JP2003064485A - 表面処理装置及び表面処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ状の被処理物を治具により保持して浸
漬法により表面処理を行うものにあって、治具内への処
理液の浸入を効果的に防止する。 【解決手段】 半導体ウエハ１１の下面外周部を受ける
受け部２０ａを有するベース板２０、半導体ウエハ１１
の処理面１１ａの外周縁部をシールするパッキン２３を
有するリング状の枠体２１、それらを連結するための連
結部材２２から治具１４を構成する。枠体２１と連結部
材２２との間に密閉空間Ｓを形成し、その密閉空間Ｓに
高圧エアを供給して枠体２１を下方に押圧し、ベース板
２０ととの間で半導体ウエハ１１を保持する。この治具
１４を処理槽内のエッチング液に浸漬してエッチング処
理を行う。その際、治具１４のＯリング２５，２６部分
のシール性が悪化しても、密閉空間Ｓの高圧エアが、シ
ール性の劣った部分を通って処理槽内に漏れ出すだけと
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等のウエハ状の被処理物に対する、エッチングやメッ
キ等の表面処理を行う表面処理装置及び表面処理方法に
関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】例えば半導体ウエハを
処理槽内のエッチング液に浸漬するいわゆる浸漬法によ
りエッチング処理を行うための装置として、特開平５−
１５２２７８号公報に示されたマスキング治具が知られ
ている。図１１に示すように、このマスキング治具１
は、半導体ウエハ２の下面（処理面とは反対側の面）を
受けるベース板３と、半導体ウエハ２の上面外周縁部に
密着するパッキン４を有しその外周側で前記ベース板３
との間で閉鎖空間Ｓを形成するリング状蓋板５とを備え
て構成されている。

【０００３】そして、その閉鎖空間Ｓ内を真空ポンプ６
により負圧とすることにより、それらベース板３とリン
グ状蓋板５とを、半導体ウエハ２を挟持した状態に吸引
結合させ、もって半導体ウエハ２の処理面のみを開放さ
せた状態、つまり処理面とは反対側の面をマスキングし
た状態に保持するように構成されている。図示はしない
が、このマスキング治具１は、上記のように半導体ウエ
ハ２を保持した状態で、処理槽内のエッチング液中に浸
漬され、半導体ウエハ２の処理面がエッチング処理され
るようになるのである。

【０００４】ところが、このように閉鎖空間Ｓ内を負圧
とすることによりベース板３とリング状蓋板５とを吸引
結合するものでは、それらベース板３とリング状蓋板５
との間のシール性が悪いと、エッチング処理中にエッチ
ング液がマスキング治具１の内部に浸入する虞があり、
ひいては半導体ウエハ２の処理面とは反対側の面までも
エッチング液にさらされてしまう不具合が生ずる。

【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ウエハ状の被処理物を治具により保持
した状態でいわゆる浸漬法により表面処理を行うものに
あって、治具内への処理液の浸入を効果的に防止するこ
とができる表面処理装置及び表面処理方法を提供するに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表面処理装置は、ウエハ状の被処理物を治
具により保持した状態でいわゆる浸漬法により表面処理
を行うものにあって、治具を、被処理物の処理面とは反
対側の面を受けるベース板と、被処理物の処理面側にそ
の周縁部をシールするように設けられる枠体と、それら
ベース板と枠体とを被処理物の外周側で連結する連結部
材とを備え、高圧気体供給手段により内部に高圧気体が
供給されることにより、ベース板及び枠体の少なくとも
いずれか一方を他方に対して押圧して被処理物を保持す
るように構成している（請求項１の発明）。

【０００７】これによれば、被処理物は、ベース板と枠
体との間に挟まれ、その処理面のみを開放させた状態
で、治具により保持される。このとき、治具の内部に高
圧気体が供給されることにより、ベース板及び枠体が相
互に押圧されて被処理物が挟持されるので、負圧により
締結力を発生させる場合と異なり、もしシール性が悪化
することがあっても、高圧気体が処理液中に漏れるだけ
であり、処理液が治具の内部に浸入することが阻止され
る。

【０００８】また、より具体的には、連結部材とベース
板あるいは枠体との間に密閉空間が形成されるように治
具を構成し、その密閉空間に高圧気体を供給することに
より、ベース板及び枠体を相互に押圧することができる
（請求項２の発明）。これによれば、高圧気体によりベ
ース板及び枠体の少なくともいずれか一方が他方を押圧
するための構成を、簡単に済ませることができる。

【０００９】更には、治具のベース板と枠体との間の突
合せ部分に、弾性的に圧縮変形可能なクッション材を設
けることもできる（請求項３の発明）。これによれば、
被処理物の保持状態では、それらベース板と枠体との間
の突合せ部分のクッション材が圧縮変形されてシール性
を高めることができ、一方、治具の連結状態が解除され
ると、クッション材が弾性的に戻り変形することによ
り、ベース板と枠体との間が押し広げられるようにな
り、それらの分離を容易に行うことができるようにな
る。

【００１０】そして、上記した高圧気体としては、窒素
ガスを採用することができ（請求項４の発明）、これに
より、窒素ガスが処理液中に漏れることがあっても、処
理槽内の処理液を汚染してしまう等の悪影響を及ぼすこ
とが未然に防止されるようになる。

【００１１】本発明の表面処理方法は、上記請求項１な
いし４のいずれかに記載の表面処理装置を用い、治具の
ベース板と枠体との間に被処理物を挟みそれらベース板
と枠体とを連結部材により連結する工程と、高圧気体供
給手段により治具の内部に高圧気体を供給することによ
り被処理物を治具により保持させる工程と、治具による
被処理物の保持状態を維持しながら処理槽内の処理液に
浸漬して該被処理物の表面処理を行う工程とを実行する
ことに特徴を有する（請求項５の発明）。

【００１２】これによれば、連結の工程において、被処
理物は、ベース板と枠体との間に挟まれ、その処理面の
みを開放させた状態で、治具にセットされ、保持の工程
において高圧気体の供給に基づいて保持される。このと
き、治具の内部に高圧気体が供給されることにより、ベ
ース板及び枠体が相互に押圧されて被処理物が挟持され
るので、負圧により締結力を発生させる場合と異なり、
もしシール性が悪化することがあっても、表面処理の工
程で高圧気体が処理液中に漏れるだけであり、処理液が
治具の内部に浸入することが阻止される。

【００１３】この場合、被処理物を保持した治具を、複
数個同時に処理槽内に浸漬して、複数枚の被処理物の表
面処理を同時に実行することができ（請求項６の発
明）、これにより、効率的な表面処理を行って生産性を
向上することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、半導体ウエハ
（シリコンウエハやＳＯＩウエハ）の表面処理（エッチ
ングあるいはメッキ）を行う場合に適用したいくつかの
実施例について、図１ないし図１０を参照しながら説明
する。 ＜第１の実施例＞まず、図１ないし図６を参照して、本
発明の第１の実施例（請求項１，２，３，５に対応）に
ついて述べる。

【００１５】この実施例では、例えば半導体加速度セン
サのセンサチップを製造する場合に本発明を適用してお
り、ここで、図５に示すように、ウエハ状の被処理物と
しての半導体ウエハ（シリコンウエハ）１１には、数百
〜数千のセンサチップ１２が形成され、その後、各セン
サチップ１２が切離されるようになっている。図６に示
すように、センサチップ１２は、図で上面側に、中央部
に島状の膨らみを残した状態で凹部１２ａが形成される
ようになっている。尚、図示はしないが、センサチップ
１２（半導体ウエハ）の図で下面側は、必要な回路が形
成される回路面とされるようになっている。

【００１６】この場合、上記凹部１２ａを形成するため
には、半導体ウエハ１１の上面（処理面１１ａ）を、凹
部１２ａの形成部分を除いてマスク１３により覆い、そ
の処理面（エッチング面）１１ａに対する表面処理たる
エッチング処理が行われる。このエッチング処理は、処
理面１１ａを、処理液たるエッチング液（例えば水酸化
カリウム等の強アルカリ液）に浸すいわゆる浸漬方式の
エッチング法（異方性エッチング）が用いられる。

【００１７】以下、このエッチング処理に用いられる表
面処理装置（エッチング装置）について、図１ないし図
４を参照して述べる。本実施例に係る表面処理装置（エ
ッチング装置）は、前記半導体ウエハ１１を保持する治
具１４、エッチング液１５が収容される処理槽１６（図
３参照）、洗浄液（純水）１７が収容される洗浄槽１８
（図４参照）、高圧気体供給手段を構成するコンプレッ
サ１９等を備えて構成される。

【００１８】前記治具１４は、図１及び図２に示すよう
に、半導体ウエハ１１の下面側（処理面１１ａとは反対
側の面）を受けるベース板２０と、半導体ウエハ１１の
処理面１１ａ側にその外周縁部をシールするように設け
られるリング状の枠体２１と、それらベース板２０と枠
体２１とを半導体ウエハ１１の外周側で連結する連結部
材２２とを備える。

【００１９】そのうち前記ベース板２０は、前記半導体
ウエハ１１よりも十分大きな外径を有するほぼ円板状を
なし、その上面に突出するように、前記半導体ウエハ１
１と同等の外径を有し該半導体ウエハの下面外周部位を
受けるリング状の受け部２０ａを一体に有している。ま
た、このベース板２０の外周の上端部には、やや径大と
なる鍔状部２０ｂが一体に設けられている。

【００２０】一方、前記枠体２１は、ほぼリング状に構
成されると共に、その下半部の外周部が、前記ベース板
２０と同等に近い外径となるように外周方向に膨らんだ
形状をなし、この部分が膨出部２１ａとされている。ま
た、この枠体２１の内周部には、パッキン支持部２１ｂ
が設けられ、このパッキン支持部２１ｂに、前記半導体
ウエハ１１の上面の外周縁部をシールするためのパッキ
ン２３が保持されている。

【００２１】この枠体２１は、その下面が前記ベース板
２０の上面側（前記受け部２０ａの外周）に突合わされ
るように配置されるのであるが、このとき、枠体２１の
下面には、その突合せ面部分にリング状の凹溝部２１ｃ
が形成されており、この凹溝部２１ｃに、例えばゴム等
からなり弾性的に圧縮変形可能なリング状のクッション
材２４が嵌込まれている。このクッション材２４は、通
常時（後述する押圧力が作用していない時）には、その
下端部が凹溝部２１ｃから下方に突出しており、その下
端部がベース板２０の上面に接触することにより、枠体
２１がベース板２０上にやや浮上がった状態とされるよ
うになっている。尚、このクッション材２４は、枠体２
１とベース板２０との間をシールするシール材を兼ねて
いる。

【００２２】そして、前記連結部材２２は、全体として
薄形の円筒状に構成され、その上端部に内周方向に延出
するひさし部２２ａを一体に有していると共に、内周面
部下部寄り部位に、凹溝状の係止部２２ｂが形成されて
いる。この連結部材２２は、前記ベース板２０及び枠体
２１の外周側に配置されることにより、前記係止部２２
ｂが、前記ベース板２０の鍔状部２０ｂを係止すると共
に、前記ひさし部２２ａが、前記枠体２１の膨出部２１
ａの上方に配置され、もって、ベース板２０と枠体２１
とを連結するようになっている。

【００２３】このとき、枠体２１は連結部材２２（ベー
ス板２０）に対して上下方向に若干の移動が可能とさ
れ、また、枠体２１の膨出部２１ａと連結部材２２のひ
さし部２２ａとの間に、密閉空間Ｓが形成されるように
なっている。また、前記連結部材２２のひさし部２２ａ
の内周面には、枠体２１の上部外周面に接するＯリング
２５が設けられていると共に、連結部材２２の内周面中
間部（係止部２２ｂの上部）には、枠体２１の膨出部２
１ａの外周面に接するＯリング２６が設けられており、
これにて前記密閉空間Ｓの気密性が確保されるようにな
っている。

【００２４】さらに、連結部材２２には、外周部に高圧
気体の供給口２７が設けられており、また、この供給口
２７と前記密閉空間Ｓとを連通させる高圧気体の供給路
２２ｃが形成されている。図２に示すように、前記供給
口２７には、前記コンプレッサ１９からの配管（フレキ
シブルなホース）２８が着脱自在に接続され、以て、治
具１４の内部（密閉空間Ｓ）に高圧気体この場合高圧エ
アを供給する高圧気体供給手段が構成されているのであ
る。

【００２５】以上のように構成された治具１４は、次の
作用説明でも述べるように、ベース板２０の受け部２０
ａ上に半導体ウエハ１１を載置した上で、枠体２１が被
せられ、その状態で連結部材２２によりベース板２０と
枠体２１とが連結される（図１参照）。そして、その状
態から、密閉空間Ｓに高圧エアが供給されることによ
り、枠体２１が下方（ベース板２０側）に押圧され、ベ
ース板２０と枠体２１との間で半導体ウエハ１１を保持
（挟持）するようになっている（図２参照）。このと
き、枠体２１のパッキン２３が半導体ウエハ１１の処理
面１１ａの外周縁部をシールし、また、クッション材２
４が弾性的に圧縮変形される。

【００２６】次に、上記構成の作用について述べる。上
記した装置（治具１４）を用いた半導体ウエハ１１のエ
ッチング処理は、以下の手順（工程）にて行われる。即
ち、まず、図１に示すように、治具１４のベース板２０
の受け部２０ａ上に、半導体ウエハ１１をその処理面１
１ａを上面として載置し、その上方に半導体ウエハ１１
を挟むように枠体２１を配置して、それらベース板２０
と枠体２１とを連結部材２２により連結する工程が実行
される。

【００２７】引続き、図２に示すように、治具１４の供
給口２７に対して配管２８を接続した上でコンプレッサ
１９を駆動させ、前記治具１４の内部つまり密閉空間Ｓ
に高圧エアを供給することにより半導体ウエハ１１を治
具１４により保持させる工程が実行される。この保持状
態では、枠体２１がベース板２０に対して下方に押圧さ
れて半導体ウエハ１１がベース板２０と枠体２１との間
に挟持され、このとき半導体ウエハ１１は、その外周縁
部がパッキン２３に圧接してシールされ、処理面１１ａ
のみを開放させた状態に保持されるようになるのであ
る。

【００２８】そして、図３に示すように、その治具１４
による半導体ウエハ１１の保持状態を維持しながら、治
具１４を処理槽１６内のエッチング液１５に浸漬してエ
ッチング処理を行う工程が実行される。これにて、半導
体ウエハ１１の処理面１１ａがエッチング液１５に浸さ
れ、被処理面１１ａのうちマスク１３が存在しない部分
が食刻されて凹部１２ａが形成されるようになるのであ
る。このとき、治具１４の枠体２１と連結部材２２との
間は、Ｏリング２５，２６によりシールされており、ま
た、枠体２１とベース板２０との間は、シール材を兼ね
るクッション材２４によりシールされるので、治具１４
の内部（半導体ウエハ１１の下面側）にエッチング液１
５が浸入することを防止することができる。

【００２９】しかして、上記した治具１４におけるシー
ル性特にＯリング２５，２６部分のシール性が悪化する
虞が考えられる。ところが、もし、このＯリング２５，
２６部分のシール性が悪化した状態でエッチング処理が
行われることがあっても、密閉空間Ｓ内は高圧エアが供
給されているので、密閉空間Ｓ内に供給されている高圧
エアがシール性の劣った部分を通って処理槽１６内に漏
れ出すだけであり、エッチング液１５が治具１４の内部
に浸入することが阻止されるのである。

【００３０】半導体ウエハ１１の所定厚み（所定深さ）
のエッチング処理が終了すると、図４に示すように、治
具１４が、処理槽１６内から洗浄液１７を収容した洗浄
槽１８内に移され、半導体ウエハ１１の処理面１１ａ
（及び治具１４の露出部分）を洗浄する工程が実行され
る。この後、半導体ウエハ１１の処理面１１ａの乾燥の
工程が実行され、次いで治具１４から半導体ウエハ１１
を取出す工程が実行される。

【００３１】詳しく図示はしないが、この取出しの工程
は、治具１４内の密閉空間Ｓから高圧エアを排出して大
気圧することにより、枠体２１の下方への押圧つまり半
導体ウエハ１１の挟持を解除し、その後連結部材２２を
取外し、更にベース板２０から枠体２１を取外すことに
より行われる。このとき、枠体２１の下方への押圧が解
除されると、クッション材２４が弾性的に戻り変形する
ようになり、ベース板２０と枠体２１との間が押し広げ
られる（枠体２１が押上げられる）ようになってそれら
の分離を容易に行うことができるようになるのである。

【００３２】このように本実施例によれば、半導体ウエ
ハ１１を治具１４により保持した状態でいわゆる浸漬法
によりエッチング処理を行うものにあって、治具１４内
の密閉空間Ｓに高圧エアが供給されることにより、枠体
２１を下方に押圧してベース板２０との間で半導体ウエ
ハ１１を挟持するようにしたので、従来のようなベース
板３とリング状蓋板５とを負圧により相互に吸引して結
合するものと異なり、もし治具１４のシール性が悪化す
ることがあっても、治具１４内へのエッチング液１５の
浸入を効果的に防止することができ、ひいては半導体ウ
エハ１１の処理面１１ａ以外の部分がエッチング液１５
にさらされてしまうことを未然に防止することができ
る。

【００３３】また、本実施例では高圧気体として高圧エ
アを用いたので、工場で通常に配備されているコンプレ
ッサ１９を用いることができ、負圧発生源（真空ポンプ
６）といった特殊な装置を用いることなく安価な構成で
済ませることができる。このとき、加圧により枠体２１
の押圧力（半導体ウエハ１１の保持力）を発生させる構
成なので、負圧により締結力を発生させる場合と比べ
て、小さな受圧面積で大きな押圧力が得られるといった
メリットも得ることができる。

【００３４】そして、特に本実施例では、連結部材２２
と枠体２１との間に、高圧エアが供給される密閉空間Ｓ
が形成されるように治具１４を構成したので、構成を簡
単に済ませることができる。さらには、治具１４のベー
ス板２０と枠体２１との間の突合せ部分にクッション材
２４を設けたので、ベース板２０と枠体２１との間の突
合せ部分のシール性を高めることができ、また、エッチ
ング処理後のベース板２０と枠体２１との分離を容易に
行うことができる利点も得ることができる。

【００３５】＜他の実施例＞図７は、本発明の第２の実
施例を示し、また、図８は、本発明の第３の実施例を示
している。これら第２，第３の実施例は、共に上記第１
の実施例で説明したと同等の治具１４を用いて、半導体
ウエハ１１の処理面１１ａに対する夫々別の表面処理を
行う場合の例である。

【００３６】即ち、図７に示す第２の実施例では、治具
１４（ベース板２０）に、半導体ウエハ１１の下面に電
気的に接続される電気化学ストップエッチング用の電極
３１を設け、処理槽１６内に、その電極３１と対になる
電極３２を配置し、それら電極３１，３２間に直流電源
３３を接続する構成とされており、これにより、半導体
ウエハ１１に対する表面処理としての電気化学ストップ
エッチング処理を行うことができる。

【００３７】また、図８に示す第３の実施例では、治具
１４を用いて、表面処理としてのメッキ処理を行う場合
を例としている。このとき、枠体２１の下部内周部に
は、半導体ウエハ１１の外周縁部をシールするパッキン
２３と共に、該半導体ウエハ１１に電気的に接続される
カソード電極３４が設けられている。そして、処理槽３
５内には処理液たるメッキ液３６が収容され、また、メ
ッキ液３６中にアノード電極３７が配置され、前記カソ
ード電極３４とアノード電極３７との間に直流電源３８
が接続されるようになっている。これにて、半導体ウエ
ハ１１の処理面１１ａに対するメッキ処理を行うことが
できる。

【００３８】図９及び図１０は、本発明の第４の実施例
（請求項６に対応）を示しており、以下、上記第１の実
施例と異なる点について述べる。この第４の実施例に係
る表面処理装置（エッチング装置）は、上記第１の実施
例と同等の治具１４を複数個（この場合４個）備えると
共に、図示のような比較的大形の処理槽４１を備えて構
成されている。

【００３９】この処理槽４１は、複数個（例えば４個）
の治具１４を収容可能な大きさを有し、その上面開口部
に蓋体４２が着脱自在に設けられる。詳しく図示はしな
いが、この蓋体４２には、半導体ウエハ１１を保持した
治具１４を処理槽４１内で吊下げ状態に支持するための
複数個（この場合４個）の支持部が設けられ、また、こ
のとき、この蓋体４２には、外部のコンプレッサ１９に
接続され４本に分岐した高圧エア供給管４３が貫通状態
に設けられており、各治具１４の供給口２７に接続され
るようになっている。

【００４０】そして、この処理槽４１には、槽内にエッ
チング液１５を供給するためのエッチング液供給機構４
４が接続されると共に、槽内に洗浄液１７を供給するた
めの洗浄液供給機構４５が接続される。前記エッチング
液供給機構４４は、外部の処理液供給源４４ａに接続さ
れた配管の途中部にバルブ４４ｂを有して構成され、洗
浄液供給機構４５は、外部の洗浄液供給源４５ａに接続
された配管の途中部にバルブ４５ｂを有して構成されて
いる。また、処理槽４１の底部には、槽内のエッチング
液１５及び洗浄液１７を外部に排出するための排液管４
６が接続され、その途中部にバルブ４７が設けられてい
る。

【００４１】さらに、この処理槽４１には、槽内に乾燥
用の不活性ガスこの場合窒素ガスを供給するための窒素
ガス供給機構４８が接続される。この窒素ガス供給機構
４８は、外部の窒素ガス供給源４８ａに接続された配管
の途中部にバルブ４８ｂを有すると共に、配管の途中部
に、該配管内を通る窒素ガスを加熱するためのヒータユ
ニット４９を備えて構成されている。尚、前記各バルブ
４４ｂ，４５ｂ，４７，４８ｂは全て電気的に動作され
るものとされている。

【００４２】上記構成において、半導体ウエハ１１のエ
ッチング処理を行うにあたっては、上記第１の実施例と
同様に、各治具１４に半導体ウエハ１１を保持させ、そ
れら治具１４を蓋体４２の支持部に支持させた上で該蓋
体４２を処理槽４１にセットする。そして、エッチング
液供給機構４４のバルブ４４ｂを開放させて処理槽４１
内にエッチング液１５をほぼ一杯まで供給することによ
り、図９に示すように、複数個の治具１４が同時にエッ
チング液１５中に浸漬された状態となり、半導体ウエハ
１１の処理面１１ａに対するエッチング処理が行われる
のである。

【００４３】このとき、上記第１の実施例で説明したよ
うに、治具１４内の密閉空間Ｓに高圧エアを供給するこ
とにより半導体ウエハ１１を保持する構成なので、もし
治具１４のシール性が悪化することがあっても、治具１
４内へのエッチング液１５の浸入を効果的に防止するこ
とができる。

【００４４】エッチング処理が終了すると、排液管４６
のバルブ４７が開放されて処理槽４１内のエッチング液
１５が排出される。エッチング液１５の排出が完了する
と、今度は洗浄液供給機構４５のバルブ４５ｂを開放さ
せて処理槽４１内に洗浄液１７を供給することにより、
半導体ウエハ１１の処理面１１ａの洗浄の工程が実行さ
れる。洗浄後は、排液管４６のバルブ４７が開放されて
洗浄液１７が排出されるようになる。

【００４５】この後、窒素ガス供給機構４８のバルブ４
８ｂが開放されると共にヒータユニット４９が駆動（通
電）され、処理槽４１内に比較的高温の窒素ガスが供給
されることにより、図１０に示すように、乾燥工程が実
行される。乾燥工程後は、蓋体４２が取外されて各治具
１４が取外され、乾燥した半導体ウエハ１１が取出され
る。

【００４６】このような第４の実施例によれば、上記第
１の実施例と同様の効果に加えて、複数枚の半導体ウエ
ハ１１を同時にエッチング処理することができるので、
効率的なエッチング処理を行って生産性を向上すること
ができる。また、本実施例では、１個の処理槽４１内
で、エッチング、洗浄、乾燥の工程を全て行うようにし
たので、生産性をより高めることができると共に、作業
の自動化を図ることも容易となる。

【００４７】尚、上記各実施例では、治具１４内に供給
する高圧気体として、高圧エアを採用するようにした
が、窒素ガスを採用することもでき（請求項４に対
応）、窒素ガスが処理液中に漏れることがあっても、処
理槽内の処理液を汚染してしまう等の悪影響を及ぼすこ
とが未然に防止されるようになる。その他、本発明は上
記し且つ図面に示した各実施例に限定されるものではな
く、例えば処理槽内にヒータ及び温度センサを設けて処
理液を所定の温度に維持（加熱）する構成としたり、ま
た、処理槽内に撹拌機構を設けて処理液を撹拌する構成
としても良く、さらには、ベース板、枠体、連結部材な
どの形状や構造についても様々な変形が可能である等、
要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すもので、高圧エア
の供給前の様子を示す治具の縦断面図

【図２】半導体ウエハを保持した様子を示す治具の縦断
面図

【図３】エッチング処理中の処理槽の様子を示す縦断面
図

【図４】洗浄中の処理槽の様子を示す縦断面図

【図５】半導体ウエハの概略的な平面図

【図６】１個の加速度センサのセンサチップの形状を示
す平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）

【図７】本発明の第２の実施例を示す図３相当図

【図８】本発明の第３の実施例を示すもので、メッキ処
理時の処理槽内の様子を示す縦断面図

【図９】本発明の第４の実施例を示すもので、図３相当
図

【図１０】乾燥時の処理槽内の様子を示す縦断面図

【図１１】従来例を示すマスキング治具の部分的な縦断
面図

【符号の説明】

図面中、１１は半導体ウエハ（被処理物）、１１ａは処
理面、１４は治具、１５はエッチング液（処理液）、１
６，３５，４１は処理槽、１７は洗浄液、１９はコンプ
レッサ（高圧気体供給手段）、２０はベース板、２１は
枠体、２２は連結部材、２３はパッキン、２４はクッシ
ョン材、２５，２６はＯリング、３６はメッキ液（処理
液）、４４はエッチング液供給機構、４５は洗浄液供給
機構、４６は排液管、４８は窒素ガス供給機構、Ｓは密
閉空間を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ Ｆターム(参考） 4K022 AA05 DA01 DB15 DB17 4K024 BA11 BB12 BC06 CB02 CB19 GA16 4K057 WA19 WB06 WM11 WN01 4M104 DD52 DD64

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ状の被処理物を治具により保持し
   た状態で、処理槽内の処理液に浸漬することにより、前
   記被処理物の処理面に対するエッチングやメッキ等の表
   面処理を行う装置であって、 前記治具の内部に高圧気体を供給する高圧気体供給手段
   を具備すると共に、 前記治具は、 前記被処理物の処理面とは反対側の面を受けるベース板
   と、前記被処理物の処理面側にその周縁部をシールする
   ように設けられる枠体と、それらベース板と枠体とを前
   記被処理物の外周側で連結する連結部材とを備え、 前記高圧気体供給手段により内部に高圧気体が供給され
   ることにより、前記ベース板及び枠体の少なくともいず
   れか一方を他方に対して押圧して前記被処理物を保持す
   るように構成されていることを特徴とする表面処置装
   置。
2. 【請求項２】 前記治具は、前記連結部材と、前記ベー
   ス板あるいは枠体との間に密閉空間が形成されるように
   構成されていると共に、その密閉空間に高圧気体が供給
   されるようになっていることを特徴とする請求項１記載
   の表面処理装置。
3. 【請求項３】 前記治具のベース板と枠体との間の突合
   せ部分に、弾性的に圧縮変形可能なクッション材が設け
   られることを特徴とする請求項１又は２記載の表面処理
   装置。
4. 【請求項４】 前記高圧気体は、窒素ガスであることを
   特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の表面処
   理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の表
   面処理装置を用いて、ウエハ状の被処理物の処理面に対
   する、エッチングやメッキ等の表面処理を行うための方
   法であって、 治具のベース板と枠体との間に被処理物を挟み、それら
   ベース板と枠体とを連結部材により連結する工程と、 高圧気体供給手段により前記治具の内部に高圧気体を供
   給することにより被処理物を治具により保持させる工程
   と、 前記治具による被処理物の保持状態を維持しながら処理
   槽内の処理液に浸漬して該被処理物の表面処理を行う工
   程とを含むことを特徴とする表面処理方法。
6. 【請求項６】 前記被処理物を保持した治具が、複数個
   同時に処理槽内に浸漬されることを特徴とする請求項５
   記載の表面処理方法。