JP2008045179A - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板ホルダごと異なるめっき液に浸漬させて異なる金属めっきを順次行うにあたり、異なるめっき液の反応によって生じて基板ホルダの表面に付着した生成物を基板ホルダの表面から容易かつ確実に除去することができるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】異なる種類のめっき液を保持する複数のめっき槽34a,34bと、基板を保持したまま、異なる種類のめっき液に基板を順次接触させる開閉自在な基板ホルダ18と、基板を保持することなく開放させた状態で基板ホルダ18を洗浄する基板ホルダ洗浄部26を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、めっき装置及びめっき方法に係り、特に半導体ウェーハ等の基板の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ(突起状電極)を形成するのに使用されるめっき装置及びめっき方法に関する。
例えば、TAB(Tape Automated Bonding)やフリップチップにおいては、配線が形成された半導体チップの表面の所定箇所(電極)に金、銅、はんだ、或いはニッケル、更にはこれらを多層に積層した突起状接続電極(バンプ)を形成し、このバンプを介してパッケージの電極やTAB電極と電気的に接続することが広く行われている。このバンプの形成方法としては、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法があるが、半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
ここで、基板表面の所定箇所に、例えばSn−Ag合金からなるバンプを形成する時には、基板の表面をAgめっき液に接触させながら電解Agめっきを行い、しかる後にSnめっき液に接触させながら電解Snめっきを行うことで、Agめっき膜とSnめっき膜を順次形成し、リフロー(溶解)させて両金属を合金化させることが広く行われている。
この種のめっきに際して、周縁部をシールリング等のシール部材でシールして基板ホルダで保持した基板を、基板ホルダごと、めっき槽内の、例えばAgめっき液中に浸漬させながら電解Agめっきを行い、しかる後、他のめっき槽内の、例えばSnめっき液中に浸漬させながら電解Snめっきを行うことが知られている(特許文献1参照)。
特開2003−277995号公報
しかしながら、基板ホルダで保持した基板を、基板ホルダごと異なるめっき液に浸漬させて異なる金属めっきを順次行うと、化学反応によって金属の生成物が生じて基板ホルダの表面に付着することがある。例えば、Agめっき液を使用したAgめっきを行い、Agめっき後処理剤による後処理を行った後、Snめっき液を使用してSnめっきを行うと、黄色の沈殿物が生じる。これは、両めっきの間に、基板及び該基板を保持した基板ホルダの純水による洗浄を行っても、シール部材を中心とした洗浄しきれない部分にAgめっき液が残り、そこにSnめっき液が浸入して、Agめっき液及びAg後処理剤に含まれるよう素がSnめっき液に持ち込まれてよう化錫として沈殿するためである。
そして、このようにして生成された生成物が基板ホルダのシールリング等のシール部材に沈殿して付着すると、シール部材のシール性能が落ち、また基板ホルダの表面に付着したままめっき槽内に持ち込まれると、めっき槽内のめっき液の成分に影響を与えてしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板ホルダごと異なるめっき液に浸漬させて異なる金属めっきを順次行うにあたり、異なるめっき液の反応によって生じて基板ホルダの表面に付着した生成物を基板ホルダの表面から容易かつ確実に除去することができるようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、異なる種類のめっき液を保持する複数のめっき槽と、基板を保持したまま、前記異なる種類のめっき液に基板を順次接触させる開閉自在な基板ホルダと、基板を保持することなく開放させた状態で前記基板ホルダを洗浄する基板ホルダ洗浄部を有することを特徴とするめっき装置である。
このように、基板を保持することなく開放させた状態で基板ホルダを洗浄することで、例えばシール部材を中心として洗浄しきれない部分を生じさせることなく、基板ホルダの全域に亘る洗浄を行って、基板ホルダの表面に付着した生成物を容易かつ確実に除去することができる。
請求項2に記載の発明は、前記基板ホルダ洗浄部は、開放させた状態の基板ホルダの開放部に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給部を有することを特徴とする請求項1記載のめっき装置である。
これにより、基板ホルダの開放部内に位置する、例えばシール部材等の洗浄し難い部分に向けて洗浄液を吹付けて、該部分を重点的に洗浄することができる。この洗浄液としては、(1)純水、(2)例えば硫酸、塩酸またはメタンスルホン酸等の付着物を溶解する酸性液体、または(3)界面活性剤を混入するか、または溶存酸素濃度を低くして液体が入り難いところに入り易いようにした濡れ性の良い液体が挙げられる。
請求項3に記載の発明は、前記基板ホルダ供給部は、前記洗浄液に超音波を照射する超音波発生器を有することを特徴とする請求項2記載のめっき装置である。
これにより、洗浄液粒子に微振動やキャビテーションを発生させて、洗浄効果を高めることができる。
請求項4に記載の発明は、基板ホルダで基板を保持し、基板ホルダで保持した基板を異なる種類のめっき液に順次接触させて異なる金属めっきを行い、前記基板ホルダを開放させて基板の保持を解き、基板を保持することなく開放させた状態で前記基板ホルダを洗浄することを特徴とするめっき方法である。
これにより、1枚の基板に対する複数の金属めっきを行った後、基板の保持を解いて基板ホルダの全域を洗浄し、この洗浄後の基板ホルダで次の基板を保持して該基板に対する複数の金属めっきを行うことで、基板に対する複数の金属めっきを継続して行うことができる。
請求項5に記載の発明は、前記基板ホルダの洗浄を、浸漬洗浄、スプレー洗浄または超音波洗浄のいずれかで行うことを特徴とする請求項4記載のめっき方法である。
本発明によれば、複数の金属の積層めっきプロセスにおいて、基板ホルダに付着した生成物を容易かつ確実に除去することで、めっき膜の品質を一定に維持しながら、めっきプロセスの稼働率を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、この例では、基板表面の所定箇所に、多層のSn−AgめっきによるSn−Ag合金からなるバンプを形成するようにしている。多層めっきによるバンプとしては、このSn−Agの他に、Ni−Cu−はんだ、Cu−Au−はんだ、Cu−Ni−はんだ、Cu−Ni−Au、Cu−Sn、Cu−Pd、Cu−Ni−Pd−Au、Cu−Ni−Pd、Ni−はんだ、Ni−Au等が挙げられる。
図1は、本発明の実施の形態のめっき装置を示す。図1に示すように、このめっき装置には、半導体ウェーハ等の基板を収納したカセット10を搭載する2台のカセットテーブル12と、基板のオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ14と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ16が同一円周方向に沿って備えられている。更に、この円周の接線方向に沿った位置には、基板ホルダ18を載置して基板の該基板ホルダ18との着脱を行う基板着脱部20が設けられ、この中心位置には、これらの間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置22が配置されている。
そして、基板着脱部20側から順に、基板ホルダ18の保管及び一時仮置きを行うストッカ24、開放させた状態で基板ホルダ18を洗浄する基板ホルダ洗浄部26、基板を純水に浸漬させて濡らすことで表面の親水性を良くするプリウェット槽28、基板の表面にめっき前処理を行う前処理槽30、基板および基板ホルダ18に付着した前処理液を洗浄する前処理液水洗槽32、内部に第1の金属めっき液を入れ電解めっきを行って基板の表面に第1金属めっき膜を形成する第1めっき槽34a、基板及び基板ホルダ18に付着した第1金属めっき液を洗浄する第1めっき液水洗槽36a、基板の表面を純水で水洗し水切り(ブロー処理)を行うブロー槽38、基板及び基板ホルダ18に付着した第2金属めっき液を洗浄する第2めっき液水洗槽36b、及び内部に第2金属めっき液を入れ電解めっきを行って基板の第1金属膜の表面に第2金属めっき膜を形成する第2めっき槽34bが順に配置されている。
前処理槽30内は、基板の最表面の材質に合わせたエッチング用の酸が供給される。この酸は、銅下地では硫酸等、Pd下地ではメタンスルホン酸等、Ni下地では塩酸等である。前処理液水洗槽32は、この内部に純水を供給し、純水内に基板を保持した基板ホルダ18を浸漬させて、基板及び該基板を保持した基板ホルダ18を純水で洗浄するように構成されている。前処理液水洗槽32には、洗浄後の基板を保持した基板ホルダ18を引き上げながら基板ホルダ18に向けて空気を吹付けることで、基板及び基板ホルダ18に付着した純水を除去するブロー機構が備えられている。この例では、多数の第2めっき槽34bを備えることで、稼働率を向上させるようにしている。
更に、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ18を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置40が備えられている。この基板ホルダ搬送装置40は、基板着脱部20、ストッカ24、基板ホルダ洗浄部26、プリウェット槽28、前処理槽30、前処理液水洗槽32、第1めっき槽34a、第1めっき液水洗槽36a、ブロー槽38、第2めっき液水洗槽36b、及び第2めっき槽34bとの間で基板を搬送する第1のトランスポータ42と第2のトランスポータ44を有している。なお、第2のトランスポータ44を備えることなく、第1のトランスポータ42のみを備えるようにしてもよい。
また、この基板ホルダ搬送装置40の各めっき槽34a,34bを挟んだ反対側には、各めっき槽34a,34bの内部に位置してめっき液を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドル(図示せず)を駆動するパドル駆動装置46が配置されている。
基板着脱部20は、レール50に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート52を備えており、この載置プレート52に2個の基板ホルダ18を水平状態で並列に載置して、この一方の基板ホルダ18と基板搬送装置22との間で基板の受渡しを行った後、載置プレート52を横方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ18と基板搬送装置22との間で基板Wの受渡しを行うようになっている。
基板ホルダ18は、図2乃至図5に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の固定保持部材54と、この固定保持部材54にヒンジ56を介して開閉自在に取付けた可動保持部材58とを有している。この例では、可動保持部材58を、ヒンジ56を介して開閉自在に構成しているが、例えば、図10に示すように、可動保持部材58を固定保持部材54に対峙した位置に配置し、この可動保持部材58を固定保持部材54に向けて前進させて開閉するようにしてもよい。複数の金属の化合物からなる生成物が極力付着しないように、固定保持部材54及び可動保持部材58を撥水性材料で作製するようにしてもよい。
この可動保持部材58は、基部58aと、この例ではリング状の支持部58bとを有し、例えば塩化ビニル製で、下記の押えリング62との滑りを良くしており、その支持部58bの固定保持部材54側表面に、リング状で一方のリップ部を長くした横断面略コ字状のシール部材(シールリング)60が固定保持部材54側に開口して取付けられている。このシール部材60は、複数の金属の化合物からなる生成物が極力付着しないよう、その表面粗さを極力小さくすることが好ましい。
可動保持部材58の固定保持部材54と反対側には、押えリング62が回転自在に支承され、この押えリング62の外周面にスライドプレート64が取付けられている。この押えリング62は、酸化性環境に対して耐食性に優れ、十分な剛性を有する、例えばチタンから構成されている。
スライドプレート64の外側方に位置して、固定保持部材54には、内方に突出する突出部を有する逆L字状のクランパ70が円周方向に沿って等間隔で立設されている。そして、スライドプレート64の表面及び該表面を覆うように位置するクランパ70の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面となっている。更に、押えリング62の表面の円周方向に沿った複数箇所(例えば4カ所)には、例えば押えリング62にねじ込んだ回転ピンからなる突起73が設けられ、この突起73を回転機構で引っ掛けて押えリング62をスライドプレート64と一体に回転させるようになっている。
これにより、可動保持部材58を開いた状態で、固定保持部材54の中央部に基板Wを挿入し、ヒンジ56を介して可動保持部材58を閉じた後、押えリング62を時計回りに回転させて、スライドプレート64をクランパ70の突出部の内部に滑り込ませることで、固定保持部材54と可動保持部材58とをテーパ面を介して互いに締付けてロックし、押えリング62を反時計回りに回転させて逆L字状のクランパ70の突出部からスライドプレート64を引き抜くことで、このロックを解くようになっている。そして、このようにして可動保持部材58をロックした時、シール部材60の内周面側の短いリップ部60aが基板Wの表面に、外周面側の長いリップ部60bが固定保持部材54の表面にそれぞれ圧接し、シール部材60を均一に押圧して、ここを確実にシールする。
固定保持部材54の中央部には、基板Wの大きさに合わせてリング状に突出し、表面を基板Wの周縁部に当接させて該基板Wを支持する支持面80となる突条部82が設けられており、この突条部82の円周方向に沿った所定位置に凹部84が設けられている。
そして、図2及び図5に示すように、この各凹部84内に、下記のハンド98に設けた外部接点から延びる複数の配線にそれぞれ接続した複数(図示では8個)の導電体(電気接点)88が配置されて、固定保持部材54の支持面80上に基板Wを載置した際、この導電体88の端部が基板Wの側方で固定保持部材54の表面にばね性を有した状態で露出するようになっている。
一方、シール部材60の一対のリップ部60a,60bで挟まれた内部には、支持体90が取付けられ、この支持体90の導電体88に対向した位置に、電気接点92の脚部92aが固着されている。この電気接点92は、板ばね形状に形成されている。つまり、この電気接点92は、内方に板ばね状に突出する接点端部92bを有しており、この接点端部92bにおいて、その弾性力によるばね性を有して容易に屈曲するようになっている。
そして、可動保持部材58をロックして固定保持部材54と可動保持部材58で基板Wを保持した時、図5(b)に示すように、シール部材60でシールされた位置、すなわちシール部材60の一対のリップ部60a,60bで挟まれた領域で、導電体88の露出部が電気接点92の脚部92aの下面に導電体88の露出部の弾性力を介して弾性的に接触して電気的に接続され、基板Wが電気接点92の接点端部92bの先端に該接点端部92bの弾性力を介して弾性的に接触する。これによって、基板Wをシール部材60でシールして基板ホルダ18で保持した状態で、電気接点92を介して基板Wに給電が行えるようになっている。
このように、電気接点92を板ばね形状に形成し、この電気接点92自体の弾性力を介して電気接点92の接点端部92bの先端が基板Wに接触するようにすることで、接点不良を減少させ、しかも、電気接点92が基板Wのより外周部で該基板Wと接触するようにして、基板Wのパターン形成領域として有効に利用できる面積を広めることができる。
なお、導電体88の表面の、少なくとも電気接点92との当接面に、例えば金または白金めっきを施して被覆することが好ましい。
また、図6に示すように、固定保持部材54の突条部82の一部には、尖塔状のテーパ面を有するテーパ部82aが設けられ、また、支持体90の内周面の該テーパ部82aと対向する位置には、該テーパ部82aのテーパ面と逆テーパ面で、固定保持部材54と可動保持部材58とで基板Wを保持した時に互いに係合して両者54,58の中心に対する位置決めを行うテーパ部90aが設けられている。つまり、図6(b)に示すように、固定保持部材54と可動保持部材58とで基板Wを保持する際に、テーパ部82a,90aが互いに案内となって、可動保持部材58の固定保持部材54に対する(またはその逆の)位置決めが行われるようになっている。
このように、固定保持部材54の突条部82と可動保持部材58の支持体90に互いに係合するテーパ部82a,90aを設けることにより、固定保持部材54と可動保持部材58が離れた位置では両者54,58の位置合わせが正確でなくとも、基板Wを固定保持部材54と可動保持部材58で保持する過程で、互いに係合するテーパ部82a,90aを介して、両者54,58の中心に対する位置決めを自動的に行うことができる。
ここで、可動保持部材58の支持体90に設けられたテーパ部90aは、固定保持部材54と可動保持部材58で基板Wを保持する時に、固定保持部材54の突条部82の支持面80上に支持された基板Wの外周端面を案内して基板Wの位置決めを行うように構成されている。つまり、図6(b)に示すように、基板Wの外周部が突条部82の支持面80から外方に突出した時に、この基板Wの外周端面がテーパ部90aに接触し、これによって、基板Wの基板ホルダ、ひいてはシール部材60に対する位置決め(センタリング)が行われるようになっている。
これにより、前述のようにして、基板Wを固定保持部材54と可動保持部材58で保持する過程で、両者54,58の中心に対する位置決めを行い、可動保持部材58の支持体90に設けられたテーパ部90aを介して、基板Wの基板ホルダに対する位置決め(センタリング)を同時に行うことができる。
シール部材60は、前述のように、固定保持部材54と可動保持部材58で基板Wを保持した時に該基板Wの周縁部と固定保持部材54の表面にそれぞれ接触するリップ部60a,60bを有しており、このリップ部60a,60bの間に装着した支持体90に一体的に保持されている。つまり、シール部材60は、リップ部60a,60bを繋ぐ平坦部を可動保持部材58の支持部58bと支持体90で挟み、この可動保持部材58の支持部58bと支持体90とをボルト91(図6参照)で締付けることで固定されている。更に、可動保持部材58の支持部58bとシール部材60の上面との間にシール材93が介装されて、ここを確実にシールするように構成されている。
このように、シール部材60を支持体90に一体的に保持することで、めっき終了後、可動保持部材58を移動させ基板Wの保持を解いて、基板Wを基板ホルダ18から取出す際に、シール部材60のリップ部(シール部)60aが基板Wに付着して可動保持部材58の支持部58bから捲れてしまうことを防止して、シール部材60と基板Wとの剥離性を向上させることができる。
基板着脱時における可動保持部材58の開閉は、図示しないシリンダと可動保持部材58の自重によって行われる。つまり、固定保持部材54には通孔54aが設けられ、載置プレート52の上に基板ホルダ18を載置した時に該通孔54aに対向する位置にシリンダが設けられている。これにより、シリンダロッドを伸展させ、通孔54aを通じて押圧棒で可動保持部材58の基部58aを上方に押上げることで可動保持部材58を開き、シリンダロッドを収縮させることで、可動保持部材58をその自重で閉じるようになっている。
この例にあっては、押えリング62を回転させることにより、可動保持部材58のロック・アンロックを行うようになっているが、このロック・アンロック機構は、天井側に設けられている。つまり、このロック・アンロック機構は、載置プレート52の上に基板ホルダ18を載置した時、この中央側に位置する基板ホルダ18の押えリング62の各突起73に対応する位置に位置させた把持部材を有し、載置プレート52を上昇させ、突起73を把持部材で把持した状態で把持部材を押えリング62の軸芯周りに回転させることで、押えリング62を回転させるように構成されている。このロック・アンロック機構は、1個備えられ、載置プレート52の上に載置した2個の基板ホルダ18の一方をロック(またはアンロック)した後、載置プレート52を横方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ18をロック(またはアンロック)するようになっている。
また、基板ホルダ18には、基板Wを装着した時の該基板Wと接点との接触状態を確認するセンサが備えられ、このセンサからの信号がコントローラ(図示せず)に入力されるようになっている。
基板ホルダ18の固定保持部材54の端部には、基板ホルダ18を搬送したり、吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略T字状のハンド98が連接されている。そして、ストッカ24内においては、この周壁上面にハンド98の突出端部を引っ掛けることで、これを垂直に吊下げ保持し、この吊下げ保持した基板ホルダ18のハンド98を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ42で把持して基板ホルダ18を搬送するようになっている。なお、基板ホルダ洗浄部26、プリウェット槽28、前処理槽30、水洗槽32,36a,36b、めっき槽34a,34b、及びブロー槽38内においても、基板ホルダ18は、ハンド98を介してそれらの周壁に吊下げ保持される。
基板ホルダ洗浄部26の詳細を図7及び図8に示す。図7及び図8に示すように、この基板ホルダ洗浄部26は、上方に開放し、基板ホルダ18のハンド98を上端面に引っ掛けて基板ホルダ18を吊下げ保持する矩形状の処理槽100を有している。この処理槽100の側部及び底部には、基板を保持することなく開放させた状態の基板ホルダ18の固定保持部材54と可動保持部材58との間に向けて、側方及び下方から洗浄液をスプレーして供給する第1洗浄液供給部(洗浄液スプレーノズル)102及び第2洗浄液供給部(洗浄液スプレーノズル)104が備えられている。
つまり、図8に示すように、処理槽100の該処理槽100で基板ホルダ18を吊下げ保持した時に固定保持部材54の通孔54aに対向する位置には、内方に向けて水平移動自在な押出し棒108が備えられている。そして、この押出し棒108を内方に水平移動させ、通孔54aを通過させて可動保持部材58に当接させた後、更に内方に水平移動させることで、ヒンジ56を中心に可動保持部材58を固定保持部材54から離れる方向に回転させて、基板ホルダ18を下方に向けて開放させるようになっている。
なお、図10に示すように、基板ホルダ18として、可動保持部材58が固定保持部材54の上部に設けたレール99に沿って該固定保持部材54と平行に移動するようにしたものを使用した場合には、押出し棒108を内方に水平移動させ、通孔54aを通過させて可動保持部材58に当接させた後、更に内方に水平移動させることで、可動保持部材58を固定保持部材54から離れる方向に平行移動させて、基板ホルダ18を開放させる。
これにより、処理槽100内で基板ホルダ18を開放させた状態で、可動保持部材58と固定保持部材54との間に向けて、洗浄液供給部102,104から洗浄液を供給(スプレー)することによって、例えば、シール部材60の表面等の基板ホルダ18で基板Wを保持していた時に洗浄液で洗浄できなかった箇所を洗浄することができる。
つまり、基板Wを保持したまま基板ホルダ18を基板Wと共に第2めっき液水洗槽36bで水洗すると、特に基板Wに圧接しているシール部材60を中心として、洗浄しきれない部分が生じ、ここに付着した生成物を除去することが困難となるが、この例によれば、例えば1枚の基板に対するめっき処理が終わった後、基板の保持を解き、基板ホルダ洗浄部26で基板ホルダ18の全域に亘る洗浄を行って、基板ホルダ18の表面に付着した生成物を容易かつ確実に除去し、このように、生成物を除去した基板ホルダ18で次の基板に対するめっき処理を行うことができる。
この例では、処理槽100の底部に、第2洗浄液供給部104を流れる洗浄液に超音波を照射し、洗浄液粒子に微振動やキャビテーションを発生させて、洗浄効果を高める超音波発生器106が備えられている。また、図示しないが、基板ホルダ洗浄部26には、洗浄後に引き上げられる基板ホルダ18に向けて空気を吹付けることで、基板ホルダ18に付着した洗浄液を吹き飛ばして除去するブロー機構が備えられている。
超音波発生器で第1洗浄液供給部102を流れる洗浄液に超音波を照射するようにしてもよく、また第1洗浄液供給部102を処理槽100の両側に設けるようにしてもよい。
なお、洗浄液としては、通常は純水が使用されるが、例えば硫酸、塩酸またはメタンスルホン酸等の付着物を溶解する酸性液体を使用してもよい。また、界面活性剤を混入するか、または溶存酸素濃度を低くして、液体が入り難いところに入り易いようにした濡れ性の良い液体を使用しても良い。
このように構成しためっき装置による一連のバンプめっきを説明する。先ず、図9(a)に示すように、表面に給電層としてのシード層500を成膜し、このシード層500の表面に、例えば高さHが20〜120μmのレジスト502を全面に塗布した後、このレジスト502の所定の位置に、例えば直径Dが20〜200μm程度の開口部502aを設けた基板をその表面(被めっき面)を上にした状態でカセット10に収容し、このカセット10をカセットテーブル12に搭載する。
このカセットテーブル12に搭載したカセット10から、基板搬送装置22で基板を1枚取出し、アライナ14に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ14で方向を合わせた基板を基板搬送装置22で基板着脱部20まで搬送する。
基板着脱部20においては、ストッカ24内に収容されていた基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ42で2基同時に把持して、基板着脱部20まで搬送する。そして、基板ホルダ18を水平な状態として下降させ、これによって、2基の基板ホルダ18を基板着脱部20の載置プレート52の上に同時に載置し、シリンダを作動させて基板ホルダ18の可動保持部材58を開いた状態にしておく。
この状態で、中央側に位置する基板ホルダ18に基板搬送装置22で搬送した基板を挿入し、シリンダを逆作動させて可動保持部材58を閉じ、しかる後、ロック・アンロック機構で可動保持部材58をロックする。そして、一方の基板ホルダ18への基板の装着が完了した後、載置プレート52を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ18に基板を装着し、しかる後、載置プレート52を元の位置に戻す。
これにより、基板Wは、そのめっき処理を行う面を基板ホルダ18の開口部から露出させた状態で、周囲をシール部材60でめっき液が浸入しないようにシールされ、シールによってめっき液に触れない部分において複数の接点と電気的に導通するように固定される。ここで、接点からは基板ホルダ18のハンド98まで配線が繋がっており、ハンド98の部分に電源を接続することにより基板のシード層500に給電することができる。
次に、基板Wを装着した基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ42で2基同時に把持し、ストッカ24まで搬送する。そして、基板ホルダ18を垂直な状態となして下降させ、これによって、2基の基板ホルダ18をストッカ24に吊下げ保持(仮置き)する。
これらの基板搬送装置22、基板着脱部20及び基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ42においては、前記作業を順次繰り返して、ストッカ24内に収容された基板ホルダ18に順次基板を装着し、ストッカ24の所定の位置に順次吊り下げ保持(仮置き)する。
一方、基板ホルダ搬送装置40の他方のトランスポータ44にあっては、基板を装着しストッカ24に仮置きした基板ホルダ18を2基同時に把持し、プリウェット槽28まで搬送して下降させ、これによって、2基の基板ホルダ18をプリウェット槽28内に入れる。
次に、この基板を装着した基板ホルダ18を、前記と同様にして、前処理槽30に搬送し、前処理槽30で、例えばシード層500の表面の酸化膜をエッチングして、清浄な金属面を露出させる。更に、この基板を装着した基板ホルダ18を、前処理液水洗槽32に搬送し、基板の表面に付着した酸を洗浄する。そして、同様にして、基板ホルダ18を内部に第1のめっき液を保持した第1めっき槽34aに搬送して吊下げ保持する。そして、第1めっき槽34a内に第1のめっき液を供給しながら、第1めっき槽34a内のアノード(図示せず)と基板Wとの間にめっき電圧を印加し、同時にパドル駆動装置46によりパドルを基板の表面と平行に往復移動させることで、基板の表面に第1のめっきを施す。これによって、図9(b)に示すように、シード層500の露出表面に第1金属めっき膜504を形成する。この時、基板ホルダ18は、第1めっき槽34aの上部でハンド98により吊り下げられて固定され、めっき電源から導電体88及び電気接点92を通して、シード層500に給電される。このことは、以下の第2のめっきにおいても同様である。
第1のめっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給及びパドル往復運動を停止し、第1のめっき後の基板Wを装着した基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ44で2基同時に把持し、第1めっき液水洗槽36aまで搬送し、例えば第1めっき液水洗槽36a内に純水を供給して引抜く操作を、少なくとも2回繰り返すことで、基板Wを及び該基板Wを保持した基板ホルダ18を水洗する。
水洗が終了した基板を装着した基板ホルダ18を、前記と同様にして、内部に第2のめっき液を満たした第2めっき槽34bに搬送し、第2めっき槽34bに吊り下げ保持する。基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ44は、必要に応じて、上記作業を順次繰り返し行って、基板を装着した基板ホルダ18を順次第2めっき槽34bに搬送して所定の位置に吊下げ保持する。
そして、第2めっき槽34b内に第2のめっき液を供給しながら、第2めっき槽34b内のアノード(図示せず)と基板Wとの間にめっき電圧を印加し、同時にパドル駆動装置46によりパドルを基板の表面と平行に往復移動させることで、基板Wの表面に第2のめっきを施す。これによって、図9(c)に示すように、第1金属めっき膜504の表面に第2金属めっき膜506を形成する。
第2のめっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給及びパドル往復運動を停止し、めっき後の基板Wを装着した基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ44で2基同時に把持し、前述と同様にして、第2めっき液水洗槽36bまで搬送し、前述と同様にして、基板W及び該基板Wを保持した基板ホルダ18を純水洗浄する。その後、基板ホルダ18をブロー槽38に搬送し、基板ホルダ18に向けて空気を吹付けて、基板W及び該基板Wを保持した基板ホルダ18に付着した水滴を除去する。
次に、トランスポータ42で基板ホルダ18を把持し、前記と同様にして、基板着脱部20の載置プレート52の上に載置する。
そして、中央側に位置する基板ホルダ18の可動保持部材58のロックを、ロック・アンロック機構を介して解き、シリンダを作動させて可動保持部材58を開く。そして、基板ホルダ18内のめっき処理後の基板Wを基板搬送装置22で取出して、スピンドライヤ16に運び、このスピンドライヤ16の高速回転によってスピンドライ(水切り)した基板を基板搬送装置22でカセット10に戻す。
そして、一方の基板ホルダ18に装着した基板をカセット10に戻した後、或いはこれと並行して、載置プレート52を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ18に装着した基板をスピンドライしてカセット10に戻す。
載置プレート52を元の状態に戻した後、基板を取出した基板ホルダ18を、開放した状態のまま、つまり、可動保持部材58を固定保持部材54に対してフリーな状態にしたまま、基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ42で2基同時に把持し、前記と同様にして、これをストッカ24の所定の場所に戻す。しかる後、めっき処理後の基板を装着しストッカ24に戻した基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40で2基同時に把持し、前記と同様にして、基板着脱部20の載置プレート52の上に載置して、前記と同様な作業を繰り返す。
そして、めっき処理後の基板を装着しストッカ24に戻した基板ホルダ18から全ての基板を取出し、スピンドライしてカセット10に戻して作業を完了する。これにより、図9(c)に示すように、レジスト502に設けた開口部502a内に第1金属めっき膜504及び第2金属めっき膜506を順次形成した基板Wが得られる。
次に、前述のようにしてスピンドライした基板Wを、例えば温度が50〜60℃のアセトン等の溶剤に浸漬させて、図9(d)に示すように、基板W上のレジスト502を剥離除去する。そして、図9(e)に示すように、めっき後の外部に露出する不要となったシード層500を除去する。次に、この基板Wを、例えば拡散炉からなる熱処理部(図示せず)に搬送し、第1金属めっき膜504及び第2金属めっき膜506をリフロー(溶融)させることで、図9(f)に示すように、第1めっき金属と第2めっき金属の合金からなるバンプ508を形成する。更に、この基板Wを、例えば、100℃以上の温度でアニールし、バンプ508内の残留応力を除去する。
一方、基板Wに対するめっきを行った後、基板を保持することなく開放した状態でストッカ24内に収容した基板ホルダ18にあっては、該基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ44で2基同時に把持して基板ホルダ洗浄部26まで搬送する。そして、基板ホルダ18を基板ホルダ洗浄部26で吊下げ保持する。次に、図8に示すように、押出し棒108を水平移動させて基板ホルダ18の下方を開放させ、可動保持部材58と固定保持部材54との間に向けて、洗浄液供給部102,104から洗浄液を供給(スプレー)することによって、例えば、シール部材60の表面等の基板ホルダ18で基板Wを保持していた時に洗浄液で洗浄できなかった箇所を洗浄する。
このようにして、基板ホルダ18を洗浄した後、基板ホルダ洗浄部26で、基板ホルダ18を基板ホルダ搬送装置40のトランスポータ44で2基同時に把持して引き上げながら、基板ホルダ18に向けて空気を吹付けて、基板ホルダ18に表面に付着した洗浄液を除去する。そして、トランスポータ44で把持した基板ホルダ18をストッカ24に搬送して吊下げ保持する。
ここで、第1のめっき液をAgめっき液、第2のめっき液をSnめっき液とし、Agめっき液にAgめっき後処理剤が必要な場合を述べる。
基板ホルダ18に保持した基板WにAgめっきを行い、Agめっき後処理剤による後処理を行った後、Snめっきを連続して行うと、Agめっき液またはAgめっき後処理剤中に存在するよう素とSnめっき液中の錫が反応してよう化錫が生じて基板ホルダ18に付着する。
本発明によれば、基板ホルダ洗浄部26にて基板ホルダ18を洗浄することにより、基板ホルダ18に付着したよう化錫(付着物)を容易かつ確実に除去し、このよう化錫(付着物)を完全に除去した基板ホルダ18を使用して、次に基板に対するめっきを行うことができる。
なお、第1めっき液を除去する後処理剤を用いる場合には、第1めっき槽34aと第1めっき液水洗槽36aとの間に、第1めっき後処理槽及び第1めっき後処理剤水洗槽を設け、第1めっき槽34aで第1めっきを行った基板を保持した基板ホルダ18を第1めっき後処理槽に搬送し、ここで後処理剤によるめっき後処理を施す。次に、基板ホルダ18を第1めっき後処理剤水洗槽に搬送し、ここで、基板及び基板ホルダ18に付着した後処理剤を洗浄し、しかる後、基板ホルダ18を第1めっき液水洗槽36aに搬送する。
上記の例では、基板ホルダ洗浄部26として、いわゆるスプレー洗浄方式を採用しているが、基板を保持することなく開放させた状態の基板ホルダを純水等の洗浄液中に浸漬させて洗浄する、いわゆる浸漬タイプのものを使用しても良い。
また、ストッカ24に純水等の洗浄液を供給、保持及び排出する機構を設けて、ストッカ24が基板ホルダ洗浄部としての役割を兼用するようにしてもよい。この場合、基板を保持することなく開放させた状態で基板ホルダ18をストッカ24で保管して、ストッカ24内に純水等の洗浄液を供給し、保持した後、排出する操作を、例えば2回以上繰り返すことで、基板ホルダ18を確実に洗浄することができる。
この場合、ストッカ24として、図8に示す押出し棒108を有するものを使用し、基板ホルダ18を開放させることが好ましい。
更に、前処理液水洗槽32、第1めっき液水洗槽36a、または第2めっき液水洗槽36bの少なくとも一つに基板ホルダ洗浄部としての役割を兼用させて、この前処理液水洗槽32、第1めっき液水洗槽36a、または第2めっき液水洗槽36bの少なくとも一つで、好ましくは開放させた状態で基板ホルダ18を洗浄するようにしても良い。
本発明の実施の形態のめっき装置の全体配置図である。 図1に示すめっき装置の基板ホルダの一部を省略した平面図である。 図1に示すめっき装置の基板ホルダの縦断正面図である。 図1に示すめっき装置の基板ホルダの右側面図である。 図1に示す基板ホルダにおける導電体と電気接点を示す断面図で、(a)は基板保持前、(b)は基板保持後の状態を示す。 図1に示す基板ホルダにおける固定保持部材と可動保持部材のテーパ部を示す断面図で、(a)は基板保持前、(b)は基板保持後の状態を示す。 図1に示すめっき装置の基板ホルダ洗浄部の概要を、下方を開放させて保持した基板ホルダとともに示す縦断正面図である。 図1に示すめっき装置の基板ホルダ洗浄部の概要を、下方を開放させて保持した基板ホルダとともに示す縦断側面図である。 基板上にバンプ(突起状電極)を形成する過程を工程順に示す断面図である。 図1に示すめっき装置の基板ホルダ洗浄部の概要を、開放させて保持した他の基板ホルダとともに示す縦断側面図である。
符号の説明
10 カセット
12 カセットテーブル
16 スピンドライヤ
18 基板ホルダ
20 基板着脱部
22 基板搬送装置
24 ストッカ
26 基板ホルダ洗浄部
28 プリウェット槽
30 前処理槽
32 前処理液水洗槽
34a,34b めっき槽
36a,36b めっき液水洗槽
38 ブロー槽
40 基板ホルダ搬送装置
42,44 トランスポータ
52 載置プレート
54 固定保持部材
56 ヒンジ
58 可動保持部材
60 シール部材
60a リップ部
60b リップ部
70 クランパ
88 導電体
90 支持体
92 電気接点
92b 接点端部
98 ハンド
100 処理槽
102,104 洗浄液供給部
106 超音波発生器
108 押出し棒
500 シード層
502 レジスト
504 第1金属めっき膜
506 第2金属めっき膜
508 バンプ

Claims (5)

  1. 異なる種類のめっき液を保持する複数のめっき槽と、
    基板を保持したまま、前記異なる種類のめっき液に基板を順次接触させる開閉自在な基板ホルダと、
    基板を保持することなく開放させた状態で前記基板ホルダを洗浄する基板ホルダ洗浄部を有することを特徴とするめっき装置。
  2. 前記基板ホルダ洗浄部は、開放させた状態の基板ホルダの開放部に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給部を有することを特徴とする請求項1記載のめっき装置。
  3. 前記基板ホルダ供給部は、前記洗浄液に超音波を照射する超音波発生器を有することを特徴とする請求項2記載のめっき装置。
  4. 基板ホルダで基板を保持し、
    基板ホルダで保持した基板を異なる種類のめっき液に順次接触させて異なる金属めっきを行い、
    前記基板ホルダを開放させて基板の保持を解き、
    基板を保持することなく開放させた状態で前記基板ホルダを洗浄することを特徴とするめっき方法。
  5. 前記基板ホルダの洗浄を、浸漬洗浄、スプレー洗浄または超音波洗浄のいずれかで行うことを特徴とする請求項4記載のめっき方法。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295849A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Ebara Corp 接触シール、ウエハホルダ及びめっき装置
JP2014019900A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Ebara Corp めっき装置及び基板ホルダ洗浄方法
JP2014196555A (ja) * 2013-02-15 2014-10-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation ウェハ保持装置上のメッキの検知
JP2015193935A (ja) * 2010-08-19 2015-11-05 株式会社荏原製作所 基板ホルダ
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
US10087545B2 (en) 2011-08-01 2018-10-02 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US10092933B2 (en) 2012-03-28 2018-10-09 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
CN110408982A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 株式会社荏原制作所 检查方法、检查装置以及具备该检查装置的电镀装置
JP2020002423A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社荏原製作所 基板ホルダ
US10538855B2 (en) 2012-03-30 2020-01-21 Novellus Systems, Inc. Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
CN111005059A (zh) * 2018-10-05 2020-04-14 株式会社荏原制作所 清洗装置、具备该清洗装置的电镀装置以及清洗方法
CN113369215A (zh) * 2020-02-25 2021-09-10 株式会社荏原制作所 清洗方法和清洗装置
JP7097523B1 (ja) * 2021-02-26 2022-07-07 株式会社荏原製作所 基板ホルダの保管方法、めっき装置
US11492721B2 (en) * 2017-04-07 2022-11-08 Ebara Corporation Electroplating apparatus and cleaning method in electroplating apparatus
CN117987870A (zh) * 2024-01-03 2024-05-07 平顶山学院 一种Ru-NiSe2/NF复合电催化剂材料的制备方法及应用

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295849A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Ebara Corp 接触シール、ウエハホルダ及びめっき装置
JP2015193935A (ja) * 2010-08-19 2015-11-05 株式会社荏原製作所 基板ホルダ
US10087545B2 (en) 2011-08-01 2018-10-02 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US10092933B2 (en) 2012-03-28 2018-10-09 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
US11542630B2 (en) 2012-03-30 2023-01-03 Novellus Systems, Inc. Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
US10538855B2 (en) 2012-03-30 2020-01-21 Novellus Systems, Inc. Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
TWI577839B (zh) * 2012-07-18 2017-04-11 Ebara Corp Plating apparatus and substrate holder cleaning method
US10119198B2 (en) 2012-07-18 2018-11-06 Ebara Corporation Method of cleaning substrate holder
KR101930965B1 (ko) * 2012-07-18 2018-12-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 기판 홀더 세정 방법
JP2014019900A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Ebara Corp めっき装置及び基板ホルダ洗浄方法
US9376760B2 (en) 2012-07-18 2016-06-28 Ebara Corporation Plating apparatus and method of cleaning substrate holder
CN103572356A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 株式会社荏原制作所 电镀装置及基板保持架清洗方法
JP2014196555A (ja) * 2013-02-15 2014-10-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation ウェハ保持装置上のメッキの検知
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
US11492721B2 (en) * 2017-04-07 2022-11-08 Ebara Corporation Electroplating apparatus and cleaning method in electroplating apparatus
CN110408982A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 株式会社荏原制作所 检查方法、检查装置以及具备该检查装置的电镀装置
CN110408982B (zh) * 2018-04-27 2023-06-16 株式会社荏原制作所 检查方法、检查装置以及具备该检查装置的电镀装置
JP2020002423A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社荏原製作所 基板ホルダ
US11192151B2 (en) 2018-10-05 2021-12-07 Ebara Corporation Cleaning device, plating device including the same, and cleaning method
JP7034880B2 (ja) 2018-10-05 2022-03-14 株式会社荏原製作所 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
JP2020059868A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社荏原製作所 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
KR20200039554A (ko) 2018-10-05 2020-04-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 세정 장치, 이것을 구비한 도금 장치 및 세정 방법
CN111005059A (zh) * 2018-10-05 2020-04-14 株式会社荏原制作所 清洗装置、具备该清洗装置的电镀装置以及清洗方法
CN113369215A (zh) * 2020-02-25 2021-09-10 株式会社荏原制作所 清洗方法和清洗装置
JP2021134375A (ja) * 2020-02-25 2021-09-13 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び洗浄装置
JP7455608B2 (ja) 2020-02-25 2024-03-26 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び洗浄装置
JP7097523B1 (ja) * 2021-02-26 2022-07-07 株式会社荏原製作所 基板ホルダの保管方法、めっき装置
WO2022180780A1 (ja) * 2021-02-26 2022-09-01 株式会社荏原製作所 基板ホルダの保管方法、めっき装置
CN117987870A (zh) * 2024-01-03 2024-05-07 平顶山学院 一种Ru-NiSe2/NF复合电催化剂材料的制备方法及应用

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