CN102021625B - 电化学电镀设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电化学电镀设备和方法，其中电镀设备包括：机械手臂，用于晶片的运输；电镀槽，用于对晶片进行电镀；清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；控制装置，用于对机械手臂、电镀槽及清洗槽进行控制，且当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，控制装置用于对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。本发明通过对电镀设备和方法进行改进，提高了电镀设备的利用率。

Description

电化学电镀设备和方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种用于电镀半导体晶片的电化学电镀设备和方法。

背景技术

在超大规模集成电路工艺中，金属铝是芯片中金属互连线路的金属层的主要材料。然而，由于元件的微型化及集成度的增加，电路中金属层数目不断增多，金属互连线路架构中的电阻(R)及电容(C)所产生的寄生效应造成了严重的传输延迟(RC Delay)，在130纳米及更先进的技术中成为电路中讯号传输速度受限的主要因素。

因此，在降低金属层电阻方面，由于金属铜及金属银具有高熔点、低电阻系数及高抗电子迁移的能力，已被广泛地应用于金属互连线路架构中来取代金属铝作为金属互连线路的金属层的材料。本领域技术人员熟知的，铜的金属化制成可使用溅镀法(物理气相沉积)和电化学电镀法(ElectricalChemical Plating)。由于成本低廉、沉积速率快，电化学电镀法已经是一种最常用的技术。

金属铜的电化学电镀法主要是以两个电极之间的电流通过硫酸铜溶液或是含铜的电解液的方式进行。当电解液中的电流为离子状态时，电流以电子形式传送到电极。在以金属铜组成的阳极产生电化学氧化反应时，阴极产生电化学还原反应。在此种状况下，阴极分离的铜离子被在阳极制造出来的铜离子取代。利用电性的漂移、扩散以及对流方式将铜离子传送至阴极。在给半导体晶片电镀时，将晶片的周围利用数个接触点使晶片与电源供应器形成电性连接，然后通以固定电流一段时间，在晶片表面形成特定厚度的铜金属层。例如申请号“200710044800.3”的中国专利申请中公开了一种半导体器件中铜的电镀方法。

图1为现有的一种电化学电镀设备(ECP)结构示意图，如图1所示，现有的电化学电镀设备通常包括用于传输晶片的多个机械手臂10，用于进行电镀的多个电镀槽(Cell)20，用于清洗电镀完成的晶片的多个清洗槽(PEM)30。通常电镀槽20的数量和清洗槽30的数量相同，例如同为3个，机械手臂将晶片从晶片盒40中依次取出放入电镀槽20中，在电镀完成后机械手臂再将电镀后的晶片放入清洗槽20中，在清洗后则完成电镀工艺。

发明人发现利用现有的化学电镀设备进行电镀时，如图1所示，电化学电镀设备中的个别的电镀槽，例如电镀槽20a和个别清洗槽，例如清洗槽30a会出现空闲，这样不利于电化学电镀设备利用率的提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提高电化学电镀设备的利用率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种电化学电镀设备，包括：

机械手臂，用于晶片的运输；

电镀槽，用于对晶片进行电镀；

清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；

控制装置，用于对机械手臂、电镀槽及清洗槽进行控制，且当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，控制装置用于对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。

相应的本发明还提供了一种电化学电镀方法，包括步骤：

当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，则对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间；

利用电镀槽对晶片进行电镀；

利用清洗槽对电镀后的晶片进行清洗。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

可选的，所述控制装置包括：

执行装置，用于控制机械手臂、电镀槽及清洗槽；

判断装置，用于根据所要电镀形成的金属层，判断晶片进行电镀所需的电镀时间和清洗时间的大小关系；

调整装置，当所述电镀时间小于所述清洗时间，则向所述执行装置发送延长电镀槽停留时间信号。

可选的，所述执行装置在收到延长电镀槽停留时间信号后会在晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

可选的，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s，晶片电镀的时间为103s至113s，所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

可选的，晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

可选的，所述延长电镀槽停留时间信号包括晶片在电镀槽中停留延长的时间。

相应的，本发明还提供了一种电化学电镀方法，包括步骤：

当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，则对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间；

利用电镀槽对晶片进行电镀；

利用清洗槽对电镀后的晶片进行清洗。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

可选的，所述对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整步骤包括：

对晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

可选的，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s，晶片电镀的时间为103s至113s，所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

可选的，晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

与现有技术相比，本发明主要具有以下优点：

本发明通过对电化学电镀设备和方法进行改进，使得控制装置可以对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间，例如使晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等，这样使得电镀槽和清洗槽的工作时间相匹配，从而利于减少电镀槽和清洗槽的闲置情况，从而提高了电化学电镀设备中电镀槽和清洗槽的利用率，因此提高了电化学电镀设备的利用率，提高了电化学电镀设备的工作效率。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为现有的电化学电镀设备(ECP)结构示意图；

图2为本发明的电化学电镀设备的结构示意图；

图3为本发明的电化学电镀设备中控制装置的一优选实施例的结构示意图；

图4为本发明的电化学电镀方法示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，在利用现有的电化学电镀设备进行电镀时，其中个别电镀槽和个别清洗槽会出现空闲。本发明的发明人经过大量的实验研究后认为，上述问题的原因是由于电化学电镀设备的电镀过程造成的。

电化学电镀设备的工作存在两种情况：第一种情况是电镀的金属层较薄时，这时在电镀槽中的电镀时间较短，而在清洗槽中的清洗时间较长，虽然已经将清洗槽的清洗时间优化到最短，但是清洗时间仍然要长于电镀时间，由于晶片从电镀槽中取出后需要马上进入清洗槽清洗，否则可能会对电镀表面带来较坏的影响，因此控制装置在判断是否要从晶片盒中取出晶片放入电镀槽中时，会判断电镀槽和清洗槽是否空闲，当电镀槽和清洗槽都空闲时，控制装置才控制机械手臂向电镀槽内放入晶片。还有一种情况是电镀的金属层较厚时，这时在电镀槽中的电镀时间较长，因此清洗时间就要短于电镀槽的电镀时间，这时如果电镀槽空闲则清洗槽必定空闲，因此只需要判断电镀槽是否空闲。另外一种就是电镀形成金属层时，在电镀槽中的电镀时间和清洗时间相等，这时如果电镀槽空闲则清洗槽必定空闲，因此只需要判断电镀槽是否空闲。因为在第一种情况时需要判断电镀槽和清洗槽，而晶片在电镀槽内的电镀时间和在清洗槽的清洗时间不匹配，因此很难控制让所有的清洗槽和电镀槽都处于饱和的工作状态，所以就容易出现空闲的情况。

发明人研究后认为，当晶片在电镀槽的时间大于在清洗槽的时间，或晶片在清洗槽的时间趋于接近时，电镀槽和清洗槽可以达到很好的匹配。例如可以在一个晶片清洗完成后，从清洗槽中取出，随后电镀完成的晶片从电镀槽内取出，放入空闲的清洗槽，随后将晶片盒中的晶片取出放入电镀槽，因为晶片在电镀槽内的时间和在清洗槽内的时间比较匹配，因此可以使得电镀槽和清洗槽的工作时间匹配，空闲的可能性减小，大大提高了利用率，提高了电化学电镀设备的工作效率。

因此本发明提供了一种电化学电镀设备，包括：

机械手臂，用于晶片的运输；

电镀槽，用于对晶片进行电镀；

清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；

控制装置，用于对机械手臂、电镀槽及清洗槽进行控制，且当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，控制装置用于对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

可选的，所述控制装置包括：

执行装置，用于控制机械手臂、电镀槽及清洗槽；

判断装置，用于根据所要电镀形成的金属层，判断晶片进行电镀所需的电镀时间和清洗时间的大小关系；

调整装置，当所述电镀时间小于所述清洗时间，则向所述执行装置发送延长电镀槽停留时间信号。

可选的，所述执行装置在收到延长电镀槽停留时间信号后会在晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

可选的，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s，晶片电镀的时间为103s至113s，所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

可选的，晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

可选的，所述延长电镀槽停留时间信号包括晶片在电镀槽中停留延长的时间。

相应的，本发明还提供了一种电化学电镀方法，包括步骤：

当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，则对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间；

利用电镀槽对晶片进行电镀；

利用清洗槽对电镀后的晶片进行清洗。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

可选的，所述对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整步骤包括：

对晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

可选的，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s，晶片电镀的时间为103s至113s，所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

可选的，晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

可选的，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

图2为本发明的电化学电镀设备的结构示意图，下面参考图2对本发明电化学电镀设备进行说明。

如图2所示，本发明的电化学电镀设备包括：机械手臂110、电镀槽120、清洗槽130和控制装置140。

其中，可以包括多个机械手臂110，例如3个，一个机械手臂将晶片从晶片盒150中取出放入电镀槽中，另一机械手臂将晶片从电镀槽中取出放入清洗槽中，另一个机械手臂将晶片从清洗槽中取出，完成电镀工艺。

其中，可以包括多个电镀槽120，例如3个，电镀槽120中具有电解液，例如在电镀铜时，电镀槽中具有硫酸铜溶液，将晶片至于硫酸铜溶液中，晶片电性连接至电源供应器，并且作为阴极，而设置于电解液内的铜金属作为阳极，并且电性连接至电源供应器，接着支撑装置带动晶片高速转动，例如2000rpm。通常电镀的过程分为4个阶段，第一阶段使晶片放到电镀槽内，但尚未浸入电解液内；第二阶段将晶片载入电解液中，此时电流开始流动；接着第三阶段，使电流限制在一特定值并且维持一预定时间；最后在第四阶段使电流维持在较高的准位。待预定时间到达则完成电镀过程，电镀的具体时间和晶片表面需要形成的金属层的材料和厚度相关，例如需要形成厚度为7000埃至8000埃的铜金属层，则晶片电镀的时间为103s至113s，如果形成厚度为30000埃至40000埃的铜金属层，则晶片电镀的时间为6min至7min。在晶片完成电镀后需要将电镀后的晶片取出清洗。

其中，可以包括多个清洗槽130，例如3个，用于清洗电镀后的晶片，由于电镀时在电解液中进行，因此在电镀完成后晶片表面会附着较多的杂质，该杂质如果不及时清洗会和空气反应，从而使晶片表面发生化学变化，因此通常在将晶片从电解液中取出后会及时放入清洗槽中进行清洗，去除表面杂质。为了提高效率，会尽量缩短清洗的时间，例如清洗的时间最短缩短到103s至113s，但该清洗的时间也是随着电镀的时间的增加而增加。

控制装置140，用于对机械手臂110、电镀槽120、清洗槽130进行控制，例如在电镀槽120和清洗槽130空闲时，控制机械手臂将晶片从晶片盒中取出放入电镀槽120进行电镀，并待电镀完成后控制机械手臂将晶片从电镀槽120中取出放入清洗槽130中。

在现有技术中，形成较薄的金属层的时候，例如厚度为7000埃至8000埃的铜金属层，清洗时间可以缩短到最短130s至140s，晶片电镀的时间为103s至113s，这样晶片在电镀槽中的电镀时间就比晶片在清洗槽中的清洗时间要少37s左右。因为晶片在从电解液中取出后需要马上进入清洗槽清洗，因此需要在电镀槽和清洗槽都空闲时才能继续从晶片盒中取出晶片，因为清洗时间大于电镀时间，因此不能匹配，这样在一批晶片流水式的进行电镀时，必然使得电镀槽和清洗槽在有的时候轮空，也就是闲置，从而不利用设备的充分利用。

因此在本发明中对控制装置140进行改进，当电镀时间小于清洗时间时，控制装置140对晶片在电镀槽120内的停留时间进行调整使其延长，优选的使得晶片在电镀槽120内的停留时间和晶片在清洗槽130内停留的时间趋于相等或者使得晶片在电镀槽120内的停留时间大于晶片在清洗槽130内停留的时间。

图3为本发明的电化学电镀设备中控制装置的一优选实施例的结构示意图，如图3所示，在优选实施方式中，所述控制装置140包括：执行装置1401，用于控制机械手臂110、电镀槽120及清洗槽130；判断装置1402，用于根据所要电镀形成的金属层，判断晶片进行电镀所需的电镀时间和清洗时间的大小关系；调整装置1403，用于向执行装置1401发送延长电镀槽停留时间信号。

下面结合电镀工艺的过程对本发明的电化学电镀设备进行说明。

在开始电镀工艺的时候，首先判断装置1402根据所要电镀形成的金属层，判断晶片进行电镀所需的电镀时间和清洗时间的大小关系。例如根据所要形成的金属层的材料和厚度，判断电镀的时间和需要清洗的时间，如需要电镀厚度为7000埃至8000埃形成金属铜，则清洗时间为130s至140s，例如132s、136s、138s，晶片电镀时间为103s至113s，如135s、107s、109s、111s，该计算方式为本领域技术人员所熟知的，因此不再赘述。

当电镀时间小于清洗时间，如140s＞103s，则调整装置1403向执行装置1401发送延长电镀槽停留时间信号。该信号可以包含晶片在电镀槽中需要停留的延长时间，例如清洗时间为140s，则晶片在电镀槽中需要停留的时间趋于和清洗时间相等，即140s，那么晶片在电镀槽中需要停留的延长时间为37s。当然也可以使晶片在电镀槽120中需要停留的时间大于清洗时间，也就是晶片在电镀槽120中需要停留的延长时间大于37s。

发明人在经过大量的实验研究后认为：优选的，晶片在电镀槽120中需要停留的时间比晶片在清洗槽130中需要停留的时间少12s，也就是清洗时间为140s，将晶片在电镀槽120中需要停留的时间延长到128s，可以达到对电化学电镀设备最好的利用效果。

接着，执行装置1401收到该信号后会将晶片在电镀槽120中的停留时间延长，在本实施例中具体为延长25s±12s，例如25s。

这样执行装置1401向机械手臂110发送取晶片信号，机械手臂110从晶片盒150中取出晶片放入电镀槽120中，但是先不浸入电解液。电镀槽120中具有支撑装置(未图示)，所述晶片被固定在支撑装置上，在执行装置1401控制下，晶片在支撑装置的带动下旋转，旋转时间为晶片在电镀槽120中需要停留的延长时间，例如25s。

因为电解液为化学溶液会挥发，因此将晶片空转可以使得晶片表面在电解液会发的作用下受到的影响相同，从而可以减小晶片表面的不均匀性。还可以将晶片取入电镀槽120中，且浸入电解液中之前将晶片在支撑装置上等待25s±12s。

接着，在旋转25s后，支撑装置将晶片浸入电解液，并接通电源，晶片在支撑装置带动下旋转，被均匀的电镀上金属层。

需要说明的是，在机械手臂110将第一片晶片放入电镀槽120之后，执行装置还会控制机械手臂110将第二片、第三片......依次放入不同的电镀槽120，直到所有的电镀槽120被放满。

接着，执行装置1401控制机械手臂110将电镀完成的晶片从电镀槽120取出，放入清洗槽130，这样晶片共在电镀槽中120停留了25s+103s＝128s。

需要说明的是，在机械手臂110将第一片晶片从电镀槽120取出放入清洗槽之后，执行装置1401还会控制机械手臂110将第二片、第三片......电镀完的晶片依次从电镀槽120取出放入清洗槽。

接着，执行装置1401控制清洗槽120对晶片进行清洗，在清洗140s后执行装置1401控制机械手臂110将晶片取出，完成电镀工艺。

需要说明的是，在机械手臂110将第一片晶片从清洗槽130取出后，执行装置1401还会控制机械手臂110将第二片、第三片......清洗完的晶片依次从清洗槽130取出。

因为，晶片在电镀槽120的停留时间和在清洗槽130的停留时间接近，因此这样执行装置1401可以控制机械手臂110从清洗槽130取出一片晶片，然后接着将正好电镀完的晶片放入空出清洗槽130，接着再将晶片盒150中的晶片取出放入空出的电镀槽120，因此这样顺序执行，就减少了出现闲置的电镀槽120或者清洗槽130的可能，提高了设备的利用率。

另外，本发明还提供一种电化学电镀方法，图4为本发明的电化学电镀方法示意图，如图4所示，包括步骤：

S10：当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，则对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。

S20：利用电镀槽对晶片进行电镀；

S30：利用清洗槽对电镀后的晶片进行清洗。

其中，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

其中，在另一个实施例中，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间还可以具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

其中，所述对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整步骤包括：

对晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

其中，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s，晶片电镀的时间为103s至113s，所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

其中，晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (13)

1.一种电化学电镀设备，包括：

机械手臂，用于晶片的运输；

电镀槽，用于对晶片进行电镀；

清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；

其特征在于，还包括控制装置，

所述控制装置包括：

执行装置，用于控制机械手臂、电镀槽及清洗槽；

判断装置，用于根据所要电镀形成的金属层，判断晶片进行电镀所需的电镀时间和清洗时间的大小关系；

调整装置，当所述电镀时间小于所述清洗时间，则向所述执行装置发送延长电镀槽停留时间信号,以延长晶片在电镀槽内的停留时间。

2.根据权利要求1所述的电化学电镀设备，其特征在于，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

3.根据权利要求1所述的电化学电镀设备，其特征在于，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

4.根据权利要求1所述的电化学电镀设备，其特征在于，所述执行装置在收到延长电镀槽停留时间信号后会在晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

5.根据权利要求4所述的电化学电镀设备，其特征在于，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s,晶片电镀的时间为103s至113s；对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整之后，所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

6.根据权利要求5所述的电化学电镀设备，其特征在于，对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整之后，晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

7.根据权利要求1所述的电化学电镀设备，其特征在于，所述延长电镀槽停留时间信号包括晶片在电镀槽中停留延长的时间。

8.一种电化学电镀方法，其特征在于，包括步骤：

当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，则对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间；

利用电镀槽对晶片进行电镀；

利用清洗槽对电镀后的晶片进行清洗。

9.根据权利要求8所述的电化学电镀方法，其特征在于，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间大于晶片在清洗槽内停留的时间。

10.根据权利要求8所述的电化学电镀方法，其特征在于，所述延长晶片在电镀槽内的停留时间具体为：使得晶片在电镀槽内的停留时间和晶片在清洗槽内停留的时间趋于相等。

11.根据权利要求8所述的电化学电镀方法，其特征在于，所述对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整步骤包括：

对晶片浸入电镀槽内的电解液之前先让晶片等待或者空转。

12.根据权利要求11所述的电化学电镀方法，其特征在于，当晶片表面待电镀的金属层为铜，且厚度为7000埃至8000埃，则清洗时间为130s至140s,晶片电镀的时间为103s至113s；对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整之后，使所述晶片在电镀槽等待或者空转的时间为25s±12s。

13.根据权利要求12所述的电化学电镀方法，其特征在于，对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整之后，使晶片在电镀槽内停留的时间比晶片在清洗槽内停留的时间少12s。

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