JP4252549B2 - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 95
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 54
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 37
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
本実施の形態では、本発明を用いて、スイッチング半導体素子に対してめっき処理を施す場合について言及する。以下では、縦型のスイッチング半導体素子のコレクタ面に直接、金属膜(コレクタ電極)を形成する場合について説明する。
本実施の形態では、本発明を用いて、スイッチング半導体素子に対して洗浄処理を施す場合について言及する。以下では、縦型のスイッチング半導体素子のコレクタ面を洗浄する場合について説明する。
本実施の形態では、本発明を用いて、スイッチング半導体素子に対して洗浄処理を施す場合について言及する。以下では、縦型のスイッチング半導体素子のコレクタ面を洗浄する場合について説明する。
本実施の形態では、本発明を用いて、スイッチング半導体素子に対して洗浄処理およびめっき処理を施す場合について言及する。つまり、実施の形態3に係る発明により縦型のスイッチング半導体素子を洗浄した後、当該縦型のスイッチング半導体素子のコレクタ面にめっき膜を形成する場合について、説明する。
Claims (8)
- (A)第一の主面に第一の主電極および制御電極が形成された、縦型のスイッチング半導体素子を用意する工程と、
(B)所定の液が貯溜されており、当該所定の液中に電極部が配設されている、液槽内において、前記電極部に対向して、前記所定の液に前記スイッチング半導体素子の第二の主面を浸漬させる工程と、
(C)前記工程(B)の後に、それぞれ所定の電圧を前記第一および第二の主電極ならびに前記制御電極に印加することにより、前記スイッチング半導体素子を導通状態にするとともに、前記所定の液を介して、前記電極部と前記第二の主面との間に電流を流す工程とを、備えている、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定の液は、めっき液である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記所定の液は、洗浄用電解質溶液である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - (X)前記工程(C)の後に、めっき液を用いて、めっき処理を行う工程を、さらに備えており、
前記工程(B)および(C)における前記所定の液は、前記工程(X)で用いられる前記めっき液から金属イオンを除いた液であり、当該金属イオンを除けば前記めっき液と同一の成分の液である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 金属イオンが含有されていないめっき液を前記所定の液として用いて、前記工程(A)ないし(C)を施した後に、前記金属イオンが含有されていないめっき液中に所定の金属イオンを含有させ、その後に、前記めっき液を前記所定の液として前記工程(B)、(C)を施す、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 所定の液が貯留されており、前記所定の液内に、第一の主面に第一の主電極および制御電極が形成された縦型のスイッチング半導体素子の、第二の主面を浸漬させることが可能な液槽と、
前記第二の主面に対向して、前記所定の液内に配設される電極部と、
前記第一の主電極、前記制御電極および前記電極部の各々に所定の電圧を印加することが可能な電源装置とを、備えている、
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記所定の液は、めっき液である、
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体製造装置。 - 前記所定の液は、洗浄用電解質溶液である、
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070385A JP4252549B2 (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070385A JP4252549B2 (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006249545A JP2006249545A (ja) | 2006-09-21 |
JP4252549B2 true JP4252549B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=37090340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005070385A Active JP4252549B2 (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4252549B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7035039B2 (ja) * | 2016-10-12 | 2022-03-14 | ニューサウス・イノベイションズ・プロプライエタリー・リミテッド | 電気化学的プロセスを制御するための方法およびプロセス |
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2005
- 2005-03-14 JP JP2005070385A patent/JP4252549B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006249545A (ja) | 2006-09-21 |
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