JP4386763B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4386763B2 JP4386763B2 JP2004061740A JP2004061740A JP4386763B2 JP 4386763 B2 JP4386763 B2 JP 4386763B2 JP 2004061740 A JP2004061740 A JP 2004061740A JP 2004061740 A JP2004061740 A JP 2004061740A JP 4386763 B2 JP4386763 B2 JP 4386763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor device
- hole
- insulating film
- fixed electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 120
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 50
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 39
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 38
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 9
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 9
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 8
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Description
一例として、外径寸法を半導体チップ(素子)サイズと同等あるいはわずかに大きい半導体パッケージとしていわゆるチップサイズパッケージ(CSP)が知られている。これは半導体ウエハ上に多数の半導体チップを形成し、その半導体ウエハの上部を樹脂で封止し、その後ダイシングにより個々の半導体装置に分割して完成したものである。
ダイパッド102の内部表面102b上には、電気絶縁性材料106を介して半導体素子105がその素子面と反対側の面を固着されて搭載されている。この半導体素子105の素子面に形成した端子105aは、端子部103の内部端子面103bにワイヤ7によって接続されており、かつ、端子部103の外部端子面103cと、ダイパッド102の外部表面102cを外部に露出させるように、端子部103、ダイパッド102、半導体素子105、ワイヤ107が樹脂部材108により封止されている。また、端子部103の外部に露出している外部端子面103cには、半田ボール109が取り付けられている。
また、半導体チップ88が高機能化するに伴ってその発熱量も大きくなるが、第2の電極86は、プリント基板へはんだ付けされる接続電極として用いており、該接続電極はプリント基板にはんだ付けされる際にブリッジが形成されないように離間して配置することが必要であることから、対応する固着電極や取出し電極よりも小さく形成されている。つまり、固着電極下の第2電極(接続電極)は、半導体素子と大きさで対応が取れておらず、従って、半導体装置を回路基板に実装したときにその放熱が十分に行えないという問題がある。
更に、熱可塑性樹脂フィルムは強度等の制約から同文献1に記載されているように約50μmの厚みは必要であり、それ以上薄型化することは困難である。
請求項2の発明は、請求項1に記載された半導体装置において、前記貫通穴に充填された導電性材料が、前記固着電極と半導体素子とを固定する導電層物質及びはんだバンプを形成する物質、又は、導電層物質若しくははんだバンプを形成する物質を主とすることを特徴とする。
(1)絶縁フィルムの固着電極に対応する裏面側に大気に露出した放熱板を設けており、かつ放熱板は大きさについての自由度があるため、高発熱量の高性能な半導体素子に対応した大きさの放熱板を設けることができる。
(2)前記固着電極と前記放熱板とが、貫通穴に充填された導電性材料で接続されているので、前記固着電極、前記放熱板及び絶縁フィルムが一体的に強固に固着され、絶縁フィルムからその一側面側の固着電極、取出し電極、封止用の絶縁樹脂、また他側面側の放熱板及び接着電極が剥離するおそれが無く、また、半導体素子で発生した熱は、前記貫通穴内の高融点はんだあるいはスルーホール銅めっき等の導電性材料を介して裏面側の放熱板に伝導するから高い放熱性が得られる。
(4)絶縁フィルムの両面に銅箔を積層し、貫通孔をドリルやプレス等で空けることができるので、製造コストを大幅に低下させることができる。
図1(A)は本発明の第一の実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、図1(B)は平面図である。
図1(A)に示すように、絶縁フィルム61の一側面には、積層した銅箔をエッチングして形成した中央に貫通穴を有する固着電極64と、この固着電極64を囲むように配置された多数の中央に貫通穴を有する取出し電極65が設けられ、かつ絶縁フィルム61の他側面には、積層した銅箔をエッチングして形成した中央に貫通穴を有する放熱板66と中央に貫通穴を有する接続電極75が設けられている。 接続電極75は、図1(B)に示すように、放熱板66を囲むように配置され、その中央に貫通穴を有している。
半導体素子70は、導電層をなす高融点はんだ69及びニッケル/金膜71aを挟んで銅箔製の固着電極64と一体に積層され、さらに銅箔製の固着電極64と銅箔製の放熱板66は、絶縁フィルム61を挟んで積層されている。
半導体素子70上の電極70aと取出し電極65間は金ワイヤ68で接続され、かつこれら絶縁フィルム上の各要素は、エポキシ樹脂73によって樹脂封止されている。
他方、絶縁フィルム61の反対側に配置された放熱板66と接続電極75は外部に露出し、各貫通穴ははんだバンプ102で塞いだ構成となっている。
なお、絶縁フィルム61は、アラミド不織布エポキシ樹脂フィルムを採用することが好ましい。このフィルムは、耐熱性であるアラミド不織布に、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を浸潤させたものであるので、熱が作用する工程でも形状が安定しており、電極位置のずれが生じないという利点がある。
また、はんだバンプ102は、半導体装置を回路基板に実装する際に、回路基板の回路とこれらの電極64、65とを接続するためのもので、例えばSn、Ag、Cuから成るPbフリーはんだでできている。なお、はんだバンプ102は各実施の形態において、側面視で半球状をなすものとして図示されているが、放熱板66下のはんだバンプ102は必ずしも半球状である必要はなく、例えば横に拡がった略台形状のものでもよい。
この半導体装置も、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様に、半導体素子70と銅箔製の固着電極64とが導電層をなす高融点はんだ69及びニッケル/金膜71aを挟んで一体に積層され、さらに銅箔製の固着電極64と銅箔製の放熱板66とが絶縁フィルム61を挟んで積層されている。また、固着電極64と絶縁フィルム61と放熱板66にそれぞれ設けた小孔が同心状に配置されて貫通穴が確保されている点、及び、取出し電極65と絶縁フィルム61と接着電極75にそれぞれ設けた小孔が一致していて貫通穴が確保されている点でも相違しない。
この構成では、各貫通穴に対して、高融点はんだ69とはんだバンプ102を両側から充填させて溶接しているので、接続強度が確保されると共に伝熱が良好に行われる。このため、半導体素子70で発生する熱は、高融点はんだ69を介して固着電極64に伝導し、さらに、各貫通穴の高融点はんだ69を介してはんだバンプ102、放熱板66へと伝導されて高効率に放熱が行われる。
また、半導体素子70で発生し金ワイヤ68を介して取出し電極65に伝わる熱も、各貫通穴の高融点はんだ69を介してはんだバンプ102、接続電極75に伝導されて放熱される。
尚、この場合の高融点はんだ69とはんだバンプ102との界面は互いの成分が拡散し合金相を形成合っており、図示したような明確なものではないことは勿論である。
この半導体装置も、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様に、半導体素子70と銅箔製の固着電極64とが高融点はんだ69及びニッケル/金膜71aを挟んで一体に積層され、さらに銅箔製の固着電極64と銅箔製の放熱板66とが絶縁フィルム61を挟んで積層されている。また、固着電極64と絶縁フィルム61と放熱板66及び、取出し電極65と絶縁フィルム61と接着電極75それぞれ設けた小孔を同心状に配置して貫通穴を確保している点でも相違しない。
相違点は、各貫通穴に高融点はんだ69を充填させているだけで図1に示すようなはんだバンプ102を備えていない点である。
この構成では、各貫通穴に対して、高融点はんだ69が露出側近くまで充填されて固着電極64と放熱板66、及び取出し電極65と接着電極75とを溶接しているので、接続強度が確保されると共に熱伝導が良好に行われる。
この半導体装置は、絶縁フィルム61の一側面に、積層した銅箔をエッチングして形成した中央に貫通穴を有する固着電極64と、固着電極64を囲むように中央に貫通穴を有する多数の取出し電極65が設けられ、又、絶縁フィルム61の他側面に、積層した銅箔をエッチングして形成し、中央に貫通穴を有する放熱板66と、この放熱板66を囲むように中央に貫通穴を有する多数の接続電極75が形成されている。
即ち、固着電極64と放熱板66と及び取出し電極65と接続電極75とは、それぞれの小孔が同心状に対向配置されることで貫通穴となり、これら貫通穴の内面には、前記の固着電極64と放熱板66と取出し電極65と接続電極75を形成するための銅箔積層を行うと同時に形成されるスルーホール銅めっき85が施されている。
半導体素子70は、高融点はんだ層69を介して固着電極64のニッケル/金膜71a上に取り付けられ、その電極70aと取出し電極65間を金ワイヤ68で接続し、これら絶縁フィルム上の各要素をエポキシ樹脂73によって樹脂封止している。他方、放熱板66と接続電極75が外部に露出して、各貫通穴の露出側をはんだバンプ102で塞いでいる。
この構成によれば、該スルーホール銅めっき85及び高融点はんだ69によって、それぞれ固着電極64と放熱板66及び取出し電極65と接続電極75とを強固に連結でき、効率良く放熱を行うことができる。
この半導体装置では、絶縁フィルム61の一方(図示例では左側面方向)には取出し電極65を設けずに空けておき、絶縁フィルム61のこの部分の反対側全面に放熱板66を設けている。
この実施の形態の放熱板66の面積は、以上で説明した各実施の形態の半導体装置の放熱板66よりも広いため、放熱板66の回路基板との接触面積の増加と共にヒートシンクとしての機能も向上する結果、放熱性は一層良好である。
(1)銅貼り積層板の準備:
図7は、本発明の実施に用いる銅貼り積層板の構造を示す断面図である。図示のように、銅貼り積層板60として、例えばアラミド不織布エポキシフィルムからなる絶縁フィルム61の両面に、銅箔62a、62bを貼り合わせてなる3層構造のものを使用する。ここで、アラミド不織布エポキシフィルムとは、アラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸させた後、熱間プレスしフィルム状にしたものであり、アラミド不織布エポキシフィルムの膜厚は例えば50μmであり、かつ銅箔62は電解銅箔で例えば厚さ18μmのものを用いる。
図8に示すように、銅貼り積層板60の所定の位置に、ドリルにより貫通穴101を開ける。穴径は例えば0.3mmφとする。プレスにより金型を用いて貫通穴101を打ち抜き形成しても良い。
穴開け工程により形成されて貫通穴101を清掃する工程である。清掃するのはアラミド不織布エポキシフィルムのエポキシ樹脂成分が主である。先ずエポキシ樹脂成分を膨潤させるため35℃のコンディショナーに液に3分間漬け、その後水洗する。次いでエポキシ樹脂成分を溶解エッチングするため、75℃の過マンガン酸を主とした溶液に7分間漬け、その後水洗する。次いで貫通穴101内に残存する過マンガン酸や反応副生成物を除去・清掃するため、還元処理液、硫酸酸、及び純水からなる43℃の溶液に5間漬け、その後水洗する。次いで80℃で15分間乾燥する。
図9に示すように、準備した銅貼り積層板60の上下より、貼り合わせ装置を用いてドライフィルムレジスト63a、63bを貼り合わせる。
この工程で使用するドライフィルムレジストとしては、例えば厚さ6μmのものを用い、貼り合せ装置として、ホットロール式ラミネータを用いる。貼り合わせ温度は50℃、貼り合せ速度は1.5m/min、エアシリンダの圧力は0.4Mpaとし、貼り合せ後、室温で1時間保持するエージングを行う。
この工程では、ドライフィルムレジストに対しそれぞれ所望のパターンを有するネガ型のマスクを用いて上下より露光を行う。この工程で使用する露光装置として、例えば平行光線露光装置を用い、使用する露光方式はプロキシ露光方式であり、露光量は80mJ/cm2である。
露光工程を終了した中間製品をコンベア式スプレー現像機を用い現像する。使用する現像液は1%炭酸ナトリウム溶液で、液温30℃で、200秒現像した後、水洗、乾燥されて現像済み製品をコンベアより排出する。
図10は現像工程を終了した状態の中間品の断面図を示す。図示のように、銅箔62a及び62b上にはそれぞれ所望のパターンを有するドライフィルムレジスト63a、63bが形成されている。
本工程では、現像工程を終了した中間品をコンベア・スプレー式エッチング装置を用いエッチングを行う。即ち、現像済みの中間製品を塩化第二鉄を主成分とした塩酸を含むエッチング液(50℃)に約2分通す。これによりドライフィルムレジスト63a、63b下の部分の銅箔を残し、ドライフィルムレジスト63a、63bに覆われていない部分の銅箔はエッチングされる。続いて室温で塩酸5%の槽を通した後、水洗、乾燥する。
この工程では、絶縁フィルム61からドライフィルムレジスト63a、63bを剥離除去する。
即ち、3%苛性ソーダ剥離液を用い、液温60℃で、80秒間浸漬することでドライフィルムレジスト63a、63bを剥離する。
図11はこのようにして剥離した中間製品の断面図である。図示のように、絶縁フィルム61の一方側には銅箔よりなる固着電極64及び取出し電極65が、絶縁フィルム61の他方側には放熱板66及び接続電極75が形成される。なお、取出し電極65は図1Bに示すように固着電極64の周りを囲むように多数設けられる。接続電極75も取出し電極65に対応して多数設けられる。
この工程では、絶縁フィルム61の両側の銅箔をエッチングして形成した固着電極64、取出し電極65、放熱板66、及び接続電極75の表面に、例えば厚さ4μmのニッケルと厚さ0.5μmの金から成るめっき膜を形成する。ここではメッキ方法は無電解めっき法を用いる。めっき膜の形成は、先ず脱脂を行い、過硫酸ナトリウムで銅箔の表面のソフトエッチングを行う。次に希硫酸でスマットを除去し、水洗後希塩酸にプリディップし、続いて活性化処理を行い、希塩酸にポストディップする。その後、80℃で10分間無電解ニッケルめっき行い、厚さ約4μmのニッケルめっき膜を形成する。水洗後希硫酸で活性化処理を行い、更に置換金めっきを行う。置換金メッキを行った後水洗し、中性無電解金めっき液を用いて60℃で20分間金めっきを行い厚さ0.5μmの金めっき膜を形成する。続いて水洗、乾燥を行う。
図12はこのようにしてめっきを施した中間製品の断面図である。図示するように、絶縁フィルム61の両側の固着電極64、取出し電極65、放熱板66、及び接続電極75の表面にニッケル/金膜71a、71bが形成される。
この工程では、高融点はんだ69により半導体素子70をダイボンディングするとともに、高融点はんだ69により取りだし電極65の貫通穴を埋める。ここでは、Sn−Pb系(例えば、Sn10%−Pb90%)の高融点はんだを用いて、これをその融点以上(例えば300℃)の温度に加熱し、固着電極64と取りだし電極65の上に高融点はんだを適量配置し固着電極64の上に半導体素子70を搭載する。すると、固着電極64と半導体素子70とが高融点はんだ69介して接着しかつ高融点はんだ69が貫通穴に侵入して埋め、固着電極64と放熱板66を接続する。また、高融点はんだ69が取りだし電極65の貫通穴に侵入して取りだし電極65と接続電極75を接続する。
図13はダイボンディング、取りだし電極貫通穴の塞ぎ工程を終えた中間製品の断面図である。
半導体素子70上のパッド電極70aと、取出し電極65を金ワイヤ68で結合する。このワイヤボンディング方法は例えば超音波併用熱圧着法を用いる。即ち、例えばφ30μmの金ワイヤ68を、温度150℃〜250℃の範囲(例えば230℃)で超音波を作用させて前記パッドと取出し電極65に接合する。
図14は、ワイヤボンディングを施した中間製品の断面図である。
この工程では回路形成面全体を樹脂封止する。即ち、図15に示すように、印刷法またはトランスファー法にて、回路形成面全体を絶縁樹脂73で封止する。使用した樹脂は、半導体封止用のエポキシ樹脂であり、印刷法によるときは、真空脱泡(例えば真空度10−3Torr)を実施後、スキージを用い、均一の厚さに印刷する。印刷後、125℃〜150℃でキュアを実施してエポキシ樹脂67を固める。トランスファー法によるときは、150℃〜180℃で、トランスファー成形し、130℃〜180℃でキュアを実施して樹脂73を固める。貫通穴は事前に塞がれているので樹脂73は漏れ出ることはない。
図16に示すように、放熱板66と接続電極75の各貫通穴内に形成された高融点はんだ69に接続するはんだバンプ102の形成を行う。はんだバンプ102のはんだの材質はPbが含まれているものを用いてもよいが、本実施例ではSn−3%Ag−0.5%CuのPbフリーはんだを用いた。
はんだ接続並びにはんだバンプ102の形成は次のように行う。即ち、真空チャックではんだボールを治具に吸着し、固着電極64並びに取出し電極65の開口部67の所定の位置に配置する。次に、260℃、10秒間の条件ではんだリフローを行う。
本リフロー工程で、はんだが、放熱板66と接続電極75の各貫通穴の周りのニッケル/金めっき膜71b上で溶けて付着して、貫通穴内の高融点はんだ69、69に金属接続するはんだバンプ102が形成される。半導体素子70で発生した熱は、金属導体を伝わり放熱板66と接続電極75から容易に放熱される。
最後に、以上のようにして形成された支持基板上の複数の半導体装置を図1Bに示すものを単位とした半導体装置1個ずつに切り出して半導体装置を得る。
図2に示す半導体装置の製造方法の場合には、実施例1の前記工程(9)「ダイボンディング、取りだし電極貫通穴の塞ぎ工程」において、高融点はんだ69,69の量を少なくして固着電極64並びに取出し電極65の貫通穴を塞ぐことに止めて、前記工程(12)の「はんだバンプの形成工程」において、貫通穴内に深く入り込んで高融点はんだ69、69に金属接続するはんだバンプ102を形成する。その他は、実施例1の製造工程と同一である。
図3に示す半導体装置の製造方法の場合には、実施例1の工程(12)の「はんだバンプの形成工程」を省略し、その他は、実施例1の製造工程である。
この実施例は、固着電極64と放熱板66とを、取出し電極65と接続電極75とを、予めスルーホール銅めっきにより接続する。既に説明した工程(3)の「デスミア処理工程」と、工程(4)の「ドライフィルムレジストの貼り合せ工程」との間に、以下に説明するスルーホール銅めっきを形成する工程を加える。
(a)アラミド不織布エポキシフィルムからなる絶縁フィルム61の両面に、銅箔62a、62bを貼り合わせてなる3層構造の支持基板を用意し、図17に示すように、デスミア処理工程の最後の乾燥処理工程を経ない状態で該支持基板を脱脂液に浸漬し支持基板の表面を脱脂し、次いで水洗する。
脱脂液として、弱アルカリであるクリーナーを5%含む54℃の溶液を用いた。脱脂液に浸漬する時間は40秒間とした。
(b)カーボン処理剤78%含む溶液を34℃の温度にして約35秒浸漬し、エアナイフで乾燥させた後、水洗する。
(c)弱アルカリのクリーナーコンディショナーを2.5%含む25℃の溶液に、約40秒間浸漬した後、水洗する。
(d)(b)の工程をもう一度行う。すると、図18に示すように、貫通穴の内面も含めて全面にカーボンブラック201が吸着する。
(e)次に、銅表面の吸着しているカーボンブラックをエッチング法により除去する。このエッチング液として、純水に硫酸銅五水塩を25.0g/L、98%硫酸を8.5容量%、硫酸過水タイプのエッチャントを3容量%、35%過酸化水素水を4.5容量%、含む40℃のエッチング溶液に、約3分浸漬し、水洗する。すると、図19に示すように、絶縁フィルム61の端面部のみにカーボンブラック201が残る。銅箔62a、62bの表面の吸着していたカーボンブラックは、該銅箔62a、62bが約1μmエッチングされることにより除去される。
(f)防錆液にて25℃で防錆処理を行う。この工程は省略しても良い。
(g)室温で、硫酸銅溶液中で、例えば2A/dm2の電流密度で30分間電気銅めっきを行う。すると、図20に示すように、銅箔62a、62bの表面に銅めっき84が形成され、貫通穴にもスルーホール銅めっき85が形成され、銅箔62a、62bが導通接続状態になる。
図5に示す半導体装置の製造方法の場合には、前記行程(12)の「はんだバンプの形成工程」を省略し、その他は、実施例4の製造工程と同一に行う。この製造方法で、高融点はんだ69をほぼ貫通穴の露出側端に到達させる。
この実施例は、放熱性向上のため、放熱板を延長させたものである。
即ち、実施例1の製造工程において、放熱板66を半導体素子70の固着電極64の直下の位置だけではなく、例えば図6Aに示すように図中左側に延長して形成する。半導体装置の製造方法そのものは、実施例1と同一である。この構成では、放熱板66の面積が第1の実施例よりも大きく放熱効果が一層向上する。
また、絶縁フィルムがアラミド不織布エポキシの場合につき詳述したが、ポリイミドなどを用いても良い。
また、本発明の実施例では、固着電極と前記放熱板、取り出し電極と接続電極の両方に貫通穴を有する場合につき詳述したが、いずれかの一組が、貫通穴を有しており、他方の組合せが貫通穴を有せず、例えばレーザーなどで絶縁フィルム61の穴開けを行い、固着電極または取り出し電極とはんだバンプ接続をしていても本発明は適用できる。
また、本発明の実施例では、貫通穴101の穴径が例えば0.3mmとしたが、穴径は接続が取れていれば任意であり、特に半導体素子70下のは大きくとも良いし、半導体素子70よりもやや小さい角型でもよい。
Claims (2)
- 絶縁フィルムの一面側に、固着電極と、取出し電極と、前記固着電極上の導電層を介して配置された半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記取出し電極を接続するワイヤと、これらを被覆する絶縁樹脂とを設け、かつ絶縁フィルムの他面側に、それぞれ前記取出し電極及び前記固着電極に対応して接続電極及び放熱板を設けた半導体装置であって、
前記放熱板は一端側が前記絶縁フィルムの一端部まで延在して当該端部で露出し、
前記固着電極と前記放熱板が前記絶縁フィルムを通して貫通する貫通穴を有し、かつ、前記固着電極上の導電層が前記貫通穴に充填された導電性材料と連続的に形成されたものであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置において、
前記貫通穴に充填された導電性材料が、前記固着電極と半導体素子とを固定する導電層物質及びはんだバンプを形成する物質、又は、導電層物質若しくははんだバンプを形成する物質を主とすることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004061740A JP4386763B2 (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 半導体装置 |
TW093130083A TWI348748B (en) | 2003-10-07 | 2004-10-05 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
KR1020040079326A KR20050033821A (ko) | 2003-10-07 | 2004-10-06 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
US10/959,246 US20050073039A1 (en) | 2003-10-07 | 2004-10-07 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
CNA200410083390XA CN1606152A (zh) | 2003-10-07 | 2004-10-08 | 半导体装置及其制造方法 |
US11/338,647 US20060118940A1 (en) | 2003-10-07 | 2006-01-25 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004061740A JP4386763B2 (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005252047A JP2005252047A (ja) | 2005-09-15 |
JP4386763B2 true JP4386763B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=35032235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004061740A Expired - Lifetime JP4386763B2 (ja) | 2003-10-07 | 2004-03-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4386763B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100828174B1 (ko) * | 2006-08-03 | 2008-05-08 | 주식회사 이츠웰 | 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법 |
JP4919761B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-04-18 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板および電子部品装置 |
JP2011029518A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Shindo Denshi Kogyo Kk | フレキシブルプリント配線板、半導体装置及びその製造方法 |
JP2011096830A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
TWI445100B (zh) * | 2011-05-20 | 2014-07-11 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝結構及其製作方法 |
-
2004
- 2004-03-05 JP JP2004061740A patent/JP4386763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005252047A (ja) | 2005-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8230591B2 (en) | Method for fabricating an electronic device substrate | |
US6291271B1 (en) | Method of making semiconductor chip package | |
KR100437437B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조법 및 반도체 패키지 | |
US20060118940A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2004193549A (ja) | メッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板およびその製造方法 | |
JP2008181977A (ja) | パッケージ、そのパッケージの製造方法、そのパッケージを用いた半導体装置、そのパッケージを用いた半導体装置の製造方法 | |
TW200806133A (en) | Printed wiring board with a pin for mounting a component and an electronic device using the same | |
JP2004095972A (ja) | プラスチックパッケージの製造方法 | |
JP4386763B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2000174050A (ja) | 半導体チップ及び半導体チップの製造方法 | |
JP3918803B2 (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法 | |
KR100925666B1 (ko) | 플립 칩 실장을 위한 솔더 형성 방법 | |
JP3768653B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3907002B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2003002786A1 (fr) | Procede d'electrodeposition et procede de fabrication de carte imprimee | |
JPH08316360A (ja) | Ic実装構造 | |
JP2005116886A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000031319A (ja) | 半導体素子搭載用基板キャリアー及びこれを用いた半 導体装置 | |
JP3925258B2 (ja) | 半導体パッケージ用基板の製造方法 | |
JP2501168B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004200608A (ja) | プリント配線基板およびその製造方法 | |
JP4696368B2 (ja) | 半導体パッケージ用基板とその製造方法および半導体パッケージとその製造方法 | |
JP2005251780A (ja) | 半導体回路部品およびその製造方法 | |
JPH1154553A (ja) | バンプを有する電子部品及びその実装構造 | |
JP2004282098A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20061024 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070614 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080801 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20090929 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090929 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 |