JP2014029028A - めっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のめっき方法は、表面にアスペクト比が2以上の貫通電極用凹部12を有する基板Wとアノードとを、撹拌が弱いとめっき膜16成長の抑制作用が弱くなるレベリング剤を含むめっき液中に互いに対峙させて配置し、基板Wとアノードとの間に電圧を印加しながら基板Wとアノードとの間のめっき液を撹拌して貫通電極用凹部12内へ金属16を充填し、貫通電極用凹部12の未充填部12aのアスペクト比が小さくなるに従い、基板Wとアノードとの間のめっき液の攪拌条件を高速撹拌から低速撹拌に変化させ、かつ電流密度を上げる。
【選択図】図10
Description
本発明の好ましい態様は、前記めっき液に直流電流またはパルス電流を印加することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記貫通電極用凹部の未充填部のアスペクト比が2に達したときに、前記めっき液の攪拌条件を高速撹拌から低速撹拌に変化させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板と前記アノードとの間のめっき液の撹拌を基板表面近傍に配置した撹拌具の往復運動で行い、前記貫通電極用凹部の未充填部のアスペクト比が小さくなるに従い、前記攪拌具の往復移動速度を高速から低速に変化させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記攪拌具の往復移動速度を0〜150cm/secの範囲で変化させることを特徴とする。
攪拌具と基板表面との距離は、最短5mmから最長50mmの範囲で変化させることが好ましく、最短8mmから最長30mmの範囲で変化させることが更に好ましい。
攪拌具は高速で往復運動するように構成されており、基板を保持する基板ホルダの方を移動させる方が構造的に簡単であるが、攪拌具、更には双方を移動させるようにしてもよい。
14 シード膜
16 銅めっき膜
124 洗浄・乾燥装置
126 前処理装置
160 基板ホルダ
164 ストッカ
166 活性化処理装置
168a,168b 水洗装置
170 めっき装置
172 ブロー装置
186 めっき槽
190 移動機構
220 アノード
224 調整板
232 攪拌パドル(攪拌具)
242 パドル駆動部
246 制御部
250 めっき電源
Claims (6)
- 表面にアスペクト比が2以上の貫通電極用凹部を有する基板とアノードとを、攪拌が弱いとめっき膜成長の抑制作用が弱くなるレベリング剤を含むめっき液中に互いに対峙させて配置し、
前記基板と前記アノードとの間に電圧を印加しながら前記基板と前記アノードとの間のめっき液を攪拌して前記貫通電極用凹部内へ金属を充填し、
前記貫通電極用凹部の未充填部のアスペクト比が小さくなるに従い、前記基板と前記アノードとの間のめっき液の攪拌条件を高速撹拌から低速撹拌に変化させ、かつ電流密度を上げることを特徴とするめっき方法。 - 前記めっき液の攪拌条件を段階的に高速撹拌から低速撹拌に変化させることを特徴とする請求項1に記載のめっき方法。
- 前記めっき液に直流電流またはパルス電流を印加することを特徴とする請求項1または2に記載のめっき方法。
- 前記貫通電極用凹部の未充填部のアスペクト比が2に達したときに、前記めっき液の攪拌条件を高速撹拌から低速撹拌に変化させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のめっき方法。
- 前記基板と前記アノードとの間のめっき液の撹拌を基板表面近傍に配置した撹拌具の往復運動で行い、前記貫通電極用凹部の未充填部のアスペクト比が小さくなるに従い、前記攪拌具の往復移動速度を高速から低速に変化させることを特徴とする請求項1記載のめっき方法。
- 前記攪拌具の往復移動速度を0〜150cm/secの範囲で変化させることを特徴とする請求項5記載のめっき方法。
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