JP6400512B2 - 電気めっき方法及び電気めっき装置 - Google Patents
電気めっき方法及び電気めっき装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6400512B2 JP6400512B2 JP2015054850A JP2015054850A JP6400512B2 JP 6400512 B2 JP6400512 B2 JP 6400512B2 JP 2015054850 A JP2015054850 A JP 2015054850A JP 2015054850 A JP2015054850 A JP 2015054850A JP 6400512 B2 JP6400512 B2 JP 6400512B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- plating
- supercritical fluid
- plated
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/003—Electroplating using gases, e.g. pressure influence
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
一方で、めっきによる析出膜は、被めっき基材表面に均一に成膜されることが望ましいが、電流密度を高めた場合、析出膜の膜厚分布が悪化することが知られている。めっき析出膜の膜厚分布は、めっき槽内の陰極や陽極の形状、配置等の幾何学的条件から得られる電界分布によって決まる一次電流分布でほぼ決定されるが、最終的には、その一次電流分布が陰極表面での電気化学的反応で補正された二次電流分布で最終的に決定される。一次電流分布を補正する二次電流分布を決めるキーファクターは、Wagner数(Wa)と呼ばれ、次式で表される。
ここで、κはめっき液の比電導度、Δη/Δiはめっき液の分極曲線の分極抵抗である。Wa=0すなわち分極が0の場合には二次電流分布は一次電流分布と等しくなり、Waが大きくなるに従い、二次電流分布は一次電流分布に比べ改善され均一となる。電流密度の増加に伴い、膜厚分布が悪化するのは、上式のΔη/Δiが電流密度の増加に伴い低下するためである。
この反応が生じる電位は一般に水素過電圧と呼ばれ、電解液のpH、陰極の材質やその表面状態で変化する。特に陰極の表面粗さが粗い場合には、水素過電圧が大幅に低下する。前記したように、陰極電流密度が高電流密度の場合は、分極抵抗が小さくなり、ノジュール等の凸状の異常成長を生じやすくなることから、被めっき物の角部やノジュール等の電流集中し易い箇所では水素過電圧が低下してめっき膜質が低下する虞がある。したがって、電気めっき方法においては、電流密度を高める場合、水素過電圧よりも十分低い電圧となる電流密度でめっきを行う必要があり、成膜速度を大幅に高めることは事実上困難である。
[1]反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、
前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、
前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加することを特徴とする電気めっき方法。
[2]前記分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも少なくとも110%以上となる超臨界流体濃度と陰極電流密度とする[1]に記載の電気めっき方法。
[3]前記超臨界流体は、超臨界CO2流体である[1]に記載の電気めっき方法。
[4]前記印加する電流は、前記陰極表面の最大膜厚分布をX%としたときに、前記被めっき金属イオンの還元時の陰極電位が、絶対値で水素を発生する電位のX%よりも低い電位とする[1]〜[3]のいずれかに記載の電気めっき方法。
[5]反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき装置において、
少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容する反応槽と、
この反応槽に設けられた陽極及び陰極と、
これら陽極及び陰極に電流を印加し、前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる前記超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加する電源とを備えている電気めっき装置。
[6]板状のワーク表面に金属膜を生成する電気めっき装置において、
少なくとも被めっき金属イオンと電解質とを含有するめっき液を収容すると共に陽極が設けられためっき槽と、
前記めっき槽に収容された筒状の筐体と、
この筐体に収容され、前記筐体の一方の開口部に前記ワーク表面を向け、かつ、前記ワークを裏面側から支持する柱状の支持部と、
前記筐体の開口縁から中心側に向けて設けられ、前記ワーク表面の外縁部に沿って該外縁部を覆うように設けられた鍔部と、
この鍔部と前記ワーク表面との間に設けられた封止材と、
前記ワーク表面の前記封止材より外周側に接続される電極と、
前記支持部と前記筐体との間の空間に高圧気体あるいは超臨界流体を供給するガス供給部と、
前記めっき槽のめっき液に超臨界流体を供給するめっき液用超臨界流体供給部と、
前記陽極に対し、前記電極を負とする電位を印加する電源とを備えている電気めっき装置。
[7]前記高圧気体あるいは超臨界流体は、CO2である[6]に記載の電気めっき装置。
[8]ガス供給部と前記めっき液用超臨界流体供給部とは、前記めっき槽内の圧力を前記空間の圧力より低い状態に保つように調整されている[6]に記載の電気めっき装置。
Claims (6)
- 反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、
前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、
前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる超臨界流体濃度と陰極電流密度の組合せで電流を印加することを特徴とする電気めっき方法。 - 前記分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも少なくとも110%以上となる超臨界流体濃度と陰極電流密度とすることを特徴とする請求項1に記載の電気めっき方法。
- 前記超臨界流体は、超臨界CO2流体であることを特徴とする請求項1に記載の電気めっき方法。
- 前記印加する電流は、前記陰極表面の最大膜厚分布をX%としたときに、前記被めっき金属イオンの還元時の陰極電位が、絶対値で水素を発生する電位のX%よりも低い電位とすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電気めっき方法。
- 反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、
前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、
前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加し、前記印加する電流は、前記陰極表面の最大膜厚分布をX%としたときに、前記被めっき金属イオンの還元時の陰極電位が、絶対値で水素を発生する電位のX%よりも低い電位とすることを特徴とする電気めっき方法。 - 反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき装置において、
少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容する反応槽と、
この反応槽に設けられた陽極及び陰極と、
これら陽極及び陰極に電流を印加し、前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる前記超臨界流体濃度と陰極電流密度の組合せで電流を印加する電源とを備えていることを特徴とする電気めっき装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015054850A JP6400512B2 (ja) | 2015-03-18 | 2015-03-18 | 電気めっき方法及び電気めっき装置 |
TW106118728A TWI638069B (zh) | 2015-03-18 | 2016-03-02 | 電氣鍍敷裝置 |
TW105106346A TWI598473B (zh) | 2015-03-18 | 2016-03-02 | Electric plating method and electric plating apparatus |
KR1020160025615A KR20160112944A (ko) | 2015-03-18 | 2016-03-03 | 전기 도금 방법 및 전기 도금 장치 |
US15/065,115 US10233557B2 (en) | 2015-03-18 | 2016-03-09 | Electroplating method and electroplating device |
CN201610132738.2A CN105986289B (zh) | 2015-03-18 | 2016-03-09 | 电镀方法和电镀装置 |
KR1020170123916A KR102067001B1 (ko) | 2015-03-18 | 2017-09-26 | 전기 도금 방법 및 전기 도금 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015054850A JP6400512B2 (ja) | 2015-03-18 | 2015-03-18 | 電気めっき方法及び電気めっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016176088A JP2016176088A (ja) | 2016-10-06 |
JP6400512B2 true JP6400512B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=56924623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015054850A Active JP6400512B2 (ja) | 2015-03-18 | 2015-03-18 | 電気めっき方法及び電気めっき装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10233557B2 (ja) |
JP (1) | JP6400512B2 (ja) |
KR (2) | KR20160112944A (ja) |
CN (1) | CN105986289B (ja) |
TW (2) | TWI638069B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11664231B2 (en) | 2021-09-14 | 2023-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019062039A (ja) | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社東芝 | エッチング装置及び方法、処理システム、並びに、物品、半導体装置及び半導体チップの製造方法 |
JP6861610B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-04-21 | 株式会社荏原製作所 | めっき解析方法、めっき解析システム、及びめっき解析のためのコンピュータプログラム |
CN108517545B (zh) * | 2018-04-04 | 2020-04-21 | 上海敏孑图文设计事务所(有限合伙) | 一种立体金属标牌的超临界双色电镀工艺及电镀装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4245713B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2009-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法 |
AU2001275795A1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-03-04 | Hiroe Asai | Electrochemical treating method such as electroplating and electrochemical reaction device therefor |
JP3571627B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2004-09-29 | 英夫 吉田 | 電気化学的反応方法 |
JP3703132B2 (ja) | 2000-12-28 | 2005-10-05 | 英夫 吉田 | 電気メッキ等の電気化学的処理方法およびその電気化学的反応装置 |
JP2002317300A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2003064485A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Denso Corp | 表面処理装置及び表面処理方法 |
KR100545549B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2006-01-25 | 학교법인 성균관대학 | 초임계유체를 이용한 박막 니켈 도금방법 및 그에 따른 장치 |
JP4440609B2 (ja) | 2003-11-25 | 2010-03-24 | 英夫 吉田 | 被処理物の表面処理方法 |
CN1918326A (zh) * | 2004-02-12 | 2007-02-21 | 大金工业株式会社 | Co2存在下的电镀 |
JP2006152421A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Ebara Corp | 電解めっき装置及び電解めっき方法 |
JP2006233260A (ja) | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Daikin Ind Ltd | めっき装置 |
JP2008169402A (ja) * | 2005-04-28 | 2008-07-24 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 電気化学的反応方法 |
JP3897052B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-03-22 | ダイキン工業株式会社 | 水素分離体、水素製造装置、水素分離体の製造方法及び水素分離体の製造装置 |
JP2007063598A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 多孔性金属薄膜およびその製造方法 |
JP4101261B2 (ja) | 2005-09-09 | 2008-06-18 | エス・イー・エス株式会社 | 被処理物の表面処理方法及び表面処理装置 |
JP4177400B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2008-11-05 | エス・イー・エス株式会社 | 無電解めっき方法 |
JP2011162856A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Vision Development Co Ltd | 微細炭素質材料を含む金属被膜の形成方法 |
JP2012233224A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Fujitsu Semiconductor Ltd | めっき装置及び半導体装置の製造方法 |
TWI424097B (zh) * | 2012-02-21 | 2014-01-21 | Univ Nat Taipei Technology | 使用超臨界流體輔助之電化學沉積製程系統 |
-
2015
- 2015-03-18 JP JP2015054850A patent/JP6400512B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-02 TW TW106118728A patent/TWI638069B/zh active
- 2016-03-02 TW TW105106346A patent/TWI598473B/zh active
- 2016-03-03 KR KR1020160025615A patent/KR20160112944A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-03-09 US US15/065,115 patent/US10233557B2/en active Active
- 2016-03-09 CN CN201610132738.2A patent/CN105986289B/zh active Active
-
2017
- 2017-09-26 KR KR1020170123916A patent/KR102067001B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11664231B2 (en) | 2021-09-14 | 2023-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201730380A (zh) | 2017-09-01 |
CN105986289B (zh) | 2020-08-11 |
CN105986289A (zh) | 2016-10-05 |
KR20160112944A (ko) | 2016-09-28 |
TWI638069B (zh) | 2018-10-11 |
TW201638396A (zh) | 2016-11-01 |
KR102067001B1 (ko) | 2020-01-17 |
TWI598473B (zh) | 2017-09-11 |
US10233557B2 (en) | 2019-03-19 |
US20160273121A1 (en) | 2016-09-22 |
JP2016176088A (ja) | 2016-10-06 |
KR20170117903A (ko) | 2017-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102067001B1 (ko) | 전기 도금 방법 및 전기 도금 장치 | |
KR102509652B1 (ko) | Tsv들 (through silicon vias) 내로 구리의 전착을 위한 니켈 라이너 및 코발트 라이너의 전처리 | |
US20190211468A1 (en) | Plating method | |
CN113454766B (zh) | 低温铜-铜直接接合 | |
US8377824B1 (en) | Methods and apparatus for depositing copper on tungsten | |
TW201433660A (zh) | 電鍍製程之可調整電流屏蔽 | |
JP4163728B2 (ja) | 電気めっき方法 | |
KR20180049793A (ko) | 희생적 산화제들을 사용하여 코발트 전기충진을 최적화하는 프로세스 | |
US20120145552A1 (en) | Electroplating method | |
US7507319B2 (en) | Anode holder | |
CN113930813B (zh) | 一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺 | |
KR102411777B1 (ko) | 재분배 층에 걸친 균일성을 달성하기 위한 시스템들 및 방법들 | |
US20180073160A1 (en) | Electroplating apparatus, electroplating method, and manufacturing method of semiconductor device | |
US20230230847A1 (en) | Electro-oxidative metal removal accompanied by particle contamination mitigation in semiconductor processing | |
JP5243832B2 (ja) | 電気めっき方法 | |
JP2018014448A (ja) | 基板の製造方法及び基板 | |
Ritzdorf et al. | 16 Electrochemical deposition equipment | |
US20220396894A1 (en) | Wafer shielding for prevention of lipseal plate-out | |
JP2006291289A (ja) | 半導体装置の製造装置及び製造方法 | |
JP2010121168A (ja) | めっき装置、めっき方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2008111197A (ja) | 電気めっき方法 | |
JP2006089797A (ja) | 電解メッキ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6400512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |