KR20240036297A - 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 - Google Patents
마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240036297A KR20240036297A KR1020220114931A KR20220114931A KR20240036297A KR 20240036297 A KR20240036297 A KR 20240036297A KR 1020220114931 A KR1020220114931 A KR 1020220114931A KR 20220114931 A KR20220114931 A KR 20220114931A KR 20240036297 A KR20240036297 A KR 20240036297A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- electrode
- cleaning
- cleaning device
- mask cleaning
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B11/04—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto specially adapted for plate glass, e.g. prior to manufacture of windshields
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 세정 장치는, 마스크를 수용 가능한 세정조; 상기 세정조 내부에서 상기 마스크의 일면에 대향하도록 제공된 제1 전극과 상기 마스크의 타면에 대향하도록 제공된 제2 전극을 가지는 전극; 상기 세정조 내부에서 상기 마스크를 지지 가능한 마스크 지지 전극; 및 상기 전극 및 상기 마스크 지지 전극에 전기적으로 연결된 정류기를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크 표면 상의 이물을 세정하는 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중에서도 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Device, OLED)는 시야각이 넓고, 콘트라스트(contrast)가 우수할 뿐만 아니라, 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 그에 따라 유기발광표시장치(OLED)의 사용 영역이 점차 확대되어 가는 추세이다.
이러한 유기발광표시장치(OLED)의 전극들과 발광층을 포함한 중간층은 여러 가지 방법에 의하여 형성 가능한데, 이 중 하나의 방법이 증착법(deposition)이다.
고해상도 유기발광표시장치(OLED)를 제조하는 데에 가장 큰 난관은 유기발광표시장치(OLED) 공정에서 RGB 픽셀을 만드는 데 핵심인 증착 공정(deposition)에 있다. 기판 상에 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, 이하 ‘마스크’라 한다)를 정렬하고 박막의 원소재를 증착하여 원하는 패턴의 박막을 형성한다. 이러한 증착 공정은 챔버(chamber) 하단에 위치한 증착 소스에서 유기물을 가열하고, 가열된 유기물을 승화시켜 상부에 위치한 마스크를 통과해 기판에 증착하는 방법을 취한다.
유기물 증착 장치는, 진공 챔버와 마스크 프레임, 마스크, 기판, 유기물 증착 용기를 포함하고, 이때 마스크는 인장된 상태에서 마스크 프레임 상에 용접에 의해 고정 결합된다.
마스크를 이용해 수차례에 거쳐 증착 공정을 수행하는 경우, 마스크 표면에 유기물 등의 증착 물질이 침착(沈着)한다. 침착된 증착 물질이 마스크의 형상 변형을 가져오고, 이는 유기발광표시장치(OLED)의 수율 저하로 이어진다. 증착 패턴의 정밀도, 증착 성능을 일정 수준 이상으로 유지하기 위해 정기적으로 마스크 세정 공정을 필요로 한다.
증착 공정 후 마스크에 침착된 유기물 슬러리(slurry)를 제거하기 위해, 크게 마스크 세정 공정과 마스크 건조 공정을 거치게 된다. 마스크 세정 공정에서는 알칼리 세정액 속에서 전기를 통전하여 전극에서 발생하는 발생기 가스에 의해 마스크 표면상의 이물을 제거하는 표면처리를 행하는 전해 세정(EC, electro cleaning)과, 초순수(DIW, deionized water)로 세정하는 초순수 세정이 진행되고, 마스크 건조 공정에서는 마스크에 고압 기체를 분사해 잔여물과 세정액 등의 이물이 고압 기체와 함께 탈리하도록 하는 에어 나이프(air knife) 공정과, 마스크에 열풍을 공급해 남은 이물을 제거하는 열풍 건조 공정이 진행되고 있다.
유기발광표시장치(OLED)에 사용되는 기판 원장의 크기는 점차 커지는 방향으로 진화하고, 기판 원장 크기에 상응하여 마스크의 크기 또한 커지고 있다.
한국공개특허공보 제10-2012-0006390호(공개일자: 2012.01.18.)의 마스크 세정 공정에서 사용하는 전극은 통상적으로 전해도금에 의해 제작된다. 전극의 크기는 전해도금에 사용되는 전해조의 크기에 비례하는데 기술적 한계로 원장 형태의 전해도금으로는 대면적의 전극을 구현할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 대면적 마스크의 세정에 사용 가능하고, 세정 효율을 높인 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 마스크 세정 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 장치는, 마스크를 수용 가능한 세정조; 상기 세정조 내부에서 상기 마스크의 일면에 대향하도록 제공된 제1 전극과 상기 마스크의 타면에 대향하도록 제공된 제2 전극을 가지는 전극; 상기 세정조 내부에서 상기 마스크를 지지 가능한 마스크 지지 전극; 및 상기 전극 및 상기 마스크 지지 전극에 전기적으로 연결된 정류기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른, 상기 전극은 적어도 둘 이상의 분할 전극으로 이루어지고, 이웃하는 서로 다른 상기 분할 전극을 접합시키는 결합부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른, 상기 전극은 임의의 선폭과 선간격을 가지는 메쉬로 이루어질 수 있다.
일 실시예에 따른, 전극 반응에 의해 발생한 가스가 상기 전극 내부를 관통하도록 상기 선간격은 상기 선폭보다 더 큰 너비를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른, 상기 마스크를 기준으로 상기 마스크와 상기 제1 전극 간의 이격 거리를 조절 가능한 전극 이동부를 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 마스크 세정 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 방법은, 마스크 세정 장치를 이용하여 마스크를 세정하는 마스크 세정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 마스크 세정 단계의 이전 또는 상기 마스크 세정 단계와 동시에, 전극 이동부에 의해 상기 마스크에 대향하는 전극의 이격 거리를 조절하는 전극 이격 거리 조절 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 전극이 제1 전극과 제2 전극으로 구성됨에 따라, 기판에 대향하는 마스크 일면과, 그 후면인 마스크 타면 상 마스크 표면상의 이물을 동시에 제거해 마스크 세정 성능을 높일 수 있는 이점이 있다,
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전극이 적어도 둘 이상의 분할 전극으로 이뤄짐에 따라, 대면적의 마스크에 대응되도록 원하는 크기의 전극을 제작 가능한 이점이 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 둘 이상의 분할 전극을 결합부로 결합함에 따라 전극을 단순하고 용이하게 대형화함으로써, 전극 반응 면적을 넓게 구현 가능하고, 원하는 형상으로 전극을 구현 가능한 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 전극이 메쉬 구조로 이루어짐에 따라 마스크 세정 공정시 낮은 셀 전압으로 동작 가능하고, 낮은 셀 전압에 의해 마스크 세정 장치의 안정성을 높이고, 전극 사용연한을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 전극이 메쉬 구조로 이루어짐에 따라 전해 세정 도중 전극 표면에서 형성되는 가스가 전극 표면에 맺히지 않고 전극 내부 공극을 통과됨으로써, 전극 반응 동안 전극의 수율을 저해시키지 않는 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 전극 이동부에 의해 마스크와 제1 전극 간의 이격 거리를 조절함으로써, 대향하는 마스크 일면에 대한 제1 전극의 전해 세정력의 세기를 조절해, 이물의 정도가 서로 다른 마스크마다 범용적으로 사용 가능한 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 전극 이동부에 의해 전극이 위치 이동함에 따라 세정액의 유동을 발생시키고, 마스크 세정 장치의 전해 세정력을 더욱 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 전극 이동부에 의해 마스크의 일면과 타면에 각각 대향하는 제1 전극과 제2 전극을 전극 이동부에 의해 개별적으로 마스크와 제1 전극 및 제2 전극 간의 이격 거리를 조절함으로써, 마스크의 일면과 타면에서의 전해 세정력을 서로 달리 가져갈 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3에서의 전극과 그 중 A 부분의 부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5에서의 전극과 그 중 B 부분의 부분 확대도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3에서의 전극과 그 중 A 부분의 부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5에서의 전극과 그 중 B 부분의 부분 확대도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서 어느 한 실시예에 제1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시예에서는 제2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 방향은 직교 좌표계의
Y축을 지칭하고, 제2 방향은 직교 좌표계의 X축을 또한 제3 방향은 직교 좌표계의 Z축을 지칭하기로 한다. 이때 제1 방향은 제2 방향 및 제3 방향과 직교한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이고, 도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3에서의 전극과 그 중 A 부분의 부분 확대도이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 보여주는 사시도이며 도 6은 도 5에서의 전극과 그 중 B 부분의 부분 확대도이다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 장치(10)를 구성하는 각 구성요소에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
마스크(M)를 이용하여 기판(미도시) 상에 유기물 증착 공정을 거친 후, 일정 주기마다 마스크(M)에 증착된 이물을 제거하기 위해 마스크 세정 공정 및 마스크 건조 공정을 거치게 된다. 마스크 세정 시스템(미도시)은, 적어도 하나 이상의 마스크 세정 장치(10)와 마스크 건조 장치(미도시)가 여러 개 배열되어 일련의 마스크 세정 공정 및 마스크 건조 공정을 거치게 된다.
증착 공정에서 마스크(M)는, 일면이 기판(미도시)에 면 접촉하고, 타면은 증착원에 대향하도록 위치될 수 있다. 이때 마스크(M)의 일면과 타면은 증착 공정 후, 서로 다른 전해 세정 세기를 요구할 수 있다.
도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 마스크 세정 장치(10)에서는, 전해 세정(EC) 방식에 의해 마스크(M) 표면 상의 이물을 제거하는 마스크 세정 공정이 이뤄질 수 있다.
마스크 세정 장치(10)는, 세정조(100)와 전극(200), 마스크 지지 전극(300), 정류기(500)를 포함하고, 나아가 전극 이동부(600)를 더 포함할 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 세정조(100)는, 마스크(M)를 수용할 수 있다.
세정조(100)는, 전극(200)과 마스크 지지 전극(300)을 수용할 수 있다.
세정조(100)는, 세정액(미도시)을 수용할 수 있다. 세정액은, 기설정된 높이로 세정조(100)에 채워질 수 있다. 전극(200)과 마스크 지지 전극(300)은, 세정액(미도시)에 침지될 수 있다.
일 실시예에 따른 세정액(미도시)은, 수산화 칼륨(KOH) 용액과 같은 알칼리성 전해액일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 전극(200)은, 제1 전극(211)과 제2 전극을 포함하고, 나아가 단자대(213)를 더 포함할 수 있다.
전극(200)은, 티타늄(Ti)과 같은 금속 재질로 이루어지고, 바람직하게 전극(200)은, 이리듐(Ir), 백금(Pt) 등 고전도성 금속막으로 코팅될 수 있다.
제1 전극(211)은, 마스크(M)의 일면에 대향하도록 위치 제공될 수 있다. 제1 전극(211)은, 세정조(100) 내부에 제공될 수 있다. 일 실시예에 따르면 제1 전극(211)은, 전해 세정 공정시 양극으로 기능할 수 있다.
제2 전극(212)은, 마스크(M)의 타면에 대향하도록 위치 제공될 수 있다. 제2 전극(212)은, 세정조(100) 내부에 제공될 수 있다. 일 실시예에 따르면 제2 전극(212)은, 전해 세정 공정시 양극으로 기능할 수 있다.
도 1 내지 도 3, 도 5에 도시된 대로 마스크(M)는, 제1 전극(211)과 제2 전극(212)과 일 방향에서 나란하게 배치되도록 제공될 수 있다.
단자대(213)는, 제1 전극(211) 또는 제2 전극(212)을 정류기(500)와 전기적으로 연결하여, 제1 전극(211) 또는 제2 전극(212)을 통전시킬 수 있다.
다시 도 2와 도 5, 도 6을 참조하면 일 실시예에 따른 전극(200)은 적어도 둘 이상의 분할 전극(221)으로 이루어질 수 있다. 전극(200)이 분할 전극(221)일 경우, 전극(200)은 결합부(222)를 더 포함할 수 있다.
다시 도 2와 도 5, 도 6을 참조하면 일 실시에에 따른 분할 전극(221)은, 2X2의 배치 형태를 상정하고 있으나, N X M의 임의 개수로 분할될 수 있다(N과 M은 자연수).
결합부(222)는, 서로 다른 분할 전극(221)을 연결할 수 있다. 결합부(222)는, 이웃하는 분할 전극(221)끼리 접합시킬 수 있다. 일 실시예에 따른 결합부(222)는, 이웃하는 분할 전극(221) 사이에서 용접에 의해 형성될 수 있다.
다시 도 3 내지 도 6을 참조하면 일 실시예에 따른 전극(200)은, 공극을 갖도록 메쉬(mesh, 231) 구조로 이루어질 수 있다. 전극(200)이 메쉬(231) 구조로 이루어짐에 따라, 낮은 셀 전압을 가질 수 있다. 전극(200)은, 판상으로 일정 두께를 가질 수 있다. 전극(200)은, 판 형상의 전 두께를 관통하는 복수개의 공극이 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 메쉬(231) 구조를 이루는 공극은, 다이아몬드 모양일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 따른 공극은, 전극(200) 전체에서 균일하게 일정 간격으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 공극은, 전극(200)에 서로 다른 모양 또는 크기로 복수개 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따른 공극은, 전극(200)의 중앙부와 가장자리부에서 서로 다른 모양 또는 크기를 가질 수 있다. 바람직하게 공극은, 전극(200)의 중앙부는 작은 크기를 가지고, 전극(200)의 가장자리에서는 중앙부보다 상대적으로 더 큰 크기를 가질 수 있다.
다시 도 4와 도 6을 참조하면 전극(200)이 메쉬(231) 구조로 이루어진 경우, 선간격(232)은 선폭(233)보다 더 큰 너비를 가질 수 있다. 선간격(232)이 선폭(233)보다 더 큰 너비로 형성됨으로써, 전극 반응에 의해 발생하는 수소(H2) 등의 가스가 전극(200) 내부에 공극을 관통하고, 전극 표면에 체류해 전해 세정력을 저해하지 않도록 할 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 마스크 지지 전극(300)은, 세정조(100) 내부에서 마스크(M)를 지지할 수 있다. 마스크 지지 전극(300)은, 마스크(M)를 고정 지지할 수 있다.
마스크 지지 전극(300)의 일면은, 세정조(100)의 일면에 고정 지지될 수 있다. 도 1에 도시된 대로 일 실시예에 따른 마스크 지지 전극(300)은, 세정조(100)의 바닥면에 고정될 수 있고, 다른 실시예에 따르면 세정조(100)의 측면에 고정 지지될 수 있다.
마스크 지지 전극(300)은, 마스크(M)를 통전시키기 위해, 금속 재질로 이루어질 수 있다. 마스크 지지 전극(300)은, 티타늄(Ti)과 같은 금속 재질로 이루어지고, 바람직하게 마스크 지지 전극(300)은 이리듐(Ir), 백금(Pt) 등 고전도성 금속막으로 코팅될 수 있다.
일 실시예에 따르면 마스크 지지 전극(300)은, 전해 세정 공정시 음극으로 기능하고, 마스크 지지 전극(300)에 접촉한 마스크(M)를 통전시킬 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 정류기(400)는, 전극(200)과 마스크(M) 간 일 방향으로 전류가 흐르도록 해 전극(200)과 마스크 지지 전극(300)을 통전시킬 수 있다. 정류기(400)는, 전극(200)과 마스크 지지 전극(300)에 전기적으로 연결될 수 있다.
정류기(400)는, 적어도 하나 이상이 구비될 수 있다. 도 1 내지 도 3, 도 5에 도시되 대로 일 실시예에 따른 정류기(400)는 제1 전극(211)과 제2 전극(212)에 모두 연결되거나, 각각의 정류기(400)가 제1 전극(211)과 제2 전극(212) 각각에 개별적으로 제공될 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 전극 이동부(500)는, 제1 전극(211)과 제2 전극(212)의 위치를 개별적으로 이동시킬 수 있다. 전극 이동부(500)는, 마스크(M)의 일면과 타면 상에서 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)과 마스크(M) 간 이격 거리를 조절할 수 있다. 전극 이동부(500)는, 대향하는 마스크(M) 표면에 대한 제1 전극(211)과 제2 전극(212)의 전해 세정력의 세기를 조절할 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하면 전극 이동부(500)는, LM 가이드와 볼스크류에 의해 X축 방향으로 변위운동할 수 있다. 전극 이동부(500)는, 일 방향에서 나란히 제공된 마스크(M)를 기준으로 제1 전극(211) 또는 제2 전극(212)의 위치를 이동시킬 수 있는 구성이면 족하고, 도 1 내지 도 3, 도 5에 도시된 LM 가이드와 볼스크류는 일 실시예에 해당한다.
어느 하나의 전극 이동부(500)에 의해, 제1 전극(211)이 위치 이동함에 따라 세정액(미도시)을 유동시켜 제1 전극(211)의 전해 세정 성능을 높일 수 있다. 또한 다른 하나의 전극 이동부(500)에 의해, 제2 전극(212)이 위치 이동함에 따라 세정액(미도시)을 유동시켜 제2 전극(212)의 전해 세정 성능을 높일 수 있다.
아래에서는 마스크 세정 장치(10)를 이용한 마스크 세정 방법을 시계열에 따라 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 장치(10)를 이용한 마스크 세정 방법은, 마스크 세정 단계를 포함하고, 나아가 전극 이격 거리 조절 단계를 더 포함할 수 있다.
마스크 세정 단계에서는, 마스크(M) 표면에 증착된 이물을 전해 세정(EC) 방식으로 세정할 수 있다. 마스크 세정 단계 전, 또는 동시에 전극 이동부(500)는, 제1 전극(211)과 제2 전극(212)을 위치 이동시킬 수 있다.
전극 이격 거리 조절 단계에서는, 마스크의 세정 단계 이전 또는 마스크 세정 단계와 동기에, 전극 이동부에 의해 마스크에 대향하는 전극의 이격 거리를 조절할 수 있다.
보다 구체적으로 일 실시에에 따른 전극 이격 거리 조절 단계에서는, 전극 이동부에 의해 제1 전극 또는 제2 전극의 이격 거리를 조절할 수 있다. 다른 실시에에 따른 전극 이격 거리 조절 단계에서는, 전극 이동부에 의해 제1 전극과 제2 전극의 이격 거리를 조절할 수 있다. 전극 이격 거리 조절 단계에서 조절되는 제1 전극과 마스크의 이격 거리는, 제2 전극과 마스크의 이격 거리와 서로 독립적으로 조절될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10 : 마스크 세정 장치
100 : 세정조
200 : 전극 211 : 제1 전극
212 : 제2 전극 213 : 단자대
221 : 분할 전극 222 : 결합부
231 : 메쉬 232 : 선폭
233 : 선간격
300 : 마스크 지지 전극
400 : 전극 이동부
M : 마스크
100 : 세정조
200 : 전극 211 : 제1 전극
212 : 제2 전극 213 : 단자대
221 : 분할 전극 222 : 결합부
231 : 메쉬 232 : 선폭
233 : 선간격
300 : 마스크 지지 전극
400 : 전극 이동부
M : 마스크
Claims (7)
- 마스크를 수용 가능한 세정조;
상기 세정조 내부에서 상기 마스크의 일면에 대향하도록 제공된 제1 전극과 상기 마스크의 타면에 대향하도록 제공된 제2 전극을 가지는 전극;
상기 세정조 내부에서 상기 마스크를 지지 가능한 마스크 지지 전극; 및
상기 전극 및 상기 마스크 지지 전극에 전기적으로 연결된 정류기를 포함하는, 마스크 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전극은 적어도 둘 이상의 분할 전극으로 이루어지고,
이웃하는 서로 다른 상기 분할 전극을 접합시키는 결합부를 더 포함하는, 마스크 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전극은 임의의 선폭과 선간격을 가지는 메쉬로 이루어진, 마스크 세정 장치.
- 제 3 항에 있어서,
전극 반응에 의해 발생한 가스가 상기 전극 내부를 관통하도록 상기 선간격은 상기 선폭보다 더 큰 너비를 가지는, 마스크 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 마스크를 기준으로 상기 마스크와 상기 제1 전극 간의 이격 거리를 조절 가능한 전극 이동부를 더 포함하는, 마스크 세정 장치.
- 제 1 항 내지 제 5항 중 어느 하나의 마스크 세정 장치를 이용하여 마스크를 세정하는 마스크 세정 단계를 포함하는, 마스크 세정 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 마스크 세정 단계의 이전 또는 상기 마스크 세정 단계와 동시에, 전극 이동부에 의해 상기 마스크에 대향하는 전극의 이격 거리를 조절하는 전극 이격 거리 조절 단계를 더 포함하는, 마스크 세정 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220114931A KR20240036297A (ko) | 2022-09-13 | 2022-09-13 | 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220114931A KR20240036297A (ko) | 2022-09-13 | 2022-09-13 | 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20240036297A true KR20240036297A (ko) | 2024-03-20 |
Family
ID=90483361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220114931A KR20240036297A (ko) | 2022-09-13 | 2022-09-13 | 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20240036297A (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120006390A (ko) | 2010-07-12 | 2012-01-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 세정 장치 |
-
2022
- 2022-09-13 KR KR1020220114931A patent/KR20240036297A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120006390A (ko) | 2010-07-12 | 2012-01-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 세정 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7727364B2 (en) | Auxiliary electrode encased in cation exchange membrane tube for electroplating cell | |
US8322045B2 (en) | Single wafer apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife | |
TW200704315A (en) | Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device | |
US10790170B2 (en) | Device and method for continuous production of porous silicon layers | |
US20110278162A1 (en) | system for plating a conductive substrate, and a substrate holder for holding a conductive substrate during plating thereof | |
TWI532884B (zh) | 用於製造太陽能電池之快速化學電沉積之裝置及方法 | |
US9752249B2 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
US20040007467A1 (en) | Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces | |
RU2010127857A (ru) | Вакуумная pvd-установка нанесения покрытий | |
US20070187257A1 (en) | Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method | |
US20160265129A1 (en) | Film formation apparatus and film formation method forming metal film | |
TW200305470A (en) | Electrochemical machining device and electrochemical machining method | |
US7638030B2 (en) | Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method | |
KR20240036297A (ko) | 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 | |
WO2008071239A1 (en) | Apparatus and process for single-side wet chemical and electrolytic treatment of goods | |
CN107591416B (zh) | 一种阵列基板的制造方法和阵列基板 | |
US20110132543A1 (en) | Brush type plasma surface treatment apparatus | |
WO2018205404A1 (zh) | 晶圆的电镀设备和电镀方法 | |
EP1525609B1 (de) | Vorrichtung zum aetzen grossflaechiger halbleiterscheiben | |
KR102416775B1 (ko) | 전해 처리 지그 및 전해 처리 방법 | |
JP2019056174A (ja) | 化学および電解の少なくとも一方の表面処理のための分布システム | |
KR101184581B1 (ko) | 기판 도금 장치 | |
JP2014111287A (ja) | 電解液ジェット加工装置及び電解液ジェット加工方法 | |
US20070095659A1 (en) | Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method | |
JP2007113082A (ja) | めっき装置及びめっき方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal |