RU2010127857A - Вакуумная pvd-установка нанесения покрытий - Google Patents

Вакуумная pvd-установка нанесения покрытий Download PDF

Info

Publication number
RU2010127857A
RU2010127857A RU2010127857/02A RU2010127857A RU2010127857A RU 2010127857 A RU2010127857 A RU 2010127857A RU 2010127857/02 A RU2010127857/02 A RU 2010127857/02A RU 2010127857 A RU2010127857 A RU 2010127857A RU 2010127857 A RU2010127857 A RU 2010127857A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
coating
substrate holder
substrates
substrate
maximum
Prior art date
Application number
RU2010127857/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2486280C2 (ru
Inventor
Юрген РАММ (CH)
Юрген РАММ
Кристиан ВОЛЬРАБ (AT)
Кристиан ВОЛЬРАБ
Original Assignee
Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах (Ch)
Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах (Ch), Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах filed Critical Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах (Ch)
Publication of RU2010127857A publication Critical patent/RU2010127857A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2486280C2 publication Critical patent/RU2486280C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325—Electric arc evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

1. Вакуумная установка нанесения покрытий, включающая в себя: ! - вакуумную рабочую камеру (1), которая соединена с насосной системой (2), ! - по меньшей мере один впуск (12) реакционноспособного газа, который подсоединен к по меньшей мере одному резервуару (13) реакционноспособного газа, ! - по меньшей мере один PVD-источник (8, 21) покрытия с анодом (10) и плоским катодом (11), ! - подложкодержатель (6) для приема множества подложек (7), ! - дверь (4), которая расположена на вакуумной рабочей камере (1) для загрузки камеры подложкодержателем (6), ! - транспортировочное устройство (5) для проведения подложкодержателя (6) через дверь (4) и позиционирования в вакуумной рабочей камере (1) на расстоянии в области плоского катода (11), ! - блок (16, 18) питания, который соединен с PVD-источником (8, 16) покрытия, ! отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) расположен между по меньшей мере двумя PVD-источниками покрытия и таким образом, что после комплектации подложкодержателя (6) в установке множеством плоских подложек (7) нормали к поверхностям (A) подложек проходят по существу перпендикулярно нормалям к поверхностям катода. ! 2. Установка нанесения покрытий по п.1, отличающаяся тем, что предусмотрено устройство (26, 27, 30) перемещения для приема подложек (7), которое расположено в одной плоскости с подложкодержателем (6), предпочтительно так, что образуется вращательная компоновка подложек (7). ! 3. Установка нанесения покрытий по п.1, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) выполнен так, что после комплектации подложками (7) они разложены позиционированными неподвижно. ! 4. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) вклю

Claims (34)

1. Вакуумная установка нанесения покрытий, включающая в себя:
- вакуумную рабочую камеру (1), которая соединена с насосной системой (2),
- по меньшей мере один впуск (12) реакционноспособного газа, который подсоединен к по меньшей мере одному резервуару (13) реакционноспособного газа,
- по меньшей мере один PVD-источник (8, 21) покрытия с анодом (10) и плоским катодом (11),
- подложкодержатель (6) для приема множества подложек (7),
- дверь (4), которая расположена на вакуумной рабочей камере (1) для загрузки камеры подложкодержателем (6),
- транспортировочное устройство (5) для проведения подложкодержателя (6) через дверь (4) и позиционирования в вакуумной рабочей камере (1) на расстоянии в области плоского катода (11),
- блок (16, 18) питания, который соединен с PVD-источником (8, 16) покрытия,
отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) расположен между по меньшей мере двумя PVD-источниками покрытия и таким образом, что после комплектации подложкодержателя (6) в установке множеством плоских подложек (7) нормали к поверхностям (A) подложек проходят по существу перпендикулярно нормалям к поверхностям катода.
2. Установка нанесения покрытий по п.1, отличающаяся тем, что предусмотрено устройство (26, 27, 30) перемещения для приема подложек (7), которое расположено в одной плоскости с подложкодержателем (6), предпочтительно так, что образуется вращательная компоновка подложек (7).
3. Установка нанесения покрытий по п.1, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) выполнен так, что после комплектации подложками (7) они разложены позиционированными неподвижно.
4. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) включает в себя подставку (24) под подложки, снабженную множеством отверстий (25) для приема плоских подложек (7), при этом компоновка предпочтительно выполнена в виде решетчатой структуры, такой как, например, проволочная решетка (25'), которая удерживается охватывающей рамкой (23) и которая предпочтительно состоит из электропроводящего материала.
5. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) подходит для приема по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
6. Установка нанесения покрытий по п.4, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) подходит для приема по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
7. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, 6, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) соединен с устройством (22) перемещения для периодического относительного перемещения по отношению к PVD-источникам (8, 21) покрытия, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения.
8. Установка нанесения покрытий по п.4, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) соединен с устройством (22) перемещения для периодического относительного перемещения по отношению к PVD-источникам (8, 21) покрытия, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения.
9. Установка нанесения покрытий по п.5, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) соединен с устройством (22) перемещения для периодического относительного перемещения по отношению к PVD-источникам (8, 21) покрытия, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения.
10. Способ одновременного покрытия множества пластинчатых подложек (7) слоем твердого материала, включающий в себя:
- вакуумную рабочую камеру (1), которая соединена с насосной системой (2) для вакуумирования,
- по меньшей мере один впуск (12) реакционноспособного газа, который подсоединен к по меньшей мере одному резервуару (13) реакционноспособного газа для введения технологических газов,
- по меньшей мере один PVD-источник (8, 21) покрытия с анодом (10) и плоским катодом (11) для нанесения покрытия на подложку (7),
- подложкодержатель (6), на котором раскладывают множество подложек (7),
- дверь (4), которая расположена на вакуумной рабочей камере (1) для загрузки камеры подложкодержателем (6),
- транспортировочное устройство (5) для проведения подложкодержателя (6) через дверь (4) и позиционирования в вакуумной рабочей камере (1) на расстоянии в области плоского катода (11),
- блок (16, 18) питания для работы PVD-источника (8, 21) покрытия,
отличающийся тем, что подложкодержатель (6) позиционируют между по меньшей мере двумя PVD-источниками покрытия и выполняют таким образом, что после комплектации подложкодержателя (6) в установке множеством плоских подложек (7) нормали к поверхностям (A) подложек проходят по существу перпендикулярно нормалям к поверхностям катода.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что подложки (7) связывают с устройством (26, 27, 30) перемещения и располагают их вместе в одной плоскости на подложкодержателе (6), предпочтительно так, что подложки (7) приводят во вращательное движение.
12. Способ по п.10, отличающийся тем, что подложкодержатель (6) выполняют с подставкой (24) под подложки с множеством отверстий (25), в которые вставляют плоские подложки (7), при этом компоновку предпочтительно выполняют в виде решетчатой структуры, такой как, например, проволочная решетка, которая удерживается охватывающей рамкой (23), и эта решетка предпочтительно состоит из электропроводящего материала.
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что подложкодержатель (6) выполняют с подставкой (24) под подложки с множеством отверстий (25), в которые вставляют плоские подложки (7), при этом компоновку предпочтительно выполняют в виде решетчатой структуры, такой как, например, проволочная решетка, которая удерживается охватывающей рамкой (23), и эта решетка предпочтительно состоит из электропроводящего материала.
14. Способ по любому из пп.10-13, отличающийся тем, что оба катода (11) одной пары источников (8, 21) покрытия эксплуатируют соединенными с импульсным сильноточным блоком (17) питания, и тем, что по меньшей мере одну пару источников (8, 21) покрытия эксплуатируют с дуговыми источниками-испарителями.
15. Способ по любому из пп.10-13, отличающийся тем, что используют по существу плоские, предпочтительно пластинчатые подложки (7) с протяженностью в диапазоне от 5 мм до 60 мм, а предпочтительно покрывают поворотные режущие пластины.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что используют по существу плоские, предпочтительно пластинчатые подложки (7) с протяженностью в диапазоне от 5 мм до 60 мм, а предпочтительно покрывают поворотные режущие пластины.
17. Способ по любому из пп.10-13, 16, отличающийся тем, что на подложкодержателе (6) для одновременного нанесения покрытия раскладывают по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно, от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
18. Способ по п.14, отличающийся тем, что на подложкодержателе (6) для одновременного нанесения покрытия раскладывают по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно, от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
19. Способ по п.15, отличающийся тем, что на подложкодержателе (6) для одновременного нанесения покрытия раскладывают по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно, от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
20. Способ по любому из пп.10-13, 16, 18, 19, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
21. Способ по п.14, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
22. Способ по п.15, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
23. Способ по п.17, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
24. Способ по любому из пп.10-13, 16, 18, 19, 21-23, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
25. Способ по п.14, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
26. Способ по п.15, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
27. Способ по п.17, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
28. Способ по п.20, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
29. Способ по любому из пп.10-13, 16, 18, 19, 21-23, 25-28, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
30. Способ по п.14, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
31. Способ по п.15, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
32. Способ по п.17, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
33. Способ по п.20, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
34. Способ по п.24, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
RU2010127857/02A 2007-12-06 2008-11-17 Вакуумная pvd-установка нанесения покрытий RU2486280C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH18902007 2007-12-06
CH1890/07 2007-12-06
PCT/CH2008/000485 WO2009070903A1 (de) 2007-12-06 2008-11-17 Pvd - vakuumbeschichtungsanlage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010127857A true RU2010127857A (ru) 2012-01-20
RU2486280C2 RU2486280C2 (ru) 2013-06-27

Family

ID=39186114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010127857/02A RU2486280C2 (ru) 2007-12-06 2008-11-17 Вакуумная pvd-установка нанесения покрытий

Country Status (12)

Country Link
US (1) US8968830B2 (ru)
EP (1) EP2220265A1 (ru)
JP (1) JP5449185B2 (ru)
KR (1) KR20100094558A (ru)
CN (1) CN101889102B (ru)
BR (1) BRPI0820014A2 (ru)
CA (1) CA2707581A1 (ru)
MX (1) MX2010006214A (ru)
RU (1) RU2486280C2 (ru)
SG (2) SG186624A1 (ru)
TW (1) TWI498442B (ru)
WO (1) WO2009070903A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9150950B2 (en) * 2009-07-14 2015-10-06 Msm Krystall Gbr Method for producing indexable inserts
CZ304905B6 (cs) * 2009-11-23 2015-01-14 Shm, S.R.O. Způsob vytváření PVD vrstev s pomocí rotační cylindrické katody a zařízení k provádění tohoto způsobu
DE102010038077B4 (de) 2010-10-08 2018-05-30 Msm Krystall Gbr (Vertretungsberechtigte Gesellschafter: Dr. Rainer Schneider, 12165 Berlin; Arno Mecklenburg, 10999 Berlin) Wendeschneidplatte und Verfahren zu deren Herstellung
EP2540858B1 (en) * 2011-06-30 2014-12-17 Lamina Technologies SA Cathodic arc deposition
CN104004993B (zh) * 2013-02-25 2018-01-12 北京中科三环高技术股份有限公司 一种表面处理装置
DE102015004856A1 (de) * 2015-04-15 2016-10-20 Oerlikon Metaplas Gmbh Bipolares Arc-Beschichtungsverfahren
JP6255544B2 (ja) 2015-12-17 2017-12-27 株式会社アルバック 真空処理装置
US11322338B2 (en) * 2017-08-31 2022-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sputter target magnet
CN113242990A (zh) * 2018-12-17 2021-08-10 应用材料公司 用于封装的pvd定向沉积
US20200255941A1 (en) * 2019-02-11 2020-08-13 Kennametal Inc. Supports for chemical vapor deposition coating applications
JP7021792B2 (ja) * 2019-05-07 2022-02-17 ライトメッド （ユーエスエー） インク 半導体デバイスと熱拡散マウントとの銀－インジウム過渡液相接合方法および銀－インジウム過渡液相接合ジョイントを有する半導体構造

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1264025A (en) 1987-05-29 1989-12-27 James A.E. Bell Apparatus and process for coloring objects by plasma coating
DE4209384C1 (ru) 1992-03-23 1993-04-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
RU2058427C1 (ru) * 1993-06-01 1996-04-20 Александр Иванович Дерюгин Вакуумная установка для нанесения покрытий
RU2099439C1 (ru) * 1995-05-06 1997-12-20 Самарская государственная архитектурно-строительная академия Устройство для нанесения покрытий (варианты)
DE29615190U1 (de) 1996-03-11 1996-11-28 Balzers Verschleissschutz Gmbh Anlage zur Beschichtung von Werkstücken
CN1169477A (zh) * 1996-05-10 1998-01-07 萨蒂斯真空工业销售股份公司 在光学基片上蒸镀镀膜的方法
US5803971A (en) * 1997-01-13 1998-09-08 United Technologies Corporation Modular coating fixture
US6250758B1 (en) * 1997-05-16 2001-06-26 Hoya Corporation Plastic optical devices having antireflection film and mechanism for equalizing thickness of antireflection film
JP4345869B2 (ja) 1997-05-16 2009-10-14 Ｈｏｙａ株式会社 スパッタ成膜用の膜厚補正機構
SE517046C2 (sv) 1997-11-26 2002-04-09 Sandvik Ab Plasmaaktiverad CVD-metod för beläggning av skärverktyg med finkornig aluminiumoxid
JP2000141108A (ja) 1999-01-01 2000-05-23 Hitachi Tool Engineering Ltd 被覆スロ―アウェイチップの製造方法
JP2001049428A (ja) 1999-08-05 2001-02-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置
EP1186681B1 (de) 2000-09-05 2010-03-31 Oerlikon Trading AG, Trübbach Vakuumanlage mit koppelbarem Werkstückträger
US20020160620A1 (en) * 2001-02-26 2002-10-31 Rudolf Wagner Method for producing coated workpieces, uses and installation for the method
DE202004011179U1 (de) * 2003-07-21 2004-12-02 Unaxis Balzers Ag Trog zum Stapeln, Aufnehmen und Transportieren von kleinen Teilen, insbesondere Werkzeugen
CA2559807C (en) * 2004-04-30 2009-02-10 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Surface-covered cubic boron nitride sintered body tool and method of manufacturing the same
SG160397A1 (en) 2005-03-24 2010-04-29 Oerlikon Trading Ag Hard material layer

Also Published As

Publication number Publication date
US8968830B2 (en) 2015-03-03
US20090148599A1 (en) 2009-06-11
KR20100094558A (ko) 2010-08-26
MX2010006214A (es) 2010-06-23
JP5449185B2 (ja) 2014-03-19
EP2220265A1 (de) 2010-08-25
JP2011505262A (ja) 2011-02-24
CN101889102A (zh) 2010-11-17
TWI498442B (zh) 2015-09-01
TW200936795A (en) 2009-09-01
BRPI0820014A2 (pt) 2015-05-19
WO2009070903A1 (de) 2009-06-11
SG10201604607PA (en) 2016-07-28
CA2707581A1 (en) 2009-06-11
RU2486280C2 (ru) 2013-06-27
CN101889102B (zh) 2013-04-10
SG186624A1 (en) 2013-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010127857A (ru) Вакуумная pvd-установка нанесения покрытий
JP2011505262A5 (ru)
EP1746181A3 (en) Improved magnetron sputtering system for large-area substrates
US20180258519A1 (en) Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking the substrate during vacuum deposition
JP2009260383A5 (ru)
TWI593819B (zh) Sputtering method
JP4599473B2 (ja) スパッタリング装置および薄膜形成方法
JP2014524974A (ja) ピンホールフリー誘電体薄膜製造
US11261535B2 (en) Plating apparatus and operation method thereof
JP2007179783A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2004072331A3 (en) Apparatus and method for highly controlled electrodeposition
TW201923164A (zh) 表面處理裝置
KR20200135513A (ko) 기판을 프로세싱하는 진공 프로세싱 장치 및 방법
JP6851202B2 (ja) 基板ホルダ、縦型基板搬送装置及び基板処理装置
US9297075B2 (en) Plasma deposition apparatus and plasma deposition method
TW200725729A (en) Plasma etching system
CN116913751A (zh) 蚀刻装置
WO2019185187A1 (en) Method for vacuum processing of a substrate, and apparatus for vacuum processing of a substrate
TW201131004A (en) Magnet unit for magnetron sputtering electrode and sputtering device
JP4781337B2 (ja) 成膜装置
US20180358212A1 (en) System configured for sputter deposition on a substrate, shielding device for a sputter deposition chamber, and method for providing an electrical shielding in a sputter deposition chamber
CN219010447U (zh) 立式pvd倾斜沉积硅片装载装置
KR101226478B1 (ko) 스퍼터링 마스크 및 이를 이용한 스퍼터링 장치
KR20150133076A (ko) 박막 증착 인라인 시스템
JP6949381B2 (ja) 立体状対象物表面の金属膜蒸着装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20141118