噴射して洗浄する洗浄液噴射部50を有し、
洗浄液噴射部50は、半導体ウェーハ1に当たる前に洗
浄液Lを振動させる振動付加部90を有し、振動付加部
90は、洗浄液L中に気泡を発生させない範囲で振動さ
せるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被洗浄材に洗浄液
を噴射して洗浄する洗浄装置に係り、特に、被洗浄材を
傷めず、よりきれいに洗浄することができる洗浄装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体材料に回路を形成したいわゆる半
導体チップを製造する過程では、半導体ウェーハの表面
を仕上げ研磨した後に、洗浄する工程がある。この工程
では、従来、半導体ウェーハ上に、薬液或いは純水を流
しながらブラシで擦り洗いする方法が用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うな従来のブラシの擦り洗いによる洗浄方法では、半導
体ウェーハを傷めず、きれいに洗浄するには、その加減
が難しいという問題がある。また、洗浄液を噴射して洗
浄する方法で半導体ウェーハを洗浄することが考えられ
るが、この洗浄液の噴射だけでは、半導体ウェーハをき
れいに洗浄することが難しいという問題がある。
【0004】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、被洗浄材を傷めず、よりきれいに洗浄するこ
とができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決する為の手段】本発明の洗浄装置は、被洗
浄材に洗浄液を噴射して洗浄する洗浄装置において、前
記被洗浄材に当たる前に前記洗浄液の分子を振動させる
振動付加部を有することを特徴とする。即ち、洗浄液が
被洗浄材に当たったときには、洗浄液は、噴射方向の運
動エネルギーに加えて、振動エネルギーによっても被洗
浄材を洗浄する。
【0006】また、本発明の洗浄装置は、前記振動付加
部は、前記洗浄液中に気泡を発生させない範囲で振動さ
せるので、被洗浄材への気泡の付着が防止される。ま
た、本発明の洗浄装置は、前記洗浄液を超純水電解イオ
ン水とし、被洗浄材の表面の付着物質に応じて、その陽
極水又は陰極水を使い分けることで、電気的な力も利用
し、より洗浄力を向上できる。
【0007】また、本発明の洗浄装置は、前記洗浄液を
フッ化水素溶液とすることで、例えば、被洗浄材の表面
の金属性の付着物質を溶かし、原子レベルの金属汚染の
洗浄を行うことができ、より洗浄力を向上できる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る洗浄装置の好ましい実施の形態について詳説する。図
1に示すように、洗浄装置100は、被洗浄材としての
円盤状の半導体ウェーハ1を保持する保持部10と、半
導体ウェーハ1に洗浄液Lを噴射して洗浄する洗浄液噴
射部50と、半導体ウェーハ1を囲み、半導体ウェーハ
1に噴射された洗浄液Lを受ける液受部95とを備えて
いる。
【0009】保持部10は、半導体ウェーハ1を水平に
保持する保持盤20と、保持盤20を下方から着脱自在
に保持し、保持盤20を水平に旋回させるステッピング
モータなどの旋回駆動部30と、旋回駆動部30と共に
保持盤20を昇降させる油圧シリンダなどの昇降駆動部
40とを有している。保持盤20は、半導体ウェーハ1
の裏面を支持する底部22と、半導体ウェーハ1の外周
縁を把持する三個の爪24と、旋回駆動部30の継手板
39に着脱自在にボルト接合するための、複数のボルト
穴部26とを有するものであり、半導体ウェーハ1の径
に応じて、複数の径の保持盤20が用意されている。
【0010】洗浄液噴射部50は、超純水電解イオン
水、或いは、フッ化水素溶液からなる洗浄液Lを圧送す
る洗浄液圧送部60と、洗浄液圧送部60から送られた
洗浄液Lを拡散噴射させる噴射ノズル部70と、噴射ノ
ズル部70を、図2に示すように半導体ウェーハ1の外
縁から中心部まで水平方向に、即ち図中矢印A、B方向
に移動させるノズル移動駆動部80と、図1に示すよう
に噴射ノズル部70の内部に設けられ、洗浄液Lの分子
を振動させる振動付加部90とを有している。
【0011】ノズル移動駆動部80は、図2に示すよう
に液受部95の角隅に立設された腕旋回駆動部82と、
腕旋回駆動部82に水平旋回自在に設けられた旋回腕8
4と、旋回腕84の先端に設けられ、噴射ノズル部70
を把持する把持部86とを有している。図1の振動付加
部90は、超音波などを発生させる振動子を有するもの
であり、気泡を発生させない周波数及び振幅の範囲で洗
浄液Lを振動させるものである。
【0012】次に、洗浄装置100を用いた半導体ウェ
ーハ1の洗浄方法について説明する。まず、洗浄しよう
とする半導体ウェーハ1の径に応じた径の保持盤20を
用意し、この保持盤20を旋回駆動部30に取り付ける
と共に、保持盤20に半導体ウェーハ1を保持させる。
【0013】次に、昇降駆動部40を駆動して、半導体
ウェーハ1と噴射ノズル部70との上下方向の距離を適
当な距離に調整する。この調整により、半導体ウェーハ
1に当たる際の洗浄液Lの拡散の程度を調整することが
できる。次に、旋回駆動部30を起動して、半導体ウェ
ーハ1を水平旋回させると共に、洗浄液圧送部60及び
振動付加部90を起動して、噴射ノズル部70に洗浄液
Lを圧送すると共に、この洗浄液Lの分子に、キャビテ
ーション現象を発生させない程度に振動を与え、この洗
浄液Lを、半導体ウェーハ1の表面に向けて、拡散噴射
する。
【0014】洗浄液Lが半導体ウェーハ1の表面に当た
ったときには、洗浄液Lは、噴射方向の運動エネルギー
に加えて、振動エネルギーによっても半導体ウェーハ1
を洗浄する。よって、よりきれいに洗浄することができ
る。また、ブラシのように局部的に大きな引き掻き力が
加わることがないので、半導体ウェーハ1の表面を傷め
ずに洗浄できる。
【0015】また、振動付加部90は、洗浄液L中にキ
ャビテーション現象を発生させない範囲で振動させるの
で、半導体ウェーハ1の表面にキャビテーション現象に
よるダメージがない。また、ノズル移動駆動部80を起
動して、噴射ノズル部70を、図中矢印B方向、即ち半
導体ウェーハ1の外縁から中心部まで水平方向に移動さ
せることにより、半導体ウェーハ1の表面全域を容易且
つ均質に洗浄することができる。
【0016】また、洗浄液Lとして、超純水電解イオン
水を用いる場合には、半導体ウェーハ1の表面の付着物
質に応じて、その陽極水又は陰極水を使い分けする。こ
れにより、電気的な力も利用でき、より洗浄力を向上で
きる。また、洗浄液Lとして、フッ化水素溶液を用いる
場合には、付着物質が、空気中に浮遊していたカリウ
ム、ナトリウム、銅などの金属物質の際、その付着物質
を溶かして、原子レベルの金属汚染の洗浄を行うことが
でき、より洗浄力を向上できる。
【0017】尚、振動付加部90は、必ずしも、噴射ノ
ズル部70の内部に設ける必要はなく、半導体ウェーハ
1の表面に当たる前に洗浄液Lを振動させ得る限りにお
いて、如何なる位置に設けてもよく、例えば、洗浄液圧
送部60に付属されていてもよい。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の洗浄装置
は、洗浄液が被洗浄材に当たったときには、洗浄液は、
噴射方向の運動エネルギーに加えて、振動エネルギーに
よっても被洗浄材を洗浄する。よって、被洗浄材を傷め
ず、よりきれいに洗浄することができる。
【0019】また、本発明の洗浄装置は、前記振動付加
部は、前記洗浄液中に気泡を発生させない範囲で振動さ
せるので、被洗浄材にキャビテーション現象によるダメ
ージを与えない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の洗浄装置の要部を側方から見た一部破
断図
【図2】図1の洗浄装置の洗浄液噴射部の動作を示す平
面図
【符号の説明】
1…半導体ウェーハ(被洗浄材) 90…振動付加部 100…洗浄装置 L…洗浄液

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被洗浄材に洗浄液を噴射して洗浄する洗
    浄装置において、 前記被洗浄材に当たる前に前記洗浄液の分子を振動させ
    る振動付加部を有することを特徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記振動付加部は、前記洗浄液中に気泡
    を発生させない範囲で振動させることを特徴とする請求
    項1記載の洗浄装置。
  3. 【請求項3】 前記洗浄液が超純水電解イオン水である
    ことを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
  4. 【請求項4】 前記洗浄液がフッ化水素溶液であること
    を特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
JP1837797A 1997-01-31 1997-01-31 洗浄装置 Pending JPH10216660A (ja)

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DE1998103201 DE19803201A1 (de) 1997-01-31 1998-01-28 Reinigungsvorrichtung
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GB2321782A (en) 1998-08-05
GB9802137D0 (en) 1998-04-01
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