TW508377B - Electroplating apparatus, electroplating system and electroplating processing method using said electroplating apparatus and electrolating system - Google Patents

Electroplating apparatus, electroplating system and electroplating processing method using said electroplating apparatus and electrolating system Download PDF

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Description

技術領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於電鍍襄置、電鑛系統及使用該電鍍裝 置、電鑛系統之電鍍處理方法,特別是關於在晶圓那樣的 被處理體上堆積金屬之電鍍裝置、電鑛系統及使用該電鑛 裝置、電鍍系統之電鍍處理方法。 背景技術 實際安裝半導體晶片於基板上構成電子機器時,在一 定的面積内安裝更多的半導體晶片,所謂是提升高密度安 裝之要求。隨著該高密度安裝之要求,基板上之配線也有 高密度化之傾向,使用種種方法之配線的微細化進展中。 作為形成微細的配線方法,譬如是採用以化學氣相澱 積(CVD)那樣的成膜方法在基板上形成微細的底基電極, 在該底基電極堆積金屬之電鍍處理方法。該電鍍處理方法 係將浸潰於含金屬離子之水溶液,自外部流電氣、在陰極( 底基電極)部份還原反應、在陽極部份引起氧化反應、在陽 極部份能引起氧化反應、藉在陰極上之還原反應堆積金屬 於底基電極之方法。 苐9圖表示使用於電艘處理之電鑛裝置之概略剖面圖。 如第9圖所示,電鍍裝置51包含有填充電鍍液之電鍍槽 52、設置於電鍍槽52之外壁53、貯藏電鍍液之櫃54與自電 鍍液至電鍍槽52内之泵55。 電鍍槽52之上端係設置有4處朝其内周面側突出之突 部56,形成諸如於内周面上各間隔90度者,且於突部56上 載置銅環57。而且,在銅環57上設置作為被處理體之晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 4 五、發明説明(2 ) 58 ’使電鑛面處於下側者。晶圓58係形成作為電鑛面的陰 極之底基電極59,底基電極59與銅環㈣電氣的連接。^ 者,設置於銅環57上之晶g]W係以使用推壓手段之固定夹 具6〇㈣定’構成電鍍槽52内之電鍍槽在接觸晶_時不 會朝晨侧(晶圓58之上面)轉進。 電鍍槽52之底部配置有陽極之陽極板61,且使之與晶 圓58呈平行者。該陽極板61及銅環57係電氣式連接於電流 源62。 4電鍍裝置51係供給至電鍍槽52内之電鍍液自晶圓% 之中央部朝端部方向均-的流動’俟電鍵液充滿電鍵槽^ 内時,電鍍液由電鍍槽52之上部朝端部方向推出。而且, 朝端部方向擠出之電鍍液係通過配管63貯藏於櫃54。如此 ’電鑛裝置51形成一使電鍍液在#内部循環之循環構造。 而且,供給至電鍍槽52内之電鍍液接觸晶圓58數秒之 後開始通電,藉該通電在底基電極59上形成電鍍膜。 可疋,底基電極59係形成微細的凹凸狀,在凹部有電 鍍液無法充份轉進之情形。再者,底基電極59,特別是在 其凹部有附著電鍍槽52内發生的氣泡之情形。該等情形, 在底基電極59之電流分布就會產生不均,因該底基電極59 電流之差異,形成於底基電極59上之電鍍膜之厚度就會有 不同。因而,有在底基電極59上不能形成均一的電鍍膜之 問題。 再者,銅環57係以其上面之全面與晶圓58接觸,該面 内之接觸阻力變成均一上有困難。因此,因兩者接觸面之 508377 A7 - --—-— ---y______ 五、發明説明(3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接觸阻力是不同,有在底基電極59之電流分布產生不均之 虞。該電流分布產生不句時,因底基電極59之電流不同形 成於底基電極59上之電鍍膜的厚度就會有不同。因此,有 在底基電極59上無法形成均一的電艘膜之問題。 方面,使用電極銷代替銅環57時,與使用銅環57情 形相較,雖可能減少底基電極59電流分布之不均,但可通 電之電極銷之電流量就會被限制。這樣下去,可形成於底 基電極59上之電鍍膜之厚度被限制,有電鍍裝置之通用性 不足之問題。 本發明係為解決上述問題點而完成,其目的係提供一 種可在被處理體上形成均一厚度的電鍍膜之電鏟裝置、電 鍵系統及使用該電鑛裝置、電錢系統之電鑛處理方法。 發明概述 為解決上述問題點,本發明之電鍍裝置,其特徵在於 包含有填充電鍍液之電鍍槽;配設於前述電鍍槽之上部, 形成於半導體晶圓表面連接於第)電極之連接構件;配設於 刖述電鑛槽内之第2電極、配設於前述電鍍槽内之第2電極 及配設於前述電鍍槽内之超音波振動構件。根據本發明之 電鍍裝置,使第1電極電氣式連接於連接構件之狀態下,被 處理體配置於連接構件上,並於電鍍槽填充電鍍液。充填 電鍍液時,電流通電至電鍍裝置,同時藉超音波振動構件 在電鑛槽内連績的施加超音波振動。藉該通電電錢液發生 化學反應,雖在電鑛液内譬如發生氫氣泡,但該氣泡藉超 音波振動變成不會附著於第1電極。再者,藉超音波振動促 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) -6 - 508377 A7 ___B7 五、發明説明(4 ) 進電鍍槽内電鍍液之循環,電鍍液供應至第丨電極之全面。 因此,第1電極之電流分布變成均一,在第丨電極上形成均 一厚度之電鍍膜。 再者,本發明之電鍍裝置中,其特徵在於半導體晶圓 配置成須被處理之第1電極位於下側者,更且,半導體晶圓 固定於電鍍槽作為特徵。 再者,本發明之電鍍裝置其中,其特徵在於超音波振 動構件在電鍍處理中變化其振動數。如此做時,可改變電 鍍槽中駐波之腹位置,因而將振動強度平均化、可防止電 鍍的不均。 #者’本發明之電鍍裝置其特徵在於包含有填充電鑛 液之電鍍槽,配設於電鍍槽上部,連接於形成於半導體晶 圓表面之第i電極之第!彈性構件;使電鍍槽内之電鍍液不 肖帛1彈性構件相接觸之狀態下配設於電鑛槽上部之第2彈 性構件;及配設於電鍍槽内之第2電極。根據本發明之電鍍 H第〗彈性構件及第2彈性構件係轉性構件所構成, 並使被處理體配置於第i彈性構件及第2彈性構件上,使第1 t極電氣式連接第!彈性構件之狀態下,第】彈性構件與第】 電極之接觸電阻變為均一。由於接觸電阻均一,第丨電極之 電流分布變為均在第i電極上形成均_的厚度之電鑛膜 。再者’第!電極係接觸第i彈性構件之上面,鎖除可通電 至第1彈性構件的電流量大受限制之情形,在第】電極上形 I 成厚度之電賴。更且,由於以電極電氣式連接於第 1彈性構件,並使被處理體配置於第1彈性構件及第2彈性構 —~—___ 本紙張尺度相㈣Η家辟(CNS) Α4規格(210X297公釐) ---- -7 -
訂丨 :線—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(5 )
因此,電鍍液供給至第丨電極之全面, τ曰門,电鍍液之循環 可施行均一的電鍍 中,第1彈性構件及第2彈性 第1彈性構件及第2彈性構件 再者’本發明之電錢裝置中, 構件係形成環狀。如此做時,第1 , 之成形及配設在電職置變成容易。作為該彈性構件,將 第1彈性構件作為導電性橡膠,第2彈性構件作成耐藥品性 橡_ ’較適於本發明。再者,將第旧性構件形成螺旋狀 時,加上第1彈性構件之應力被分散,可提高第旧性構件 本發明之電鍍系統,其特徵在於包含有··搬送裝置, 用以保持被處理之半導體晶圓並搬送至一定之位置;電鑛 裝置,用以電鍍藉前述搬送裝置搬送之前述半導體晶圓, 在填充電鍍液之電鍍槽設置超音波振動構件,於電铲 中在電鍍液加上超音波者;洗淨裝置,用以洗淨㈣述電 鍍裝置形成電鍍膜之前述半導體晶圓;及乾燥裝置,用以 乾燥藉前述洗淨裝置洗淨之前述半導體晶圓。根據本發明 之電鍍系統,半導體晶圓係保持於搬送裝置並搬送至電鍍 裝置,在半導體晶圓之第1電極上形成電鍍膜。形成有電鍍 膜之半導體晶圓係保持於搬送裝置並搬送至洗淨裝置洗淨 / / A7 I~ --—--- 67 _ 五、發明説明(6 ) 洗淨過之被處理體係保持於搬送裝置並搬送至乾燥裝置 乾燥晶圓。在此,構建成在搬送裝置保持晶圓之狀態可 上下反轉晶圓時,可使於形成有電鍍膜之面朝上方之狀態 乾燥晶圓,使乾燥裝置之構造變為簡單。 本發明之電鏟裝置方法,其特徵在於包含有:搬送步 驟係保持半導體晶圓並搬送至一定位置;電鍍步驟.,係 將X搬送步驟搬送之半導體晶圓接觸加上超音波振動之電 鍍液並電鍍,在半導體晶圓之表面形成電鍍膜;洗淨步驟 用以洗淨在前述電鍍步驟形成電鍍膜之被處理體;以及 乾燥步驟,用以乾燥在前述洗淨步驟洗淨過之被處理體。 在此,在洗淨步驟與乾燥步驟之間具有保持被處理體之狀 心下可上下反轉被處理體之反轉步驟時,可於形成有電鍍 膜之面朝上方之狀態施行乾燥步驟。再者,該處理方法係 於電鍍處理,譬如就可適用於鍍銅處理等。 圖式之簡單說明 第1圖係顯示本發明電鍍系統之實施形態之概略圖; 第2圖係顯示第丨圖所示之電鍍系統中搬送裝置之概略 構成圖; 第3圖係顯示本發明電鍍裝置之實施形態之剖面圖; 第4圖係顯示第|圖所示之電鍍系統中洗淨裝置之剖面 圖; 第5圖係顯示第丨圖所示之電鍍系統中旋轉式脫水機之 概略圖; 第6圖係顯示本發明之電鍍處理方法之流程圖; —" - - -- —————— 本紙張尺度適财關家標規格(210:297公釐) ------- -9 -
·、τ :線丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、發明説明 第7圖係顯不所形成之電鐘膜的膜厚圖开^ · 第δ圖係顯示第3圖中以符號Iv所示部份之另一實施 开;態之擴大立體圖; 第9圖係顯示習知之電鍍裝置的概略剖面圖· 為實施發明之最佳的形態 以下,關於將本發明具體化之一實施形態參照圖式予 以說明。 第1圖表示本實施形態電鍍系統模式圖,此外,本實施 之形態係就一般性使用之硫酸銅電鍍之情形說明之。 7b 曰曰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第1圖所示,電鍍系統1包含有保持作為被處理體之 晶圓2並搬送至一定位置之搬送裝置3、在晶圓2表面形成電 鍍膜之電鍍裝置4、用以洗淨形成電鍍膜的晶圓2之洗淨裝 置5以及用以乾燥洗淨過之晶圓2作為乾燥裝置之旋轉式乾 燥機6 °再者,電鍍系統1係設置自其搬入口 7a及搬出口 所構成之板匣站7,其内部係收容複數張譬如收納了 25張 圓2之板匣8。本貫施形態之電鍍系統1係設置兩組的電鍍裝 置4及洗淨裝置5,電鍍裝置4、洗淨裝置5及旋轉式乾燥機6 係一列的設置。再者,在該等各裝置與板匣站7之間舖設軌 道9,該軌道9上配置搬送裝置3。 第2圖表示搬送裝置3之概略圖。如第2圖所示,搬送裝 置3包含有配置於執道9上之搬送裝置本體1〇、設置於搬送 裝置本體ίο上之臂支撐台η、可能旋轉支撐臂支撐台η之 支撐軸12、保持晶圓2之搬送臂13以及可能旋轉支撐搬送臂 13之臂支撐軸14。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐·) 10 508377 A7 _ B7 五、發明説明(8 ) 搬送裝置10是藉圖未表示之驅動機構,在執道9上移動 至第2圖之紙面垂直方向(第1圖係左右方向)。臂支撐台^ 係透過支撐軸12連結搬送裝置本體10,旋轉支撐軸12時, 將支撐軸12作為中心旋回。搬送臂13係透過臂支撐軸丨斗連 結於臂支撐台11,旋軸臂支撐軸時,將臂支撐軸14作為中 心旋轉。亦即,構成在搬送臂13上保持晶圓2之狀態可能上 下反轉。再者,支撐軸12及臂支撐軸14構成可能突出於其 軸方向,突出支撐軸12時臂支撐台U會上升,突出臂支撐 軸14時搬送臂13會突出。因而,搬送臂13可能朝上下、左 右、則後、上下反轉、旋迴之各方向移動,藉該等之動作 將晶圓2搬送至一定的位置。此外,搬送臂13係設置圖未表 示之吸附機構,以該吸附機構吸附晶圓2、藉所謂真空吸盤 方式保持晶圓2。 第3圖表示電鍍裝置4之概略剖面圖。如第3圖所示,填 充電鍍裝置4的硫酸銅電鍍液(以下,稱為電錢液)之電鍛槽 15係形成略圓筒狀,在遍及其上端全周設置朝内周面侧突 出之突部16,突部16之上部係配置構成連接構件同時作為 第1彈性構件之第10型環17。第10型環17係以環狀之導電 性材料形成。本實施之形態係使用體積固有電阻值1X 102 歐姆公分之高導電性橡膠。該第⑴型環17係在作為形成於 其上部晶圓2表面之第以極之底基電極㈣《電鑛槽聞 那樣配置之狀態,配置於與底基電極18頂接之位置。因此 ,第10型環17與底基電極18係電氣式連接著。此外,底基 電極18譬如藉化學氣相澱積在事先形成微細的形狀。再者 本紙張尺度翻巾關家鮮(CNS) μ驗(210X297公釐)—'—'—--- -11 -
裝----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :線丨 .訂| 508377 A7 _____ B7__ 五、發明説明(9 ) ’在電鍍槽15之上部配置晶圓2之狀態,晶圓2係以固定夾 具19固定。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在突部16之上部,在第10型環丨7之内周面側,配置構 成連接構件同時作為第2彈性構件之第20型環20。第20型 環20係以環狀的高耐藥品性材料形成。本實施之形態係使 用耐酸用之氧化橡膠。而且,第2〇型環2〇係在配置晶圓2 之狀態’電鍍槽15内之電鍍液不會流出第2〇型環20之外侧 那樣,將電鍍槽15形成可密閉之狀態。因此,電鍍槽丨5内 之電鍍液變成不接觸第10型環17。 電鍍槽15之下方配設貯藏電鍍液之櫃21以及將櫃21内 之電鍍液供給至電鍍槽15内之泵22。本實施形態泵22係使 用耐蚀性優越之電磁泵可改變其旋轉那樣,施行採用變換 器之控制。而且,櫃21及泵22係藉貫通電鍍槽15底面之配 管線23連結。因此,藉泵22之驅動,櫃21内之電鍍液滿時 透過配管線23自電鍍槽15排出至櫃21。如此,電鍍裝置4 變成電鍍液透過配管線23循環至電鍍槽15、櫃21、泵22、 然後是電鍍槽15之構造。 電鍍槽15之底面係配設作為第2電極之陽極板24。該陽 極板24在第1〇型環17及第20型環20上部配置晶圓20之狀 態,配設於與底基電極18對向之位置。陽極板24係形成不 致妨礙藉泵22供給電鍍液之形狀,本實施之形態係形成環 形狀。再者,陽極板24之材質雖因電鍍之種類而不同,但 由於本實施之形態係使用硫酸銅電鍍液,故使用含磷量 0.03〜0.08重量%之銅板。而且,陽極板24及第10型環π 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ' -12 - 508377 A7 ------_B7_ 五、發明説明(l〇 ) 係電氣式連接於電流源25。 再者,電鍍槽15之内壁係配設作為超音波振動構件之 起曰波振動器26。本實施形態係配設兩個超音波振動器26 。該超音波振動器26係對電鍍液加上超音波振動,促進被 電鍍部份液之循環,同時為防止氣泡之停留。 再者,该超音波振動器26係構成在電錢過程中可周期 性的變動其振動數。理想的是在2秒間自3〇到5〇千赫之範圍 憂動振動數施行電鏡。藉如此做,可周期性的變動形成於 電鍍槽内的駐波腹之位置。因而,加上電鍍面之振動強度 可作成平均化,可防止電鍍不勻而能施行均一的電鍍。 第4圖表示洗淨裝置5之概略剖面圖。如第4圖所示,洗 淨裝置5包含有填充洗淨液一該洗淨液於本實施形態中為 純水一之洗淨槽27、設於洗淨槽27周圍之外壁28及用以由 洗淨槽27下部供給純水至洗淨槽27内之供給管29。 洗淨槽27之上端設有朝内周面側突出之突部3〇。於本 貫加之形態中’使之於内周面上呈90度間隔下設於4處。而 且,在突部30上載置有晶圓2,並使其被電鍍之面(靠底基 電極18側)朝下面者。 該洗淨裝置5中,洗淨槽2 7内係被所供給之純水充滿時 ’純水係由洗淨槽27之上部推出於端部方向。而且,推出 端部方向之純水通過洗淨槽27與外壁28之間的排出管31排 第5圖表示旋轉式乾燥機6之模式圖。如第5圖所示,旋 轉式乾燥機6包含有支撐晶圓2之晶圓支撐部32、旋轉晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐') #-裝-----------------#-------------#.線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13 - 508377 A7 _____ B7_ 五、發明説明(11 ) 支撐部32之旋轉軸33、以及噴氣嘴34,用以在晶圓支撐部 32支撐晶圓2之狀態可吹附氣體於晶圓2。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 晶圓支撐部32設置對應於晶圓2形狀之凹部35,在凹部 35收容收容晶圓2,並使底基電極18側位於上面者。旋轉軸 33係連接馬達36,藉馬達36之驅動旋轉以旋轉軸33,將該 旋轉軸33作為中心旋轉晶圓支撐部32。該喷氣嘴34係配置 於晶圓2之中央部附近構成可喷鍍氣體。 噴氣嘴34係連接於氣體配管線37,藉電磁閥38施行氣 體之供給。再者’電磁閥3 8與馬達3 6係連接控制器3 9,藉 控制器39控制晶圓2之旋轉及氣體。朝晶圓2喷鍍。如此, 旋轉式乾燥機6係在形成電鍍膜之面朝上方之狀態乾燥晶 圓2 〇 接著,就使用如以上構成之電鍍系統1之電鍍處理方法 說明之。第6圖將電鍍處理方法以流程圖表示。 首先’將搬送裝置3移動到收容板匣站7搬入口 7a之板 匣8之前面,以搬送臂13之吸附機構吸附保持收納於板匣8 内之底基電極形成之晶圓2。而且,在保持晶圓2之狀態將 搬送裝置3移動到電鍍裝,置4之前面,晶圓2之底基電極18 變成電鍍槽15側那樣,在電鍍槽丨5上部之第1〇型環17及第 20型環20上配置晶圓2(步驟1)。 接著’以固定夾具19固定晶圓2,驅動泵22將櫃21内之 電鑛液供給至電鑛槽15内。本實施形態作為電鍍液係使用 在水中加上硫酸銅200克/1公升,硫酸…克八公升之硫酸銅 電鍍液’遠電鑛液之溫度係調整至攝氏%度。而且,在電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐·) -14 - 508377 A7 -------B7_ 五、發明説明(12 ) 鍵槽15内填充電錢液,接觸晶圓2數秒之後,電流通電至電 鍛裝置’同時藉超音波振動器26連續的施加超音波振動於 電鍍槽内。本實施之形態,底基電極18之電流密度係1〇安 培/平方公分、陽極板24之電流密度係5安培/平方公分,電 壓係4伏特。再者,超真波振動26之頻率數係50千赫。藉該 通電’電鍍液發生化學反應,電鍍液中之銅離子變成銅吸 附於底基電極18上,形成銅之電鍍膜(步驟2)。 在此,藉該通電致電鍍液之化學反應,雖在電鍍液内 發生氫的氣泡,但該氣泡係藉來自超音波振動器26之超音 波振動,變成不會附著於底基電極18。再者,藉該超音波 振動,可促進電鍍槽15内電鍍液之循環,電鍍液容易供給 至底基電極18之全面。更且,在第1〇型環17及第20型環20 使用橡膠,在以固定夾具19固定晶圓2之狀態,第1〇型環 17與底基電極18之接觸電阻變為均一。因此,自電流源25 通電時底基電極18之電流分布變成均一,在底基電極is形 成均一厚度之電鍍膜。 再者,底基電極18係接觸第10型環17之上面,沒有承 受如習知之電極銷在可通電電流之量有很大的限制,在底 基電極18上可形成一定厚度之電鍍膜。 更且,以固定夾具19固定晶圓2時,以晶圓2及第20型 環20密閉電鍍槽15内,在電鍍液填充於電鍍槽15内之狀態 ,電鍍液不會接觸配設在第20型環20外側之第1〇型環17 。因此,在第10型環17變成不會析出銅。 在晶圓2之底基電極18上形成電鏡膜時,藉搬送臂13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂- :線丨 15 五、發明説明(l3 ) 之吸附機構在保持晶圓2之狀態將搬送裝置3移動到洗淨裝 置5之前面,晶圓2之底基電極ι8變成洗淨槽27側那樣,在 洗淨槽27之突部30上配置晶圓2。而且,供給純水至洗淨槽 27内,可洗淨附著配置於突部3〇上之晶圓2的電鍍液(步驟 3)。 洗淨晶圓2時,在藉搬送臂13之吸附機構保持晶圓·2之 狀態旋轉臂支撐軸14 ,晶圓2可上下反轉。由此,晶圓2之 底基電極18側變為晶圓2之上面(步驟4)。 底基電極18側變成晶圓2之上面時,將搬送裝置移動到 旋轉式乾燥機6之前面,將晶圓2收容於晶圓支撐部32之凹 部35内。然後,藉控制器39驅動馬達36旋轉晶圓2,同時開 放電磁閥38,透過氣體配管線37自噴氣嘴34喷吹氣體至晶 圓2之中央部附近。該晶圓2在旋轉時,藉其離心力附著於 晶圓2之純水會飛散。再者,只以離心力不易飛散的晶圓2 之中央部附近係自喷氣嘴34喷吹氣體,附著於晶圓2中央部 附近之純水飛散至晶圓2之端部或外方。由此,除去附著於 晶圓2之純水,晶圓2可乾燥(步驟5)。 最後,在藉搬送臂13之吸附機構保持晶圓2之狀態,將 搬送裝置移動到收容於板匣站7的搬出口 7b之板匣8前面, 將晶圓2收納於板匣内(步驟6)。 為確認本實施形態之效果,將形成於晶圓2底基電極i 8 上之電鍍膜膜厚,在通過晶圓2中心的直線上等間隔的九點 位置測疋。其結果如第7圖所示。再者,為參考起見,關於 在習知之電鍍裝置51形成之電鍍膜膜厚也同樣的測定,其 A7 --—------B7____ 五、發明説明(14 ) —" — " ^ ~ 結果係第7圖虛線所示。如第7圖所示,本實施形態形成之 電鍍膜膜厚約2.1微米大致均一的,與習知之電錢膜膜厚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1.5微米〜2.2微米的情形相較,了解到改善許多。如此, 藉本發明確認在晶圓2之底基電極18上可形成均一厚度之 電鍍膜。 根據本實施之形態,藉因通電電鍍液化學反應發生之 氫氣泡,由於來自超音波振動器%之超音波振動,不會附 著於底基電極18。再者,藉該超音波振動,可促進電鍍槽 15内電鍍液之循環,電鍍液容易供給至底基電極“之全面 。因此,底基電極18之電流分布變為均一,在底基電極18 上可形成均一厚度之電鑛膜。 根據本實施之形態,由於在第10型環17及第20型環20 使用橡膠,第1〇型環17與底基電極18之接觸阻力變為均一 ’在底基電極18上可形成均一厚度之電鍍膜。 再者’底基電極18係接觸第1〇型環17之上面,不會如 習知之電極銷可通電至電流之量受到很大的限制,在底基 電極18上可形成一定厚度之電鏟膜。 更且,由於第20型環20係為電鍍槽15内之電鍍液不會 流出第20型環2〇之外側那樣,將電鍍槽15形成可密閉的形 狀’電鍍液變成不接觸第1〇型環17。因此,在第1〇型環17 變成不會析出銅。 根據本實施之形態,由於電鍍裝置4係在第10型環17 及第20型環2〇上配置晶圓2之狀態,電鍍槽15之電鍍液變 成不會附著於晶圓2之上面。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4規格(210X297公釐) 17 / / A7 --~___B7_ 五、發明説明(15 ) " " --— 根據本實施之形態,由於晶圓2在形成電鍍膜之面朝上 方之狀態收容於晶圓支撐部32之凹部,變成容易支撐晶圓2 方疋轉式乾燥機6之構造可簡單的作成。 根據本實施之形態,由於第10型環17及第20型環20 係形成環狀嘴第1()型環17及第则環2G之成型及配設在 電鍍裝置4變為容易。再者,由於在第1〇型環17使用高導 電丨生橡膠第2〇型環20使用氟化橡膠,可提高第1〇型環 及第20型環2〇之耐久性。 此外實細*之形態並不限定於上述,譬如有以下的情 形也可。 本實施之形態’雖就連接構件以第1〇型環17與第2〇 型環20構成之情形說明,但本發明不限定於此,譬如在電 鍍槽15之突部16嵌合導電性材料者也佳。再者,第1〇型環 17與苐20型環20—體的形成者也可。再者,如第8圖所示 ,將第10型環17之形狀形成螺旋狀,將其表面按壓於底基 電極18連接也可。該情形,加於第1〇型環17之應力被分散 ,可提高第10型環17之耐久性。 同樣的第2彈性構件只要電鍵槽15内之電鍍液不接觸 第1彈性構件者即可,其形狀是不限定於環狀。 在電鍍槽15内設置測定電鍍液濃度之濃度感應器,以 測定之濃度為基準設置濃度控制構件用以調整櫃21内電鍍 液之濃度也可。該情形,在電鍍槽15内電鍍液之濃度可控 制於一定之濃度,即使連續的使用電鍍裝置4,在底基電極 18上也可形成一定厚度之電鍍膜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂| ;線丨 -18 - 508377 A7 ___B7 五、發明説明(16 ) 在電鍍系統1不設置洗淨裝置5,在電錢裝置4施行洗淨 步驟也可。該情形,在底基電極18上形成電鍍膜之後,在 電鍍槽15譬如供給氮氣除去電鍍液,重新供給純水至電鍵 檜15内。 電鍍裝置4係在弟10型環17及第20型環2〇上配置晶圓 2之狀態,不限定於電鍍槽15密閉之構造,如習知之電鍍裝 置,作成在電鑛槽15之周圍設置外壁,推送晶圓2端部方向 之電鍍液,通過電鍍槽15與外壁之間貯藏於櫃21之循環構 造也可。該情形也可獲得與本實施之形態同樣的效果。 本實施之形態雖就鍍硫酸銅之情形,但本發明並不限 定於鍍硫酸銅,譬如鍍有機酸焊錫也可。該情形,使用在 陽極板2 4合併電鍍液中的錫成份與鉛成份比率之高純度焊 錫板。再者,鍍銅以外,譬如鑛銀也可。 再者,本實施之形態係說明關於在底基電極18上形成 約2.1微米厚度之電鍍膜的情形,如電鍍液之組成、通常條 件、電解液溫度之各種條件係因形成之電艘膜而異。嬖如 藉在電鍍液加上微量的氯,可提升電鍍膜之物性、外觀。 再者,作為添加劑,藉加上微量的硫黃系有機化合物,可 提高電鍍膜之光澤性。 如以上詳述,只要根據本發明,在被處理體可形成均 一厚度之電鍍膜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、可· 19 508377 A7 B7 五、發明説明(Π ) 元件標號對照 1…電鑛糸統 24…陽極板 2…晶圓 25…電流源 3···搬送裝置 26…超音波振動器 4···電鍍裝置 27…洗淨槽 5···洗淨裝置 29…供給管 6···旋轉式乾燥機 30···突部 7…板匣站 32…晶圓支撐部 7a…板匣站搬入口 3 3…旋轉軸 7b…板匣站搬出口 34…喷氣嘴 8…板匣 35···凹部 9…執道 3 6…馬達 10…搬送裝置本體 37···氣體配管線 11…臂支撐台 38…電磁閥 12…支樓軸 39···控制器 13…搬送臂 51…電鍍裝置 14…臂支撐軸 52…電鍍槽 15…電鍍槽 54…櫃 16…突部 56…突部 17…第10型環 57…銅環 18…底基電極 5 8…晶圓 19…固定夾具 59…底基電極 20…第20型環 61…陽極板 21…櫃 62···電流源 22…泵 63…配管 23…配管線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 20

Claims (1)

  1. A8 B8
    第88122360號專利申請案申請專利範圍修正本91年7月12曰 種電錢裝置,其特徵在於包含有: 公告本 電錢槽,用以充填電鍍液; 連接構件,係配設於前述電鍍槽之上部,用以連接 形成於半導體晶圓表面之第1電極; 第2電極,係配設於前述電鍍槽内;及 超音波振動構件,係配設於前述電鍍槽内, 其中該半導體晶圓係配設成使須被處理之第1電極 處於下側者。 2·如申請專利範圍第1項之電鍍裝置,其中該半導體晶圓 係固定於前述電鑛槽。 3·如申請專利範圍第丨項之電鍍裝置,其中該超音波振動 構件係在電鍍處理中改變其振動數。 4· 一種電鍍裝置,其特徵在於包含有: 電鍍槽,用以填充電鍍液; 第1彈性構件,係配設於前述電鍍糟之上部,用以 連接形成於半導體晶圓表面之第1電極; 第2彈性構件,係配設於欲密封之前述電鍍槽之上 部,並使前述電鍍槽内之電鍍液不與前述第丨彈性構件 接觸;及 第2電極,係配設於前述電鑛槽内。 5.如巾請專利範圍第4項之電鍵裝置,其中該電鑛槽内係 配設有超音波振動構件。 6·如申請專利範圍第4項之電鑛裝置,其中該第】彈性構件
    7' 導電性橡职構構/係形成環狀’同時前述第1彈性構件 成。路構成’前述第2彈性構件由耐藥品性椽膠 耐藥品性橡^/觸驗,暢述第2彈性構件ε 料第1彈性構件形成螺旋狀,》 表面接觸並連接於前述第1電極。 8. 一種電鍍系統,其特徵在於包含有: —定=,用以保持被處理之半導體晶圓並搬送至 電鍍裝置’用以電鍍藉前述搬送裝置搬送之前述半 導體晶圓,在填充電鑛液之電鍍槽設置超音波振動構件 ’於電鍍處理中在電m上超音波者; 洗淨u ’ m㈣前述電㈣置形成電艘膜之 前述半導體晶圓;及 乾燥裝i,用以乾燥藉前述洗淨裝置洗淨之前述半 導體晶圓。 9·如申晴專利範圍第8項之電鍍系統,其中該搬送裝置係 構成在保持前述半導體晶圓之狀態可上下反轉該半導 體晶圓; 而則述乾燥裝置則構成在形成有電鍍膜之面朝上 方之狀態可乾燥前述半導體晶圓者。 10·—種電鍍處理方法,其特徵在於包含有: 搬送步驟,係保持半導體晶圓並搬送至一定之位置 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 者; 電鍍步驟,係將以前述搬送步驟搬送之半導體晶圓 接觸已加上超音波振動之電鍍液,施行電鍍,在前述半 導體晶圓之表面形成電錢膜者; 洗淨步驟,用以洗淨在前述電鍍步驟形成電鍍膜之 被處理體者;及 、 乾燥步驟,用以乾燥在前述洗淨步驟洗淨之被處理 體者。 11·如申請專利範圍第10項之電鍵處理方法,其中前述洗淨 步驟與前述乾燥步驟之間進一步具有反轉步驟,係使於 保持4述半導體晶圓之狀態上下反轉前述半導體晶圓 者。 日日 12·如申請專利範圍第1G項之電鑛處理方法,其中該電鑛處 理係鍍銅處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂—
    23
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